使用磁场控制材料沉积的系统和方法与流程

1.本发明总体上涉及增材制造，更具体地说，涉及在颗粒沉积过程中施加磁场以提高增材制造产品的质量和特性，更具体是提高基于熔融金属增材制造产品的质量和特性。


背景技术：

2.增材制造或3d打印技术由于其理想的品质如效率和灵活性而得到广泛应用。使用定向能量沉积或粉末床熔接等技术的增材制造工艺的挑战之一是控制孔隙率。定向能量沉积通过在沉积时熔融和熔化材料颗粒来产生产品。粉末床熔接通过沉积一层材料并熔融和熔化沉积的材料颗粒来产生产品。当颗粒暴露于所施加的能量束时，它们的运动可能受到许多因素的影响。气流等影响因素可能会导致颗粒在产品的某些区域更加集中，而在产品的其他区域留下空隙。沉积颗粒的精确控制是一项挑战。
3.除了多孔性之外，用定向能量沉积或粉末床熔接生产的产品可能具有低分辨率和不太理想的材料结构。例如，晶粒结构控制具有挑战性。熔池周围的“热影响区”承受较大的热梯度。在构建期间，温度梯度对正在生成的结构的影响是难以克服的。此外，由于基于熔融的增材制造的特征，所生产的产品可能在其微观结构和机械性能方面具有不期望的高度不均匀特征。
4.因此，希望提供用于提高增材制造产品的质量和特性的系统和方法。此外，结合附图和前述的技术领域和背景技术，从随后的详细描述和所附权利要求中，本发明的其他期望的特征和特性将变得显而易见。


技术实现要素：

5.许多实施例包括使用磁场控制沉积材料的系统和方法。实施例包括使用磁场控制增材制造材料沉积的系统。材料淀积器传输磁响应材料，用于淀积在构建表面上。磁体组向构建表面和/或材料淀积器施加磁场。磁场被配置成在磁响应材料和构建表面之间产生吸引力，同时能量源熔化磁响应材料。
6.在另外的实施例中，材料沉积器包括材料导管，磁体组围绕材料导管设置。
7.在另外的实施例中，磁体组围绕构建表面设置。
8.在另外的实施例中，磁体组包括多个电磁体。
9.在另外的实施例中，控制器选择性地激励多个电磁体中的每一个，以改变所施加的磁场。
10.在另外的实施例中，控制器被配置成在开和关程序中控制磁体组。
11.在另外的实施例中，控制器被配置成在材料沉积期间改变磁体组的激励水平。
12.在另外的实施例中，致动器与磁体组耦合，并且控制器被配置成操作致动器来重新定位磁体组。
13.在另外的实施例中，当材料淀积器淀积磁响应材料时，控制器暂停磁场。
14.在另外的实施例中，能量源被配置成由磁响应材料产生熔池，并且控制器被配置
成控制磁体组以将磁场导入熔池中。
15.在多个另外的实施例中，使用磁场控制增材制造材料沉积的方法包括，沉积磁响应材料并将能量源聚焦到沉积的磁响应材料上。磁体组将磁场施加到构建表面和/或材料淀积器。磁场在磁响应材料和构建表面之间产生吸引力，包括当能量源熔化磁响应材料时。
16.在另外的实施例中，材料沉积器包括材料导管，磁体组围绕材料导管设置。
17.在另外的实施例中，磁体组围绕构建表面设置。
18.在另外的实施例中，磁体组包括多个电磁体。
19.在另外的实施例中，控制器激励多个电磁体中的每一个，以改变所施加的磁场。
20.在另外的实施例中，控制器打开和关闭磁体组。
21.在另外的实施例中，控制器改变磁体组的激励水平。
22.在另外的实施例中，控制器通过致动器重新定位磁体组。
23.在另外的实施例中，当材料淀积器淀积磁响应材料时，控制器暂停磁场。
24.在多个另外的实施例中，使用磁场控制增材制造材料沉积的方法包括：通过材料沉积器将磁响应材料沉积到构建表面上。控制器将能量源聚焦到沉积的磁响应材料上。磁体组将磁场施加到构建表面和/或材料淀积器。磁场在磁响应材料和构建表面之间产生吸引力，包括当能量源熔化磁响应材料时。控制器控制磁体组来改变磁场，以在磁响应材料固化时在其中传递目标特性。
附图说明
25.下文将结合以下附图描述示例性实施例，其中相同的附图标记表示相同的元件，并且其中：
26.图1是根据各种实施例的使用作用在构建板或衬底的构建表面上的磁场来控制材料沉积的系统的示意图；
27.图2是根据各种实施例的使用作用在材料输送系统上的磁场来控制材料沉积的系统的示意图；
28.图3是根据各种实施例的使用磁场控制材料沉积的系统的示意图，该磁场作用在具有多个磁性模块的构建板或衬底的构建表面上；
