1.本发明关于一种基板处理设备，其在基板上执行如沉积工艺及蚀刻工艺等的处理工艺。
背景技术：
：：2.一般来说，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示设备等，需要在基板上形成薄膜层、薄膜电路图案(thin‑filmcircuitpattern)或光学图案(opticalpattern)。为此，会有处理工艺在基板上被执行，且处理工艺的示例包含沉积工艺、曝光工艺(photoprocess)、蚀刻工艺等，其中沉积工艺将包含特定材料的薄膜沉积在基板上，曝光工艺使用光感材料选择性地将部分的薄膜曝光，蚀刻工艺将薄膜中选择性曝光的部分移除以形成图案。这种处理工艺通过基板处理设备在基板上被执行。3.用于基板处理设备的气体供应设备被用来执行处理工艺。用于基板处理设备的气体供应设备包含多个气体供应单元，气体供应单元将特定的处理气体散布(distribute)并注入(inject)到腔体中。各个气体供应单元可散布并注入选自源气体及反应气体中的一种气体，进而执行如将特定的薄膜层沉积在基板上的处理工艺。4.在此，用于基板处理设备的传统气体供应设备因为处理气体具有较低的蒸气压的缘故而使从气体供应单元发出的处理气体中到达腔体的处理气体有流速(flowrate)不足的问题。因此，在用于基板处理设备的传统气体供应设备中，用于处理工艺的处理气体的量便会减少。并且，因为处理气体不足，所以基板中经历处理工艺的薄膜层的质量便会降低。技术实现要素：5.【技术问题】6.本发明专为解决上述问题并提供可增加到达腔体的处理气体的流速的基板处理设备及用于基板处理设备的气体供应设备。7.【技术手段】8.为了达成上述目的，本发明包含下列要件。9.根据本发明的基板处理设备可包含一腔体、一第一气体供应单元、一第二气体供应单元以及一第三气体供应单元。腔体提供用于一基板的一处理空间。第一气体供应单元用于将具有一第一蒸气压的一第一气体提供给腔体。第二气体供应单元用于将具有一第二蒸气压的一第二气体提供给腔体，且第二蒸气压高于第一蒸气压。第三气体供应单元用于将具有一第三蒸气压的一第三气体提供给腔体，且第三蒸气压高于第二蒸气压。10.根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备可包含一第一气体供应单元、一第二气体供应单元、一第一载送气体供应单元以及一第二载送气体供应单元。第一气体供应单元用于将一第一气体提供到一腔体，腔体提供用于一基板的一处理空间。第二气体供应单元用于将一第二气体提供给腔体，第二气体具有高于第一气体的蒸气压。第一载送气体供应单元将一第一载送气体提供到第一气体供应单元以增加第一气体的流动力。第二载送气体供应单元将一第二载送气体提供到第二气体供应单元以增加第二气体的流动力。第一载送气体供应单元可提供第一载送气体而使得第一载送气体被提供到第一气体供应单元的流速高于第二载送气体。第一气体供应单元及腔体彼此间隔的距离长于第二气体供应单元及腔体彼此间隔的距离。11.根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备可包含n(其中n为大于等于3的整数)个气体供应单元以及n个载送气体供应单元。n个气体供应单元将具有不同蒸气压的多个处理气体提供到一腔体，腔体提供用于一基板的一处理空间。n个载送气体供应单元分别将一载送气体提供到气体供应单元以增加处理气体的流动力。n个气体供应单元中的一第一气体供应单元可将一第一气体提供给腔体，第一气体的蒸气压低于n个气体供应单元中的一第二气体供应单元，且第一气体供应单元及腔体彼此间隔的距离可长于第二气体供应单元。n个载送气体供应单元中的一第一载送气体供应单元将一第一载送气体提供给第一气体供应单元，且第一载送气体的流速高于n个载送气体供应单元中的一第二载送气体供应单元。12.【有利功效】13.根据本发明，可达到以下功效。14.本发明可被实施以增加用于处理工艺的处理气体的量，进而提升基板中经历处理工艺的薄膜层的质量。15.本发明可被实施以增加腔体中的处理气体的混合量，进而增加经历处理工艺的基板的产率(productivity)。16.本发明可被实施以使到达腔体的处理气体的流速偏差(flowratedeviation)减小，进而提升用于处理工艺的处理气体的均匀度。17.附图简单说明18.