制造掩模的方法和制造显示装置的方法与流程

制造掩模的方法和制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年3月13日递交的韩国专利申请第10
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2020
‑
0031315号的优先权和权益，为了所有目的通过引用将其合并于此，就像完全在本文中阐述一样。
技术领域
3.本发明的示例性实施例和实施方式总体涉及制造掩模的方法和制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及可以获得具有高精度的掩模的制造掩模的方法以及使用该方法制造显示装置的方法。


背景技术：

4.移动电子设备被广泛使用。作为移动电子设备，不仅诸如移动电话的小型电子设备而且平板个人计算机(pc)近来也已经被广泛使用。
5.为了支持各种功能，移动电子设备包括向用户提供诸如图像的可视信息的显示装置。近来，由于驱动显示装置的零部件被小型化，因此显示装置在电子设备中所占的比例逐渐增大，并且也正在开发可以从平坦状态弯曲为具有预定角度的结构。
6.通常，在制造包括有机发光显示装置的显示装置时，通过诸如沉积的方法形成各种层。例如，在有机发光显示装置中，在制造工艺期间，金属层等通过使用沉积设备形成在基板上。在该工艺期间，沉积材料通过使用包括开口图案的掩模沉积在预先放置的基板的一部分上。
7.形成掩模的开口图案的方法可以使用湿法蚀刻。然而，在湿法蚀刻的情况下，由于蚀刻工艺的不均匀性，可能难以制造精细图案。
8.在该背景技术部分公开的上述信息仅用于本发明构思的背景的理解，因此，其可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

9.一个或多个实施例包括制造具有高精度并且可以使阴影效应最小化的掩模的方法以及制造显示装置的方法。然而，应当理解的是，本文所描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制本公开。
10.本发明构思的另外的特征在随后的描述中阐明，并且部分地根据这些描述显而易见，或者可以通过实践本公开呈现的实施例而获知。
11.根据一个或多个实施例，制造掩模的方法包括：拉紧掩模板；将拉紧的掩模板结合至掩模框；以及通过在掩模板上照射激光而在掩模板中形成开口，使得开口的内壁相对于掩模板的表面具有斜坡。
12.开口的形成可以包括：通过在掩模板上的第一位置处照射激光而形成第一开口；以及通过在掩模板上的第二位置处照射激光而形成第二开口，第二位置在第一方向上与第一位置隔开第一距离，并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一位置隔开第二距离，其
中第一距离和第二距离各自包括基于偏移校正值从关于第二开口的期望位置的信息校正后的距离。
13.开口的形成可以包括：在沿着掩模板的边缘的外侧区域中形成第一组开口；以及在第一组开口的内侧依次形成第二组开口。
14.开口的形成可以包括：形成第一开口；以及相对于掩模板的中心处的参考点与第一开口点对称地形成第二开口。
15.该方法可以进一步包括：倒置掩模框；以及对掩模板的该表面与开口的内壁之间的边缘进行倒角。
16.根据一个或多个实施例，制造显示装置的方法包括：制备掩模组件；将掩模组件布置为面对基板；将掩模组件紧密地贴附至基板；以及通过沉积源供应沉积材料以穿过掩模组件，以将沉积材料沉积在基板上，其中掩模组件包括掩模框以及包括多个开口并具有结合至掩模框的边缘的掩模板，掩模板的位于两个相邻的开口之间的第一部分包括第一表面、第二表面以及外侧表面，第一表面面对掩模框，第二表面与第一表面相对，并且外侧表面将第一表面连接至第二表面，并且外侧表面与第二表面之间的第一角度小于沉积材料相对于基板入射的第二角度。
17.掩模组件的制备可以包括：拉紧掩模板；将拉紧的掩模板结合至掩模框；以及通过在掩模板上照射激光而在掩模板中形成开口。
18.开口的形成可以包括：通过在掩模板上的第一位置处照射激光而形成第一开口；以及通过在掩模板上的第二位置处照射激光而形成第二开口，第二位置在第一方向上与第一位置隔开第一距离，并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一位置隔开第二距离，其中第一距离和第二距离可以各自包括基于偏移校正值从针对第二开口的期望位置的信息校正后的距离。
19.开口的形成可以包括：在沿着掩模板的边缘的外侧区域中形成第一组开口；以及在第一组开口的内侧依次形成第二组开口。
20.开口的形成可以包括：形成第一开口；以及相对于掩模板的中心处的参考点与第一开口点对称地形成第二开口。
21.掩模板可以进一步包括在掩模框的相反方向上从第一部分突出的第二部分。
