一种用于加工薄硅片的加工件的制作方法

1.本实用新型涉及硅片加工领域，更具体的讲是一种用于加工薄硅片的加工件。


背景技术：

2.集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足ic封装要求,越来越多的薄芯片将会出现在封装中。此外薄芯片可以提高器件在散热、机械等方面的性能,降低功率器件的电阻。因此,薄硅片的地位越来越重要。虽然半导体器件中的硅片目前已经做得很薄，但依旧不能满足某些特殊使用的要求，比如后道加工完成再进行减薄工艺势必会影响产品质量以及成品率，因此，市场迫切需要一种能够加工出更薄硅基材的制造工艺，以保证后道加工的成品率。


技术实现要素：

3.本实用新型提供一种用于加工薄硅片的加工件，目的在于解决现有技术中存在的上述问题。
4.本实用新型采用如下技术方案：
5.一种用于加工薄硅片的加工件，包括辅助片和用于加工成薄硅片的第一硅片，所述第一硅片的第一端面可拆卸地固定贴合于所述辅助片。
6.进一步，所述第一硅片的第一端面为抛光面。
7.进一步，所述第一硅片的第一端面通过蜡层贴合于所述辅助片。
8.进一步，所述第一硅片的第一端面通过双面胶贴合于所述辅助片。
9.进一步，所述第一硅片的边缘轮廓处于所述辅助片的边缘轮廓的内侧。
10.进一步，所述辅助片为第二硅片。
11.进一步，所述第一硅片的厚度大于425um。
12.由上述对本实用新型结构的描述可知，本实用新型具有如下优点：
13.本实用新型包括相互贴合的辅助片和用于加工成薄硅片的第一硅片，辅助片来保证加工件的整体厚度和强度，从而允许抛光机台或者其他研磨装置对该加工件加工时将第一硅片研磨的更加薄，保证第一硅片在加工过程中不会因厚度减薄而容易发生崩裂。
附图说明
14.图1为本实用新型结构示意图。
15.图2为本实用新型倒置状态下的拆解示意图。
具体实施方式
16.下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。
17.如图1和图2所示，一种用于加工薄硅片的加工件，包括辅助片1和用于加工成薄硅片的第一硅片3。第一硅片3的第一端面31可拆卸地固定贴合于所述辅助片。
18.作为优选，第一硅片3的第一端面31为抛光面，事先采用抛光机台加工而成。
19.作为一种具体实施方式，第一硅片3的第一端面31通过蜡层2贴合于辅助片1。
20.作为优选，第一硅片3的边缘轮廓处于辅助片1的边缘轮廓的内侧。也就是说辅助片1的尺寸大于第一硅片3，并且整个第一硅片3处于辅助片1的投影内。
21.如图1和图2所示，作为优选，第一硅片3的厚度大于425um。在第一硅片3与辅助片1贴合后，通过抛光机台或者其他研磨装置对第一硅片3的裸露端面进行研磨减薄，减小第一硅片3的厚度，再进行精抛加工；最后通过加热熔化蜡层2，将第一硅片3与辅助硅片1进行分离，并清除第一硅片3上的残蜡。采用这种加工件，配合上述加工方法，可以使第一硅片3的厚度达到80 um，甚至更薄。80 um的厚度远低于现有工艺中直接对单个标准厚度的硅片进行加工能制成的150 um至300um的薄硅片厚度。其中，通常3寸大小的硅片标准厚度为425um，4寸大小的硅片标准厚度为525um，6寸大小的硅片标准厚度为675um，8寸大小的硅片标准厚度为750um，12寸大小的硅片标准厚度为750um。
22.本实用新型的制作方式：将辅助片1固定放于贴蜡机的旋转加热盘，然后将蜡液涂于辅助片，同时旋转加热盘进行旋转加热盘，使蜡液涂均匀地涂抹于辅助片1上；再将第一硅片3贴于辅助片1的液体蜡液表面；再对液体蜡液进行冷却，使蜡凝固成蜡层，进而将第一硅片3与辅助片1贴合固定，制得上述加工件。
23.如图1和图2所示，作为另一种具体实施方式，第一硅片3的第一端面31也可以通过双面胶（图中未体现）贴合于辅助片1。
24.上述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。