图1为根据本发明的基板处理设备的一实施例的侧视示意图。19.图2为绘示根据本发明的基板处理设备中的第一气体供应单元、第二气体供应单元、第三气体供应单元、第一气体流动路径、第二气体流动路径及第三气体流动路径的局部放大的侧视示意图。20.图3为图2中的部分a的局部放大示意图。21.图4为绘示根据本发明的基板处理装置中的第一载送气体依序流过第一共享流动路径及第二共享流动路径的实施例的侧视示意图。22.图5为绘示第一载送气体没有依序流过第一共享流动路径及第二共享流动路径的比较示例的侧视示意图。23.图6为绘示根据本发明的基板处理设备包含四个气体供应设备及四个载送气体供应单元的实施例的侧视示意图。24.实施发明的方式25.以下，将参照相关附图详细说明根据本发明的基板处理设备的一实施例。根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备可提供用来在基板上执行处理工艺的处理气体并可被包含于根据本发明的基板处理设备中。因此，根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备将与根据本发明的基板处理设备的一实施例一起描述。26.请参阅图1，根据本发明的一基板处理设备1在一基板s上执行一处理工艺。基板s可为玻璃基板、硅基板、金属基板或相似的基板。根据本发明的基板处理设备1可执行沉积工艺及蚀刻工艺，其中沉积工艺是将薄膜沉积在基板s上，而蚀刻工艺是将沉积在基板s上的薄膜的一部分移除。以下，将描述根据本发明的基板处理设备1执行沉积工艺的一实施例，但基于上述实施例来说，本领域的技术人员可轻易推导出根据本发明的基板处理设备1执行如蚀刻工艺的另一处理工艺的实施例。27.请参阅图1，根据本发明的基板处理设备1可包含一腔体100、一基板支撑单元200及一气体散布单元(未绘示)。28.腔体100为基板s提供处理空间。当处理气体被提供到腔体100中时，便可执行使用处理气体的特定沉积工艺。腔体100可被实施为整个中空的圆柱状外形，但并不限于此，也可被实施为中空的长方形平行六面体外形(rectangularparallelepipedshape)。29.基板支撑单元200支撑基板s。基板支撑单元200可支撑设置在腔体100的内部处理空间中的基板s。基板支撑单元200可被安装于腔体100中。基板支撑单元200可被安装于腔体100中以在特定的方向中为可转动的。在基板s受到基板支撑单元200支撑的情况中，可执行将特定的薄膜层沉积在基板s上的沉积工艺。图1中的阴影部分示意性地绘示基板支撑单元200及腔体100的剖面线。30.请参阅图1，根据本发明的基板处理设备1可包含一气体供应系统1a。根据本发明的用于基板处理设备的气体供应设备可被实施为包含气体供应系统1a。31.气体供应系统1a将第一气体、第二气体及第三气体提供到腔体。在此，第一气体、第二气体及第三气体可各为用于沉积工艺的处理气体。气体供应系统1a可设置于腔体100的外侧。32.气体供应系统1a将第一混合气体及第二混合气体混合以将混合气体提供到腔体100。在此，第一混合气体可为第一气体及第二气体混合而成的气体，第二混合气体可为第一气体及第三气体混合而成的气体。气体供应系统1a可优先地将第一气体及第二气体混合，并可接着将第一混合气体及第三气体混合。气体供应系统1a可包含多个气体供应单元、多个载送气体供应单元、及供处理气体移动的多个气体流动路径。33.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第一气体供应单元2。34.第一气体供应单元2用于将第一气体提供到腔体100。第一气体供应单元2可将具有第一蒸气压的第一气体提供到腔体100。当第一气体供应单元2将第一气体提供到腔体100时，可在腔体100中执行使用第一气体的处理工艺。第一气体可为被应用于处理工艺的处理气体。第一气体可为包含于沉积在基板s上的薄膜的原材料(sourcematerial)中的前躯体(precursor)。举例来说，第一气体可包含铟(indium)。第一气体可为与原材料反应的反应气体。35.第一气体供应单元2可与腔体100分离。第一气体供应单元2可设置于腔体100的外侧。第一气体供应单元2可执行储存第一气体及将第一气体提供到腔体100的功能。虽然未绘示，但可经由第一气体供应单元从外侧将第一气体提供给第一气体供应单元2。