22.第二部分的表面可以比第一部分的第二表面更靠近基板。
23.第二部分的表面的宽度可以小于第一部分的第二表面的宽度。
24.第二角度可以包括沉积材料通过掩模板的在平面图中离沉积源最远的开口相对于基板入射的角度。
25.沉积在基板上的沉积材料可以形成包括有机发光二极管的显示装置的电极或薄膜封装层。
26.根据以下对实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解。
27.这些总体的和具体的方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或特定系统、方法和计算机程序的组合来实现。
28.应当理解，前面的总体描述和以下的具体描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对权利要求所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
29.根据结合附图的以下描述，本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将变得更加显而易见，附图中：
30.图1是示出通过使用根据实施例的制造掩模的方法制造的掩模的平面图。
31.图2是示出根据实施例的掩模板和掩模框的透视图。
32.图3a至图3c是示出根据实施例的制造掩模的工艺的截面图。
33.图4a和图4b是示出根据实施例的制造掩模的工艺的平面图。
34.图5a和图5b是示出根据实施例的制造掩模的工艺的平面图。
35.图6a和图6b是示出根据另一实施例的制造掩模的工艺的平面图。
36.图7a是根据实施例的图1的掩模的一部分的截面图。
37.图7b是根据另一实施例的图1的掩模的一部分的截面图。
38.图8是根据实施例的包括掩模组件的被配置为制造显示装置的设备的截面图。
39.图9a是示出根据实施例的使用被配置为制造显示装置的设备来制造显示装置的工艺的一部分的截面图。
40.图9b是示出根据另一实施例的使用被配置为制造显示装置的设备来制造显示装置的工艺的一部分的截面图。
41.图10是示出根据实施例的通过使用被配置为制造显示装置的设备而制造的显示装置的平面图。
42.图11是图10的显示装置的一部分的截面图。
具体实施方式
43.在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以便提供对本发明的各个示例性实施例或实施方式的透彻理解。如本文所用，“实施例”和“实施方式”是可互换的词，其是采用本文公开的发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或在使用一个或多个等同布置的情况下实践各个示例性实施例。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各个示例性实施例。进一步，各个示例性实施例可以不同，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、配置和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。
44.除非另外指明，否则所例示的示例性实施例应被理解为提供可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，否则在不脱离本发明构思的情况下，各个实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独或统称为“元件”)可以被另外组合、分离、互换和/或重新布置。
45.在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以明晰邻近元件之间的边界。因此，除非指明，否则无论是否存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，元件的大小和相对大小可能被放大。当示例性实施例可以被不同地实施时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行。此外，相
同的附图标记表示相同的元件。
46.当提及诸如层的元件位于另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可以直接位于另一元件或层上、直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当提及元件或层“直接位于”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步，d1轴、d2轴和d3轴不限于诸如x、y和z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以在广义上解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以互相垂直，或者可以表示互相不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z、或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合(举例来说，诸如xyz、xyy、yz和zz)。如本文所用，术语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意和所有组合。
