显示装置的制造装置的制作方法

1.本发明涉及一种制造装置，更加详细地涉及一种沉积均匀度得到提高的显示装置的制造装置。


背景技术：

2.例如，在如有机发光显示装置的薄膜形成的薄膜制造工序中大多利用使沉积物质蒸发而粘贴于基板的表面的沉积工序。即，利用如下的沉积工序：将掩模放置于基板上，并且使沉积物质的蒸汽通过掩模的开口，从而使所期望的图案的薄膜形成于基板上。


技术实现要素：

3.本发明的实施例提供一种沉积均匀度得到提高的显示装置的制造装置。
4.根据本发明的一观点，提供一种显示装置的制造装置，包括：坩埚，容纳沉积物质；喷嘴，布置于所述坩埚的一侧，以引导所述沉积物质朝向基板喷射的路径；以及盖，布置于容纳在所述坩埚的所述沉积物质的表面。
5.本实施例中，所述盖可以直接布置于容纳在所述坩埚的所述沉积物质的表面。
6.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质的表面可以具有第一面积，所述盖可以具有比所述第一面积小的第二面积。
7.本实施例中，所述盖可以使容纳于所述坩埚的所述沉积物质的表面的至少一部分暴露。
8.本实施例中，所述至少一部分被暴露的所述沉积物质的表面可以是所述沉积物质的表面的总面积的10％至50％。
9.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质可以具有第一比重，所述盖可以具有比所述第一比重小的第二比重。
10.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质可以包括银(ag)。
11.本实施例中，所述盖可以包括碳、石墨、热解氮化硼、热解石墨以及莫来石中的至少一个物质。
12.本实施例中，所述盖可以配备为圆形形状。
13.本实施例中，所述盖可以配备为多边形形状。
14.本实施例中，所述盖在与所述喷嘴面对的表面可以形成有凹凸。
15.本实施例中，所述坩埚可以配备为圆筒形形状。
16.本实施例中，显示装置的制造装置还可以包括：加热器，对容纳于所述坩埚的所述沉积物质加热。
17.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质可以被所述加热器加热而朝向基板喷射。
18.根据本发明的另一观点，提供一种显示装置的制造装置，包括：掩模，包括开口；坩埚，容纳沉积物质；喷嘴，布置于所述坩埚的一侧，以引导所述沉积物质朝向基板喷射的路
径；以及盖，布置于容纳在所述坩埚的所述沉积物质的表面，其中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质通过所述喷嘴而喷射，并且通过所述开口并沉积于所述基板。
19.本实施例中，所述盖可以直接布置于容纳在所述坩埚的所述沉积物质的表面。
20.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质的表面可以具有第一面积，所述盖可以具有比所述第一面积小的第二面积。
21.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质可以具有第一比重，所述盖可以具有比所述第一比重小的第二比重。
22.本实施例中，容纳于所述坩埚的所述沉积物质可以包括银(ag)。
23.本实施例中，所述盖可以包括碳、石墨、热解氮化硼、热解石墨以及莫来石中的至少一个物质。
24.除了前述的记载之外的其他方面、特征、优点可从以下的用于实施发明的具体内容、权利要求书以及附图变得明确。
25.根据如上所述地构成的本发明的一实施例，在容纳于坩埚内的沉积物质的表面布置盖，从而防止发生飞溅(splash)不良，据此可以实现沉积均匀度得到提高的显示装置的制造装置。当然，本发明的范围并不会被这样的效果所限制。
附图说明
26.图1是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
27.图2是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的立体图。
28.图3是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的立体图。
29.图4是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的剖视图。
30.图5是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图。
31.图6是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图。
32.图7是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图。
33.图8是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的剖视图。