29.图4是根据各种实施例的用于控制图1-3的系统的控制系统的示意图；
30.图5是示出根据各种实施例的使用磁场控制的材料沉积来构建部件的过程的流程图。
具体实施方式
31.以下详细描述本质上仅仅是示例性的，并不旨在限制应用和使用。此外，不旨在受前面的技术领域、背景技术、发明内容或下面的详细描述中提出的任何明示或暗示的理论的约束。如这里所使用的，术语模块指的是任何硬件、软件、固件、电子控制组件、处理逻辑和/或处理器设备，单独地或以任何组合，包括但不限于：专用集成电路(asic)、电子电路、处理器(共享的、专用的或成组的)和执行一个或多个软件或固件程序的存储器、组合逻辑电路和/或提供所述功能的其他合适的组件。
32.这里可以根据功能和/或逻辑块组件和各种处理步骤来描述本公开的实施例。应
当理解，这种块组件可以由被配置为执行指定功能的任何数量的硬件、软件和/或固件组件来实现。例如，本公开的实施例可以采用各种集成电路组件，例如，存储元件、数字信号处理元件、逻辑元件、查找表等，它们可以在一个或多个微处理器或其他控制设备的控制下执行各种功能。此外，本领域技术人员将理解，本公开的实施例可以结合任何数量的各种系统来实施，并且这里描述的系统仅仅是本公开的一个示例实施例。
33.为了简洁起见，这里可能不详细描述与信号处理、数据传输、信令、控制和系统的其他功能方面(以及系统的各个操作组件)相关的传统技术。此外，本文包含的各图中所示的连接线旨在表示各种元件之间的示例功能关系和/或物理耦合。应当注意，在本公开的实施例中可以存在许多替代的或附加的功能关系或物理连接。
34.如本文所公开的，使用如本文所述的磁场来控制沉积材料的系统和方法可用于磁辅助增材制造工艺和其他应用。在材料沉积期间，例如在定向能量沉积或粉末床熔接中，施加原位磁场。磁场可以用永磁体和/或电磁铁来施加。在一些实施例中，磁场可以施加到构建平台或衬底的构建表面，使得沉积的材料在沉积到构建表面上时附着到构建表面。在另外的实施例中，被沉积的材料可以在沉积期间被磁化，以在构建表面和材料之间产生吸引力。本文公开的方法适用于各种磁响应金属材料。
35.施加的磁场可以在颗粒的沉积和沉积后响应期间被控制，并且在一些实施例中可以循环地开启和关闭，以在熔池中实现局部或可变的磁场。在一些实施例中，例如在使用粉末床熔接的应用中，磁场可以在向床添加材料层的过程中暂停，以避免干扰均匀分布。在一些实施例中，例如那些采用非磁性材料如铝合金的实施例中，可以将涂层或添加剂添加到粉末中，使得粉末被磁性吸引。这种涂层或添加剂材料的例子可以是钛硼。可以获得各种有益的结果，例如激光沉积过程中的原位粉末冷凝、降低的孔隙率、细化的微结构、降低的微结构和机械性能的不均匀特性、减少的粉末浪费、受控的沉积取向和/或其他。
36.如本文所述，所公开的方法可以包括清洁衬底和向衬底施加磁场。衬底可以是构建平台，其在构建期间支撑部件，但不是成品的一部分。在一些实施例中，在施加能量的过程中，例如通过喷嘴，或者通过在施加能量之前例如通过滚动整个层来铺展层的其他施加机构，输送金属粉末。由于金属粉末在沉积过程中在由所施加的磁场确定的位置和方向上的磁场的作用，金属粉末粘附/附着在衬底上，因此磁性粉末的飞散被最小化。能量，例如来自激光束的能量，聚焦在衬底/部件/粉末层上，并熔化粉末，形成熔池。在各种实施例中，能量/激光束在被传输到衬底之后聚焦在金属粉末上，以减少对磁场的热效应。在正在构建的部件的一层完成之后，喷嘴/能量源向上移动，并且该部件由沉积和熔化的材料逐层构建。当部件被构建时，磁场可以被重新定向以获得各种结果，并且可以被重新定向向上靠近部件的顶表面(构建表面)，以最大化其对沉积颗粒的影响。可以使用多个磁体来为控制目的提供更大的粒度。部件制造到最终尺寸后，可根据需要进行加工和清洁，以符合适用的规范。
37.参考图1，示意性地示出了磁场控制的材料沉积系统100。通常，磁场控制的材料沉积系统100包括激光类型的能量输送系统102、材料沉积系统104形式的材料沉积器、磁场传输系统106、构建平台108形式的构建表面、以及用于将惰性气体输送到构建室112的气体输送系统110。在当前实施例中，磁场控制材料沉积系统100被图示为定向能量沉积增材制造/3d打印系统。在其他实施例中，可以使用其他增材制造方法，例如粉末床熔接或其他方法。