36.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第二气体供应单元3。37.第二气体供应单元3用于将第二气体提供到腔体100。第二气体供应单元3可将具有第二蒸气压的第二气体提供到腔体100。当第二气体供应单元3将第二气体提供到腔体100时，可在腔体100中执行使用第二气体的处理工艺。第二气体可为被应用于处理工艺的处理气体。第二气体可为包含于沉积在基板s上的薄膜的原材料中的前躯体。也就是说，第二气体及第一气体可皆为源气体。另一方面，第二气体及第一气体可为不同的气体。举例来说，当第一气体为源气体时，第二气体可为反应气体。38.由第二气体供应单元3提供的第二气体的蒸气压可高于第一气体的蒸气压。也就是说，第二蒸气压可高于第一蒸气压。举例来说，当第一气体包含铟时，第二气体可包含锌(zinc)。当第二气体的蒸气压大于第一气体的蒸气压时，第二气体的流动力(flowforce)会大于第一气体的流动力。也就是说，第二气体的流动距离可长于第一气体的流动距离。39.第二气体供应单元3可与腔体100分离。第二气体供应单元3可设置于腔体100的外侧。第二气体供应单元3可执行储存第二气体及将第二气体提供到腔体100的功能。虽然未绘示，但可经由第二气体供应单元从外侧将第二气体提供给第二气体供应单元3。40.相较于第一气体供应单元2，第二气体供应单元3可设置于较靠近腔体100的位置。举例来说，从第二气体供应单元3连接到腔体100的气体流动路径的长度可被设定为短于从第一气体供应单元2连接到腔体100的气体流动路径的长度。也就是说，第一气体供应单元2及腔体100彼此间隔的距离可长于第二气体供应单元3及腔体100彼此间隔的距离。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使提供具有低蒸气压的处理气体的气体供应单元设置于较远离腔体100的位置。41.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第三气体供应单元4。42.第三气体供应单元4用于将第三气体提供到腔体100。第三气体供应单元4可将具有第三蒸气压的第三气体提供到腔体100。当第三气体供应单元4将第三气体提供到腔体100时，可在腔体100中执行使用第三气体的处理工艺。第三气体可为被应用于处理工艺的处理气体。第三气体可为包含于沉积在基板s上的薄膜的原材料的前躯体。也就是说，第三气体、第二气体及第一气体可皆为源气体。另一方面，第三气体可为相异于第二气体及第一气体的气体。举例来说，当各个第一气体及第二气体为源气体时，第三气体可为反应气体。43.由第三气体供应单元4提供的第三气体的蒸气压可高于第二气体的蒸气压。也就是说，第三蒸气压可高于第二蒸气压。举例来说，当第一气体包含铟且第二气体包含锌时，第三气体可包含镓(gallium)。在本说明书中，被描述为处理气体的示例的第一气体、第二气体及第三气体的蒸气压之间的大小关系可被实施为呈“第一蒸气压<第二蒸气压<第三蒸气压”的关系。当第三气体的蒸气压高于第二气体的蒸气压时，第三气体的流动力可大于各个第一气体及第二气体的流动力。也就是说，第三气体的流动距离可长于各个第一气体及第二气体的流动距离。44.第三气体供应单元4可与腔体100分离。第三气体供应单元4可设置于腔体100的外侧。第三气体供应单元4可执行储存第三气体及将第三气体提供到腔体100的功能。虽然未绘示，但可经由第三气体供应单元从外侧将第三气体提供给第三气体供应单元4。45.相较于第二气体供应单元3，第三气体供应单元4可设置于较靠近腔体100的位置。举例来说，从第三气体供应单元4连接到腔体100的气体流动路径的长度可被设定为短于从第二气体供应单元3连接到腔体100的气体流动路径的长度。也就是说，第二气体供应单元3及腔体100彼此间隔的距离可长于第三气体供应单元4及腔体100彼此间隔的距离。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得提供具有低蒸气压的处理气体的气体供应单元设置于较远离腔体100的位置。46.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第一载送气体供应单元5。47.第一载送气体供应单元5将第一载送气体提供到第一气体供应单元2。