34.图9是示意性地图示利用根据一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的立体图。
35.图10是示意性地图示利用根据一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的剖视图。
36.附图标记说明：
37.1：显示装置
38.100：基板
39.300：制造装置
40.400：沉积源
41.410：坩埚
42.430：喷嘴
43.450：沉积物质
44.460：盖
具体实施方式
45.本发明可以进行多种变换，并且可以具有多种实施例，但是将特定实施例示于附图中并在具体说明中详细地说明。本发明的效果和特征以及实现这些的方法若参照与附图一起详细地后述的实施例则将会变得明确。然而，本发明可以以多种形态实现，而不限于以下公开的实施例。
46.在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是以将一个构成要素与其他构成要素进行区分为目的而使用。
47.在以下的实施例中，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。
48.在以下的实施例中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书中记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除一个以上的其他特征或者构成要素的附加可能性。
49.在以下的实施例中，提及膜、区域、构成要素等的部分位于另一部分上或者之上时，不仅包括位于另一部分的紧邻的上方的情形，还包括在其中间夹设有其他膜、区域、构成要素等的情形。
50.在附图中，为了便于说明，构成要素的大小可能被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。
51.在本说明书中，“a和/或b”表示a或者b或者a和b的情形。并且，在本说明书中，“a以及b中的至少一个”表示a或者b或者a和b的情形。
52.以下实施例中，配线“沿第一方向或者第二方向延伸”的含义不仅包括以直线形状延伸的情形，而且还包括沿第一方向或者第二方向以之字形或者曲线延伸的情形。
53.以下实施例中，当提及“平面上”时，这表示从上方观察对象部分时的情形，当提及“剖面上”时，这表示从侧方观察将对象部分沿垂直截取而得到的剖面的情形。以下实施例中，当提及“重叠”时，这包括“平面上”以及“剖面上”的重叠。
54.以下，将参照附图对本发明的实施例进行详细说明，在参照附图说明时，对相同或者相应的构成要素赋予相同的附图标记。
55.图1是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的剖视图。
56.参照图1，根据一实施例的显示装置的制造装置300可以包括腔体301、掩模310、磁力生成部320、拍摄部330、压力调节部390以及沉积源400。
57.腔体301在内部可以形成有空间。虽然未图示，腔体301可以形成为一部分被开口，在被开口的腔体301部分可以布置闸门阀等而开放或者遮蔽腔体301的被开口的部分。
58.掩模310可以包括能够使沉积物质通过的开口。作为一实施例，掩模310可以包括掩模片以及与掩膜片固定的掩模框架。在掩模框架可以固定有一个掩模片或者多个掩模片。
59.掩模310上可以布置有使沉积物质沉积的基板100，虽然未图示，然而在基板100上可以布置有静电卡盘。静电卡盘可以利用静电力而固定基板100，并且可以起到使基板100紧贴于掩模310的作用。静电卡盘可以与基板100结合，从而当进行对准(align)以及沉积物质的沉积时可以防止基板100移动。并且，可以防止基板100因填充于静电卡盘与基板100之间的气体泄漏至外部而被所述气体抬起。
60.磁力生成部320可以布置于腔体301而使掩模310紧贴于基板100。磁力生成部320可以布置为与静电卡盘重叠。磁力生成部320布置为与静电卡盘重叠，从而不仅可以借由静电力而使基板100与掩模310紧贴，还可以借由磁力而使基板100与掩模310紧贴。利用磁力生成部320借由磁力而拉拽掩模310，从而可以防止基板100与掩模310下垂。
61.拍摄部330可以布置于腔体301而拍摄基板100、掩模310以及沉积源400的位置。根据由拍摄部330拍摄的基板100、掩模310以及沉积源400的位置可以使基板100、掩模310以及沉积源400对准。
62.压力调节部390可以连接于腔体301而调节腔体301内部的压力。此时，压力调节部390可以包括与腔体301连接的连接配管391以及布置于连接配管391的泵393。在这样的情况下，连接配管391可以连接于外部的能够执行污染物质去除的单独的装置。
63.根据一实施例的显示装置的制造装置300还可以包括沉积源400。沉积源400可以布置于腔体301的内部。沉积源400的内部可以容纳沉积物质。
