沉积装置及方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种沉积装置及方法。


背景技术：

2.在半导体器件进行沉积工艺处理过程中，沉积的薄膜不仅沉积在晶圆表面，同时也沉积在反应腔室内的任何地方，包括晶圆夹盘、气体喷嘴以及反应腔室的内壁，若不及时清洁反应腔室，将导致反应腔室中的薄膜在这些表面上剥离，引起沉积膜粒子污染，所以清洁反应腔室十分重要。
3.相关技术中的沉积装置经常集成了用于清洁反应腔室的远程等离子体子装置。然而，相关技术中的沉积装置存在清洁反应腔室的效果不好、沉积膜质量不佳的问题。


技术实现要素：

4.为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种沉积装置和方法，能够达到良好的清洁反应腔室，并形成高质量沉积膜的效果。
5.本发明实施例提供了一种沉积装置，包括：
6.第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，
7.所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；
8.所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；
9.在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；
10.在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。
11.上述方案中，所述沉积装置还包括：第一阀门，所述第一阀门设置在第二管路与第三管路交汇前的第二管路上；
12.在进行沉积工艺处理的过程中，通过关闭所述第一阀门，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；
13.在所述沉积工艺处理完成后，通过开启所述第一阀门，以使所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。
14.上述方案中，所述第二气体产生子装置还用于产生第三气体，所述第三气体包括惰性气体；
15.在进行沉积工艺处理的过程中，所述第二气体产生子装置产生所述第三气体，所述第三气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；
16.在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置产生所述第二气体，产生的第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。
17.上述方案中，在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置产生所述第二气体及第三气体，产生的所述第二气体及第三气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。
18.上述方案中，所述沉积工艺包括原子层沉积工艺(ald，atomic layer deposition)或者化学气相沉积工艺(cvd，chemical vapour deposition)。
19.上述方案中，所述沉积装置还包括管路连接器，所述管路连接器上设置有第一端口、第二端口及第三端口；所述第一管路的输出端口与所述第一端口相连，所述第二管路的输出端口与所述第二端口相连，所述第三管路的输入端口与所述第三端口连接。
20.本发明实施例还提供了一种沉积方法，包括：
21.在进行沉积工艺处理的过程中，在沉积装置的第一气体产生子装置中产生第一气体；
22.通过所述沉积装置的第一管路以及所述沉积装置的第三管路将所述第一气体输送至所述沉积装置的反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述沉积装置的第二管路和/或所述沉积装置的第二气体产生子装置中；
23.在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置中至少产生第二气体；
24.通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。
25.上述方案中，在所述第二管路与第三管路交汇前的第二管路上设置有第一阀门；所述方法还包括：
26.在进行沉积工艺处理的过程中，通过关闭所述第一阀门，使得所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；
27.在所述沉积工艺处理完成后，通过开启所述第一阀门，以使所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。
28.上述方案中，所述方法还包括：
29.在进行沉积工艺处理的过程中，在所述第二气体产生子装置中产生第三气体，并通过所述第二管路以及第三管路将所述第三气体输送至所述反应腔室中，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；所述第三气体包括惰性气体；
30.在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置中产生第二气体，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体输送至所述反应腔室中。
31.上述方案中，所述方法还包括：
32.在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置产生所述第二气体及第三气体，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体及第三气体输送至所述反应腔室中。