第一载送气体可为用来增加第一气体的流动力的气体。第一载送气体可朝腔体100推送第一气体，因而可增加第一气体的流动致能距离(flow‑enableddistance)。第一载送气体可选自氮气(nitrogen，n2)、氩气(argon，ar)、氦气(helium，he)及氖气(neon，ne)。第一载送气体供应单元5可连接第一气体供应单元2。图2中以虚线绘示的箭头示意性地绘示第一载送气体的示意性流动方向。48.第一载送气体供应单元5可连接第一气体供应单元2且与腔体100分离。第一载送气体供应单元5可执行储存第一载送气体及将第一载送气体提供到第一气体供应单元2的功能。49.请参阅图1及图2，第一载送气体供应单元5可包含一第一控制模块51。50.第一控制模块51调整第一载送气体的流速。第一控制模块51可设置于第一载送气体供应单元5的输出口。第一控制模块51可调整第一载送气体的流速进而调整第一气体的流动力。第一控制模块51可整体地作为阀体(valve)实施。51.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第二载送气体供应单元6。52.第二载送气体供应单元6将第二载送气体提供到第二气体供应单元3。第二载送气体可为用来增加第二气体的流动力的气体。第二载送气体可朝腔体100推送第二气体，因而可增加第二气体的流动致能距离。第二载送气体可选自氮气、氩气、氦气及氖气。第二载送气体及第一载送气体可为相同的气体。第二载送气体供应单元6可连接第二气体供应单元3。图2中以一点虚线绘示的箭头示意性地绘示第二载送气体的示意性流动方向。53.第二载送气体供应单元6可连接第二气体供应单元3且与腔体100分离。第二载送气体供应单元6可执行储存第二载送气体及将第二载送气体提供到第二气体供应单元3的功能。相较于第一载送气体供应单元5，第二载送气体供应单元6可以较短的距离与腔体100间隔。54.第二载送气体供应单元6可提供第二载送气体而使得第二载送气体被提供到第二气体供应单元3的流速低于第一载送气体的流速。也就是说，第一载送气体的流速可高于第二载送气体的流速。因此，根据本发明的基板处理设备1可实现以下的功效。55.第一，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体的流速高于第二载送气体的流速，进而增加第一气体的流动致能距离。因此，根据本发明的基板处理设备1可增加到达腔体100的第一气体的流速，进而增加应用于处理工艺的第一气体的量。因此，根据本发明的基板处理设备1可提升已经历处理工艺的基板s的薄膜层的品质。56.第二，根据本发明的基板处理设备1被实施为使得第一载送气体增加第一气体的流动力并使第二载送气体增加第二气体的流动力。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为增加到达腔体100的各个第一气体及第二气体的流速，进而增加腔体100中的处理气体的混合量。因此，根据本发明的基板处理设备1可增加已经历处理工艺的基板s的产率。57.第三，根据本发明的基板处理设备1被实施为使得具有低蒸气压的处理气体通过使用具有高流速的载送气体到达腔体100，并使得具有高蒸气压的处理气体通过使用具有低流速的载送气体到达腔体100。因此，根据本发明的基板处理设备1可通过使用载送气体而使到达腔体100的处理气体的流速偏差减小。因此，根据本发明的基板处理设备1可提升应用于处理工艺的处理气体的均匀度。58.图2中以虚线绘示的箭头的长度以及以一点虚线绘示的箭头的长度分别示意性地呈现第一载送气体的流速的大小以及第二载送气体的流速的大小。59.请参阅图1及图2，第二载送气体供应单元6可包含一第二控制模块61。第二控制模块61调整第二载送气体的流速。第二控制模块61可设置于第二载送气体供应单元6的输出口。第二控制模块61可调整第二载送气体的流速，进而调整第二气体的流动力。第二控制模块61可整体地作为阀体实施。60.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第三载送气体供应单元7。61.第三载送气体供应单元7将第三载送气体提供到第三气体供应单元4。第三载送气体可为用来增加第三气体的流动力的气体。第三载送气体可朝腔体100推送第三气体，因而可增加第三气体的流动致能距离。