47.虽然在本文中术语“第一”、“第二”等可以被用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一元件与另一元件区分开来。因此，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不脱离本公开的教导。
48.本文中诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以被用于描述性目的，并且由此来描述如附图中所示的一个(些)元件与另一个(些)元件的关系。空间相对术语意在涵盖除附图中描绘的定向之外设备在使用中、操作中和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随之会被定向为位于其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方两种定向。另外，设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它定向)，并且同样，本文使用的空间相对描述语言可以进行相应的解释。
49.本文所使用的术语的目的在于描述特定的实施例，并不意在限制。如本文所用，单数形式“一”和“该(所述)”同样意在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。此外，术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。还应当注意，如本文所用，术语“基本上”、“大约”及其他类似术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并且因此被用于考虑本领域普通技术人员会认识到的测量的、计算的和/或提供的值的固有偏差。
50.本文参考是理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图示和/或分解图示来描述各个示例性实施例。因此，由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化是可以预期的。所以，本文公开的示例性实施例应不必被解释为限于区域的特定图示形状，而是包括由于例如制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中所示的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映装置的区域的实际形状，且因此不一定旨在进行限制。
51.除非有其它定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中定义的术语应当被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义相一致的含义，而不应以理想化的或过于形式的意义来解释，除非本文明确进行了这种定义。
52.图1是通过使用根据实施例的制造掩模的方法制造的掩模10的平面图。
53.参考图1，通过使用根据本实施例的制造掩模的方法制造的掩模10可以具有包括多个开口op的平板形状。掩模10可以包括形成在掩模板11中的多个开口op。掩模板11可以是金属板。
54.掩模10可以在将相同的材料堆叠在显示基板的整个区域上并图案化显示基板以制造显示装置的薄膜沉积工艺期间使用。在薄膜沉积工艺期间，堆叠的材料可以穿过掩模10的开口op并且被堆叠在靠近掩模10的基板上。
55.虽然掩模10的开口op在图1中具有矩形形状，但这仅仅是示例，并且开口op可以具有诸如圆形、椭圆形和多边形的各种形状。此外，在制造具有从矩形形状获得的形状或具有不对称形状的各种显示装置的情况下，开口op可以具有与显示装置对应的形状。
56.掩模10可以包括位于彼此相邻的开口op之间的掩模板11的第一部分11a。下面参考图7a和图7b详细描述第一部分11a的截面形状。
57.图2是根据实施例的掩模板11和掩模框20的透视图。为了制造根据本实施例的掩模10(见图1)，首先准备掩模板11。是要处理的对象的掩模板11可以包括invar合金，并且具有厚度为大约数十微米的平板形状。