33.本发明实施例提供了一种沉积装置及方法，其中，所述沉积装置包括：第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，所述
第一气体产生子装置，用于产生第一气体；所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。本发明实施例中，在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，反应腔室中的物质不能通过第三管路进入第二管路和/或第二气体产生子装置中，从而避免了存在于第二管路和/或第二气体产生子装置中的反应腔室中的物质在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中随着第一气体或者在半导体器件沉积工艺处理完成后随着第二气体被带回到反应腔室中并附着在反应腔室内表面；也就避免了该被带回到反应腔室中的聚集物质再次污染反应腔室或者沉积膜，进而达到良好的清洁反应腔室的效果，改善沉积膜的粒子污染问题，能够形成高质量的沉积膜。
附图说明
34.图1为相关技术中沉积装置实现沉积过程的示意图；
35.图2为本发明实施例沉积装置的结构组成示意图；
36.图3为本发明实施例沉积装置中管路连接器与第一管路、第二管路以及第三管路之间连接关系的示意图；
37.图4为本发明一实施例沉积装置实现沉积过程的示意图；
38.图5为本发明另一实施例沉积装置实现沉积过程的示意图；
39.图6为本发明实施例沉积方法的实现流程示意图。
具体实施方式
40.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对发明的具体技术方案做进一步详细描述。
41.图1示出了相关技术中沉积装置的结构组成示意图，如图1所示，沉积装置100包括：第一气体产生子装置101(图中未示出)、第二气体产生子装置102、第一管路103、第二管路104、第三管路105以及反应腔室106；其中，所述第一气体产生子装置101，用于产生对所述反应腔室106中的半导体器件进行沉积工艺处理的第一气体；所述第二气体产生子装置102，至少用于产生清洁所述反应腔室106的第二气体；在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路103以及第三管路105被输送至所述反应腔室106中，以对所述反应腔室106中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路104以及第三管路105被输送至所述反应腔室106中，以清洁所述反应腔室106。
42.然而，在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，进行沉积工艺处理的第一气体通过第一管路103以及第三管路105进入反应腔室106内，此时，第二管路104中无气体流出，由于第一管路103、第二管路104以及第三管路105彼此相通，这样使得在半导体器件进行工艺处理的过程中，第二管路104中的气体压力低于第一管路103和反应腔室106内的气体压力，使得反应腔室106内的物质会在压差的作用下反流到第二管路104，甚至沿着第二管路
104进入所述第二气体生成子装置102，从而导致第二管路104和/或第二气体产生子装置102中附着有反应腔室内的物质，这些物质在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，被第一气体带回到反应腔室中，附着于反应腔室内表面或半导体器件表面，或者在半导体器件沉积工艺处理完成后的清洁过程中，被第二气体带回到反应腔室中，附着于反应腔室内表面或半导体器件表面；由于存在于第二管路以及第二气体产生子装置中的反应腔室中的物质呈聚集状，很难被第二气体清洁干净，这些物质随着第二气体被带回到反应腔室中，附着于反应腔室内表面很难被清洁掉，容易引起反应腔室或者沉积膜的二次污染，即导致反应腔室清洁效果不佳，引起沉积膜粒子污染，降低沉积膜质量。
43.基于此，在本发明的各种实施例中，在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，第一气体通过第一管路以及第三管路被输送至反应腔室中，且反应腔室中的物质不能通过第三管路进入第二管路和/或所述第二气体产生子装置中，这样在半导体器件进行工艺处理的过程中或者在半导体器件沉积工艺处理完成后的清洁过程中就不会有反应腔室的物质随着气流掉落在反应腔室部件的表面，使得反应腔室内能够保持清洁，从而可以达到改善沉积膜粒子污染的问题，提高沉积膜的质量。
44.图2示出了本发明实施例沉积装置的结构组成图，本发明实施例的沉积装置200包括：第一气体产生子装置201、第二气体产生子装置202、第一管路203、第二管路204、第三管路205以及反应腔室206；其中，
45.所述第一气体产生子装置201，用于产生第一气体；
46.所述第二气体产生子装置202，至少用于第二气体；
47.在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路203以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室206中的物质不能通过所述第三管路205进入所述第二管路204和/或所述第二气体产生子装置202中；
48.在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，以清洁所述反应腔室206。
49.实际应用中，所述沉积工艺包括ald或者cvd。
