本发明涉及一种电子设备用的高散热铜箔及其制备方法。
背景技术：
铜箔具有低表面氧气特性，可以附着与各种不同基材，如金属，绝缘材料等，拥有较宽的温度使用范围。主要应用于电磁屏蔽及抗静电，将导电铜箔置于衬底面，结合金属基材，具有优良的导通性，并提供电磁屏蔽的效果。可分为：自粘铜箔、双导铜箔、单导铜箔等。
高散热铜箔常常用在各自的电子设备中，常常用作散热用，因此，本领域的技术人员。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种具有出色的导热性能，可以用在各种的电子设备中的电子设备用的高散热铜箔。
为解决上述问题，本发明采用如下技术方案：
一种电子设备用的高散热铜箔，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂120-125份、石墨烯粉体75-87份、氧化镉1-3份、氧化锑2-4份、三氧化钼1-3份、铜粉324-335份、纳米铍2-4份、纳米氮化铝38-77份、铝粉55-60份、硅化镁3-5份、氧化钪1-3份、纳米钛20-22份和纳米锆7-9份。
进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂120份、石墨烯粉体75份、氧化镉1份、氧化锑2份、三氧化钼1份、铜粉324份、纳米铍2份、纳米氮化铝38份、铝粉55份、硅化镁3份、氧化钪1份、纳米钛20份和纳米锆7份。
进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂125份、石墨烯粉体87份、氧化镉3份、氧化锑4份、三氧化钼3份、铜粉335份、纳米铍4份、纳米氮化铝77份、铝粉60份、硅化镁5份、氧化钪3份、纳米钛22份和纳米锆9份。
进一步的，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂123份、石墨烯粉体80份、氧化镉2份、氧化锑3份、三氧化钼2份、铜粉330份、纳米铍3份、纳米氮化铝50份、铝粉57份、硅化镁4份、氧化钪2份、纳米钛21份和纳米锆8份。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法，包括以下步骤：
1）将铜粉324-335份、纳米铍2-4份、纳米氮化铝38-77份、铝粉55-60份、硅化镁3-5份、氧化钪1-3份、纳米钛20-22份和纳米锆7-9份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；
2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为900-1000℃，烧结压力为60-90mpa，烧结时间为60-90分钟，制得胚件，备用；
3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；
4）将石墨烯粉体75-87份、氧化镉1-3份、氧化锑2-4份和三氧化钼1-3份一起倒入到甲基乙烯基mq高粘度硅树脂120-125份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。
本发明的有益效果是：通过添加有纳米氮化铝可以有效的提升整体的导热性能，同时加入了纳米钛和纳米锆能够提升整体的耐腐性性能，对整体的导热性能影响较少，再加成品后表面包覆有高导热的石墨烯粉体功能层，不仅提升了整体的导热性能，同时又能够起到良好的防护效果，能够有效的防止内部的铜箔基体被腐蚀。
以下是电子设备用的高散热铜箔的原料的特点或作用：
甲基乙烯基mq高粘度硅树脂：封装胶的基料，也可用于液体硅胶的补强材料，压敏胶，高透明硅凝胶及液体硅橡胶、热硫化硅橡胶混炼胶、半导体元器件的无壳灌封胶的补强材料,补强后的硅橡胶无色透明，机械强度高。分子以si-o键为骨架而构成的立体（非线性）结构的新型有机硅高分子材料，得益于其长链球状分子结构，赋予其良好的机械性能和耐高低温、电气绝缘、防潮、防水等优良性能
石墨烯粉体:具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景，具有非常好的热传导性能,作为导热填充剂。
氧化镉;冶金工业用于制造各种合金如硬钢合金、印刷合金等。
氧化锑:用于工程塑料、橡胶、油漆、涂料、合成树脂、纸张等材料的阻燃。
三氧化钼：为添加型阻燃剂，具有阻燃和抑烟双重功能，与氧化锑复配具有协同效果，具有出色的阻燃和抑烟效果。
铜粉：是柔软的金属，表面刚切开时为红橙色带金属光泽，单质呈紫红色。延展性好，导热性和导电性高。
纳米铍：是一种灰白色的碱土金属，与铜粉复配具有协同性的作用，能够有效的提升机械性能、抗腐蚀性，还保持有很高的导电性。
纳米氮化铝：导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，作为导热填充剂。
铝粉：银白色轻金属。有延展性，具有良好的导热效果。
硅化镁:青色或浅紫色的粉末，立方系晶体,具有高熔点、高硬度、高弹性模量的特性；与铝粉复配制成合金时具有时效硬化特征，可以形成非常均匀的析出相，可以提高合金的强度。