58.掩模板11可以在第三方向z上被安置并固定在掩模框20上。掩模框20可以通过在掩模板11的整个区域当中不形成开口的区域中接触掩模板11来支撑掩模板11。例如，掩模框20可以支撑掩模板11的边缘。
59.图3a至图3c是示出根据实施例的制造掩模10的工艺的截面图。
60.参考图3a，掩模板11可以被拉紧并固定至掩模框20。为了精确的薄膜沉积工艺，掩模10可以具有平坦的形状，以均匀地紧密地贴附至显示基板d(在图8中示出)。然而，由于掩模板11具有非常薄的厚度，所以在掩模板11被固定至掩模框20以形成开口op时，掩模板11可能由于其下垂而弯曲或扭曲。为了防止掩模板11的下垂，掩模板11的边缘可以通过使用夹具c夹住，并且在掩模板11的长度方向或四个方向上拉紧。拉紧的掩模板11可以被结合至掩模框20。在这种情况下，掩模板11可以通过使用焊接而固定至掩模框20。例如，激光器可以被用于焊接掩模板11。
61.参考图3b，被配置为在掩模板11中形成开口op的激光器可以被布置在以掩模板11被拉紧而结合至掩模框20的掩模板11的一侧。例如，激光器可以被布置在掩模板11上方或下方。激光器可以通过将激光照射至掩模板11来形成开口op。开口op的内壁可以被形成为相对于掩模板11的表面具有斜坡。开口op的内壁可以对应于下面参考图7a和图7b描述的掩模板11的第一部分11a的外侧表面sa3。
62.与作为比较例的通过湿法蚀刻形成开口op的情况相比，在根据实施例的通过使用激光器形成开口op的情况下，可以进行精确的处理，并且可以提高开口op的位置、形状等的准确性。另外，在湿法蚀刻的情况下，蚀刻条件可能根据掩模板11的材料而改变。因此，在处理包括各种材料的掩模板11的情况下，根据本文描述的实施例使用激光器可以更有效。
63.在实施例中，掩模框20和掩模板11可以被倒置。然后，由掩模板11的一个表面和开口op的内壁形成的边缘可以通过使用激光器进行倒角或直角倒角。通过该工艺，如下面参考图7b所述的，可以获得掩模板11的第一部分11a的截面形状。
64.参考图3c，包括掩模框20和掩模板11的掩模组件1可以通过以上的工艺获得，掩模
板11包括多个开口op并且掩模板11的边缘结合至掩模框20。
65.作为比较示例，在通过使用湿法蚀刻在掩模板11中形成开口op且然后拉紧掩模板11的情况下，可能由拉力引起掩模板11的变形，并且因此可能引起已经形成的开口op的位置、形状等的误差。所以，可能难以获得开口op的期望的准确位置和形状。
66.然而，根据实施例，由于在掩模板11被拉紧的情况下通过使用激光器来形成开口op，并且在形成开口op的操作中可以考虑由拉力引起的掩模板11的变形，所以可以获得开口op的更准确且精确的位置和形状。
67.图4a和图4b是示出根据实施例的制造掩模的工艺的平面图。
68.参考图4a，第一开口op1可以通过将激光照射至掩模板11上的第一位置p1来形成。接下来，为了在期望位置pd处形成第二开口op2，可以将激光照射到在第一方向x上与第一位置p1隔开第一距离dx并且在第二方向y上与第一位置p1隔开第二距离dy的位置处。第一距离dx和第二距离dy可以由关于第二开口op2的期望位置pd的信息来表示。
69.参考图4b，示出在拉紧的掩模板11中形成开口op的工艺。拉力可以被施加至其中尚未形成开口op的掩模板11，并且由拉力引起的应力可以均匀地分布。在这种情况下，当在拉紧的掩模板11上的第一位置p1处形成第一开口op1时，掩模板11内部的应力分布改变并且掩模板11可能部分地变形。
70.由于在通过将激光照射至第一位置p1而形成第一开口op1之后掩模板11可能部分地变形，所以即使将照射激光到在第一方向x上与第一位置p1隔开第一距离dx并且在第二方向y上与第一位置p1隔开第二距离dy的位置处，第二开口op2也可能不会形成在掩模板11上的期望位置处。因此，可能需要补偿掩模板11的变形。
71.尽管示出了两个开口op1和op2，但是实施例不限于此。如本文所述的，可以形成多个开口，并且补偿数据可以被用于在掩模板11上的期望位置处形成附加开口。
72.参考图4b，在通过将激光照射到掩模板11上的第一位置p1处而形成第一开口op1之后，可以通过将激光照射到在第一方向x上与第一位置p1隔开第一校正距离dx+
△
dx并且在第二方向y上与第一位置p1隔开第二校正距离dy+
△
dy的第二位置p2处形成第二开口op2。第一校正距离dx+
△
dx和第二校正距离dy+
△
dy可以分别包括基于偏移校正值
△
dx和
△
dy从第一距离dx和第二距离dy校正后的距离。
73.根据实施例，偏移校正值
△
dx和
△
dy可以具有正值或负值，并且可以基于掩模板11的材料的物理性质、掩模板11的厚度、拉紧掩模板11的拉力、在掩模板11中形成的开口op的数量、开口的形成位置和形成次序等而获得。例如，当掩模板11的材料具有强抗变形的物理性质或具有高厚度时，掩模板11的变形程度小，并且因此偏移校正值
