气相沉积设备和气相沉积方法与流程

1.本发明的实施例涉及气相沉积设备和气相沉积方法。


背景技术：

2.有机发光二极管显示器使用有机发光二极管显示图像，有机发光二极管通过电子与空穴的复合产生光。有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器不需要单独的光源，因此可以减小厚度和重量。另外，有机发光二极管显示器表现出诸如低功耗、高亮度和高反应速度的高质量特性。
3.可以通过在基底上沉积诸如有机材料和氧化物的沉积材料以形成多个薄膜层来制造薄的有机发光二极管显示器。
4.用于在基底上沉积沉积材料的气相沉积设备将基底放置在载体上，并且在将载体带入到真空腔室中之后移动载体的同时执行沉积工艺。已经执行了沉积工艺的基底在大气压状态下与载体一起被搬出到外部，并且与载体分离开。另一基底放置在与已经进行了沉积工艺的基底分离开的载体上，并且然后被带回到真空腔室中，并且执行基底的沉积工艺。
5.搬运基底的载体继续使各部分在真空状态和大气压状态之间转变。可能发生在大气压状态下水分被吸附在载体上的现象。随着移动的数量的增加，吸附在载体的外部上的水分的量会不断地积累。积累在载体的外部上的水分在沉积工艺期间可能被等离子体分解成氧离子和氢离子，并且可能与沉积材料一起被沉积。这些现象可能导致不良的沉积以及沉积材料的特性变化。
6.在制造有机发光二极管显示器的工艺中，诸如氧化铟镓锌(igzo)和氧化铟锡(ito)的氧化物会沉积在基底上以形成半导体层或导电层。在诸如igzo和ito的氧化物的情况下，吸附在载体上的h2o可能在真空状态下重新进入并且在执行沉积工艺的同时被等离子体分解成h
+
、oh
‑
和o2‑
，并且然后与igzo或ito一起沉积。此时，由于氧离子通过离子键与氧化物结合，因此氧空位降低，从而增加了电阻。因此，有机发光二极管显示器的功能可能劣化。
7.在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并且因此，以上信息可能包含不形成在本国中对于本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

8.本发明要解决的技术问题在于提供防止水分吸附在载体上的气相沉积设备和气相沉积方法。
9.一种根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备，包括：载体，在所述载体上安置有基底；沉积腔室，在所述沉积腔室中执行用于将沉积材料沉积到所述基底的沉积工艺；第二腔室，在所述第二腔室中搬运所述载体，在所述载体上安置有完成了所述沉积工艺的所述基底；以及第一腔室，包括机械臂，所述机械臂在真空状态下将完成了所述沉积工艺的所述基底与所述载体分离开以从所述第二腔室传送到所述第一腔室，其中，所述第二腔室始
终保持真空状态。
10.所述气相沉积设备还可以包括：旋转腔室，处于真空状态，所述旋转腔室设置在所述沉积腔室与所述第二腔室之间，并且将所述载体插入到所述沉积腔室；第一连接部分，设置在所述旋转腔室与所述第二腔室之间，用于所述旋转腔室与所述第二腔室的打开/关闭；以及第二连接部分，设置在所述第一腔室与所述第二腔室之间，用于所述旋转腔室与所述第二腔室的打开/关闭。
11.所述第一腔室的内部可以变为真空状态或大气压状态，并且所述第二连接部分可以在所述第一腔室和所述第二腔室处于真空状态时被打开。
12.所述载体可以始终暴露于真空状态。
13.在所述第二连接部分被关闭的状态下，所述第一腔室可以变为大气压状态，并且所述第二腔室可以保持真空状态。
14.当所述第一腔室处于大气压状态时，所述机械臂可以将完成了所述沉积工艺的所述基底搬出所述第一腔室。
15.当所述第一腔室处于大气压状态时，所述机械臂可以将另一基底搬入到所述第一腔室，并且在所述另一基底被搬入到所述第一腔室之后，所述第一腔室可以变为真空状态。
16.所述第一腔室和所述第二腔室可以保持真空状态，并且所述机械臂可以将所述另一基底传送到所述第二腔室以安置在所述载体上。
17.所述气相沉积设备还可以包括：输送腔室，处于真空状态，所述输送腔室用于将所述载体输送到所述旋转腔室，在所述载体上安置有完成了所述沉积工艺的所述基底。
