一种镀膜设备的制作方法

本发明涉及芯片镀膜领域，尤其是一种镀膜设备。

背景技术：

半导体激光器又称激光二极管，是光通信、光传感、光泵浦等领域的核心器件。其工作原理是通过一定的激励方式，靠电子在能带间跃迁发光，利用半导体晶体的解理面101a形成两个平行反射镜面组成谐振腔101e，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。

请参考图1至图3，在生产半导体激光器芯片1011时，步骤一，将半导体晶圆片1解理成若干个条状的巴条101；步骤二，将解理好的巴条101整齐堆叠，然后对各个巴条101两侧的解理面101a分别进行镀膜，其中一侧的解理面101a镀制减反膜101b、另一侧的解理面101a镀制高反膜101c；步骤三，将巴条101划分为若干个分立芯片1011。其中，步骤二中的巴条101的减反膜101b和高反膜101c作为谐振腔101e的两个腔面。

而步骤二解理并堆叠巴条101的过程中，在完全真空条件或高纯气体条件下操作的成本远高于在空气中操作的成本，但空气中操作，必然会引起巴条101的谐振腔101e腔面的氧化和杂质污染，如果存在该问题，则步骤三获得的芯片1011在高光功率密度作用下就会引起腔面温度迅速升高，而温度的提升又使得界面状态进一步恶化，又增强了光吸收，最后促使腔面烧毁，激光器失效，这种灾变性光学镜面损伤一直是限制半导体激光器可靠性的重要因素，尤其对大功率半导体激光器，灾变性光学镜面损伤的影响更为突出。故亟需一种设备对步骤二的工艺进行改进。

技术实现要素：

本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种镀膜设备，在对巴条镀制减反膜和高反膜前，去除解理面上的氧化层和污染层并对解理面进行镀制钝化膜，避免灾变性光学镜面损伤。

为解决以上技术问题，本发明的技术方案为：一种镀膜设备，其不同之处在于：其包括样品固定架和分别在真空状态的进样室、传样室、第一镀膜室、及第二镀膜室，所述进样室、第一镀膜室、及第二镀膜室分别与所述传样室通过传样狭缝阀门连通或隔断；所述样品固定架内设置若干个巴条且漏出各所述巴条两侧的解理面；所述进样室内设置有输送装置，所述输送装置能将若干个所述样品固定架依次送入所述进样室内或送出设备外；所述传样室内设置有传样机构，所述传样机构能将所述输送装置上的各所述样品固定架依次转移到所述第一镀膜室内和第二镀膜室内后再送回输送装置上；所述第一镀膜室用于清洗各所述巴条两侧的解理面并镀制钝化膜；所述第二镀膜室用于在各所述巴条一侧钝化膜上镀制减反膜、另一侧钝化膜上镀制高反膜。

按以上技术方案，所述传样狭缝阀门有三个，分别为设置在所述传样室与所述进样室之间的第二狭缝阀门，设置在所述传样室与所述第一镀膜室之间的第三狭缝阀门，及设置在所述传样室与所述第二镀膜室之间的第四狭缝阀门。

按以上技术方案，所述进样室内靠上的位置设置有第一高真空泵，所述进样室内靠下的位置设置有第二高真空泵，所述传样室内设置有第三高真空泵，所述第一镀膜室内设置有第四高真空泵，所述第二镀膜室内设置有第五高真空泵。

按以上技术方案，所述进样室的上侧设置有连通内外的第一狭缝阀门，所述输送装置可带动所述样品固定架向下移动将所述样品固定架向下送入所述进样室内，所述输送装置也可带动所述样品固定架向上移动将所述样品固定架向上送出所述进样室外。

