一种激光、红外、微波兼容隐身材料及其制备方法与应用与流程

本发明属于功能材料技术领域，涉及激光、雷达和红外伪装材料，特别涉及激光雷达红外兼容的一维光子晶体的设计和制备方法。

背景技术：

激光具有亮度高、方向性好、单色性好、相干性好的特性，在军事领域得到了广泛应用。上世纪六十年代以后，以激光束作为信息载体的各种激光设备(激光测距机、激光制导装置、激光雷达等)已装备部队。

以激光雷达探测为例，它是利用激光向目标发射探测信号，然后将发射信号与接收到的从目标反射来的信号作比较，以获得目标位置、运动状态等信息，从而对飞机、导弹等目标进行探测、跟踪和识别的技术。激光雷达接收到的激光回波功率pr可以表示为：

式中，pt是发射的激光功率；ρ是目标的反射率；ar是目标散射截面；ac是接收机有效孔径面积；ωt是发射波数的立体角；ωr是目标散射波数的立体角；τ是单向传播路径透过率；r是激光雷达作用距离。因此，激光雷达作用距离可以表示为：

可以看出，当测距机的性能与大气传输条件确定后，测程主要与目标的激光雷达散射截面和反射率有关。每降低目标的反射率1个数量级，激光雷达的最大作用距离就会减少40％左右。此外，激光雷达散射截面为在激光雷达接收机上产生同样光强的全反射球体的横截面积，可以表达为：

当r为最大作用距离rmax时，对应的σ＝σm称为“临界散射截面”。因此，当目标的散射截面积σ<σm时，目标将处于隐身状态，不会被激光雷达探测到。所以，通过降低目标的投影面积a及反射率ρ可以降低激光雷达散射截面，缩短激光探测距离，实现激光隐身效果。其中，减小目标的投影面积主要通过外形设计技术实现，减小目标的反射率主要是通过材料技术来实现的。

因此，对于固定外形的目标，通过材料技术的研究，使用激光反射率较小的材料可以有效抑制目标的激光散射截面，大幅压缩激光探测距离。

此外，在武器装备上使用的雷达吸波材料和红外隐身材料可以有效降低被红外和雷达探测发现的概率，提高武器装备的战场生存能力。现有的探测技术中，激光探测的工作波长主要有1.064μm、1.54μm、10.6μm；雷达探测的主要频率范围为2-18ghz；红外探测的波段主要为3-5μm和8-14μm。

然而现有技术多针对某单一功能伪装材料进行研究，如cn201910952096.4号中国专利(仅在激光波长10.6μm时具有9％的反射率，涉及激光波段少；红外隐身效果差；无微波隐身效果)；cn201210459422.6号中国专利(红外隐身效果差，涉及波段少；无激光、微波隐身效果)；cn201110052236.6号中国专利(无激光隐身效果、红外差、微波短)。以上中国专利文献分别公开了几种隐身材料，具有红外/雷达、或红外/激光二者兼容隐身性能，但是都没有激光/红外/雷达三者兼容隐身性能，且激光、红外、雷达所涉及的波段较短。

从现有探测技术中激光、红外和雷达的探测波段可以看出，激光散射抑制材料技术研究的重点是：首先，激光散射抑制材料需要满足对1.064μm、1.54μm、10.6μm三种常见波长激光的抑制。其次，由于10.6μm激光波长与8-14μm红外波段重叠，需要通过“光谱挖孔”才能实现对现有红外隐身材料的兼容。最后，采用的激光散射抑制材料体系不能影响底层雷达吸波材料的性能。由此方能实现兼具激光/红外/雷达的隐身性能。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷，提供一种同时具有激光、红外、微波兼容隐身性能的材料。

为了达到上述目的，本发明提供了一种激光、红外、微波兼容隐身材料，该隐身材料采用多层膜系结构，包括多层周期性层状结构，该周期性层状结构包括znse薄膜和ge薄膜。

在部分实施例中，较为优选的，多层膜系结构还包括缺陷调节层，该缺陷调节层采用zns薄膜。

在部分实施例中，较为优选的，上述隐身材料的多层膜系结构由下至上依次设有12层膜，第1、3、5、7、9、11层为znse薄膜，第2、4、6、10、12层为ge薄膜，第8层为zns薄膜。