64.图2是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的立体图，图3是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的立体图，图4是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的剖视图。
65.更加具体地，图2以及图3是示意性地图示包括于根据一实施例的显示装置的制造装置300的沉积源400的立体图，图4是示意性地图示包括于根据一实施例的显示装置的制造装置300的沉积源400的剖视图。
66.参照图2、图3以及图4，根据一实施例的沉积源400可以包括：坩埚410，容纳沉积物质450；喷嘴430，布置于坩埚410的上部而引导沉积物质450朝向基板100喷射的路径；加热器480，位于坩埚410的侧面和/或下面，并且对容纳于坩埚410的沉积物质450加热。
67.作为一实施例，沉积源400可以包括用于收纳坩埚410、喷嘴430以及加热器480的壳体490。壳体490内可以收纳多个坩埚410。
68.在此，根据沉积源400位于腔体301的下部，根据一实施例的制造装置300以坩埚410的上部被开口的情形进行说明，然而坩埚410的被开口的部分根据沉积源400的位置而可以是侧部或者下部。
69.坩埚410可以在内部形成空间而容纳沉积物质450，并且可以形成为一侧被开口。此时，沉积物质450可以包括有机物或者金属。例如，沉积物质450可以包括银(ag)。
70.作为一实施例，如图3所示，坩埚410可以配备为圆筒形形状。然而，坩埚410除了圆筒形形状之外，也可以配备为多种形状。
71.加热器480可以布置于坩埚410的侧面和/或下面中的至少一个。加热器480对坩埚410加热，从而可以对容纳于坩埚410内的沉积物质450加热。容纳于坩埚410内的沉积物质450可以被加热器480加热而熔解、气化或者升华。当通过加热器480对容纳于坩埚410内的沉积物质450加热时，坩埚410内的压力增加，从而可以使熔解、气化或者升华的沉积物质450朝向基板100(图1)喷射。
72.在坩埚410的被开口的一侧可以布置喷嘴430。喷嘴430可以布置于坩埚410的上部而引导沉积物质450朝向基板100(图1)喷射的路径。图4中图示为配备有对应于一个坩埚410的一个喷嘴430的情形，然而可以以对应于一个坩埚410的方式配备有多个喷嘴430。喷嘴430可以借由连接部件而连接于坩埚410。
73.作为一实施例，如图4所示，喷嘴430的至少一部分可以插入于坩埚410内部。作为另一实施例，喷嘴430也可以布置于坩埚410的上部。
74.在图4中，图示为喷嘴430的中间部分被配备为凹陷的形状的情形，然而并不局限于此。喷嘴430的形状可以被配备为圆筒形形状等多种形状。
75.通常，通过加热器来加热坩埚，从而使容纳于坩埚内的沉积物质气化，据此可以将沉积物质沉积到基板。然而，在对容纳于坩埚的沉积物质加热而将沉积物质沉积到基板的情况下，存在发生飞溅(splash)不良的问题。更加具体地，存在发生如下不良的情形：若对容纳于坩埚的沉积物质加热，则在沉积物质内部发生气泡，此时在沉积物质内部产生的气泡在沉积物质的表面破裂而使液体状态的沉积物质沉积于基板。并且，存在发生如下不良的情形：未朝向基板喷射而凝结于喷嘴的沉积物质掉落，从而使液体状态的沉积物质沉积于基板。
76.作为一实施例，在容纳于坩埚410的沉积物质450上可以布置盖460。盖460可以直接布置于容纳在坩埚410内的沉积物质450的表面451。由于盖460布置于容纳在坩埚410内的沉积物质450的表面451，从而可以防止发生飞溅(splash)不良而提高显示装置的制造装置300的沉积均匀度。
77.更加详细地，由于盖460布置于容纳在坩埚410内的沉积物质450的表面451，从而可以防止在沉积物质450的内部产生的气泡在沉积物质450的表面451破裂而使液体状态的沉积物质450沉积于基板100(图1)，并且可以防止未朝向基板100(图1)喷射而凝结于喷嘴430的沉积物质450掉落导致液体状态的沉积物质450沉积于基板100(图1)而产生不良，由此可以提高显示装置的制造装置300的沉积均匀度。
78.作为一实施例，盖460可以具有比容纳于坩埚410的沉积物质450低的热传导率。并且，盖460可以具有比容纳于坩埚410的沉积物质450的比重小的比重。例如，容纳于坩埚410的沉积物质450具有第一比重，布置于沉积物质450上的盖460可以具有比第一比重低的第二比重。盖460可以利用在容纳于坩埚410的沉积物质450凝固之后易于从固体状态的沉积物质450分离的物质而制造。例如，盖460可以包括碳、石墨、热解氮化硼(pbn：pyrolytic boron nitride)、热解石墨(pg：pyrolytic graphite)以及莫来石(mullite)中的至少一个物质。
79.作为一实施例，盖460可以包括石墨、热解氮化硼(pbn：pyrolytic boron nitride)以及莫来石(mullite)中的至少一个物质，并且盖460的表面可以利用热解石墨(pg：pyrolytic graphite)涂布。
