本发明属于化学机械抛光领域，涉及一种pps大平面研磨方法，尤其涉及一种200mmcmpringpps大平面研磨方法。
背景技术：
化学机械抛光(cmp)是一种被普遍使用的平面化方法，在化学机械抛光时，抛光头夹持着晶圆，并将晶圆压紧在抛光垫上。晶圆在抛光时容纳在抛光头上的保持环之中，保持环起着容纳和定位晶圆的作用。在抛光过程中，抛光液和去离子水不断的与保持环接触，因此保持环需要具有一定的耐腐蚀性。
cn211103391u公开了一种化学机械研磨环，该化学机械研磨环包含第一环形部与第二环形部，第一环形部的材质可以是不锈钢，第二环形部的材质可以是高阶塑料，例如pps(聚苯硫醚)。第二环形部包含内环面、外环面与下表面，其中下表面位于内环面与外环面之间。第二环形部还包含多个排水沟槽，各排水沟槽具有内开口、外开口、下开口与槽底面，内开口位于内环面，外开口位于外环面，下开口位于下表面，槽底面相对于下开口，其中各排水沟槽的截面的宽度自下开口朝槽底面渐扩。cn109420969a公开了一种研磨头和化学机械研磨装置，所述研磨头包括限位环，所述限位环与研磨垫相接触的面设置为曲面。该研磨头和化学机械研磨装置，有效改善了化学机械研磨过程中，限位环与研磨垫接触时产生的应力集中，减少了限位环对研磨垫的刮擦损伤，从而改善了半导体晶圆的化学机械研磨质量，有效提升了产品良率，同时也减少了生产成本。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高pps大平面的研磨效果，使得pps表面产生镜面效果，增加cmpring的研磨使用次数。
为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法包括：
对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；
将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；
对所述研磨机进行保养。
本发明中，通过建立标准化的研磨流程和方法，有效提高了pps大平面研磨的效率，提升了cmpring的研磨使用次数。同时通过研磨参数的合理设定，提高了pps大平面的研磨效果，使其具有优异的镜面效果。
作为本发明优选的技术方案，所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置。
本发明中，所述研磨液导管安装包括：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧。
本发明中，所述研磨机清洗包括：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用disk打磨至少5min，然后清水冲洗至少5min。
本发明中，研磨盘表面清洗完成后，将研磨垫安装，研磨垫与研磨盘需同心安装，且粘贴后中间无鼓包产生。
作为本发明优选的技术方案，所述参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置。
作为本发明优选的技术方案，所述压力包括工作压力以及主压力。
优选地，所述工作压力为0.11～0.13mpa，如0.112mpa、0.115mpa、0.118mpa、0.12mpa、0.122mpa、0.125mpa或0.128mpa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述主压力为0.29～0.31mpa，如0.292mpa、0.295mpa、0.298mpa、0.30mpa、0.302mpa、0.305mpa或0.308mpa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述转速包括压台转速以及载台转速。
优选地，所述压台转速为60～70rpm，如61rpm、62rpm、63rpm、64rpm、65rpm、66rpm、67rpm、68rpm或69rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述载台转速为50～60rpm，如51rpm、52rpm、53rpm、54rpm、55rpm、56rpm、57rpm、58rpm或59rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述蠕动泵设置转速为115～125rpm，如116rpm、117rpm、118rpm、119rpm、120rpm、121rpm、122rpm、123rpm或124rpm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述研磨时间为30～40min，如31min、32min、33min、34min、35min、36min、37min、38min或39min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述研磨液准备包括使用纯水对所述研磨液进行稀释。