38.在该实施例中，材料沉积系统104包括粉末供应源114，用于通过喷嘴116将材料输送到目标区域。在部件109一次一层地构建期间，喷嘴116在构建平台108上移动。在当前实施例中，粉末流通过与激光束相同的喷嘴116输送，例如通过喷嘴116中的至少两个同心通道。在其他实施例中，粉末流和激光束可以通过单独的喷嘴或导管输送。能量输送系统102包括激光源118、用于引导能量的反射镜120和用于引导激光束的喷嘴116。磁场传输系统106包括永磁体组122和/或电磁体组124中的至少一个，用于磁化构建平台108和/或部件109的构建表面。这样，构建平台108由诸如铁磁材料的可磁化材料组成。如下文更详细描述的，出于多种原因，磁场可以暂停/从构建平台108移除。因此，构建平台本身可能不是永磁体。构建平台108包括在其上构建制造部件109的衬底，因此不是正在制造的成品的一部分。气体输送系统110向密封的构建室112供应惰性气体，以更好地控制材料特性并保护部件109的构建材料免受氧化。
39.如图1所示，磁场控制材料沉积系统100向构建平台108施加受控磁场。永磁体组122包括多个永磁体/磁体部分126、128，以磁化构建平台108。在一个实施例中，磁体部分126、128是围绕构建平台108的一个磁体结构的元件。在其他实施例中，围绕构建平台108可以使用任意数量的永磁体126、128。在一些实施例中，永磁体126、128可以远离构建平台移动以减少或消除其磁化，并且可以移动更近和/或增加数量以增强磁场。电磁体组124可以包括任何数量的单独的电磁体131-137。在一些实施例中，可以仅使用电磁体131-137中的一个。在大尺寸构建平台108的情况下和/或当需要更精确的磁场控制时，可以使用更多数量的电磁体131-137来覆盖构建平台108的整个区域。
40.在操作中，构建室112由气体输送系统110填充惰性气体。构建平台被磁场传输系统106选择性地磁化，磁场传输系统106通过永磁体组122和/或电磁体组124提供磁场。材料沉积系统104通过喷嘴116输送材料，能量输送系统102通过喷嘴116输送能量以熔化输送的材料。这产生了熔池125，当喷嘴116移开时，熔池125熔接以构建部件109。通常，施加到构建平台108和/或注入到沉积的材料颗粒中的磁场在材料粉末颗粒和构建板108之间产生吸引力，导致通过喷嘴116输送的颗粒在构建平台或部件109的先前构建的层上粘附就位。在各种实施例中，磁场可以被控制以在构建部件109上提供额外的效果，如下文更详细描述的。
41.在磁场控制的材料沉积系统100中，磁场可用于控制正在构建的部件109中的孔隙率，从而提高密度。多孔性会在构建过程中形成，例如由于粉末材料的不完全熔化或两层材料的不适当粘附。在构建过程中，当气泡被夹带在部件109中时，可能出现锁眼孔隙。锁眼孔隙的特征在于在部件109内部形成孔隙。已经发现，在构建过程中，由于能量的流动，沉积的颗粒会在由激光产生的熔池125内流动/移动，这导致孔隙率增加。磁场吸引沉积的颗粒，并将它们保持在熔池125内的适当位置，从而降低孔隙率。这样，沉积的颗粒是被磁场吸引的铁磁性或其他材料。在许多实施例中，沉积的颗粒包括铝、铝合金或其他非铁磁材料。在后一种情况下，用磁响应材料如钛-硼处理粉末颗粒，如通过涂覆，磁场将其吸引并保持在熔池125中。
42.在磁场控制的材料沉积系统100中，磁场可用于细化形成构建部件109的材料的微结构。例如，已经发现在熔池125中和/或周围的材料的区域中材料可以半固体形式存在。如果不加以处理，这些半固态团簇可能会导致不希望的材料特性，如不均匀性。已经发现不均匀性特征是由位于液固界面处和/或液体熔池内的半固体团簇造成的。半固态团簇可能导
致非等轴晶粒。还发现可能形成柱状晶粒结构。柱状晶粒通常是不希望的，因为它们会产生凝固缺陷和机械性能各向异性。磁场可用于有效搅拌或混合熔池，以破碎半固态团簇和柱状晶粒。这导致优选的等轴晶粒结构，其具有降低的不均匀性和柱状晶粒。