△
dx和
△
dy的大小可以小。
74.另外，当施加至掩模板11的拉力大或者在掩模板11中形成的开口op的数量大时，掩模板11的变形程度变大并且偏移校正值
△
dx和
△
dy的大小可能会变大。另外，由于变形程度、另外发生变形的位置等根据掩模板11的开口op的形成位置和形成次序而改变，所以偏移校正值
△
dx和
△
dy可以考虑这些来设定。
75.如上所述，由于在掩模板11首先被拉紧的情况下通过使用激光器来形成开口op，所以在形成开口op的操作中可以考虑由拉力引起的掩模板11的变形。此外，由于通过考虑掩模板11的变形基于偏移校正值
△
dx和
△
dy而校正了照射激光的位置，所以可以获得开口
op的更准确且精确的位置和形状。另外，由于在形成开口op的操作中可以考虑掩模板11的变形，所以可以在一次激光器工艺中获得更准确的开口op。
76.图5a和图5b是示出根据实施例的制造掩模的工艺的制造次序的平面图。
77.参考图5a，第一组开口op
‑
g1可以被形成在沿着第一掩模板11的边缘的外侧区域中。第一组开口op
‑
g1可以由附图中所示的虚线来限定。在形成第一组开口op
‑
g1中的每一个时，可以通过如上所述反映偏移校正值
△
dx和
△
dy来形成开口。第一组开口op
‑
g1可以在顺时针方向或逆时针方向上依次形成，并且如下面参考图6a和图6b所述，第一组开口op
‑
g1可以在形成点对称的同时被依次形成。可替代地，可以首先在掩模板11的一侧形成开口op，并且然后在掩模板11的相反侧形成开口op，从而在掩模板11的所有四个侧形成开口op。
78.参考图5b，在形成第一组开口op
‑
g1之后，可以依次形成布置在第一组开口op
‑
g1内侧的第二组开口op
‑
g2。在形成第二组开口op
‑
g2中的每一个时，可以通过如上所述反映偏移校正值
△
dx和
△
dy来形成第二组开口op
‑
g2。形成顺序可以类似于第一组开口op
‑
g1的情况。以这种方式，可以首先形成位于掩模板11的边缘处的开口op，并且可以最后形成位于掩模板11的中心处的开口op。作为替代示例，可以首先形成位于掩模板11的中央部分处的开口op，并且可以最后形成位于掩模板11的边缘处的开口op。在这种情况下，形成第一组开口op
‑
g1和第二组开口op
‑
g2的顺序可以颠倒，即可以在形成第二组开口op
‑
g2之后稍后形成第一组开口op
‑
g1。
79.通过如上所述对称地依次形成开口op，可以最小化由拉力引起的掩模板11内部的应力不平衡和变形不平衡。通过此，可以减小由在形成开口op时的不平衡引起的工艺精度降低，并且可以获得开口op的更准确的位置和形状。
80.图6a和图6b是示出根据另一实施例的制造掩模的工艺的制造顺序的平面图。
81.参考图6a，可以首先在掩模板11中形成第一开口op1。接下来，可以形成第二开口op2，第二开口op2在第一开口op1的围绕位于掩模板11中心处的参考点rp的点对称位置处。
82.参考图6b，可以继续形成位于第一开口op1附近的第三开口op3。可以形成第四开口op4，第四开口op4在第三开口op3的围绕位于掩模板11中心处的参考点rp的点对称位置处。这里，形成第三开口op3和第四开口op4的顺序可以改变。
83.通过如上所述对称地依次形成开口op，可以最小化由拉力引起的掩模板11内部的应力不平衡和变形不平衡。通过此，可以减小由在形成开口op时的不平衡引起的工艺精度降低，并且可以获得开口op的更准确的位置和形状。
84.图7a是根据实施例的图1的掩模的一部分的截面图。图7a可以对应于图1的掩模的截面a
‑
a'。
85.掩模板11可以包括开口op，并且包括位于彼此相邻的两个开口op之间的第一部分11a。图7a示出了掩模板11的第一部分11a的截面。第一部分11a可以包括第一表面sa1、第二表面sa2和外侧表面sa3。第一表面sa1面对掩模框20，第二表面sa2与第一表面sa1相对，并且外侧表面sa3将第一表面sa1连接至第二表面sa2。
86.在实施例中，外侧表面sa3可以相对于第二表面sa2具有斜坡，并且由外侧表面sa3和第二表面sa2形成的第一角度a1可以小于90
°
。另外，在实施例中，第一表面sa1的宽度w1可以小于第二表面sa2的宽度w2。在另一实施例中，当需要时，由外侧表面sa3和第一表面sa1形成的角度可以小于90
°
，并且第二表面sa2的宽度w2可以小于第一表面sa1的宽度w1。
87.图7b是根据另一实施例的图1的掩模的一部分的截面图。图7b可以对应于图1的掩模的截面a
‑
a'。在下文中，省略与图7a的那些描述相同的描述，并且主要描述差异。