优选地，所述纯水与所述研磨液的体积比为1～5:1，如1.5:1、2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1或4.5:1等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述研磨液在使用8小时后需进行更换。
优选地，所述产品准备包括对所述产品进行外观检查、超声波清洗以及胶带防护。
本发明中，所述外观检查需确保产品表面没有污迹和磕伤。所述超声波清洗时间不低于1min，且清洗后需用气枪吹干。所述胶带防护，需在螺纹孔面和内侧台阶圆处粘贴特氟龙胶带。
作为本发明优选的技术方案，所述研磨产品结束后对所述研磨机的研磨垫进行清洗。
优选地，所述研磨产品结束后对所述研磨产品进行清洗，防止研磨液在产品表面结晶。
作为本发明优选的技术方案，所述研磨机在超过10min无产品研磨时，需让机台处于空运行状态，研磨液循环流动，保持机台湿润，防止结晶。
作为本发明优选的技术方案，所述研磨机的保养包括对研磨液进行冲洗、对研磨垫进行打磨以及对研磨垫和研磨头进行保护。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高pps大平面的研磨效果，使得pps表面产生镜面效果，增加cmpring的研磨使用次数。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法包括：
(1)对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；
所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置；
研磨液导管安装：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧；
研磨机清洗：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用disk打磨5min，然后清水冲洗5min；
参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置；
所述压力包括工作压力以及主压力，所述工作压力为0.11mpa，所述主压力为0.29mpa；
所述转速包括压台转速以及载台转速，所述压台转速为60rpm，所述载台转速为50rpm；
所述蠕动泵设置转速为115rpm，所述研磨时间为30min；
(2)将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；
所述研磨液准备包括使用纯水对所述研磨液进行稀释，所述纯水与所述研磨液的体积比为1:1，所述研磨液在使用8小时后需进行更换；
所述产品准备包括对所述产品进行外观检查、超声波清洗以及胶带防护；
所述外观检查需确保产品表面没有污迹和磕伤。所述超声波清洗时间不低于1min，且清洗后需用气枪吹干。所述胶带防护，需在螺纹孔面和内侧台阶圆处粘贴特氟龙胶带；
产品安装：将接合环放在不锈钢台阶圆处，稍用力按压到底，将装好接合环的产品放到研磨盘上，靠住两个定位导轮，然后按下carrierdown按键，研磨头缓缓下降，使研磨头上的凸台圆和接合环紧密配合；
研磨加工：研磨开始后确认研磨液正常流出，产品平稳运转；达到设定的研磨时间后，研磨停止，取下产品用清水冲洗后检查表面研磨质量；每研磨一枚产品后，需用disk清理研磨垫；所述研磨产品结束后对所述研磨产品进行清洗，防止研磨液在产品表面结晶；所述研磨机在超过10min无产品研磨时，需让机台处于空运行状态，研磨液循环流动，保持机台湿润，防止结晶；
产品清洗：使用纯水以及4mm尼龙刷对产品侧孔进行清理；使用800#百洁布擦拭产品内外圆，最后使用纯水清洗产品，并用气枪吹干产品表面；
(3)对所述研磨机进行保养；
所述研磨机的保养包括对研磨液进行冲洗、对研磨垫进行打磨以及对研磨垫和研磨头进行保护；
用清水冲洗研磨机台，擦掉机台内和台面上的研磨液结晶；研磨垫使用清水冲洗，并用disk打磨5min；使用专用塑料膜覆盖研磨垫，使用珍珠棉垫在研磨头下方，关掉设备电源。
实施例2
本实施例提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法包括：
(1)对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；
所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置；
研磨液导管安装：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧；
研磨机清洗：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用disk打磨5min，然后清水冲洗5min；
参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置；