按以上技术方案，设备还包括电控系统；所述输送装置包括第一减速电机、丝杆、输送架、及限位支架；所述限位支架有两个且相对设置，两个所述限位支架的内侧分别形成有竖直延伸的导向槽；所述第一减速电机由所述电控系统控制，所述第一减速电机固定在所述进样室的底部且位于两个所述限位支架之间；所述丝杆竖直延伸且下端与所述第一减速电机的输出轴固定；所述输送架竖直延伸且设置在两个所述限位支架之间，所述输送架的两侧分别形成有与两个所述导向槽一一对应的导向块，所述输送架的中部开设有竖直延伸且与所述丝杆配合的内螺纹孔，使所述输送架套设在所述丝杆外，所述输送架的朝所述传样室的一侧开设有沿竖直方向间隔排布的若干个放样口，各放样口分别用于放置所述样品固定架。

按以上技术方案，所述传样机构为机械手臂，所述机械手臂包括第二减速电机、第一传动齿轮、第二传动齿轮、轴承底座、传动轴、轴承、第一气缸、第二气缸、底片、夹爪、及夹爪驱动气缸；所述第二减速电机由所述电控系统控制并固定在所述传样室的底部；所述第一传动齿轮水平设置且底部与所述第二减速电机的输出轴固定；所述轴承底座固定在所述传样室的底部；所述传动轴竖直设置且通过所述轴承固定在所述轴承底座上，所述传动轴的外周固定有与所述第一传动齿轮啮合的第二传动齿轮；所述第一气缸和所述第二气缸分别由所述电控系统控制，所述第一气缸竖直设置且所述第一气缸的缸体固定在所述传动轴的顶部，所述第二气缸水平设置且所述第二气缸的缸体固定在所述第一气缸的推杆的顶部；所述底片水平设置且固定在所述第二气缸的推杆的顶部；所述夹爪驱动气缸有两个且沿所述第二气缸的宽度方向相对设置，两个所述夹爪驱动气缸的缸体分别固定在所述底片上且分别由所述电控系统控制，所述夹爪有两个且一一对应地固定在两个所述夹爪驱动气缸的推杆的顶部，两个所述夹爪分别由两个所述夹爪驱动气缸驱动以夹紧或松开所述样品固定架的固定轴。

按以上技术方案，所述第一镀膜室内设置有离子源及溅射源，所述第一镀膜室内还设置有可对所述样品固定架180°翻面的第一翻转机构，可通过所述机械手臂将所述输送装置上的所述样品固定架转移到所述第一翻转机构上，使所述离子源对所述巴条一侧解理面进行清洗，所述溅射源对所述巴条一侧解理面镀制所述钝化膜，通过所述第一翻转机构对所述样品固定架翻面，使所述离子源对所述巴条另一侧解理面进行清洗，所述溅射源对所述巴条另一侧解理面镀制所述钝化膜；所述第二镀膜室内设置有蒸发源，所述第二镀膜室内还设置有可对所述样品固定架180°翻面的第二翻转机构，可通过所述机械手臂将所述第一翻转机构上的已清洗并镀制好钝化膜的所述样品固定架转移到所述第二翻转机构上，使所述蒸发源对所述巴条一侧钝化膜上镀制减反膜，通过所述第一翻转机构对所述样品固定架翻面，使所述蒸发源对所述巴条另一侧钝化膜上镀制高反膜。

按以上技术方案，所述第一翻转机构和所述第二翻转机构分别为可自动翻面的真空镀膜基片台，所述可自动翻面的真空镀膜基片台包括基片台及升降拨动杆组件；所述基片台水平设置且可转动，所述基片台开设有沿其周向间隔排布且靠近所述基片台的外边缘设置的若干个安装口，所述安装口包括安装口本体、第一限位槽、第二限位槽、及第三限位槽，所述安装口本体上下贯通且用于配合所述样品固定架的样品台设置，所述第一限位槽有两个且分设于所述安装口本体的宽度方向的两侧，两个所述第一限位槽分别位于所述基片台的上表面且用于配合所述样品固定架的限位轴设置，所述第二限位槽位于所述安装口本体的内侧且位于所述基片台的上表面，所述第二限位槽用于配合所述样品固定架的端轴设置，所述第三限位槽位于所述安装口本体的外侧且位于所述基片台的上表面，所述第三限位槽用于配合所述样品固定架的固定轴设置，可通过机械手臂将所述样品固定架放置在对应的安装口上；所述升降拨动杆组件拨动所述样品固定架的拨叉，可使所述样品固定架在安装口处翻转180°。

