1.一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂,其特征在于:由供硼剂b4c、硼势缓冲剂ni粉、电场电流稳定剂活性炭、活化剂kbf4和填充剂α-al2o3组成。
2.根据权利要求1所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂,其特征在于:
所述b4c含量为8~12wt.%;
kbf4含量为8~15wt.%
ni粉的含量为1.5~2.0wt.%
活性炭含量为1.5~2.0wt%
其余为α-al2o3粉末。
3.根据权利要求2所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂,其特征在于:
所述α-al2o3为市售99.9wt.%刚玉粉,并经1200℃灼烧处理120min,以消除粉末中残存的少量亚稳相。
4.根据权利要求3所述基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂,其特征在于:
所述b4c粒径为100~150μm;
α-al2o3粒径为100~150μm;
ni粉粒径为100~150μm。
5.一种采用权利要求1-4中任一项所述渗硼剂,在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)用纯镍板制作渗硼罐中的上、下电极盖;
(2)在纯镍上低温制备致密渗硼层工艺参数为;渗硼温度在650~800℃,渗硼时间为2~6h;
(3)在纯镍上获得致密渗硼层工艺的电场参数为:交流电场频率在100~300hz。
6.根据权利要求5所述在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法,其特征在于:步骤(3)中所述交流电场频率取值200hz;电场强度在20~35v/cm范围。
7.权利要求6所述在纯镍基体上通过电场辅助低温制备致密渗硼层的方法,其特征在于所述渗硼温度和渗硼时间的关系为:渗硼温度取下限值时,交流电场频率取最优值200hz,电场强度取下限值20v/cm;渗硼温度取上限值时,电场交流频率取下限值,电场强度取上限值35v/cm。