88.掩模板11可以进一步包括第二部分11b，第二部分11b在掩模框20的相反方向上从第一部分11a突出。第二部分11b可以具有矩形截面，但是实施例不限于此。第二部分11b可以具有各种形状的多边形截面，并且第二部分11b的从第一部分11a突出的第四表面sb可以是平坦的。第二部分11b的第四表面sb的宽度w3可以小于第一部分11a的第二表面sa2的宽度w2。第一部分11a和第二部分11b可以被形成为一体。例如，图7b的截面形状可以通过对图7a的第一部分11a的截面形状中外侧表面sa3与第二表面sa2相交的边缘进行直角倒角来获得。外侧表面sa3与第二表面sa2相交的边缘可以被倒角。
89.在通过使用激光器形成掩模板11的开口op的情况下，掩模板11可以被处理为使得掩模板11的第一部分11a和/或第二部分11b具有各种形状的截面。这些形状可以通过调节激光强度和激光在掩模板11的厚度方向上的焦点深度等来形成。
90.图8是根据实施例的包括掩模组件1的被配置为制造显示装置的设备100的截面图。
91.参考图8，被配置为制造显示装置的设备100可以包括腔室110、第一支撑件120、第二支撑件130、视觉单元140、掩模组件1、沉积源160和压力调节器170。
92.腔室110可以在其中包括空间，并且腔室110的一部分可以是敞开的。闸阀110a可以被安装在腔室110的敞开部分处，以选择性地打开/关闭腔室110的敞开部分。
93.第一支撑件120可以支撑显示基板d。在这种情况下，第一支撑件120可以以各种方式支撑显示基板d。例如，第一支撑件120可以包括静电吸盘或粘合吸盘。在另一实施例中，第一支撑件120可以包括支撑显示基板d的一部分的支架、夹具等。第一支撑件120不限于此，并且可以包括可支撑显示基板d的所有设备。然而，在下文中，为了便于描述，主要详细描述其中第一支撑件120包括静电吸盘或粘合吸盘的情况。
94.掩模组件1可以被安置在第二支撑件130上并由第二支撑件130支撑。在这种情况下，第二支撑件130可以在至少两个不同方向上精细调节掩模组件1。
95.视觉单元140可以捕获显示基板d和掩模组件1的位置。在这种情况下，可以通过基于由视觉单元140捕获的图像而移动显示基板d和掩模组件1中的至少一个来对准显示基板d和掩模组件1。
96.沉积源160可以供应沉积材料。沉积源160可以形成为各种形状。例如，沉积源160可以包括其中排放沉积材料的入口被形成为圆形的点沉积源。另外，沉积源160可以包括形成为长的并且其中形成多个入口或者一个入口以长腔形状形成的线性沉积源。在下文中，为了便于描述，主要详细描述其中沉积源160被布置为面对掩模组件1的一个点并且具有点沉积源形状的情况。
97.压力调节器170可以连接至腔室110，以将腔室110内部的压力调节为类似于大气压或真空。在这种情况下，压力调节器170可以包括连接管171和压力调节泵172，连接管171连接至腔室110，并且压力调节泵172被布置在连接管171上。
98.描述通过被配置为制造显示装置的设备100来制造显示装置(未示出)的方法。首先，可以制造和制备显示基板d，并且可以通过制造掩模的方法来制备掩模组件1。
99.压力调节器170可以将腔室110的内部维持在大气压下。在闸阀110a被打开之后，
显示基板d和掩模组件1可以被插入腔室110中。在这种情况下，单独的机械手、穿梭件等可以被提供至腔室110的内部或外部，以传送显示基板d和掩模组件1。掩模组件1可以被布置为面对显示基板d。另外，掩模组件1可以被紧密地贴附至显示基板d。
100.当以上处理完成时，压力调节器170可以将腔室110的内部维持在几乎真空水平。另外，视觉单元140可以捕获显示基板d和掩模组件1，精细驱动第一支撑件120和第二支撑件130以精细调节显示基板d和掩模组件1中的至少一个，并且因此将显示基板d和掩模组件1对准。
101.沉积源160可以将沉积材料供应给掩模组件1。穿过掩模组件1的沉积材料可以以预定图案沉积在显示基板d上。
102.在执行以上处理时，沉积源160和显示基板d中的至少一个可以执行线性移动。在另一实施例中，可以在沉积源160和显示基板d都静止的同时执行沉积。在下文中，为了便于描述，主要详细描述在显示基板d静止的同时沉积源160执行线性移动时执行沉积的情况。
103.因此，由于被配置为制造显示装置的设备100可以在掩模板11的变形被最小化的情况下执行沉积，所以可以精确且准确地沉积沉积材料。
104.图9a是示出根据实施例的通过被配置为制造显示装置的设备100来制造显示装置的工艺的一部分的截面图。图9a可以对应于图8中所示的区域b的截面。
105.从沉积源160供应的沉积材料可以被导向为相对于显示基板d以预定角度朝向显示基板d入射。由沉积材料入射的方向和显示基板d的沉积表面形成的一个或多个角度可以包括90
°
或小于90
°
的角度。
106.沉积材料可以穿过掩模10的开口op并且被沉积在显示基板d上。沉积材料不能被沉积在显示基板d的区域当中被掩模10覆盖的区域中。