第三载送气体可选自氮气、氩气、氦气及氖气。第三载送气体及第二载送气体可为相同的气体。第三载送气体供应单元7可连接第三气体供应单元4。图2中以实线绘示的箭头示意性地绘示第三载送气体的示意性流动方向。62.第三载送气体供应单元7可连接第三气体供应单元4且与腔体100分离。第三载送气体供应单元7可执行储存第三载送气体及将第三载送气体提供到第三气体供应单元4的功能。相较于第二载送气体供应单元6，第三载送气体供应单元7可以较短的距离与腔体100间隔。63.第三载送气体供应单元7可提供第三载送气体而使得第三载送气体被提供到第三气体供应单元4的流速低于第二载送气体的流速。也就是说，第二载送气体的流速可高于第三载送气体的流速。图2中以实线绘示的箭头的长度示意性地呈现第三载送气体的流速的示意性大小。64.请参阅图1及图2，第三载送气体供应单元7可包含一第三控制模块71。第三控制模块71调整第三载送气体的流速。第三控制模块71可设置于第三载送气体供应单元7的输出口。第三控制模块71可调整第三载送气体的流速，进而调整第三气体的流动力。第三控制模块71可整体地作为阀体实施。65.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第一气体流动路径8及一第二气体流动路径9。66.第一气体流动路径8连接第一气体供应单元2。第一气体流动路径8可作为供第一气体及第一载送气体流动的管路(pipe)实施。相对于垂直于第一气体及第一载送气体的流动方向的方向来说，第一气体流动路径8可被形成为使其剖面区域为圆形。67.第二气体流动路径9连接第二气体供应单元3。第二气体流动路径9可作为供第二气体及第二载送气体流动的管路实施。相对于垂直于第二气体及第二载送气体的流动方向的方向来说，第二气体流动路径9可被形成为使得其剖面区域为圆形。68.第二气体流动路径9可与第一气体流动路径8分离。相较于第一气体流动路径8，第二气体流动路径9可设置于较靠近腔体100的位置。也就是说，相较于供第二载送气体流动的第二气体流动路径9，供第一载送气体流动的第一气体流动路径8可较远离于腔体100。第二气体流动路径9可被形成为与第一气体流动路径8具有相同的长度。69.第二气体流动路径9可被形成为相较第一气体流动路径8具有较小的面积。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体的流速高于第二载送气体的流速。70.请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1可包含一第三气体流动路径10。71.第三气体流动路径10连接第三气体供应单元4。第三气体流动路径10可作为供第三气体及第三载送气体流动的管路实施。相对于垂直于第三气体及第三载送气体的流动方向的方向来说，第三气体流动路径10可被形成为使其剖面区域为圆形。72.第三气体流动路径10可与各个第二气体流动路径9及第一气体流动路径8分离。第三气体流动路径10可相较第二气体流动路径9设置在较靠近腔体100的位置。也就是说，相较供第三载送气体流动的第三气体流动路径10，供第二载送气体流动的第二气体流动路径9可较远离腔体100。第三气体流动路径10可被形成为与第二气体流动路径9具有相同的长度。73.第三气体流动路径10可被形成为相较第二气体流动路径9具有较小的面积。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第二载送气体的流速高于第三载送气体的流速。74.请参阅图2及图3，根据本发明的基板处理设备1可包含第一载送气体与第一气体(以下称作第一组气体)、第二载送气体与第二气体(以下称作第二组气体)以及第三载送气体与第二气体(以下称作第三组气体)。为此，第一气体供应单元2及第二气体供应单元3可分别包含以下构造。75.第一气体供应单元2可包含一第一注入组件21及一第一注入孔22。76.第一注入组件21可将第一组气体注入到腔体100中。第一注入组件21可连接第一气体供应单元2及第一气体流动路径8的每一个。储存在第一气体供应单元2中的第一组气体可经由第一注入组件21被注入到第一气体流动路径8中。77.第一注入孔22形成在第一注入组件21中。第一注入孔22可被形成为穿过第一注入组件21。第一组气体可穿过第一注入孔22并可被注入到第一气体流动路径8中。