43.在磁场控制的材料沉积系统100中，磁场可用于减少飞散。当颗粒从熔池125中被吹走或吹出熔池125时，会导致飞散，并因此导致许多不希望的结果，例如材料浪费。通过经由磁场将沉积的颗粒保持在适当的位置，飞散被最小化，并且大部分的沉积材料存在于正在构建的部件109中。
44.在磁场控制的材料沉积系统100中，磁场可用于控制材料的沉积方向。例如，在复杂部件109的构建过程中，复杂部件例如具有包括突出的成角度部分或悬伸的悬臂部分的平面外部分，支撑结构通常可以被构建成在该部分被逐层构建时支撑该部分。这些支撑结构通常不是部件109设计的一体部分，而是可以在增材制造构建之后的后处理中被移除。磁场可以被引导以在被构建时帮助支撑这些部分，因此可以消除对一些或所有构建支撑结构的需要。因为沉积的颗粒是磁响应的，所以磁场可以用来施加足够的力，以防止在构建期间所述部分弯曲或塌陷。
45.参考图2，示意性地示出了磁场控制的材料沉积系统200。通常，磁场控制的材料沉积系统200还包括材料沉积系统104、激光类型的能量输送系统102、构建平台108和用于将惰性气体输送到构建室112的气体输送系统110。在该实施例中，磁场控制的材料沉积系统200也被图示为定向能量沉积增材制造/3d打印系统。在其他实施例中，可以使用其他增材制造方法，例如粉末床熔接或其他方法。在该实施例中，包括磁场传输系统206。
46.如图2所示，磁场控制的材料沉积系统200将受控磁场施加到材料沉积系统104，特别是施加到由此供应的材料颗粒。磁场传输系统206包括永磁体组222和/或电磁体组224中的至少一个。永磁体组222包括多个永磁体/磁体部分226、228，以磁化由材料沉积系统104通过包括导管230和喷嘴116的导管从粉末供应源114供应的颗粒。在一个实施例中，磁体部分226、228是围绕导管230的一个磁体结构的元件。在其他实施例中，可以在导管230周围使用任意数量的永磁体226、228。在一些实施例中，永磁体226、228可以远离导管230移动以减少或消除其磁化，并且可以移动更近和/或增加数量以增强磁场。电磁体组224可以包括任意数量的单独电磁体231。在一些实施例中，可以使用一个电磁体231。磁场传输系统206的一个或多个部件，在该实施例中为电磁体组224，可以设置在粉末供应源114周围。在一些实施例中，电磁体组224可以循环地开启和关闭。在操作中，磁场传输系统206磁化通过喷嘴116输送的颗粒，使得它们被吸引/粘附到构建平台108或部件109的先前沉积层，导致许多与磁场控制材料沉积系统100相同的期望结果。
47.参考图3，示意性地示出了磁场控制的材料沉积系统300。通常，磁场控制的材料沉积系统300包括材料沉积系统304形式的材料沉积器、激光类型的能量输送系统102、构建平台108和构建室112。材料沉积系统304被配置为辊系统，其在施加来自激光束的能量之前在构建平台108上沉积一层材料。气体输送系统(未示出)可以包括在多个实施例中。在该实施例中，喷嘴316引导激光束，但不引导沉积材料。在该实施例中，磁场控制的材料沉积系统300被图示为粉末床熔接型增材制造/3d打印系统。在其他实施例中，可以使用其他增材制造方法。在该实施例中，包括磁场传输系统306。
48.磁场受控材料沉积系统300向构建平台108施加受控磁场。磁场传输系统306包括
永磁体组322和/或电磁体组324中的至少一个。永磁体组322包括多个永磁体/磁体部分326、328，以磁化构建平台108和/或部件109。在一个实施例中，磁体部分326、328是围绕构建平台108的一个磁体结构的元件。在其他实施例中，围绕构建平台108可以使用任意数量的永磁体326、328。永磁体326、328可以远离构建平台108移动以减少或消除其磁化，例如在材料层沉积期间，并且可以移动得更近和/或数量增加以增强磁场。电磁体组324可以包括任意数量的单独电磁体331。在图示的实施例中，使用了一个电磁体331。在大尺寸构建平台108的情况下和/或当需要更精确的磁场控制时，可以使用更多数量的电磁体331来覆盖构建平台108的整个区域。在操作中，磁场传输系统306磁化构建平台108，使得沉积的颗粒被吸引/粘附到构建平台108或部件109的先前沉积层，导致许多与磁场控制的材料沉积系统100相同的期望结果。