80.图5是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图，图6是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图，图7是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的平面图。
81.更加具体地，图5、图6以及图7是为了比较容纳于坩埚的沉积物质的面积与盖的面积以及为了说明盖的形状而图示的图。
82.参照图5，作为一实施例，盖460的面积可以配备为相比于容纳在坩埚410的沉积物质450的面积小。更加具体地，容纳于坩埚410的沉积物质450的表面可以具有第一面积a1，盖460可以具有比第一面积a1小的第二面积a2。
83.随着盖460具有相比于容纳在坩埚410的沉积物质450的面积小的面积，从而盖460
可以使容纳于坩埚410的沉积物质450的表面的至少一部分暴露。此时，借由盖460而使至少一部分被暴露的沉积物质450的表面可以是沉积物质450的表面的总面积的5％至60％，可以是5％至50％，可以是10％至60％等，可以进行多种变形。例如，借由盖460而使至少一部分被暴露的沉积物质450的表面可以是沉积物质450的表面的总面积的10％至50％。
84.沉积物质450可以通过借由盖460而使至少一部分暴露的沉积物质450的表面被气化，从而可以朝向基板喷射。
85.作为一实施例，布置于容纳在坩埚410的沉积物质450上的盖460，如图5所示可以配备为圆形形状，如图6所示可以配置为四边形形状，如图7所示可以配置为十字架形状等，可以进行多种变形。例如，布置于容纳在坩埚410的沉积物质450上的盖460也可以配备为椭圆或者多边形形状。
86.图8是示意性地图示根据一实施例的显示装置的制造装置的部分构成的剖视图。
87.图8的实施例与图4的实施例的差异在于在盖460的表面461形成有凹凸。以下，以差异点为中心进行说明。其余的构成与上述的实施例相同或者类似。
88.参照图8，在布置于容纳在坩埚410的沉积物质450上的盖460的表面461可以形成有凹凸463。更加具体地，布置于容纳在坩埚410的沉积物质450上的盖460可以包括形成于与喷嘴430面对的表面461的多个凹凸463。
89.随着在布置于容纳在坩埚410的沉积物质450上的盖460的表面461形成凹凸463，从而可以防止由于凝结于喷嘴430而掉落的沉积物质450而产生飞溅不良。
90.图9是示意性地图示利用根据一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的立体图，图10是示意性地图示利用根据一实施例的显示装置的制造装置制造的显示装置的剖视图。图10相当于沿图9的i
‑
i'线截取的剖视图。
91.参照图9，显示装置1可以包括显示区域da以及布置于显示区域da的周边的非显示区域nda。非显示区域nda可以围绕显示区域da。显示装置1可以利用从布置于显示区域da的多个像素p发出的光而提供图像，非显示区域nda可以是不显示图像的区域。
92.以下，作为根据本发明的一实施例的显示装置1，以有机发光显示装置为例进行说明，然而本发明的显示装置并不局限于此。作为一实施例，本发明的显示装置1可以是诸如无机发光显示装置(无机发光显示器或者无机致电发光显示器)或者量子点发光显示装置(quantum dot light emitting display)的显示装置。例如，配备于显示装置1的显示要素的发光层可以包括有机物，或者可以包括无机物，或者可以包括量子点，或者可以包括有机物和量子点，或者可以包括无机物和量子点。
93.虽然，在图9中图示了配备有平整的显示面的显示装置1，然而本发明并不局限于此。作为一实施例，显示装置1也可以包括立体型显示面或者弯曲显示面。
94.在显示装置1包括立体型显示面的情况下，显示装置1可以包括指向彼此不同的方向的多个显示区域，例如，也可以包括多角柱形显示面。作为一实施例，在显示装置1包括弯曲显示面的情况下，显示装置1可以实现为柔性、可折叠、可卷曲显示装置等多种形态。
95.在图9中图示了能够适用于手机终端的显示装置1。虽然未图示，随着贴装于主板的电子模块、摄像机模块、电源模块等与显示装置1一同布置于支架/外壳等，从而可以构成手机终端。尤其，根据本发明的显示装置1可以适用于包括诸如电视、监视器等的大型电子装置在内的诸如平面电脑、汽车导航、游戏机、智能手表等的中小型电子装置等。
96.在图9中图示了显示装置1的显示区域da为四边形的情形，然而显示区域da的形状可以是诸如圆形、椭圆或者三角形或者五边形等的多边形。
97.显示装置1可以包括布置于显示区域da的多个像素p。多个像素p中的每一个可以包括有机发光二极管(oled：organic light
‑