在部分实施例中，较为优选的，znse薄膜的厚度为1850nm，ge薄膜的厚度为450nm，zns薄膜的厚度为125nm。

本发明还提供了上述隐身材料的制备方法，znse薄膜采用射频磁控溅射法；ge薄膜采用直流磁控溅射法。

在部分实施例中，较为优选的，znse薄膜的溅射功率为50w，工作气体压强为0.6pa，溅射时间为30min，沉积速率为9.79nm/min。

在部分实施例中，较为优选的，ge薄膜的溅射功率为100w，工作气体压强为1.0pa，溅射时间为30min，沉积速率为4.193nm/min。

在部分实施例中，较为优选的，zns薄膜采用射频磁控溅射法。

在部分实施例中，较为优选的，zns薄膜的溅射功率为150w，工作气体压强为1.0pa，溅射时间为30min，沉积速率为23.35nm/min。

本发明还提供了上述隐身材料在激光、雷达和红外伪装上的应用。

当进行雷达探测吸收时，在本发明隐身材料的底部设置雷达吸波材料层。

另一方面，本发明还提供了一种隐身材料，在上述12层膜系结构的基础上，在其底部同时设置有雷达吸波材料层(该层的材料选取和厚度确认，可根据现有技术进行选择优化)。

本发明相比现有技术具有以下优点：

1、本发明通过对伪装材料进行具有周期性结构的多层膜系一维光子晶体结构设计，使得其同时具有激光、红外隐身性能，同时对雷达探测波段具有较高透过率，当底层结合设置雷达吸波材料层时，兼具雷达隐身性能。

2、本发明针对激光、红外、雷达的探测波段，通过对其中一个重复单元所采用的材料折射率、厚度进行分析，筛选薄膜制备材料：一方面，采用在2-18hz雷达波段具有较高透过率的介质材料组成新型的一维光子晶体，实现兼容底层雷达吸波材料；另一方面，通过一维光子晶体膜系结构参数的优化，改变光子禁带和光子局域的位置和宽度，控制电磁波传播特性，实现多波段激光强吸收，多波段红外高反射功能。

3、本发明通过对磁控溅射工艺的优化，实现对膜层厚度、均匀度的控制。

附图说明

图1是本发明一种激光、红外、微波兼容隐身材料的结构示意图；

图2是理想状态下，激光散射抑制-多波段兼容材料反射谱(总体目标示意图)；

图3是多层膜系一维光子晶体周期结构示意图；

图4是多层膜系光子晶体材料优选结果；

图5是多波段激光吸收一维光子晶体带隙优化结果(na＝3.046，nb＝1.830)；

图6是全波分析有限元模型示意图；

图7是a≠b且na≠nb的一维光子晶体带隙结构；

图8是s参数及反射率/透射率/吸收率说明示意图；

图9是光在单层介质膜表面的反射与折射。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

本发明中所使用的术语，除非有另外说明，一般具有本领域普通技术人员通常理解的含义。下面结合具体的实施例，进一步详细地描述本发明。应理解，这些实施例只是为了举例说明本发明，而非以任何方式限制本发明的范围。

实施例1

对多层膜系一维光子晶体结构的优选

1.确定多层膜系材料

针对现有探测技术中激光、红外、雷达探测的工作波长，确定多层膜系光子晶体基频：激光波段：1.06，1.54，10.6μm；红外波段3-5μm以及8-14μm；雷达波段2-18ghz，如图2所示。

利用特征矩阵法计算得到多层膜系材料折射率和厚度约束公式：

如图3所示，本发明主要考虑由两种不同相对介电常量εa＝na²，εb＝nb²，厚度a，b的薄膜介质层交替排列构成的一维周期性结构。空间周期为d＝a+b。具有布洛赫矢量k的te模式偏振光垂直正入射进入多层膜系光子晶体结构。

将光波在介质层中的行进看作是正向行进电磁波(下行波)和反向行进电磁波(上行波)的叠加介质a/b或b/a交界面处的电磁场满足边界条件每一介质层与光波的相互作用可由其特征矩阵完全决定。对于任意第j层介质，介质层两边的电场矢量ei和eo,磁场矢量hi和ho的传递关系可以用特征矩阵表示为：

