技术特征：
1.一种托盘，其特征在于，包括：所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片。2.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述第二托盘面与第一托盘面的高度差为：50微米～130微米。3.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述支撑台的上表面与第一托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时，所述待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面具有第一距离，所述第一托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离，所述第一距离减去第二距离的差值为：-80微米～80微米。4.如权利要求3所述的托盘，其特征在于，所述第一距离减去第二距离的差值为：-50微米～50微米。5.如权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述第一距离与第二距离相等。6.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述中心轴与托盘的交点为托盘的旋转中心，所述基片槽包括远心端和近心端，所述远心端到旋转中心的距离大于近心端到旋转中心的距离；所述基片槽还包括基片槽底部，所述支撑台的上表面高于等于基片槽底部。7.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，所述支撑台的上表面平行于水平面，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述基片槽底部的凹陷深度沿由旋转中心向托盘边缘延伸的方向逐渐增大。8.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，所述基片槽底部平行于水平面，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述远心端的支撑台的上表面高于近心端的支撑台的上表面。9.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，还包括：设于所述第一托盘面上的至少一个挡块，所述挡块位于所述远心端，用于阻挡所述待处理基片飞出。10.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，还包括：设置于所述远心端基片槽内侧壁的隔热材料；所述隔热材料包括：氧化铝、氮化硼、氮化铝或者氧化锆中的一种或者多种组合。11.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述支撑台是由基片槽的内侧壁向基片槽的中心延伸。12.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，所述支撑台的上表面高于基片槽底部，所述支撑台位于所述基片槽底部，且所述支撑台与基片槽的侧壁之间具有间隙。13.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，还包括：位于所述基片槽远心端内表面的第一发射材料层；位于所述基片槽近心端内表面的第二发射材料层，所述第一发射材料层材料的发射率大于第二发射材料层材料的发射率。14.如权利要求6所述的托盘，其特征在于，所述支撑台为基片槽底部。15.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述支撑台的上表面与第二托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时，所述第二托盘面与待处理基片表面的高度差为：80微米～130微米。16.如权利要求15所述的托盘，其特征在于，所述第二托盘面与待处理基片的高度差为：100微米～130微米。17.如权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述第一托盘面为圆环形，所述圆环形的径
向宽度为：0毫米～5毫米。18.如权利要求17所述的托盘，其特征在于，所述第一托盘面为圆环形，所述圆环形的径向宽度为：2毫米～4毫米。19.一种包含所述托盘的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，包括：反应腔；如权利要求1至权利要求18任一项的所述托盘，位于所述反应腔内；旋转驱动装置，用于使所述托盘沿其中心轴转动。20.如权利要求19所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：加热装置，位于所述托盘下方，用于对所述托盘加热；气体喷淋头，位于所述反应腔内，与所述托盘相对设置；气体输送装置，用于向气体喷淋头内输送反应气体。21.如权利要求19所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，所述旋转驱动装置使所述托盘沿其中心轴转动的转速大于等于200转/分钟。22.如权利要求19所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，所述待处理基片表面向上依次包括过渡层、位于所述过渡层上的负极层、位于所述负极层上的发光层和位于发光层上的正极层。23.如权利要求22所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，所述过渡层的材料为未掺杂离子的氮化镓；所述负极层的材料为掺杂硅离子的n型氮化镓；所述发光层的材料为铟镓氮化合物；所述正极层的材料为掺杂镁离子的p型氮化镓。24.如权利要求19所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，所述待处理基片的尺寸包括：2寸、3寸、4寸、5寸、6寸、8寸和12寸中的至少一个。
技术总结
一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，其中，所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片金属有机化学气相沉积反应器能防止飞片提高波长和温度的一致性，能满足显示器的要求。能满足显示器的要求。能满足显示器的要求。
技术研发人员：陶珩 郭泉泳 王家毅 胡建正
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.09.29
技术公布日：2022/4/12