50.实际应用中，所述第一气体产生子装置201用于产生对所述反应腔室206中的半导体器件进行沉积工艺处理的第一气体。所述第一气体产生子装置201可以包括气柜，用于产生对反应腔室206中的半导体器件进行沉积工艺处理的第一气体，在所述气柜中可以是已经存储好的第一气体，也可以是在所述气柜中通过一种或几种化学物质反应生成第一气体。
51.实际应用中，所述第一气体与实际需要沉积的沉积膜的材料相关。举个例子来说，当反应腔室206中沉积膜的材料为氧化硅时，所述第一气体可以包括：硅烷(sih4)、氧气(o2)、正硅酸乙酯(sio4c8h
20
)、臭氧(o3)等；当反应腔室206中沉积膜的材料为硅时，所述第一气体可以包括：硅烷(sih4)、二氯硅烷(sicl2h2)、三氯硅烷(sicl3h)、四氯硅烷(sicl4)等。
52.所述反应腔室206中的物质包括在沉积过程之中，在反应腔室206内产生的中间产物或最终的沉积物。实际应用中，所述第二气体产生子装置202至少用于产生清洁所述反应腔室206的第二气体。所述第二气体可以是三氟化氮(nf3)解离之后的气体。所述第二气体产生子装置202可以包括气柜以及远程等离子体系统(rps，remote plasma system)；其中，
所述气柜用于提供产生所述第二气体的气体如，三氟化氮，在所述气柜中可以包括已经存储好的相应气体的气瓶，也可以通过一种或几种化学物质反应生成相应气体；在所述rps内附有线圈，当射频电流通过线圈时产生交流磁场，交流磁场经过感应耦合产生随时间变化的电场，电场能加速电子并形成离子化碰撞，使得气柜中通入的气体解离形成等离子体。
53.实际应用中，第一气体产生子装置201与第一管路203的入口连接，第二气体产生子装置202与第二管路204的入口连接，第一管路203的出口与第二管路204的出口同时与第三管路205的入口连接，第三管路205的出口与反应腔室206连接，其中，第一管路203的出口、第二管路204的出口和第三管路205的入口形成三通结构。
54.实际应用中，三通结构既可以一体成型，也可以利用管路连接器将三个分开的管路进行连接形成。
55.实际应用中，为了制造的便利性，第一管路203、第二管路204以及第三管路205之间可以利用管路连接器进行连接。
56.基于此，在一实施例中，所述沉积装置还包括管路连接器，所述管路连接器上设置有第一端口、第二端口及第三端口；所述第一管路203的输出端口与所述第一端口相连，所述第二管路204的输出端口与所述第二端口相连，所述第三管路205的输入端口与所述第三端口连接。
57.这里，所述管路连接器与第一管路203、第二管路204以及第三管路205之间连接的关系如图3所示。实际应用时，管路连接器中三个端口所在的管路支路可以为类似字母t的形状(图3中示出了t的形状这一种情况)或y的形状等。如此，第一气体产生子装置201中的第一气体通过所述第一管路203以及第三管路205可以被顺利输送至所述反应腔室206中，第二气体产生子装置202中的第二气体通过所述第二管路204以及第三管路205可以被顺利输送至所述反应腔室206中。
58.所述第一管路203、第二管路204及第三管路205的材质一般为能够输送耐高温、耐高压、耐腐蚀介质的材料，如，不锈钢，但不局限于此。
59.在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路203以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，以对所述反应腔室中206的半导体器件进行沉积工艺处理。在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，以清洁所述反应腔室206。
60.需要说明的是，在本发明各实施例中，在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室206中的物质不能通过所述第三管路205进入所述第二管路204和/或所述第二气体产生子装置202中。
61.实际应用中，可以通过多种方式使得所述反应腔室206中的物质不能通过所述第三管路205进入所述第二管路204和/或所述第二气体产生子装置202中。
62.下面重点阐述在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，如何保证所述反应腔室206中的物质不会进入所述第二管路204和/或第二气体产生子装置202中。
63.实际应用中，考虑到反应腔室206中的物质会进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202中，主要是因为第一管路203、第二管路204、第三管路205彼此相通，当在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，第一气体从第一管路203通入第三管路205，但是第二管路204无气体流出，第一管路203与第二管路204存在明显的气压差，使得反应腔室206中
的物质反流到第二管路204和/或第二气体产生子装置202中，此时，如果能阻断反应腔室206中的物质反流到第二管路204和/或第二气体产生子装置202中的通道，就能够保证反应腔室206中的物质不会进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202中。基于此，可以在第二管路203上设置一阀门，以此阻断反应腔室206中的物质反流到第二管路204和/或第二气体产生子装置202中的通道。
64.基于此，在一些实施例中，所述沉积装置还包括：第一阀门207，所述第一阀门207设置在第二管路204与第三管路205交汇前的第二管路204上；
65.在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，通过关闭所述第一阀门207，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路205进入所述第二管路204和/或第二气体产生子装置中202；