介质中无自由电荷或传导电流时，根据电磁场边界条件，界面处的电偏振e和磁偏振h的切向分量连续，单层特征矩阵可表示为：

其中

其中，θj为第j层介质入射角，nj折射率，为色散频率，hj为波程。

依次逐层类推，可得如模型图1所示的一维周期性结构传递方程：

式中

m＝mambma…mbma就是一维周期性结构的特征矩阵。

由定解条件det(mamb-e^-ikd)＝0，可得到模型图1所示的一维周期性结构的色散关系如下(正入射时，θa＝θb＝0)：

式中

当a≠b且na≠nb时，约束kd在0≤kd≤π范围内，可以得到图3所示的一维光子晶体的简约布里渊区，如图7所示。

根据以上方法，本研究可依据薄膜制备工艺厚度范围和公式(18)确定备选材料的折射率范围进一步缩小备选材料范围。

筛选结果：

围绕图2所示的理想激光散射抑制-多波段兼容材料反射谱(总体目标)，首先解决1.064μm、1.54μm波长激光吸收问题，对应频率为(281.7thz和192.1thz)，由二者最大公约数确定，当中心频率ω0为96thz时，恰好可以满足2ω0≈192.1thz(对应1.54μm波长激光)，3ω0≈281.7thz(对应1.064μm波长激光)。

将90thz＜ω0＜100thz，代入公式(18)，可得多层膜系材料折射率和结构约束公式：

1.5μm＜naa+nbb＜1.65μm

考虑到多层膜厚不宜超过3mm的工程限制，周期数量不宜超过10层的工艺限制，考虑成本和工艺成熟度，从《固体材料光学常数手册，第5卷》和折射率数据库(https：//refractiveindex.info/)筛选得到zns、ge、znse作为多层膜系光子晶体备选材料。

2.一维光子晶体带隙研究

利用有限元特征值法计算并验证一维光子晶体的光子带隙结构。对于多层膜系一维光子晶体周期结构的研究主要考虑由两种不同折射率厚度(a，b)的薄膜介质材料交替排列构成的一维周期性结构多层膜系。如图3所示，空间重复周期为d＝a+b，频率为ω波矢量为k的电磁波入射到多层膜系一维光子晶体中。

由于光子晶体的周期性重复特点，对于多层膜系一维光子晶体的带隙结构分析只需要构建一个重复单元作为分析分析对象(如图3中方框所示)。不考虑多层膜系的导电性和磁性，基于特征值求解的一维光子晶体带隙有限元本构方程可以表示为以电场矢量e为独立变量的波动方程：

其中，k0＝2π/λ0为真空中波数，εr为相对介电常数，λ0为真空中波长。本构方程(19)的特征值λ与入射电磁波角频率ω记作：

λ＝-jω(20)

对于x-y平面多层膜系，任意方向入射电场在z方向的波动写为由于多层膜系在z方向的周期性重复，弗洛奎特(floquetperiodicity)周期性边界条件应用于膜单元结构的上下表面：

通过导入图4得各层膜材料的折射率-波长数据εr(λ0)，线性齐次本构方程(19)修正为如公式(22)所示的非线性本构方程。通过有限元软件求解非线性齐次本构方程(22)的特征值，可获得对于给定波长禁带(或波数kz)的结构参数a，b，d。

获得光子晶体的带隙特征是依据现有镀膜工艺特点，在确定可以达到的各层膜厚区间内，以周期厚度d倒数为依据确定参数化循环波数kz的取值范围。求解非线性齐次方程(22)获得不同kz取值时，方程(22)的特征值与特征向量。依据公式(20)反向求解特征频率ω并代入公式(23)计算每个kz对应的真空电磁波波长

以不同取值的参数化kz为x轴，以公式(23)计算的λ0，kz为y轴可获得任意膜材料组合的带隙结构。

本研究基于图3示的一维光子晶体结构，通过参数扫描方法依据图4所示的折射率范围，在na，nb＝1.5-6范围内设置步长为0.002，搜索具备1.064μm、1.06μm、10.6μm三个激光波长带隙的参数。计算结果表明：当na＝3.046、nb＝1.830时可获得如图5所示的光子晶体带隙。可以看到，通过交替镀膜设计出一维双缺陷膜的光子晶体从近红外到中红外再到远红外波段呈现明显带隙特征，在1.064μm、1.06μm、10.6μm三个激光波段具备高吸收性能。

3.单/多层膜反射谱模拟分析：

采用全波分析法模拟单/多层膜系0.5-14μm波段传播特性，构建了图6所示的模型。采用空气/膜/空气结构，设置te周期性2端口模拟电磁波入射/出射条件，配合floquet周期性边界条件模拟膜在x-y平面内无限延展的工况，通过参数扫描入射波长λ和膜厚度t探究单层膜对0.5-14μm波段传播特性的影响。