氧化钪：在合金中主要起着变质和细化晶粒的作用，同时对铝合金起变质作用，使合金的结构和性能发生明显变化。可使合金的再结晶温度提高，且高温强度、结构稳定性、焊接性能和抗腐蚀性能均明显提高，并可避免高温下长期工作时易产生的脆化现象。
纳米钛：其特征为重量轻、强度高、具金属光泽，耐腐蚀。
纳米锆：把锆掺进铜里，导电能力并不减弱，而熔点却大大提高。锆还是铝、镁的变质剂，能起到细化晶粒的作用。
具体实施方式
下面对本发明的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，对于本领域的技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些实施例获得其他的实施方式。
实施例1：
一种电子设备用的高散热铜箔，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂120份、石墨烯粉体75份、氧化镉1份、氧化锑2份、三氧化钼1份、铜粉324份、纳米铍2份、纳米氮化铝38份、铝粉55份、硅化镁3份、氧化钪1份、纳米钛20份和纳米锆7份。
一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法包括以下步骤：
1）将铜粉324份、纳米铍2份、纳米氮化铝38份、铝粉55份、硅化镁3份、氧化钪1份、纳米钛20份和纳米锆7份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；
2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为900℃，烧结压力为60mpa，烧结时间为60分钟，制得胚件，备用；
3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；
4）将石墨烯粉体75份、氧化镉1份、氧化锑2份和三氧化钼1份一起倒入到甲基乙烯基mq高粘度硅树脂120份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。
实施例2：
一种电子设备用的高散热铜箔，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂125份、石墨烯粉体87份、氧化镉3份、氧化锑4份、三氧化钼3份、铜粉335份、纳米铍4份、纳米氮化铝77份、铝粉60份、硅化镁5份、氧化钪3份、纳米钛22份和纳米锆9份。
一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法，包括以下步骤：
1）将铜粉335份、纳米铍4份、纳米氮化铝77份、铝粉60份、硅化镁5份、氧化钪3份、纳米钛22份和纳米锆9份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；
2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为1000℃，烧结压力为90mpa，烧结时间为90分钟，制得胚件，备用；
3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；
4）将石墨烯粉体87份、氧化镉3份、氧化锑4份和三氧化钼3份一起倒入到甲基乙烯基mq高粘度硅树脂125份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。
实施例3：
一种电子设备用的高散热铜箔，包括以下重量份数配比的原料：甲基乙烯基mq高粘度硅树脂123份、石墨烯粉体80份、氧化镉2份、氧化锑3份、三氧化钼2份、铜粉330份、纳米铍3份、纳米氮化铝50份、铝粉57份、硅化镁4份、氧化钪2份、纳米钛21份和纳米锆8份。
一种电子设备用的高散热铜箔的制备方法，包括以下步骤：
1）将铜粉330份、纳米铍3份、纳米氮化铝50份、铝粉57份、硅化镁4份、氧化钪2份、纳米钛21份和纳米锆8份一起倒入到三维运动混合机中进行混合处理，使得物料混合均匀，制得混合物料，备用；
2）将步骤1）制得的混合物料采用烧结的方式，烧结出胚件，其中，烧结温度为950℃，烧结压力为75mpa，烧结时间为90分钟，制得胚件，备用；
3）将步骤2）制得的胚件采用压延机将胚件压制成薄膜，制得铜箔基体，备用；
4）将石墨烯粉体80份、氧化镉2份、氧化锑3份和三氧化钼2份一起倒入到甲基乙烯基mq高粘度硅树脂123份中，搅拌均匀后涂抹在铜箔基体表面，使得铜箔基体被包覆着，即得高散热铜箔。
实验例：
对实施例1、实施例2和实施例3制得的高散热铜箔的性能进行测试：
其中，实施例1、实施例2和实施例3制得的高散热铜箔厚度均为3mm、长度为4cm，宽度为3cm。
可以看出，本申请中制得的高散热铜箔各项性能优秀，具有出色的导热性能。
本发明的有益效果是：通过添加有纳米氮化铝可以有效的提升整体的导热性能，同时加入了纳米钛和纳米锆能够提升整体的耐腐性性能，对整体的导热性能影响较少，再加成品后表面包覆有高导热的石墨烯粉体功能层，不仅提升了整体的导热性能，同时又能够起到良好的防护效果，能够有效的防止内部的铜箔基体被腐蚀。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。