107.根据实施例，对于沉积材料的给定输出，掩模10的一部分中第一部分11a的第一角度a1可以小于由沉积材料入射的方向与显示基板d的沉积表面形成的第二角度a2。在实施例中，第二角度a2可以包括沉积材料通过掩模10的在平面图中离沉积源160最远的开口op入射至显示基板d上的角度。在另一实施例中，第二角度a2可以包括计算的或模拟的使穿过开口op的沉积材料被均匀地沉积在显示基板d上的预定角度。通过此，可以获得其中阴影现象被最小化、可执行均匀沉积并且死空间被最小化的显示装置。当由于掩模10的第一部分11a使以第二角度a2入射的沉积材料没有到达显示基板d时，通常可能会发生阴影现象。
108.在掩模10的第一部分11a具有其中从外侧表面sa3朝向开口op的最突出部分位于第一表面sa1与第二表面sa2之间的截面形状的情况下，入射的沉积材料由于第一部分11a的突出部分而没有到达显示基板d，并且因此可能发生阴影现象。比较而言，根据实施例，可以提供其中从掩模10的第一部分11a的外侧表面sa3朝向开口op的最突出部分与第一部分11a的第二表面sa2布置在同一平面上的截面形状。也就是说，从外侧表面sa3突出的最突出部分可以被布置为最靠近显示基板d。通过此，可以获得其中阴影现象被最小化、可执行均匀沉积并且死空间可被最小化的显示装置。阴影现象是遮挡入射的沉积材料的现象。
109.图9b是示出根据另一实施例的通过被配置为制造显示装置的设备100来制造显示装置的工艺的一部分的截面图。图9b可以对应于图8中所示的区域b的截面。省略与参考图9a描述的那些内容相同的内容，并且下面主要描述差异。
110.参考图9b，掩模10可以包括在掩模框20的相反方向上从第一部分11a突出的第二
部分11b。第二部分11b可以位于第一部分11a与显示基板d之间。也就是说，第二部分11b可以被布置为比第一部分11a的第二表面sa2更靠近显示基板d。
111.尽管掩模组件1紧密地贴附至显示基板d，但是在掩模组件1与显示基板d之间可能存在最小的分离空间。根据实施例，掩模10的第二部分11b可以被布置在该分离空间中，以最小化到达显示基板d的不需要沉积的区域的沉积材料。不需要沉积的区域可以包括如以下参考图10所述的显示装置30的驱动器等可以被布置在其中的周围区域sa。也就是说，掩模10的第二部分11b被布置在其中的区域可以对应于通过使用掩模10制造的显示装置30的周围区域sa。第二部分11b的宽度可以根据周围区域sa的宽度和掩模10的开口op的数量来调节。
112.图10是根据实施例的通过使用被配置为制造显示装置的设备100而制造的显示装置30的平面图。
113.参考图10，显示装置30可以包括显示区域da和显示区域da外侧的周围区域sa。显示装置30可以通过二维布置在显示区域da中的像素px的阵列来显示图像。周围区域sa包括不显示图像的区域，并且可以完全或部分地围绕显示区域da。被配置为将电信号或功率提供给像素px的驱动器等可以被布置在周围区域sa中。焊盘可以被布置在周围区域sa中，焊盘是电子元件或印刷电路板等可以电连接至的区域。
114.图11是图10的显示装置30的一部分的截面图。图11是沿着图10中所示的线c
‑
c'截取的显示装置30的截面图。
115.参考图11，显示装置30可以包括显示基板d、中间层38b、对电极38c以及封装层(未示出)。在这种情况下，显示基板d可以包括基板31、缓冲层32、薄膜晶体管tft、平坦化层37、像素电极38a和像素限定层39。另外，封装层可以包括与基板31相同或类似的封装基板(未示出)或者薄膜封装层e。在封装层包括封装基板的情况下，单独的密封构件(未示出)可以被布置在基板31与封装基板之间。但是，为了便于描述，下面主要详细描述封装层包括薄膜封装层e的情况。
116.基板31可以具有包括基层和无机层的多层结构，基层包括聚合物树脂。例如，基板31可以包括基层和阻挡层，基层包括聚合物树脂，并且阻挡层包括无机绝缘层。
117.缓冲层32可以被布置在基板31上。缓冲层32可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基板31下方渗透，并且在基板31上提供平坦的表面。缓冲层32可以包括诸如氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
118.以预定图案布置的有源层33可以被形成在缓冲层32上，并且然后被栅绝缘层34覆盖。有源层33可以包括源区33c和漏区33a，并且进一步包括位于源区33c与漏区33a之间的沟道区33b。
119.有源层33可以包括各种材料。例如，有源层33可以包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。对于另一示例，有源层33可以包括氧化物半导体。对于另一示例，有源层33可以包括有机半导体材料。然而，在下文中，为了便于描述，主要详细描述有源层33包括非晶硅的情况。