49.参考图4，适用于磁场受控材料沉积系统100、200、300的控制方面以复合形式更详细地示出，并且通常控制能量输送系统102、材料沉积系统104、磁场传输系统106和气体输送系统110。控制系统400包括控制器404。在其他实施例中，可以使用任何数量的控制器来代替控制器404。出于当前实施例的目的，控制器404控制磁场控制的材料沉积系统100、200、300的操作，包括通过至少一个致动器408控制材料沉积系统104，通过至少一个致动器410控制能量输送系统102，以及通过至少一个致动器412控制气体输送系统110。此外，控制器404控制磁场传输系统106、206、306的各个方面。控制器404还可以例如通过操作致动器416来控制喷嘴116的运动。致动器416可以是多轴定位致动器，以相对于构建平台108移动喷嘴经过各种高度、位置和方向。控制器404可以包括任意数量的电子控制模块，并且接收当前操作条件和其他参数的各种输入变量。对输入进行分析，并且根据数据计算操作参数，例如能量输送系统102、磁场传输系统106、206、306以及其他的操作参数，并将其应用于各种致动器和其他适当的响应装置。控制器404可接收各种信号，包括来自传感器组414的信号，进行分析，并将控制信号发送到各种目的地，包括致动器408、410、412、416和磁场传输系统106、206、306。传感器组414可以感测部件109及其构造的各个方面，包括通过位置传感器420检测构造的高度以确定当前构造表面的位置，以及通过位置传感器422确定喷嘴116的位置。传感器组414可以包括任意数量的附加传感器，以监控部件109和磁场控制材料沉积系统100、200、300的操作/状态。
50.控制器404可以包括任何数量的电子控制模块。控制器404从各种来源接收信息，处理该信息，并基于此提供控制信号/命令，以实现磁场控制的材料沉积系统100、200、300的操作。控制器404包括处理器424和存储设备426，并且与存储设备428联接。处理器424执行控制器404的计算和控制功能，并且在操作期间执行一个或多个程序430，并且可以使用数据432，数据432中的每一个都可以包含在存储设备428中，因此，处理器424控制控制器404在执行这里描述的过程中的一般操作，例如下面进一步描述的过程。存储设备426可以是能够存储数据的任何类型的合适存储器或存储设备的组合，其中一些表示由控制器404使用的可执行指令。在所示实施例中，存储器设备426可以存储上述程序430以及数据432的一个或多个存储值，例如用于短期数据访问。存储设备428存储数据，例如用于自动控制磁场控制的材料沉积系统100、200、300的长期数据访问，并且可以是任何合适类型的存储设备。在示例性实施例中，存储设备428包括源，存储设备426从该源接收程序430和数据432。程序430代表可执行指令，由控制器404使用用于处理信息和控制磁场控制的材料沉积系统
100、200、300，包括磁场传输系统106、206、306。处理器424可以基于逻辑、计算、方法和/或算法为磁场传输系统106、206、306生成控制信号。
51.随着构建的进行，用于构建部件109的粉末以单独的层沉积在构建平台108上，并且能量输送系统102根据其设计参数选择性地激励粉末以形成部件109。磁场传输系统106、206、306可以在材料沉积在构建物上之后或者在沉积发生的同时被启动。磁场传输系统106、206、306被致动的定时可以被预定义并存储在存储器中，并且可以根据诸如由位置传感器420感测的构建物高度的参数来调用。
52.磁场传输系统106、206、306可以包括任意数量的电磁体，例如电磁体436、438，其代表图1-3的电磁体。电磁铁436、438可以通电和断电，以提供不同强度和方向的磁场或不提供磁场。磁场传输系统106、206、306可以包括任意数量的永磁体440、442，其代表图1-3的永磁体。如图4所示，永磁体被安装成可分别由致动器444、446重新定位。致动器444、446可以是多轴定位致动器，以移动永磁体440、442通过各种位置来改变或消除所施加的磁场，如下文更详细描述的。控制器404可以接收各种信号，包括来自传感器组414的信号，进行分析，并向致动器444、446发送控制信号。控制器404可以控制磁场传输系统106、206、306来改变产生的磁场，包括将磁场导入熔池125。