emitting diode)。多个像素p中的每一个可以通过有机发光二极管(oled)而发出例如红色、绿色、蓝色或者白色的光。如上所述，本说明书中的像素p可以理解为发出红色、绿色、蓝色、白色中的任意一个颜色的光的像素。
98.参照图10，像素p可以布置于基板100上。像素p可以包括薄膜晶体管tft以及有机发光二极管oled。
99.基板100可以包括玻璃或者高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或者可弯曲特性。基板100可以是包括包含上述的高分子树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。
100.在基板100上可以布置有缓冲层101。缓冲层101可以位于基板100上而减少或者阻挡异物、湿气或者外部空气从基板100的下部渗透，并且可以在基板上100提供平坦面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或者氮化物之类的无机物，或者可以包括有机物，或者可以包括有机/无机复合物，并且可以构成为无机物与有机物的单层或者多层结构。
101.在缓冲层101上可以布置有薄膜晶体管tft。薄膜晶体管tft可以包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅极电极136以及与半导体层134电连接的连接电极。薄膜晶体管tft可以与有机发光二极管oled连接而驱动有机发光二极管oled。
102.半导体层134可以布置于缓冲层101上，并且可以包括：沟道区域131，与栅极电极136重叠；源极区域132以及漏极区域133，布置于沟道区域131的两侧，并且包含有比沟道区域131的杂质浓度高的高浓度的杂质。其中，杂质可以包括n型杂质或者p型杂质。源极区域132以及漏极区域133可以与连接电极电连接。
103.半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134用氧化物半导体形成的情况下，可以包括选自包括诸如铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)以及锌(zn)的群中的一个以上的物质的氧化物。例如，半导体层134可以是itzo(insnzno)、igzo(ingazno)等。在半导体层134用硅半导体形成的情况下，可以包括诸如非晶硅(a
‑
si)或者将非晶硅(a
‑
si)结晶化的低温多晶硅(ltps：low temperature poly
‑
silicon)。
104.在半导体层134上可以布置有第一绝缘层103。第一绝缘层103可以包括选自包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
y
)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的群中的一个以上的无机绝缘物。第一绝缘层103可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
105.在第一绝缘层103上可以布置有栅极电极136。栅极电极136可以利用选自铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)中的一个以上的金属而形成为单层或者多层。栅极电极136
可以与对栅极电极136施加电信号的栅极线连接。
106.在栅极电极136上可以布置有第二绝缘层105。第二绝缘层105可以包括选自包括有硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
y
)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的群中的一个以上的无机绝缘物。第二绝缘层105可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
107.在第一绝缘层103上可以布置有存储电容器cst。存储电容器cst可以包括：下部电极144；以及上部电极146，与下部电极144重叠。存储电容器cst的下部电极144与上部电极146可以将第二绝缘层105置于中间而重叠。
108.存储电容器cst的下部电极144与薄膜晶体管tft的栅极电极136重叠，且存储电容器cst的下部电极144可以与薄膜晶体管tft的栅极电极136布置为一体。作为一实施例，存储电容器cst可以并不与薄膜晶体管tft重叠，存储电容器cst的下部电极144可以是与薄膜晶体管tft的栅极电极136无关的独立的构成要素。
109.存储电容器cst的上部电极146可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，可以是上述物质的单层或者多层。
110.在存储电容器cst的上部电极146上可以布置有第三绝缘层107。第三绝缘层107可以包括选自包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