66.在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，通过开启所述第一阀门207，以使所述第二气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中。
67.实际应用中，如图4所示，在沉积装置200中，通过在第二管路204与第三管路205交汇前的第二管路204上设置第一阀门207，当在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中不需要向反应腔室206通清洁气体时，将第一阀门207关闭，使得反应腔室206中的物质不能通过第三管路205进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202中；当在半导体器件沉积工艺处理完成后的清洁反应腔室的过程中需要向反应腔室206通入清洁气体时，将第一阀门207打开，使得清洁气体通过第二管204路和第三管路205进入反应腔室206中。这种沉积装置既保证了第二管路204和反应腔室206内部的清洁，又不影响半导体沉积工艺处理。
68.实际应用中，所述第一阀门207需要能耐高温、高压和腐蚀等条件，基于此，第一阀门207的材质可以包括：碳素钢、不锈钢、双相钢以及镍合金等，但不局限于此。
69.可以理解的是，在第二管路与第三管路交汇前的第二管路上设置第一阀门，当在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中不需要向反应腔室通清洁气体时，将第一阀门关闭，使得反应腔室中的物质不能通过第三管路进入第二管路和/或第二气体产生子装置中；当在半导体器件沉积工艺处理完成后的清洁反应腔室的过程中需要向反应腔室通入清洁气体时，将第一阀门打开，使得清洁气体通过第二管路和第三管路进入反应腔室中。这种沉积装置既保证了第二管路和反应腔室内部的清洁，又不影响半导体沉积工艺处理，使得能够形成高质量的沉积膜。
70.如上所述，实际应用中，考虑到前述的反应腔室206中的物质会进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202的原因，如果第一管路203与第二管路204中的气压能保持平衡，也可以保证反应腔室206中的物质不会进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202中。基于此可以在半导体器件进行沉积工艺处理过程中，在第一管路203通第一气体的同时，向第二管路204中通入气体，以此平衡第一管路203和第二管路204间的气压差。
71.基于此，在另一些实施例中，所述第二气体产生子装置202还用于产生第三气体，所述第三气体包括惰性气体；
72.在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，所述第二气体产生子装置202产生所述第三气体，所述第三气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，使得反应腔室206中的物质不能通过所述第三管路205进入所述第二管路204和/或第二气体产生子装置202中(如图5所示)；
73.需要说明的是，在所述半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，通过第二管路204和第三管路205向反应腔室206通第三气体可以使第二管路204及第二气体产生子装置202保持正压，从而使得反应腔室206中的物质不能通过第三管路205进入第二管路204和/或第二气体产生子装置202中。
74.在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置202产生所述第二气体，产生的第二气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中。
75.这里，所述第二气体产生子装置202可以产生第二气体和/或第三气体，所述第二气体包括用于清洁反应腔室的气体；所述第三气体包括惰性气体。可以理解的是，所述惰性气体不参与沉积反应，在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，惰性气体可以用作平衡第一管路203和第二管路204间的气压差。实际应用中，所述第三气体可以包括：氦(he)、氖(ne)、氩(ar)、氪(kr)及氙(xe)等，但不局限于此。
76.实际应用中，对于第二气体产生子装置202既能产生第二气体，又能产生第三气体的一种实现方式为：所述第二气体产生子装置202可以同时包含两个气瓶，其中一个气瓶包含惰性气体(第三气体)，另一个气瓶包含nf3，两个气瓶均与远程等离子体系统连接，在半导体器件进行工艺处理过程中，若仅需要第三气体，只将惰性气体的气瓶打开；在半导体器件进行工艺处理后的清洁过程中，若第二气体与第三气体都需要时，两个气瓶都打开，如此实现两种气体在不同过程中的需求。
77.在所述半导体器件沉积工艺处理中，所述第二气体产生子装置202停止产生第二气体，而仅产生所述第三气体，产生的第三气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中，以平衡第一管路203和第二管路204压差。
78.实际应用中，考虑到惰性气体具备供给nf3能量，促进nf3解离形成第二气体的作用，且惰性气体还可以用做第二气体从第二管路以及第三管路被输送至反应腔室中的载气，因此，在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置202可以同时产生第二气体以及第三气体。