53.参考图5，示出了过程500，其可以使用磁场控制的材料沉积系统100、200、300中的至少一个来执行。过程500开始于准备502构建平台108，以及以其他方式设置增材制造机器。例如，清除先前构建物的残余物，并且清洁构建平台108，呈现新的构建表面，为构建新的一个或多个部件109做准备。过程500包括磁场的选择施加504，例如通过磁场传输系统106、206、306之一。施加504可能需要完全或部分地激励电磁体组124、224、324。当配备有致动器444、446时，施加504可能需要将永磁体组122、222、322移动到位。过程500包括例如通过材料沉积系统104、304将粉末输送506到构建平台108或部件109的先前构建的层。施加504可以在输送506之前，或者输送506可以在施加504之前，或者两者可以同时启动。例如，对于定向能量沉积系统，磁场的施加504可以在粉末输送506之前短时间间隔，或者两者可以同时启动。在另一个例子中，例如在粉末床熔接应用的情况下，粉末层经过构建平台108的输送506可以在施加504之前进行，以实现沉积层的均匀分布。
54.过程500包括控制508磁场，例如通过控制器404，这可以在整个构建阶段进行。例如，在多个电磁体131-137的情况下，在任何特定时间，可以激励少于全部的电磁体131-137。当构建大部件109时，可以采用这种方法，并且只有构建平台108中喷嘴116当前操作的区域中的电磁体131-137可以被激励。这种方法也可以用来集中熔池125中的磁场。在另一个例子中，单独的电磁体131-131可以被激励或改变对应材料沉积取向的激励水平，例如用以支撑正在构建的部件109的特征。在另一个例子中，单独的电磁体131-131可以被激励或改变激励以混合/搅拌熔池125，例如破碎柱状颗粒和/或半固体团簇。在另一个例子中，磁场可以在材料层的施加过程中暂停，例如利用粉末床熔接构建。
55.过程500包括例如在沉积期间或之后，将能量束聚焦510在构建板108的构建表面上或正在构建的部件109的升高的水平面上，以熔化输送的506粉末。在一个实施例中，聚焦510可以推迟在粉末输送506之后，以减少对磁场的热效应。例如，由能量输送系统102施加的热量可能足够强烈，以在延长的时间段内扭曲或削弱磁场。
56.在正在构建的部件109的层完成之后，过程500包括定位喷嘴116。例如，喷嘴116例
如通过控制系统400被提升，并被定位在指定的起始点，为构建部件109的下一层做准备。该过程可以返回到磁场的选择施加504，并且可以随着部件109被逐层构建到其设计尺寸而循环通过步骤504-512。随着部件109被建立，磁场向上移动靠近过程中的部件109的上表面。例如，磁场可以通过构建平台108和部件109传导。在另一个例子中，随着部件109的高度增加，电磁体组124、224、324的激励水平可以增加，例如通过控制系统400。在另一个例子中，磁体可以向上移动，例如通过控制系统400和致动器444、446。当部件109完全构建时，进行后处理516。后处理516可以包括从构建平台108移除部件109，以及任何所需的加工和/或清洁，并且完成部件109。
57.通过本文公开的实施例，磁场被用于在增材制造过程中控制沉积材料。磁场有利地能够降低孔隙率、细化部件的材料微观结构、降低不均匀特性、减少飞散以改进粉末使用率和/或控制沉积取向。
58.虽然在前面的详细描述中已经给出了至少一个示例性实施例，但是应当理解还存在大量的变化。还应当理解，一个或多个示例性实施例仅是示例，并不旨在以任何方式限制本公开的范围、适用性或配置。相反，前面的详细描述将为本领域技术人员提供实现一个或多个示例性实施例的便利路线图。应当理解，在不脱离所附权利要求及其法律等同所阐述的本公开的范围的情况下，可以对元件和/或步骤的功能和布置进行各种改变。