按以上技术方案，所述离子源固定在所述第一镀膜室内的底部，使对应所述基片台的各个所述安装口分别在所述基片台转动时可以对准所述离子源；所述溅射源固定在所述第一镀膜室内的底部，使对应所述基片台的各个所述安装口分别在所述基片台转动时可以对准所述溅射源。

按以上技术方案，所述蒸发源固定在所述第二镀膜室内的底部，使对应所述基片台的各个安装口分别在所述基片台转动时可以对准所述蒸发源。

对比现有技术，本发明的有益特点为：该镀膜设备，进样室、传样室、第一镀膜室、及第二镀膜室内分别为真空状态，进样室、第一镀膜室、及第二镀膜室分别与传样室通过传样狭缝阀门连通或隔断，避免加工的过程中巴条两侧的解理面再次氧化和污染；首先，通过输送装置将样品固定架移动到进样室内，然后，通过传样机构将输送装置上的样品固定架转移到第一镀膜室内，对各巴条两侧的解理面分别进行清洗并镀制钝化膜，再然后，通过传样机构将第一镀膜室内的样品固定架转移到第二镀膜室内，对各巴条一侧的解理面镀制减反膜、另一侧的解理面镀制高反膜，最后，通过传样机构将第二镀膜室内的样品固定架转移到输送装置上，并移出设备外，使对巴条镀制减反膜和高反膜前，去除解理面上的氧化层和污染层并对解理面进行镀制钝化膜，避免灾变性光学镜面损伤，保证半导体激光器芯片的质量，在第一镀膜室镀制钝化膜，在第二镀膜室镀制减反膜和高反膜，分开进行，保证了第一镀膜室内的洁净程度，有益于提高清洗质量和钝化膜镀制质量。