第一注入孔22可形成于第一注入组件21中而使得其面积为可调整的(adjustable)。78.第二气体供应单元3可包含一第二注入组件31及一第二注入孔32。79.第二注入组件31可将第二组气体注入到腔体100中。第二注入组件31可连接第二气体供应单元3及第二气体流动路径9的每一个。储存在第二气体供应单元3中的第二组气体可经由第二注入组件31被注入到第二气体流动路径9中。相较于第一注入组件21，第二注入组件31可设置在较靠近腔体100的位置。80.第二注入孔32形成于第二注入组件31中。第二注入孔32可被形成为穿过第二注入组件31。第二组气体可穿过第二注入孔32并可被注入到第二气体流动路径9中。第二注入孔32可形成于第二注入组件31中而使其面积为可调整的。相较于第一注入孔22，第二注入孔32可设置在较靠近腔体100的位置。81.第二注入孔32的尺寸可小于第一注入孔22的尺寸。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一组气体的流速高于各个第二组气体的流速。82.第三气体供应单元4可包含一第三注入单元41及一第三注入孔(未绘示)。83.第三注入单元41可将第三组气体注入到腔体100中。第三注入单元41可连接第三气体供应单元4及第三气体流动路径10的每一个。储存在第三气体供应单元4中的第三组气体可经由第三注入单元41被注入到第三气体流动路径10中。相较于第二注入组件，第三注入单元41可设置在较靠近腔体100的位置。84.第三注入孔形成于第三注入单元41中。第三注入孔可被形成为穿过第三注入单元41。第三组气体可穿过第三注入孔并可被注入到第三气体流动路径10中。第三注入孔可形成于第三注入单元41中而使得其面积为可调整的。相较于第二注入孔，第三注入孔可设置于较靠近腔体100的位置。85.第三注入孔的尺寸可小于第二注入孔的尺寸。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第二组气体的流速高于各个第三组气体的流速。86.请参阅图1至图5，根据本发明的基板处理设备1可包含一共享流动路径11。87.共享流动路径11连接第一气体流动路径8、第二气体流动路径9及腔体100的每一个。当根据本发明的基板处理设备1还包含第三气体流动路径10时，共享流动路径11可连接第一气体流动路径8、第二气体流动路径9、第三气体流动路径10及腔体100的每一个。共享流动路径11可作为供第一气体、第一载送气体、第二气体、第二载送气体、第三气体及第三载送气体流动的管路实施。88.请参阅图1至图5，共享流动路径11可包含一第一共享流动路径111、一第二共享流动路径112及一第三共享流动路径113。89.第一共享流动路径111连接第一气体流动路径8。第一共享流动路径111可连接第一气体流动路径8及第二共享流动路径112的每一个。第一共享流动路径111可作为供第一气体及第一载送气体流动的管路实施。由第一载送气体供应单元5提供的第一载送气体可依序地流过第一气体供应单元2、第一气体流动路径8、第一共享流动路径111、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113，且可被提供到腔体100。图4中以虚线绘示的箭头示意性地呈现第一载送气体的示意性流动方向。由第一气体供应单元2提供的第一气体可依序地流过第一气体流动路径8、第一共享流动路径111、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113，且可被提供到腔体100。90.第一连接点cp1可形成于第一共享流动路径111及第一气体流动路径8相连的部分。如图4所示，第一连接点cp1可为共享流动路径11中各个第一载送气体及第一气体的流动方向有改变的部分。91.第二共享流动路径112连接第二气体流动路径9。第二共享流动路径112可连接第二气体流动路径9、第一共享流动路径111及第三共享流动路径113的每一个。第二共享流动路径112可作为供第二气体及第二载送气体流动的管路实施。由第二载送气体供应单元6提供的第二载送气体可依序地流过第二气体供应单元3、第二气体流动路径9、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113，且可被提供到腔体100。