1.一种qpq低温直流电场渗氮工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤s10、预热，将工件在400℃的温度下预热至表面出现稻草黄色或紫红色；
步骤s20、渗氮，将预热后的工件放入直流电场盐浴渗氮炉中，同时调节电压，直流电场的阳极为工件，阴极为碳棒，且阳极与阴极之间互不接触，所述直流电场盐浴渗氮炉内温度不高于500℃；
步骤s30、氧化及抛光，将氧化后的工件用清水漂洗后机械抛光。
2.根据权利要求1所述的qpq低温直流电场渗氮工艺，其特征在于，步骤s20中，所述直流电场盐浴渗氮炉内温度为445℃-455℃，所述直流电场的电压为1v-5v，渗氮浓度为25％-27％，渗氮时间为2h。
3.根据权利要求2所述的qpq低温直流电场渗氮工艺，其特征在于，所述直流电场盐浴渗氮炉内温度为450℃，所述直流电场的电压为5v，渗氮浓度为26％，渗氮时间为2h。
4.根据权利要求1所述的qpq低温直流电场渗氮工艺，其特征在于，步骤s30中，所述氧化的过程为在350℃-400℃条件下于氧化盐的作用下氧化10-20min。
5.一种qpq低温直流电场渗氮装置，其特征在于，包括具有反应空间的炉体、与所述反应空间连通的直流电场及控制系统，所述直流电场包括电源及连接所述电源与所述反应空间的第一导线及第二导线，所述第一导线的一端与所述电源的阳极连接，另一端固定有工件式样块，所述第二导线的一端与所述电源的阴极连接，另一端固定有碳棒，工作时，所述反应空间内填充部分盐浴基液，所述工件式样块及所述碳棒浸设于所述盐浴基液内。
6.根据权利要求5所述的qpq低温直流电场渗氮装置，其特征在于，所述控制系统包括温控箱、设置于所述反应空间内并与所述温控箱连通的热电偶、与所述温控箱连接的自动计时仪及与所述自动计时仪连接的自动报警器。
7.根据权利要求6所述的qpq低温直流电场渗氮装置，其特征在于，所述炉体包括围成所述反应空间的本体部、与所述本体部固定连接并设置于所述反应空间内的电阻丝及设置于所述本体部与所述电阻丝之间的隔热层。
8.根据权利要求7所述的qpq低温直流电场渗氮装置，其特征在于，所述隔热层为防火砖。
9.根据权利要求5所述的qpq低温直流电场渗氮装置，其特征在于，所述盐浴基液与所述反应空间的体积比保持在2/3至3/4之间。