采用以下基本理论构建电磁波在三维空间中的传播方程：

公式(24)中μr为复相对磁导率；为复相对介电常数，n为折射率；e为空间电场；ω为角频率；ε0为真空介电常数；σ为介质电导率；k0为真空中的电磁波数。

考虑部分电磁波能量以发热形式损耗，单位体积内的发热功率(损耗功率)，qrms值为：

公式(25)表明，电磁波的损耗由三部分构成，即：传导电流引起的焦耳损耗σe·e^*；感应电流的介电损耗ωε″re·e^*和磁滞损耗ωμ″rh·h^*。表达式中不难发现，三类损耗分别由材料的电导率σ，介电常数虚部ε″r和磁导率虚部μ″r贡献。测试方法决的实际测试中，电导率损耗的贡献量往往已经体现在介电常数虚部ε″r的测量数值中。

端口边界条件通过约束电磁波的电场或磁场方向、大小以及波矢量方向来指定电磁波入射或出射研究区域。采用floquet类型周期性边界条件适用于模拟电磁波在(x-y)平面内更广阔空间的传播情况。其约束表达式为：

式中，edst和hdst分别为目标边界的电场矢量和磁场矢量，esrc和hsrc分别为源边界的电场矢量和磁场矢量。rdst和rsrc分别为目标边界和源边界的方向向量。kf为floquet波矢量，通常从周期性端口中设定其具体方向。

取有限元分析虚拟系统，可以认为分析单元是双端口网络的电磁波传播系统如图8所示。系统由端口1和端口2构成，a1，a2分别为两个端口的入射电磁波功率，b1，b2分别为两个端口的出射电磁波功率。则，a1，a2和b1，b2之间的关系可以表示为：

b1＝s11a1+s12a2(29)

b2＝s21a1+s22a2(30)

考虑本研究中，电磁波能量仅从端口1入射(a1≠0，a2＝0)，因此有：

b1＝s11a1，b2＝s21a1(31)

公式(31)中，a1为入射总能量，b1对应实际应用中的反射能量，b2对应透射能量。s11为反射系数rl，s21为透射系数tr。事实上还有另外一部分能量被系统以发热形式吸收，即a1-b1-b1。因此吸收系数

a＝1-rl-tr＝1-s11-s21(32)

s参数还可以以分贝数为单位表达为：

s11(db)＝10*log10(s11)(33)

s21(db)＝10*log10(s21)(34)

同理，吸收系数可以以分贝数为单位表达为：

a(db)＝10*log10(1-s11-s21)(35)

基于上述理论方程，采用如图6所示的模型，分别赋予膜材料ge、zns、znse的折射率-波长依赖性数据(图4)，配置膜厚度t循环范围0.5-1μm，步长0.1μm，波长循环范围0.5-14μm，步长0.1μm。

当入射波长在0.5-6μm、0.5-8μm、0.5-7μm时(分别对应zns、ge、znse)，产生多波段通带，当入射波长在6-14μm、8-14μm、7-14μm时(分别对应zns、ge、znse)，产生单波段通带，厚度对带宽和中心波长的调节作用明显，厚度越厚，带宽越宽，中心波长越大。

ge、zns和znse膜分别在8-14μm有大量较高和不低的反射区域，这意味着，利用该三种膜的这种性能，在原有光子晶体结构中引入缺陷层，能够实现8-14μm远红外波段平均反射率r≥95％。

同时优化结果表明：

(1)随着ge膜厚度增加，所有低反射中心波长呈现向右移动趋势，即低反射中心波长随着ge膜厚度的增加而增大。表明可以通过ge膜厚度微调中心波长。

(2)随着znse厚度增加，高反射波段中心波长呈现整体向左移动趋势，即高反射中心波长随znse厚度增加而减小。表明可以通过调整znse膜厚度粗调高反射区域。

以zns薄膜调节的znse/ge一维周期性结构进行参数设计，可确定当ge膜厚度为450nm、znse膜厚度为1850nm、zns膜厚度为125nm时，可以同时实现1.064μm、1.54μm及10.6μm激光波段的低反射率(≤10％)，3-5μm和8-14μm红外波段的高反射(≥95％)。