18.所述第二腔室可以用于将所述载体从第一状态旋转到第二状态，或者用于将所述载体从所述第二状态旋转到所述第一状态，并且所述第一状态可以是这样的状态，其中，所述载体的其上安置有所述基底的表面朝向与重力方向相反的方向，并且所述第二状态可以是这样的状态，其中，所述载体的其上安置有所述基底的所述表面朝向垂直于所述重力方向的方向。
19.一种根据本发明的另一示例性实施例的气相沉积设备，包括：第一腔室，变为真空状态或大气压状态，并且在所述第一腔室中搬运基底；第二腔室，在所述第二腔室中设置有用于传送所述基底的载体；沉积腔室，在所述沉积腔室中执行用于将沉积材料沉积到所述基底的沉积工艺；以及连接部分，设置在所述第一腔室与所述第二腔室之间并且用于所述第一腔室与所述第二腔室的打开/关闭，其中，所述第二腔室始终保持真空状态，并且所述连接部分仅在所述第一腔室和所述第二腔室处于真空状态时被打开。
20.在所述连接部分被关闭的状态下，所述第一腔室可以变为大气压状态，并且所述第二腔室保持真空状态。
21.所述第一腔室可以包括机械臂，所述机械臂用于将所述基底安置在所述载体上或将所述基底与所述载体分离开。
22.当所述第一腔室处于大气压状态时，所述机械臂可以将所述基底搬入到所述第一腔室；在将所述基底搬入到所述第一腔室之后，所述第一腔室可以变为真空状态；并且所述机械臂可以将所述基底从所述第一腔室传送到所述第二腔室以将所述基底安置在所述载体上。
23.当所述第一腔室处于真空状态时，所述机械臂可以将完成了所述沉积工艺的所述
基底与所述载体分离开以从所述第二腔室传送到所述第一腔室。
24.一种根据本发明的另一示例性实施例的气相沉积方法，包括：将基底搬入到处于大气压状态的第一腔室中；将所述第一腔室减压到真空状态；在真空状态下将所述基底安置在设置在第二腔室中的载体上；在真空状态下将其上安置有所述基底的所述载体传送到沉积腔室以执行沉积工艺；在真空状态下将完成了所述沉积工艺的所述基底传送到所述第二腔室；在真空状态下在所述第二腔室中将完成了所述沉积工艺的所述基底与所述载体分离开以在真空状态下传送到所述第一腔室；以及将所述第二腔室保持在真空状态并且从所述第一腔室搬出完成了所述沉积工艺的所述基底。
25.所述第二腔室可以始终保持真空状态
26.所述第一腔室的内部可以变为真空状态或大气压状态，并且所述第一腔室与所述第二腔室之间的连接部分可以在所述第一腔室和所述第二腔室处于真空状态时被打开。
27.所述载体可以始终暴露于真空状态。
28.所述气相沉积方法还可以包括：在将完成了所述沉积工艺的所述基底传送到所述第一腔室之后，将所述第一腔室加压到大气压状态。
29.通过防止水分吸附在载体上，可以防止不良的沉积或沉积材料的特性变化。具体地，可以通过防止水分吸附在载体上来解决在沉积工艺中增加诸如igzo和ito的氧化物的电阻的问题。
附图说明
30.图1是示出根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备的框图。
31.图2是更详细地示出图1的沉积腔室的框图。
32.图3是更详细地示出图1的输送腔室的框图。
33.图4是更详细地示出图1的横移腔室的框图。
34.图5a是更详细地示出图1的旋转腔室的框图，并且图5b是更详细地示出图1的第一腔室和第二腔室的框图。
35.图6是示出根据本发明的示例性实施例的气相沉积方法的流程图。
36.图7至图11是示出根据图6的气相沉积方法的第一腔室和第二腔室中的操作状态的框图。
37.图12是模拟通过使用根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备沉积在基底上的氧化物的电阻的曲线图。
38.图13是模拟根据比较示例的沉积在基底上的氧化物的电阻的曲线图。
具体实施方式
39.在下文中，将参照附图更全面地描述本发明的实施例，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
40.此外，在示例性实施例中，由于同样的附图标记指代具有相同的配置的同样的元件，因此代表性地描述了第一示例性实施例，并且在其它示例性实施例中，将仅描述与第一示例性实施例不同的配置。
41.因此，附图和描述将被认为在本质上是说明性的而不是限制性的，并且在整个说明书中，同样的附图标记指代同样的元件。