附图说明

图1为现有技术中半导体晶圆片截理成巴条的结构示意图；

图2为现有技术中巴条放置在样品固定架内的结构示意图；

图3为现有技术中芯片的结构示意图；

图4为本发明实施例中的一种镀膜设备的俯视图；

图5为本发明实施例中的一种镀膜设备的侧视图；

图6为本发明实施例中进样室内输送装置的结构示意图，其中输送架未移出进样室外；

图7为本发明实施例图6中局部a放大图；

图8为本发明实施例中进样室内输送装置的结构示意图，其中输送架移出进样室外；

图9为本发明实施例中机械手臂的结构示意图；

图10为本发明实施例中一种镀膜设备的剖视图，其中机械手臂在进样室内夹取样品固定架；

图11为本发明实施例图10中局部b放大图；

图12为本发明实施例中一种镀膜设备的剖视图，其中机械手臂将样品固定架放到第一镀膜室的基片台上；

图13为本发明实施例中一种镀膜设备的剖视图，其中机械手臂在第一镀膜室的基片台上夹取样品固定架；

图14为本发明实施例中一种镀膜设备的剖视图，其中机械手臂将样品固定架放到第二镀膜室的基片台上；

图15为本发明实施例中一种镀膜设备的剖视图，其中机械手臂将样品固定架放到进样室的输送装置上；

图16为本发明实施例中第一镀膜室内的设备的结构示意图；

图17为本发明实施例中第二镀膜室内的设备的结构示意图；

图18为本发明实施例中可自动翻面的真空镀膜基片台的局部示意图；

其中：1-半导体晶圆片（101-巴条（1011-芯片、101a-解理面、101b-减反膜、101c-高反膜、101d-钝化膜、101e-谐振腔））、2-进样室（201-输送装置（2011-第一减速电机、2012-丝杆、2013-输送架（20131-导向块、20132-内螺纹孔、20133-放样口）、2014-限位支架（20141-导向槽））、202-第一狭缝阀门、203-第二狭缝阀门、204-第一高真空泵、205-第二高真空泵）、3-传样室（301-机械手臂（30101-第二减速电机、30102-第一传动齿轮、30103-第二传动齿轮、30104-轴承底座、30105-传动轴、30106-轴承、30107-第一气缸（30107a-第一气缸的缸体、30107b-第一气缸的推杆）、30108-第二气缸（30108a-第二气缸的缸体、30108b-第二气缸的推杆）、30109-底片、30110-夹爪、30111-夹爪驱动气缸（30111a-夹爪驱动气缸的缸体、30111b-夹爪驱动气缸的推杆））、302-第三高真空泵）、4-第一镀膜室（401-离子源、402-溅射源、403-第三狭缝阀门、404-第四高真空泵）、5-第二镀膜室（501-蒸发源、503-第四狭缝阀门、504-第五高真空泵）、6-样品固定架（601-样品台、602-限位轴、603-端轴、604-固定轴、605-拨叉）、7-可自动翻面的真空镀膜基片台（701-基片台（7011-安装口（70111-安装口本体（70111a-安装口本体的内侧、70111b-安装口本体的外侧、x-安装口本体的宽度方向）、70112-第一限位槽、70113-第二限位槽、70114-第三限位槽、7011a-基片台的上表面））、702-升降拨动杆组件）、8-拓展室。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。

请参考图4至图18，本发明实施例一种镀膜设备，设备包括样品固定架6、进样室2、传样室3、第一镀膜室4、及第二镀膜室5，进样室2、传样室3、第一镀膜室4、及第二镀膜室5内分别为真空状态，进样室2、第一镀膜室4、及第二镀膜室5一一对应地设置在传样室3的三个侧边，进样室2、第一镀膜室4、及第二镀膜室5分别与传样室3之间通过传样狭缝阀门连通或隔断；人工将半导体晶圆片1解理好的若干个巴条101整齐堆叠并安装在专利号为cn202020558465.x中记载的样品固定架6的样品台601内，且使各巴条101两侧的解理面101a分别漏出；进样室2内设置有输送装置201，输送装置201能将若干个样品固定架6依次送入进样室2内或送出设备外；传样室3内设置有传样机构，传样机构能将输送装置201上的各样品固定架6依次转移到第一镀膜室4内和第二镀膜室内后再送回输送装置上；第一镀膜室4用于清洗各巴条101两侧的解理面101a并镀制钝化膜101d；第二镀膜室5用于在各巴条101一侧钝化膜101d上镀制减反膜101b、另一侧钝化膜101d上镀制高反膜101c，使对巴条101镀制减反膜101b和高反膜101c前，去除解理面101a上的氧化层和污染层并对解理面101a进行镀制钝化膜101d，使得巴条101两侧的解理面101a上的膜层足够致密，避免灾变性光学镜面损伤，保证半导体激光器芯片1011的质量。

优选地，传样室3的另一侧边还设置有拓展室8，用于放置其它增加功能的设备。

优选地，请参考图10至15，传样狭缝阀门有三个，分别为设置在传样室3与进样室2之间的第二狭缝阀门203，设置在传样室3与第一镀膜室4之间的第三狭缝阀门403，及设置在传样室3与第二镀膜室5之间的第四狭缝阀门503，避免加工的过程中对巴条101两侧的解理面101a再次氧化和污染。

优选地，请参考图4至5，进样室2内靠上的位置设置有第一高真空泵204，进样室2内靠下的位置设置有第二高真空泵205，传样室3内设置有第三高真空泵302，第一镀膜室4内设置有第四高真空泵404，第二镀膜室5内设置有第五高真空泵504，避免加工的过程中对巴条101两侧的解理面101a再次氧化和污染。