图4中以一点虚线绘示的箭头示意性地呈现第二载送气体的示意性流动方向。由第二气体供应单元3提供的第二气体可依序地流过第二气体流动路径9、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113，且可被提供到腔体100。92.请参阅图4及图5，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体依序地流过第一共享流动路径111及第二共享流动路径112。为此，第一共享流动路径111可相较第二共享流动路径112位于较远离腔体100的位置。因此，相较于第一载送气体没有依序地流过第一共享流动路径111及第二共享流动路径112的比较示例来说，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体增加第二气体的流动力。这将在以下参照相关附图详细说明。93.首先，图5绘示第一载送气体没有依序地流过第一共享流动路径111及第二共享流动路径112的比较示例。在比较示例中，第一载送气体的流动方向可相反于第二载送气体的流动方向。因此，在比较示例中，具有较高流速的第一载送气体可反向地(reversely)流动到并穿过第二共享流动路径112，因而可朝第二气体供应单元3推送第二载送气体。因此，比较示例可降低第二载送流体增加第二气体的流动致能距离的程度。此外，在比较示例中，第一载送气体的流动方向可相反于第二气体的流动方向，进而通过使用第一载送气体而使到达腔体100的第二气体的量减少。因此，比较示例可减少应用于处理工艺的第二气体的量。图5中以虚线绘示的箭头的长度以及以一点虚线绘示的箭头的长度分别示意性地呈现第一载送气体的流速的大小以及第二载送气体的流速的大小。94.接着，图4绘示第一载送气体依序地流过第一共享流动路径111及第二共享流动路径112的实施例。在一实施例中，第一载送气体的流动方向及第二载送气体的流动方向可为相同的。因此，在一实施例中，具有相对较高的流速的第一载送气体可与第二载送气体互补(complement)以朝腔体100推送第二气体。并且，一实施例被实施为使第二共享流动路径112中的第二气体及第一载送气体具有相同的流动方向。因此，一实施例可被实施为使得第一载送气体增加第二气体以及第一气体的流动致能距离。因此，一实施例可增加应用于处理工艺的第二气体的量，进而增加腔体100中的混合处理气体的量。图4中以虚线绘示的箭头的长度以及以一点虚线绘示的箭头的长度分别示意性地呈现第一载送气体的流速的大小以及第二载送气体的流速的大小。95.第二共享流动路径112及第一共享流动路径111可被形成为在相同的方向中延伸。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体在共享流动路径11中的流动路径不会被改变。图4示意性地绘示第二共享流动路径112直线地(rectilinearly)连接第一共享流动路径111的示例。96.第二共享流动路径112可被形成为长于第一共享流动路径111。因此，根据本发明的基板处理设备1可增加第一载送气体在第二共享流动路径112中的流动时间，进而增加第二气体基于第一载送气体的流动力。第二共享流动路径112可被形成为与第一共享流动路径111具有相同的长度。97.第二连接点cp2可形成于第二共享流动路径112及第二气体流动路径9相连的部分。如图4所示，第二连接点cp2可对应于各个第二载送气体及第二气体的流动方向有改变的点位，且可为共享流动路径11中第二载送气体及第一载送气体分别汇合(meet)第二气体及第一气体的部分。在根据本发明的基板处理设备1中，第一载送气体的流速可高于第二载送气体的流速，进而实施防止力(preventiveforce)而防止第二载送气体从第二连接点cp2扩散至及穿过第一连接点cp1。98.第二连接点cp2可设置于与第一连接点cp1分离的位置。相较于第一连接点cp1，第二连接点cp2可设置于较靠近腔体100的位置。第一载送气体可依序地流过第一连接点cp1及第二连接点cp2。99.第三共享流动路径113连接第三气体流动路径10。第三共享流动路径113可连接第二共享流动路径112、第三气体流动路径10及腔体100的每一个。第三共享流动路径113可作为供第三气体及第三载送气体流动的管路实施。