120.有源层33可以通过在缓冲层32上形成非晶硅层、将非晶硅层结晶成多晶硅层并且图案化多晶硅层来形成。在有源层33中，源区33c和漏区33a可以根据薄膜晶体管tft的种类(诸如驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管)掺杂有杂质。
121.栅电极35和层间绝缘层36可以被形成在栅绝缘层34的顶表面上，栅电极35与有源层33相对应，并且层间绝缘层36覆盖栅电极35。
122.接触孔h1被形成在层间绝缘层36和栅绝缘层34中，并且然后源电极37b和漏电极37a可以被形成在层间绝缘层36上，使得源电极37b和漏电极37a分别接触源区33c和漏区33a。
123.平坦化层37可以被形成在如上所述形成的薄膜晶体管tft上，并且有机发光二极管38的像素电极38a可以被形成在平坦化层37上。像素电极38a可以通过形成在平坦化层37中的通孔h2接触薄膜晶体管tft的漏电极37a。平坦化层37可以包括无机材料和/或有机材料，并且包括单层或两层或更多层。平坦化层37可以包括使其顶表面平坦而与其下面的层的弯曲无关的平坦化层。比较而言，平坦化层37可以被形成为沿着其下面的层的弯曲而弯曲。另外，优选的是平坦化层37包括透明绝缘材料以实现谐振效应。
124.在像素电极38a被形成在平坦化层37上之后，像素限定层39被形成为覆盖像素电极38a的至少一部分和平坦化层37。像素限定层39可以包括暴露像素电极38a的开口。另外，中间层38b和对电极38c可以被形成在像素电极38a上。
125.像素电极38a可以用作阳极，并且对电极38c可以用作阴极。像素电极38a和对电极38c的极性可以颠倒。
126.像素电极38a可以通过中间层38b与对电极38c绝缘。通过将不同极性的电压施加至中间层38b，有机发射层可以发光。
127.中间层38b可以包括有机发射层。在另一实施例中，中间层38b可以包括有机发射层，并且进一步包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个。本实施例不限于此，并且中间层38b可以包括有机发射层，并进一步包括各种功能层(未示出)。
128.薄膜封装层e可以包括多个无机层，或者可以包括无机层和有机层。
129.薄膜封装层e的有机层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机层可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。有机层可以通过对单体进行硬化或通过涂覆聚合物来形成。
130.薄膜封装层e的无机层可以包括无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
131.薄膜封装层e的暴露于外部的最上层可以包括无机材料，以防止湿气渗透到有机发光二极管38中。
132.薄膜封装层e可以包括其中至少一个有机层被插入在至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。对于另一示例，薄膜封装层e可以包括其中至少一个无机层被插入在至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。对于另一示例，薄膜封装层e可以包括其中至少一个有机层被插入在至少两个无机层之间的夹层结构以及其中至少一个无机层被插入在至少两个有机层之间的夹层结构。
133.薄膜封装层e可以从有机发光二极管38的上部开始依次包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。对于另一示例，薄膜封装层e可以从有机发光二极管38的上部开始依次包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
134.金属层、有机层或无机层可以根据实施例通过使用被配置为制造显示装置的设备
100被形成在准确位置处，金属层、有机层或无机层位于显示装置30的显示区域da的整个表面上。例如，对电极38c和薄膜封装层e可以被形成在准确位置处。通过此，可以制造质量均匀的显示装置30。
135.根据以上所述的实施例，可以获得具有高精度的掩模，并且通过使用高精度的掩模可以改善沉积精度和沉积均匀性。另外，可以获得其中阴影效应被减小的掩模，并且通过使用该掩模，可以执行均匀的沉积，且可以获得其中死空间被最小化的显示装置。但是，本发明构思的范围不受这些效果的限制。
136.应当理解的是，本文所描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，并且不为限制的目的。在每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员会理解，可以在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种改变。