优选地，进样室2内还设置有第一空气传感器，若监测到有空气进入进样室2，第一高真空泵204和第二高真空泵205马上开始工作，直至进样室2为真空状态；传样室3内还设置有第二空气传感器，若监测到有空气进入传样室3，第三高真空泵302马上开始工作，直至传样室3为真空状态；第一镀膜室4内还设置有第三空气传感器，若监测到有空气进入第一镀膜室4，第四高真空泵404马上开始工作，直至第一镀膜室4为真空状态；第二镀膜室5内还设置有第四空气传感器，若监测到有空气进入第二镀膜室5，第五高真空泵504马上开始工作，直至第二镀膜室5为真空状态。

优选地，请参考图6至8，进样室2的上侧设置有连通内外的第一狭缝阀门202，输送装置201可带动样品固定架6向下移动将样品固定架6向下送入进样室2内，输送装置201可带动样品固定架6向上移动将样品固定架6向上送出进样室2外。

具体地，请参考图6至8，设备还包括电控系统；输送装置201包括第一减速电机2011、丝杆2012、输送架2013、及限位支架2014；限位支架2014有两个且相对设置，两个限位支架2014的内侧分别形成有竖直延伸的导向槽20141；第一减速电机2011由电控系统控制，第一减速电机2011固定在进样室2的底部且位于两个限位支架2014之间；丝杆2012竖直延伸且下端与第一减速电机2011的输出轴固定；输送架2013竖直延伸且设置在两个限位支架2014之间，输送架2013的两侧分别形成有与两个导向槽20141一一对应的导向块20131，输送架2013的中部开设有竖直延伸且与丝杆2012配合的内螺纹孔20132，使输送架2013套设在丝杆2012外，输送架2013的朝传样室3的一侧开设有沿竖直方向间隔排布的若干个放样口20133，各放样口20133分别用于放置样品固定架6。将样品固定架6送入进样室2内时，首先，打开第一狭缝阀门202，通过电控系统控制第一减速电机2011运行并驱动丝杆2012转动，使输送架2013向上移动，将安装有巴条101的若干个样品固定架6一一对应地放置在放样口20133内，然后，通过电控系统控制第一减速电机2011运行并驱动丝杆2012转动，使输送架2013向下移动，关闭第一狭缝阀门202，当位于最下侧的一个样品固定架6移动到位后，通过电控系统使第一减速电机2011停止运行，最后，打开第二狭缝阀门203，当最下侧的一个样品固定架6被传样机构传送到第一镀膜室4内后，通过电控系统控制第一减速电机2011运行并驱动丝杆2012转动，使输送架2013向下移动，当位于下侧的第二个样品固定架6移动到位后，通过电控系统使第一减速电机2011停止运行，反复操作，直至最上侧的样品固定架6被传样机构传送到第一镀膜室4内，通过电控系统使第一减速电机2011停止运行。将样品固定架6送出进样室2外时，首先，打开第二狭缝阀门203，通过传样机构将第二镀膜室5的样品固定架6放到最上侧的一个放样口20133内，传样机构移出进样室2后并继续从第二镀膜室5夹取样品固定架6，其次，通过电控系统控制第一减速电机2011运行并驱动丝杆2012转动，使输送架2013向上移动，当位于上侧的第二个放样口20133移动到位后，通过电控系统使第一减速电机2011停止运行，通过传样机构将样品固定架6放到上侧的第二个放样口20133内，反复操作，直至最下侧的放样口20133放置好样品固定架6，最后关闭第二狭缝阀门203并打开第一狭缝阀门202，通过电控系统控制第一减速电机2011运行并驱动丝杆2012转动，使输送架2013向上移动并取出样品固定架6。