42.另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将被理解为隐含包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。
43.现在，参照图1至图5b描述根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备。
44.图1是示出根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备的框图。图2是更详细地示出图1的沉积腔室的框图。图3是更详细地示出图1的输送腔室的框图。图4是更详细地示出图1的横移腔室(traversechamber)的框图。图5a是更详细地示出图1的旋转腔室的框图，并且图5b是更详细地示出图1的第一腔室和第二腔室的框图。
45.图1至图5a在平面上示出了气相沉积设备10，并且图5b在侧面上示出了气相沉积设备10。“在平面上”可以指观察平行于第一方向d1和与第一方向d1交叉的第二方向d2的平面的情况，并且可以指示从顶部到底部观察气相沉积设备10的情况。“在侧面上”可以指观察与第三方向d3平行的平面的情况，并且可以指示从侧面观察气相沉积设备10的情况。第三方向d3可以垂直于第一方向d1和第二方向d2。
46.参照图1至图5b，气相沉积设备10包括沉积腔室110、输送腔室120、横移腔室130、旋转腔室140、搬出/搬入腔室以及传送单元300。搬出/搬入腔室包括第一腔室150和第二腔室160。
47.传送单元300用于传送基底s。传送单元300包括：载体310，在载体310上安置有基底s；以及传送构件321和322，输送载体310。传送构件321和322可以包括设置在沉积腔室110/中/内部的第一传送构件321和设置在输送腔室120/中/内部的第二传送构件322。
48.基底s可以是在诸如有机发光二极管显示器的显示装置中使用的显示基底。基底s可以包括诸如玻璃和塑料的材料。基底s可以是其中限定有用于多个显示装置的多个基底区域的母基底。然而，本发明不限于此，并且基底s可以是在一个显示装置中使用的显示基底。
49.沉积腔室110是其中执行沉积工艺的腔室。沉积腔室110可以是真空腔室。沉积腔室110可以包括多个单元腔室111。在图1和图2中，示出了四个单元腔室111，但是单元腔室111的数量不受限制。
50.第一连接部分201或第二连接部分202可以设置在邻近的腔室之间。第一连接部分201设置在处于真空状态的腔室之间，以打开和关闭每个腔室。第一连接部分201可以是打开/关闭闸门(shutter)。第二连接部分202设置在具有不同的大气压的相邻的腔室之间。当相邻的腔室中的一者处于真空状态且另一者处于大气压状态时，第二连接部分202用于将一个腔室保持在真空状态并且将另一腔室保持在大气压状态。第二连接部分202可以是包括阀的打开/关闭闸门。
51.第一连接部分201可以设置在沉积腔室110与横移腔室130之间、输送腔室120与横移腔室130之间、沉积腔室110与旋转腔室140之间、输送腔室120与旋转腔室140之间、旋转腔室140与第二腔室160之间以及多个单元腔室111之间。也就是说，沉积腔室110、输送腔室120、横移腔室130、旋转腔室140和第二腔室160可以各自是真空腔室。
52.第二连接部分202可以设置在第一腔室150与第二腔室160之间以及第一腔室150与基底s被搬入和搬出所在的外部之间。第一腔室150的内部可以变为大气压状态或真空状
态。
53.第一传送构件321在多个单元腔室111的布置方向上延伸。例如，多个单元腔室111可以在第一方向d1上布置，并且第一传送构件321可以在第一方向d1上延伸。载体310可以通过耦接到第一传送构件321而移动。载体310可以沿着第一传送构件321在从旋转腔室140朝向横移腔室130的方向上移动。作为沉积工艺的对象的基底s安置在载体310上。
54.多个单元腔室111中的每一者可以包括沉积源单元113。沉积源单元113可以将沉积材料排放到基底s侧，以将薄膜沉积在基底s的面对沉积源单元113的一个表面上。沉积材料可以包括用于形成诸如igzo和ito的氧化物的材料。沉积源单元113可以包括容纳沉积材料的坩埚、通过加热坩埚使沉积材料汽化的加热器、以及将所汽化的沉积材料排放到基底s侧的喷嘴。在下文中，基底s的其上沉积有薄膜的一个表面被称为基底s的沉积表面。
