技术特征：
1.一种方法，其包含：使用第一原子层沉积(ald)处理由金属氧氯化物前体和氨沉积第一层；以及使用第二ald处理由金属氧氯化物前体和氢在所述第一层上沉积元素金属层。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层为金属氧氮化物或金属氮化物层。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一层在所述第二ald处理期间或之前被转化为元素金属层。4.根据权利要求3所述的方法，其中经转化的所述元素金属层含有少于1(原子)％的杂质。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层是非晶层。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述元素金属层是结晶的。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二ald处理是在相同的室中进行且不暴露于空气。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层是所述第二层中金属晶粒生长的模板。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素层含有少于1(原子)％的杂质。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层为元素钨。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层为元素钼。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层为氮氧化钼和氮化钼中的一者。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一ald处理是在低于400℃的温度下进行。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二ald处理是在大于400℃的温度下进行。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层的沉积和所述元素层的沉积在相同室中进行。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一层的沉积和所述元素层的沉积是在相同室的不同站中进行。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层的沉积是在第一室中进行，而所述元素层的沉积是在第二室中进行。18.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在沉积所述元素层之前，使所述第一层暴露于空气。19.一种装置，其包含：第一处理室和第二处理室，其各自被配置成容纳衬底；衬底支撑件，其位于所述处理室中的每一者中；气体入口，其被配置成将气体导入所述处理室中的每一者中；加热器，其被配置成将各个处理室中的所述衬底支撑件加热；以及控制器，其包含用于下列操作的程序指令：(a)在衬底被容纳于所述第一处理室中时，按顺序使金属氧氯化物前体和氨进入所述第一处理室；(b)在(a)之后，将所述衬底转移至所述第二处理室；以及(c)在(b)之后，在所述衬底被容纳于所述第二处理室中时，按顺序使金属氧氯化物前体和氢进入所述第二处理室。20.一种装置，其包含：
处理室，其具有各自被配置成容纳衬底的一或更多个站；衬底支撑件，其位于所述一或更多个站中的每一者中；气体入口，其被配置成将气体导入所述一或多个站中的每一者中；加热器，其被配置成将每个站中的所述衬底支撑件加热；以及控制器，其包含用于下列操作的程序指令：按顺序使金属氧氯化物前体和氨进入所述一或多个站中的每一者中；以及按顺序使金属氧氯化物前体和氢进入所述一或多个站中的每一者中。
技术总结
本文提供用于逻辑及存储器应用的低电阻金属化堆叠结构及相关制造方法。在一些实施方案中，在沉积薄金属氮氧化物或金属氮化物成核层，之后进行纯金属导体的沉积。成核层为非晶形的，其使得大型纯金属膜晶粒生长模板化并降低电阻率。此外，以下描述的方法的一些实施方案将大部分或全部的金属氮氧化物成核层转化为纯金属层，从而进一步降低电阻率。从而进一步降低电阻率。从而进一步降低电阻率。
技术研发人员：约瑟亚
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.01.27
技术公布日：2021/9/6