优选地，请参考图9，传样机构为机械手臂301，机械手臂301包括第二减速电机30101、第一传动齿轮30102、第二传动齿轮30103、轴承底座30104、传动轴30105、轴承30106、第一气缸30107、第二气缸30108、底片30109、夹爪30110、及夹爪驱动气缸30111；第二减速电机30101由电控系统控制，第二减速电机30101固定在传样室3的底部；第一传动齿轮30102水平设置且底部与第二减速电机30101的输出轴固定；轴承底座30104固定在传样室3的底部；传动轴30105竖直设置且通过轴承30106固定在轴承底座30104上，传动轴30105的外周固定有与第一传动齿轮30102啮合的第二传动齿轮30103，通过电控系统控制第二减速电机30101转动，带动夹爪30110任意角度转动；第一气缸30107和第二气缸30108分别由电控系统控制，第一气缸30107竖直设置且第一气缸的缸体30107a固定在传动轴30105的顶部；第二气缸30108水平设置且第二气缸的缸体30108a固定在第一气缸的推杆30107b的顶部，通过电控系统控制第一气缸30107或第二气缸30108，带动夹爪30110沿上下方向移动或沿水平方向移动；底片30109水平设置且固定在第二气缸的推杆30108b的顶部，取放样品固定架6使，底板位于样品固定架6的固定轴604的下侧，避免样品固定架6掉落，夹爪驱动气缸30111有两个且沿第二气缸30108的宽度方向相对设置，两个夹爪驱动气缸的缸体30111a分别固定在底片30109上且分别由电控系统控制，夹爪30110有两个且一一对应地固定在两个夹爪驱动气缸的推杆30111b的顶部，两个夹爪30110分别由两个夹爪驱动气缸30111驱动以夹紧或松开样品固定架6的固定轴604。

具体地，第一气缸30107、第二气缸30108、及夹爪驱动气缸30111分别选用密闭性好的气缸，避免气缸漏气影响真空环境。

优选地，请参考图10至18，第一镀膜室4内设置有离子源401及溅射源402，第一镀膜室4内还设置有可对样品固定架6进行180°翻面的第一翻转机构，可通过机械手臂301将输送装置201上移动到位的样品固定架6依次转移到第一翻转机构上，使离子源401对巴条101一侧解理面101a进行清洗，溅射源402对巴条101一侧解理面101a镀制钝化膜101d，通过第一翻转机构对样品固定架6翻面，使离子源401对巴条101另一侧解理面101a进行清洗，溅射源402对巴条101另一侧解理面101a镀制钝化膜101d；通过第一翻转机构对样品固定架6翻面，使离子源401对巴条101另一侧解理面101a进行清洗并镀制钝化膜101d；第二镀膜室5内设置有蒸发源501，第二镀膜室5内还设置有可对样品固定架6进行180°翻面的第二翻转机构，可通过机械手臂301将第一翻转机构上的已清洗并镀制好钝化膜101d的样品固定架6转移到第二翻转机构上，使蒸发源501对巴条101一侧钝化膜101d镀制减反膜101b，通过第一翻转机构对样品固定架6翻面，使蒸发源501对巴条101另一侧钝化膜101d镀制高反膜101c。

具体地，请参考图10至18，第一翻转机构和第二翻转机构分别为专利号为cn202020558465.x中记载的可自动翻面的真空镀膜基片台7，可自动翻面的真空镀膜基片台7包括基片台701及升降拨动杆组件702；基片台701水平设置且可转动，基片台701开设有沿其周向间隔排布且靠近基片台701的外边缘设置的若干个安装口7011，安装口7011包括安装口本体70111、第一限位槽70112、第二限位槽70113、及第三限位槽70114，安装口本体70111上下贯通且用于配合样品固定架6的样品台601设置，第一限位槽70112有两个且分设于安装口本体的宽度方向x的两侧，两个第一限位槽70112分别位于基片台的上表面7011a且用于配合样品固定架6的限位轴602设置，第二限位槽70113位于安装口本体的内侧70111a且位于基片台的上表面7011a，第二限位槽70113用于配合样品固定架6的端轴603设置，第三限位槽70114位于安装口本体的外侧70111b且位于基片台的上表面7011a，第三限位槽70114用于配合样品固定架6的固定轴604设置，可通过机械手臂301将样品固定架6放置在对应的安装口7011上；升降拨动杆组件702拨动样品固定架6的拨叉605，可使样品固定架6在安装口7011处翻转180°。