所述压力包括工作压力以及主压力，所述工作压力为0.13mpa，所述主压力为0.31mpa；
所述转速包括压台转速以及载台转速，所述压台转速为70rpm，所述载台转速为60rpm；
所述蠕动泵设置转速为135rpm，所述研磨时间为40min；
(2)将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；
所述研磨液准备包括使用纯水对所述研磨液进行稀释，所述纯水与所述研磨液的体积比为1:5，所述研磨液在使用8小时后需进行更换；
所述产品准备包括对所述产品进行外观检查、超声波清洗以及胶带防护；
所述外观检查需确保产品表面没有污迹和磕伤。所述超声波清洗时间不低于1min，且清洗后需用气枪吹干。所述胶带防护，需在螺纹孔面和内侧台阶圆处粘贴特氟龙胶带；
产品安装：将接合环放在不锈钢台阶圆处，稍用力按压到底，将装好接合环的产品放到研磨盘上，靠住两个定位导轮，然后按下carrierdown按键，研磨头缓缓下降，使研磨头上的凸台圆和接合环紧密配合；
研磨加工：研磨开始后确认研磨液正常流出，产品平稳运转；达到设定的研磨时间后，研磨停止，取下产品用清水冲洗后检查表面研磨质量；每研磨一枚产品后，需用disk清理研磨垫；所述研磨产品结束后对所述研磨产品进行清洗，防止研磨液在产品表面结晶；所述研磨机在超过10min无产品研磨时，需让机台处于空运行状态，研磨液循环流动，保持机台湿润，防止结晶；
产品清洗：使用纯水以及4mm尼龙刷对产品侧孔进行清理；使用800#百洁布擦拭产品内外圆，最后使用纯水清洗产品，并用气枪吹干产品表面；
(3)对所述研磨机进行保养；
所述研磨机的保养包括对研磨液进行冲洗、对研磨垫进行打磨以及对研磨垫和研磨头进行保护；
用清水冲洗研磨机台，擦掉机台内和台面上的研磨液结晶；研磨垫使用清水冲洗，并用disk打磨5min；使用专用塑料膜覆盖研磨垫，使用珍珠棉垫在研磨头下方，关掉设备电源。
实施例3
本实施例提供一种200mmcmpringpps大平面研磨方法，所述研磨方法包括：
(1)对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；
所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置；
研磨液导管安装：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧；
研磨机清洗：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用disk打磨5min，然后清水冲洗5min；
参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置；
所述压力包括工作压力以及主压力，所述工作压力为0.10mpa，所述主压力为0.30mpa；
所述转速包括压台转速以及载台转速，所述压台转速为65rpm，所述载台转速为55rpm；
所述蠕动泵设置转速为120rpm，所述研磨时间为35min；
(2)将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；
所述研磨液准备包括使用纯水对所述研磨液进行稀释，所述纯水与所述研磨液的体积比为1:3，所述研磨液在使用8小时后需进行更换；
所述产品准备包括对所述产品进行外观检查、超声波清洗以及胶带防护；
所述外观检查需确保产品表面没有污迹和磕伤。所述超声波清洗时间不低于1min，且清洗后需用气枪吹干。所述胶带防护，需在螺纹孔面和内侧台阶圆处粘贴特氟龙胶带；
产品安装：将接合环放在不锈钢台阶圆处，稍用力按压到底，将装好接合环的产品放到研磨盘上，靠住两个定位导轮，然后按下carrierdown按键，研磨头缓缓下降，使研磨头上的凸台圆和接合环紧密配合；
研磨加工：研磨开始后确认研磨液正常流出，产品平稳运转；达到设定的研磨时间后，研磨停止，取下产品用清水冲洗后检查表面研磨质量；每研磨一枚产品后，需用disk清理研磨垫；所述研磨产品结束后对所述研磨产品进行清洗，防止研磨液在产品表面结晶；所述研磨机在超过10min无产品研磨时，需让机台处于空运行状态，研磨液循环流动，保持机台湿润，防止结晶；
产品清洗：使用纯水以及4mm尼龙刷对产品侧孔进行清理；使用800#百洁布擦拭产品内外圆，最后使用纯水清洗产品，并用气枪吹干产品表面；
(3)对所述研磨机进行保养；
所述研磨机的保养包括对研磨液进行冲洗、对研磨垫进行打磨以及对研磨垫和研磨头进行保护；
用清水冲洗研磨机台，擦掉机台内和台面上的研磨液结晶；研磨垫使用清水冲洗，并用disk打磨5min；使用专用塑料膜覆盖研磨垫，使用珍珠棉垫在研磨头下方，关掉设备电源。
使用本申请实施例1-3提供的200mmcmpring研磨方法对pps大平面进行研磨，得到的pps大平面具有优异的镜面效果，且提高了pps大平面的研磨效率，提高了cmpring的使用次数。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。