实施例2

多层膜系一维光子晶体的制备工艺优化

1.靶材选取以及镀膜基本工艺参数

选用的的靶材及规格如下：靶材zns，其纯度为99.99％，规格为φ60×3mm+cu(φ60×2mm)；靶材ge，其纯度为99.99％，规格为φ60×5mm；靶材znse，其纯度为99.99％，规格为φ60×3mm+cu(φ60×2mm)。

镀膜过程中，靶材与基底之间距离为50mm，抽本底真空值6.0×10-4pa，反应气体为高纯ar气气氛，流量为15ml/min。

2.通过椭圆偏振法计算薄膜厚度的方法

由于ge膜及zns膜厚度薄，且存在较强的吸收，因此其不适用光谱曲线法测定厚度，本项目采用椭圆偏振法确定标定ge膜、znse膜及zns膜的厚度和沉积速率。椭圆偏振法确定薄膜厚度的方法如下：

当一束自然光入射到单层介质膜上时，在界面1和2上形成多次反射和折射，且各反射和折射光分别产生多光束干涉，其干涉结构反应了薄膜的光学性质，如图9所示。

用2δ表示相邻两分波的相位差，其中δ＝2πn2dcosφ2/λ，r1p、r2p为界面1、2处反射光p分量的反射系数，r1s、r2s为界面1、2处反射光s分量的反射系数。由多光束干涉的复振幅计算可知：

其中，eip和eis分别代表入射光的p分量和s分量，erp和ers分别代表反射光的p分量和s分量。定义反射系数比ρ如下：

ρ为一个复数，可用tanψ和δ表示它的模和幅角。上述公式的过程量转换可由fresnel公式和折射公式给出：

式中，ρ是变量n1，n2，n3，d，λ，的函数(可用表示)，即

δ＝δp-δs(41)

其中，δp和δs分别为p和s偏振光的位相，ψ和δ被称为椭偏参数。一般情况下，除n2和d是未知量外，其余量均已知，因此，只要确定ψ和δ就可以计算薄膜的折射率n2和厚度d。

3.膜系结构基底的选择及预处理

选择pet作基底，并对基底清洁处理：(a)采用丙酮对基低进行超声清洗10min；(b)用无水乙醇对基低进行超声清洗10min；(c)用去离子水对基底进行超声清洗10min；(d)将上述清洗过的pet薄膜放入真空干燥箱中在40℃下烘干后放入干燥器中备用。

4.标定薄膜沉积速率

在一定的溅射工艺下，溅射一定时间制备薄膜，通过光谱法和椭圆偏振法确定薄膜的厚度后，用膜厚除以溅射时间就得到了在上述溅射工艺下薄膜的沉积速率。

5.确保薄膜制备厚度的准确性、可靠性

在相同的工艺参数下，用同一靶材，溅射相同时间进行两次磁控溅射制备薄膜的实验，然后测试其光谱曲线，根据光谱曲线的重合情况确定时间监控法控制膜厚的准确性。

6.薄膜溅射的工艺参数设计

利用正交实验的思想确定各层膜的溅射压强、溅射功率、沉积速率。

溅射压强设计：维持溅射时间、溅射功率不变，改变溅射压强，研究溅射压强对薄膜晶体结构、粗糙度的影响规律，以揭示薄膜制备的最佳溅射压强。

溅射功率设计：保持溅射气体压强不变，溅射时间不变，改变溅射功率，研究溅射功率对薄膜晶体结构、粗糙度的影响规律，以揭示薄膜制备的最佳溅射功率。

沉积速率计算：用前述最佳溅射压强、最佳溅射功率沉积薄膜，根据椭圆偏振法计算薄膜厚度除以沉积时间，得到沉积速率。

(a)zns膜的制备：zns薄膜采用采用射频磁控溅射法

zns薄膜的溅射功率为150w，工作气体压强为1.0pa，溅射时间为30min，zns薄膜在上述溅射条件下的沉积速率为：

v＝d/t＝700.5/30＝23.35nm/min。

(b)ge薄膜制备：ge膜采用直流磁控溅射法

ge薄膜的溅射功率为100w，工作气体压强为1.0pa，溅射时间为30min,沉积速率为：

v＝d/t＝125.8/30＝4.193nm/min。

(c)znse膜制备：znse膜的溅射采用射频磁控溅射法

znse薄膜的溅射功率为50w，工作气体压强为0.6pa，溅射时间为30min，沉积速率为：

v＝d/t＝293.6/30＝9.79nm/min。

实施例3

本发明隐身材料产品及制备实施例

本发明一种激光、红外、微波兼容隐身多层膜系材料其结构示意图如图1所示，为层状结构。以pet为基底，在其上进行溅射制备本发明多层膜系结构，该多层膜系结构由下至上依次包括：

znse(1850nm)、ge(450nm)、znse(1850nm)、ge(450nm)、znse(1850nm)、ge(450nm)、znse(1850nm)、zns(125nm)、znse(1850nm)、ge(450nm)、znse(1850nm)、ge(450nm)。