79.基于此，在一些实施例中，在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，所述第二气体产生子装置202产生所述第二气体及第三气体，产生的所述第二气体及第三气体通过所述第二管路204以及第三管路205被输送至所述反应腔室206中。
80.实际应用中，考虑到气压更好的平衡(第二管道的气压大于或等于第一管道)，可以在第三气体进入第二气体产生子装置202之前或者在第二气体产生子装置202与第二管路204之间设置一阀门和控制器，以此来控制第三气体的流量。
81.基于此，在一些实施例中，所述沉积装置还包括第二阀门及控制器(图中未示出)；其中：
82.所述第二阀门可以设置在装有惰性气体的气瓶与所述远程等离子体系统之间；
83.所述控制器用于控制所述第二阀门开启的大小，以调整所述第三气体流过所述第二阀门的速度。
84.本实施例在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，通过在第二管路中通过惰性气体的方法，使得第二管路中的气体压力与第一管路中的气体压力保持一致，防止反应腔室中的物质反流回到第二管路和第二气体产生子装置中，这样使得不会有反应腔室中的物
质在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中或在半导体器件沉积工艺处理完成后随着气流掉落在反应腔室部件表面，从而达到良好的清洁反应腔室的效果，改善沉积膜的粒子污染问题，形成高质量沉积膜。这种方法在工艺上容易实现且不需要更改机台装置。
85.本发明实施例提供了一种沉积装置，包括：第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。本发明实施例中，在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中，反应腔室中的物质不能通过第三管路进入第二管路和/或第二气体产生子装置中，从而避免了存在于第二管路和/或第二气体产生子装置中的反应腔室中的物质在半导体器件进行沉积工艺处理的过程中随着第一气体被带回到反应腔室中并附着在反应腔室内和半导体器件表面，同时也避免了存在于第二管路和/或第二气体产生子装置中的聚集在一起的很难被第二气体清洁干净的反应腔室中的物质在半导体器件沉积工艺处理完成后被第二气体带回到反应腔室中并附着在反应腔室内表面，进而达到良好的清洁反应腔室的效果，改善沉积膜的粒子污染问题，能够形成高质量的沉积膜。
86.基于上述装置，本发明实施例还提供了一种沉积方法，如图6所示所述沉积方法包括：
87.步骤601，在进行沉积工艺处理的过程中，在沉积装置的第一气体产生子装置中产生第一气体；
88.步骤602，通过所述沉积装置的第一管路以及所述沉积装置的第三管路将所述第一气体输送至所述沉积装置的反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述沉积装置的第二管路和/或所述沉积装置的第二气体产生子装置中；
89.步骤603，在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置中至少产生第二气体；
90.步骤604，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。
91.其中，在一些实施例中，在所述第二管路与第三管路交汇前的第二管路上设置有第一阀门；所述方法还包括：
92.在进行沉积工艺处理的过程中，通过关闭所述第一阀门，使得所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生子装置中；
93.在所述沉积工艺处理完成后，通过开启所述第一阀门，以使所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中。
94.在一些实施例中，在进行沉积工艺处理的过程中，在所述第二气体产生子装置中产生第三气体，并通过所述第二管路以及第三管路将所述第三气体输送至所述反应腔室中，使得反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或第二气体产生
子装置中；所述第三气体包括惰性气体；
95.在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置中产生第二气体，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体输送至所述反应腔室中。
96.在一些实施例中，在所述半导体器件沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置产生所述第二气体及第三气体，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体及第三气体输送至所述反应腔室中。
97.在一些实施例中，所述沉积工艺包括：原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺。
98.需要说明的是，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的方法，可以参考前述沉积装置实施例中的对应过程，在此不再赘述。
99.需要说明的是：“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
100.另外，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
101.以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。