y
)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)以及锌氧化物(zno2)的群中的一个以上的无机绝缘物。第三绝缘层107可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
111.在第三绝缘层107上可以布置有作为连接电极的源极电极137以及漏极电极138。源极电极137以及漏极电极138可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电物质，并且可以形成为包括上述材料的多层或者单层。源极电极137以及漏极电极138可以构成为ti/al/ti的多层结构。
112.在源极电极137以及漏极电极138上可以布置有第一平坦化层111。第一平坦化层111可以由利用有机物质或者无机物质构成的膜形成为单层或者多层。作为一实施例，第一平坦化层111可以包括：诸如苯并环丁烯(bcb：benzocyclobutene)、聚酰亚胺(pi：polyimide)、六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma：polymethy lmethacrylate)或者聚苯乙烯(ps：polystyrene)之类的的一般的通用高分子；具有酚系基图案的高分子衍生物；丙烯酸系高分子；酰亚胺系高分子；芳醚系高分子；酰胺系高分子；氟系高分子；对二甲苯系高分子；乙烯醇系高分子；以及上述物质的混合物等。另外，第一平坦化层111可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
y
)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或者锌氧化物(zno2)等。在形成第一平坦化层111之后，可以为了提供平坦的上表面而执行化学抛光或者机械抛光。
113.在第一平坦化层111上可以布置有接触金属层cm。接触金属层cm可以包括铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以形成为多层或者单层。接触金属层cm可以构成为ti/al/ti的多层结构。
114.在接触金属层cm上可以布置有第二平坦化层113。第二平坦化层113可以由利用有机物质或者无机物质构成的膜形成为单层或者多层。作为一实施例，第二平坦化层113可以
包括：诸如苯并环丁烯(bcb：benzocyclobutene)、聚酰亚胺(pi：polyimide)、六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma：polymethy lmethacrylate)或者聚苯乙烯(ps：polystyrene)之类的一般的通用高分子；具有酚系基团的高分子衍生物；丙烯酸系高分子；酰亚胺系高分子；芳醚系高分子；酰胺系高分子；氟系高分子；对二甲苯系高分子；乙烯醇系高分子；以及上述物质的混合物等。另外，第二平坦化层113可以包括硅氧化物(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
n
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)、铝氧化物(al2o3)、钛氧化物(tio2)、钽氧化物(ta2o5)、铪氧化物(hfo2)或者锌氧化物(zno2)等。在形成第二平坦化层113之后，可以为了提供平坦的上表面而执行化学抛光或者机械抛光。作为一实施例，可以省略第二平坦化层113。
115.在第二平坦化层113上可以布置有包括像素电极210、中间层220以及对向电极230的有机发光二极管oled。像素电极210可以通过贯通第二平坦化层113的接触孔而与接触金属层cm电连接，接触金属层cm可以通过贯通第一平坦化层111的接触孔而与作为薄膜晶体管tft的连接电极的源极电极137以及漏极电极138电连接，有机发光二极管oled可以与薄膜晶体管tft电连接。
116.第二平坦化层113上可以布置有像素电极210。像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。像素电极210可以具有：反射膜，利用铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)、(cu)以及这些的化合物等而形成；以及透明或者半透明电极层，形成于反射膜上。透明或者半透明电极层可以具有选自包括铟锡氧化物(ito：indium tin oxide)、铟锌氧化物(izo：indium zinc oxide)、锌氧化物(zno：zinc oxide)、铟氧化物(in2o3：indium oxide)、铟镓氧化物(igo：indium gallium oxide)以及铝锌氧化物(azo：aluminum zinc oxide)的群中的一个以上。像素电极210可以配备为以ito/ag/ito层叠的结构。
