技术特征：
1.一种用于形成沉积掩模的方法，所述方法包含以下步骤：在基板上沉积掩模层；穿过所述掩模层图案化多个掩模开口；及移除所述基板的中央部分以限定穿过所述基板的周边部分的基板开口，具有穿过所述掩模层的所述掩模开口的所述掩模层延伸跨越所述基板开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中穿过所述掩模层的所述掩模开口具有相应的所述掩模开口的深度与相应的所述掩模开口的宽度的比率，所述比率是1:1或更小。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模层利用拉应力来沉积。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述基板上沉积第一保护层，所述掩模层被沉积在所述第一保护层上；在所述掩模层上沉积第二保护层，所述掩模开口穿过所述第一保护层和所述第二保护层被图案化；及移除所述第一保护层和所述第二保护层的部分。5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述掩模层上沉积间隔层；及将所述间隔层图案化为间隔元件，在所述掩模开口的群组之间限定有划线区域，所述间隔元件沿着所述划线区域的至少一些划线区域。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述掩模层上并在所述基板开口中形成支撑矩阵，在所述掩模开口的群组之间限定有多个划线区域，所述支撑矩阵沿着所述划线区域的至少一些划线区域并接触所述基板的所述周边部分。7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述基板上沉积所述掩模层的步骤包括以下步骤：在所述基板上沉积第一导电掩模层；在所述第一导电掩模层上沉积绝缘掩模层；及在所述绝缘掩模层上沉积第二导电掩模层。8.根据权利要求7所述的方法，其中穿过所述掩模层图案化所述掩模开口的步骤包括以下步骤：穿过所述第二导电掩模层图案化多个第一沟槽；及通过所述基板开口，穿过所述第一导电掩模层图案化多个第二沟槽，至少所述第一沟槽、所述第二沟槽或它们的组合穿过所述绝缘掩模层，且所述第一沟槽和所述第二沟槽的交叉形成所述掩模开口。9.根据权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：将载体框架附接到所述掩模层和所述基板，所述载体框架的外框架包围所述基板的所述周边部分。10.一种半导体处理结构，包含：沉积掩模，包含：环形基板，所述环形基板具有穿过所述环形基板的基板开口；及掩模层，所述掩模层位于所述环形基板上并延伸跨越所述基板开口，所述掩模层具有
穿过所述掩模层并在所述基板开口内对准的多个掩模开口。11.根据权利要求10所述的半导体处理结构，其中穿过所述掩模层的所述掩模开口具有相应的所述掩模开口的深度与相应的所述掩模开口的宽度的比率，所述比率是1:1或更小。12.根据权利要求10所述的半导体处理结构，其中所述沉积掩模进一步包含位于所述掩模层上的、在与所述环形基板相对的间隔元件，在所述掩模开口的群组之间限定有划线区域，所述间隔元件沿着所述划线区域的至少一些划线区域。13.根据权利要求10所述的半导体处理结构，其中所述沉积掩模进一步包含位于所述掩模层上并位于所述基板开口中的支撑矩阵，在所述掩模开口的群组之间限定有多个划线区域，所述支撑矩阵沿着所述划线区域的至少一些划线区域并接触所述环形基板。14.根据权利要求10所述的半导体处理结构，其中所述掩模层包括：位于所述环形基板上的第一导电掩模层，多个第一沟槽穿过所述第一导电掩模层；位于所述第一导电掩模层上的绝缘掩模层；及位于所述绝缘掩模层上的第二导电掩模层，多个第二沟槽穿过所述第二导电掩模层；至少所述第一沟槽、所述第二沟槽或它们的组合穿过所述绝缘掩模层，所述第一沟槽和所述第二沟槽的多个交叉形成所述掩模开口。15.根据权利要求10所述的半导体处理结构，进一步包含附接到所述沉积掩模的载体框架，所述载体框架的外框架包围所述环形基板。
技术总结
大体而言，本文描述的示例关于沉积掩模以及制造和使用这种沉积掩模的方法。示例包括用于形成沉积掩模的方法。掩模层沉积在基板上。穿过掩模层图案化掩模开口。基板的中央部分被移除以限定穿过基板的周边部分的基板开口。具有穿过掩模层的掩模开口的掩模层延伸跨越基板开口。板开口。板开口。
技术研发人员：凯文
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2020.02.20
技术公布日：2021/10/8