优选地，请参考图16，离子源401固定在第一镀膜室4内的底部，使对应基片台701的各个安装口7011分别在基片台701转动时可以对准离子源401；溅射源402固定在第一镀膜室4内的底部，使对应基片台701的各个安装口7011分别在基片台701转动时可以对准溅射源402。首先，打开第三狭缝阀门403，通过机械手臂301将进样室2的样品固定架6依次放到第一镀膜室4内正在转动的基片台701上，当全部样品固定架6放好后，关闭第三狭缝阀门403，然后，通过离子源401对巴条101一侧解理面101a进行清洗，通过溅射源402对巴条101一侧解理面101a镀制钝化膜101d，通过升降拨动杆组件702翻转各个样品固定架6，再通过离子源401对巴条101另一侧的解理面101a进行清洗，通过溅射源402对巴条101另一侧的解理面101a镀制钝化膜101d。

具体地，请参考图17，蒸发源501固定在第二镀膜室5内的底部，使对应基片台701的各个安装口7011分别在基片台701转动时可以对准蒸发源501。首先，打开第四狭缝阀门503，通过机械手臂301将第一镀膜室4内的样品固定架6依次放到第二镀膜室5内正在转动的基片台701上，当全部样品固定架6放好后，关闭第四狭缝阀门503，然后，通过蒸发源501对巴条101一侧钝化膜101d镀制减反膜101b，最后，通过升降拨动杆组件702翻转各个样品固定架6，通过501对巴条101另一侧钝化膜101d镀制高反膜101c。

请参考图4至图18，本发明实施例一种镀膜设备，进样室2、传样室3、第一镀膜室4、及第二镀膜室5内分别为真空状态，避免加工的过程中巴条101两侧的解理面101a再次氧化和污染；首先，打开第一狭缝阀门202，通过输送装置201将样品固定架6移动到进样室2内，然后，关闭第一狭缝阀门202，打开第二狭缝阀门203和第三狭缝阀门403，通过机械手臂301将输送装置201上的样品固定架6转移到第一镀膜室4的基片台701上，再关闭第二狭缝阀门203和第三狭缝阀门403，中途通过升降拨动杆组件702翻转各个样品固定架6，使离子源401对各巴条101两侧的解理面101a分别进行清洗，溅射源402对各巴条101两侧的解理面101a分别镀制钝化膜101d；再然后，关闭第二狭缝阀门203，打开第三狭缝阀门403和第四狭缝阀门503，通过机械手臂301将第一镀膜腔内的样品固定架6转移到第二镀膜室5的基片台701上，再关闭第三狭缝阀门403和第四狭缝阀门503，中途通过升降拨动杆组件702翻转各个样品固定架6，使蒸发源501对各巴条101一侧的解理面101a分别镀制减反膜101b，蒸发源501对各巴条101另一侧的解理面101a分别镀制高反膜101c；最后，打开第四狭缝阀门503和第二狭缝阀门203，通过机械手臂301将第二镀膜室5内的样品固定架6转移到进样室2的输送装置201上，关闭第四狭缝阀门503和第二狭缝阀门203并打开第一狭缝阀门202，将样品固定架6送出进样室2外，使对巴条101镀制减反膜101b和高反膜101c前，去除解理面101a上的氧化层和污染层并对解理面101a进行镀制钝化膜101d，避免灾变性光学镜面损伤，保证半导体激光器芯片1011的质量，在第一镀膜室4镀制钝化膜101d，在第二镀膜室5镀制减反膜101b和高反膜101c，分开进行，保证了第一镀膜室4内的洁净程度，有益于提高清洗质量和钝化膜101d镀制质量。

以上内容是结合具体的实施方式对本发明所做的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明，对于本发明所属的技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。