117.在第二平坦化层113上可以布置有像素定义膜180，像素定义膜180可以具有使像素电极210的至少一部分暴露的开口。可以将借由像素定义膜180的开口而暴露的区域定义为发光区域ea。发光区域ea的周边为非发光区域nea，非发光区域nea可以围绕发光区域ea。即，显示区域da可以包括多个发光区域ea以及围绕这些发光区域ea的非发光区域nea。像素定义膜180可以使像素电极210与对向电极230之间的距离增加，从而可以防止在像素电极210的边缘发生电弧等。例如，像素定义膜180可以利用诸如聚酰亚胺，聚酰胺，丙烯酸树脂，苯并环丁烯，六甲基二硅氧烷(hmdso：hexamethyldisiloxane)以及酚醛树脂等的有机绝缘物质通过旋涂等的方法形成。
118.在借由像素定义膜180而至少一部分被暴露的像素电极210上可以布置有中间层220。中间层220可以包括发光层220b，在发光层220b的下方以及上方可以选择性地布置有第一功能层220a和/或第二功能层220c。
119.作为一实施例，中间层220可以形成于借由像素定义膜180而至少一部分被暴露的像素电极210上。更加具体地，中间层220的发光层220b可以形成于借由像素定义膜180而至少一部分被暴露的像素电极210上。
120.第一功能层220a可以包括空穴注入层(hil：hole injection layer)和/或空穴传输层(htl：hole transport layer)，第二功能层220c可以包括电子传输层(etl：electron transport layer)和/或电子注入层(eil：electron injection layer)。
121.发光层220b可以包括包含发出红色、绿色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层220b可以是低分子有机物或者高分子有机物。
122.在发光层220b包括低分子有机物的情况下，中间层220可以具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等以单一或者复合结构层叠的结构，作为低分子有机物可以包括诸如铜酞菁(cupc：copper phthalocyanine)、n,n'
‑
二(萘
‑1‑
基)
‑
n,n'
‑
二苯基
‑
联苯胺(npb：n,n'
‑
di(napthalene
‑1‑
yl)
‑
n,n'
‑
diphenyl
‑
benzidine)、三
‑8‑
羟基喹啉铝(alq3)等的多种有机物质。这样的层可以通过真空沉积的方法形成。
123.在发光层220b包括高分子有机物的情况下，中间层220可以具有大致包括空穴传输层以及发光层220b的结构。此时，空穴传输层可以包括聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)(pedot：poly(3,4
‑
ethylenedioxythiophene))，发光层可以包括聚苯乙炔(ppv：poly
‑
phenylene vinylene)系和聚芴((polyfluorene)系等高分子物质。这样的发光层220b可以以丝网印刷方法、喷墨印刷方法以及激光热转印方法(liti：laser induced thermal imaging)等形成。
124.在中间层220上可以布置有对向电极230。作为一实施例，显示装置1的对向电极230可以利用上述的制造装置300(图1)而形成于中间层220上。对向电极230可以布置于中间层220上，并且可以以覆盖中间层220的全部的形态布置。对向电极230可以布置于显示区域da上部，并且可以以覆盖显示区域da的全部的形态布置。即，对向电极230可以利用开放掩模而以覆盖布置于显示区域da的多个像素p的方式在显示面板整体形成为一体。
125.对向电极230可以包括功函数低的导电物质。例如，对向电极230可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或者这些的合金等的(半)透明层。或者，对向电极230在包括上述物质的(半)透明层上还可以包括诸如ito、izo、zno或者in2o3之类的层。
126.根据一实施例，在显示装置中，为了解决由于飞溅不良而使沉积均匀性降低等的问题等，在容纳于坩埚410内的沉积物质450的表面451布置盖460，从而可以防止由于在沉积物质内部产生的气泡而产生飞溅不良，并且可以防止凝结于喷嘴的沉积物质掉落而产生飞溅不良，从而提高沉积均匀度。
127.本发明虽然参考附图中示出的实施例进行了说明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的技术人员，便可以理解能够据此实现多种变形以及等同的其他实施例。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所记载的权利要求书的技术思想而被确定。