由第三载送气体供应单元7提供的第三载送气体可依序地流过第三气体供应单元4、第三气体流动路径10及第三共享流动路径113，且可被提供到腔体100。图2中以实线绘示的箭头示意性地呈现第三载送气体的示意性流动方向。由第三气体供应单元4提供的第三气体可依序地流过第三气体流动路径10及第三共享流动路径113且可被提供到腔体100。100.请参阅图2，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体依序地流过第一共享流动路径111、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113。为此，相较于第二共享流动路径112，第一共享流动路径111可设置于较远离腔体100的位置。因此，相较于第一载送气体没有依序地流过第一共享流动路径111、第二共享流动路径112及第三共享流动路径113的比较示例，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体增加各个第二气体及第三气体的流动力。因此，根据本发明的基板处理设备1可增加应用于处理工艺的第二气体及第三气体的量，进而增加腔体100中的混合处理气体的量。101.第三共享流动路径113、第二共享流动路径112及第一共享流动路径111可被形成为在相同的方向中延伸。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施为使得第一载送气体在共享流动路径11中的流动路径没有被改变。第三共享流动路径113、第二共享流动路径112及第一共享流动路径111可直线地彼此相连。102.第三共享流动路径113可被形成为长于各个第二共享流动路径112及第一共享流动路径111。第三共享流动路径113、第二共享流动路径112及第一共享流动路径111可皆以相同的长度形成。103.第三连接点cp3可形成于第三共享流动路径113及第三气体流动路径10相连的部分。如图2所示，第三连接点cp3可对应于各个第三载送气体及第三气体的流动方向改变的点位，且可为共享流动路径11中第三载送气体、第二载送气体及第一载送气体分别汇合第三气体、第二气体及第一气体的部分。在根据本发明的基板处理设备1中，各个第一载送气体及第二载送气体的流速可高于第三载送气体的流速，进而实施防止力而防止第三载送气体从第三连接点cp3扩散至及穿过第二连接点cp2。104.第三连接点cp3可设置于与各个第二连接点cp2及第一连接点cp1分离的位置。相较于第二连接点cp2，第三连接点cp3可设置于较靠近腔体100的位置。第一载送气体可依序地流过第一连接点cp1、第二连接点cp2及第三连接点cp3。105.以上，根据本发明的基板处理设备1已被描述为包含三个气体供应单元及三个载送气体供应单元，但这仅为示例，且根据本发明的基板处理设备1可包含四个或更多个气体供应单元及四个或更多个载送气体供应单元。106.为此，根据本发明的基板处理设备1可包含n(其中n为大于等于3的整数)个气体供应单元及n个载送气体供应单元，其中气体供应单元将具有不同蒸气压的处理气体提供给腔体100，且载送气体供应单元分别将载送气体提供到气体供应单元以增加各个处理气体的流动力。这些气体供应单元中的气体供应单元20可将第一气体提供给腔体100，其中第一气体的蒸气压低于这些气体供应单元中的气体供应单元20'提供的蒸气压，且气体供应单元20相较气体供应单元20'与腔体100间隔较长的距离。这些载送气体供应单元中的载送气体供应单元30可将第一载送气体提供给气体供应单元20，其中第一载送气体的流速高于这些载送气体供应单元中的载送气体供应单元30'提供的流速。107.图6绘示根据本发明的基板处理设备1包含四个气体供应单元20、20'、20”、20”'及四个载送气体供应单元30、30'、30”、30”'的实施例。在此情况中，根据本发明的基板处理设备1可包含四个气体流动路径40、40'、40”、40”'及一个共享流动路径50，其中四个气体流动路径40、40'、40”、40”'分别连接气体供应单元20、20'、20”、20”'，共享流动路径50连接气体流动路径40、40'、40”、40”'。108.上述的本发明并不限于上述的实施例及相关附图，且本领域的技术人员将清楚地意识到在不脱离本发明的范围及精神下，可进行各种修改、变形及替换。当前第1页12当前第1页12