本实施例一种激光、红外、微波兼容隐身多层膜结构的研究及制备方法，包括以下步骤：

第一步：根据图2所示兼容隐身总体目标，确定激光波长、红外波段、微波波段及其反射系数指标为：

(1)1.064μm、1.54μm、10.6μm激光反射率不大于10％；

(2)3-5μm、8-14μm红外波段平均反射率不小于95％；

(3)2-18ghz反射率损耗变化小于2db。

第二步：根据特征矩阵法(如实施例1所述)，得到得多层膜系材料折射率和结构约束公式：

1.5μm＜naa+nbb＜1.65μm

第三步：利用一维光子晶体带隙分析模型进一步筛选材料。具体操作步骤为：

(1)建立如图3方框内所示几何模型；

(2)对(1)所建立的几何模型进行网格剖分，其中网格小于1/5波长；

(3)选择周期性边界条件加载到图6所示几何结构两侧；

(4)分别对图3所示a、b区域赋予相应的折射率；

(5)开始运算；

(6)运算结束得到相应的带隙图，并与图2进行比较(相符，则确定材料；不相符，则回到第(4)步重新输入折射率)。

第四步：采用x方法，验证多层膜反射谱，具体操作步骤为：

(1)建立如图3所示几何模型；

(2)对(1)所建立的几何模型进行网格剖分，其中网格小于1/5波长；

(3)选择周期性边界条件加载到图6所示几何结构两侧；

(4)对于各层薄膜分别赋予由第二步所确定的折射率；

(5)开始运算；

(6)运算结束得到相应的带隙图，与图2进行比较(相符，则确定材料厚度；不相符，则回到第四步(1)重新构建几何)。

第五步：开展多层膜系制备，具体步骤为：

表1各层膜的制备工艺条件

(1)确定靶材以及镀膜基本工艺参数

a.选用的的靶材及规格：靶材zns，其纯度为99.99％，规格为φ60×3mm+cu(φ60×2mm)；靶材ge，其纯度为99.99％，规格为φ60×5mm；靶材znse，其纯度为99.99％，规格为φ60×3mm+cu(φ60×2mm)。

b.镀膜基本工艺参数：靶材与基底之间距离为50mm，抽本底真空值6.0×10-4pa，反应气体为高纯ar气气氛，流量为15ml/min。

(2)膜系结构基底的选择及预处理

选择pet作基底，并对基底清洁处理：

(a)采用丙酮对基低进行超声清洗10min；

(b)用无水乙醇对基低进行超声清洗10min；

(c)用去离子水对基底进行超声清洗10min；

(d)将上述清洗过的pet薄膜放入真空干燥箱中在40℃下烘干后放入干燥器中备用。

(3)根据表3的顺序，并按照以下工艺条件依次逐层制备本专利的多层膜系结构：

zns膜的制备

(a)采用射频磁控溅射法；

(b)溅射功率为150w；

(c)工作气体压强为1.0pa；

(d)溅射速度为23.35nm/min；

(e)根据(a)-(d)工艺参数，按照表3中厚度制备第8层zns膜。

ge膜的制备

(a)采用射频磁控溅射法；

(b)溅射功率为150w；

(c)工作气体压强为1.0pa；

(d)溅射速度为4.193nm/min；

(e)根据(a)-(d)工艺参数，按照表3中厚度制备第2、4、6、10、12层ge膜。

znse膜的制备

(a)采用射频磁控溅射法；

(b)溅射功率为50w；

(c)工作气体压强为0.6pa；

(d)溅射速度为9.79nm/min；

(e)根据(a)-(d)工艺参数，按照表3中厚度制备第1、3、5、7、9、11层znse膜。

实施例4

效果实施例

本发明实施例3制备得到的材料性能指标如下表2所示：

表2本发明隐身材料的各性能指标

由上表可以看出，本发明所制备得到的材料兼具良好的激光、红外、及微波隐身性能。