55.载体310可以使基底s站立以及移动基底s，使得基底s的沉积表面平行于重力的方向。沉积源单元113的喷嘴可以面对基底s的沉积表面，并且可以在垂直于重力方向的方向上排放沉积材料。换句话说，载体310可以使基底s的沉积表面在第三方向d3上站立以被移动。沉积源单元113的喷嘴可以在第二方向d2上朝向基底s的沉积表面排放沉积材料。
56.但是，本发明不限于此，并且载体310可以放置和移动基底s，使得基底s的沉积表面面向重力方向，并且沉积源单元113可以设置在基底s下方以面对基底s的沉积表面。
57.输送腔室120是将已经完成沉积工艺的基底s输送到旋转腔室140的腔室。输送腔室120可以是真空腔室。设置在输送腔室120/中/内部的第二传送构件322在从横移腔室130朝向旋转腔室140的方向上延伸。也就是说，第二传送构件322可以在第一方向d1上延伸。完成了沉积工艺的基底s被安装在载体310上，并且载体310可以通过耦接到第二传送构件322而被移动。载体310可以沿着第二传送构件322在从横移腔室130朝向旋转腔室140的方向上移动。
58.横移腔室130是设置在沉积腔室110与输送腔室120之间的腔室。例如，在实施例中，如图1中所示，横移腔室130可以设置在沉积腔室110和输送腔室120的一个端侧处。横移腔室130可以是真空腔室。横移腔室130通过一个第一连接部分201连接到沉积腔室110，并且通过另一个第一连接部分201连接到输送腔室120。横移腔室130从沉积腔室110搬入载体310，在载体310上安置有已经完成了沉积工艺的基底s。另外，横移腔室130可以将载体310从横移腔室130搬出到输送腔室120，在载体310上安置有完成了沉积工艺的基底s。横移腔室130可以包括将所搬入的载体310移动到输送腔室120侧的第一传送单元331。
59.另一方面，根据示例性实施例，可以省略横移腔室130。如果省略横移腔室130，则沉积腔室110和输送腔室120可以通过第一连接部分201直接连接。在沉积腔室110中，可以将其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310通过第一连接部分201直接传送到输送腔室120。
60.旋转腔室140用于将通过输送腔室120输送的载体310反复地插入到沉积腔室110中。旋转腔室140可以设置在沉积腔室110与第二腔室160之间以及输送腔室120与第二腔室160之间。旋转腔室140可以是真空腔室。旋转腔室140从输送腔室120搬入其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310，并且然后将载体310从旋转腔室140搬出到第二腔室160。另外，旋转腔室140可以搬入其上安置有新的基底s的载体310，并且然后可以将载体310移动到沉积腔室110以从旋转腔室140搬出到沉积腔室110。旋转腔室140可以包括第二传送单元
332，第二传送单元332将其上安置有新的基底s的载体310移动到沉积腔室110侧。
61.第二腔室160通过第一连接部分201连接到旋转腔室140。例如，如图5b中所示，第二腔室160用于将其上安置有基底s的载体310从第一状态st1旋转到第二状态st2，并且用于将其上安置有基底s的载体310从第二状态st2旋转到第一状态st1。第二腔室160可以是真空腔室。第一状态st1是这样的状态：其中，载体310的其上安置有基底s的表面朝向与重力方向相反的方向，并且基底s安置在载体310上使得基底s的沉积表面朝向与重力方向相反的方向。第一状态st1可以处于其中基底s的沉积表面平行于第一方向d1和第二方向d2的状态，或者处于其中基底s的沉积表面朝向第三方向d3的状态。第二状态st2是这样的状态：其中，载体310的其上安置有基底s的表面朝向垂直于重力方向的方向，并且基底s安置在载体310上使得基底s的沉积表面朝向垂直于重力方向的方向。第二状态st2可以处于其中基底s的沉积表面平行于第三方向d3的状态。
62.第一状态st1可以处于用于在载体310上安装或分离基底s的状态。第二状态st2可以处于竖立基底s以继续进行沉积工艺的状态。第二腔室160可以使载体310在第一状态st1与第二状态st2之间旋转90度。第二腔室160是使载体310旋转的摆动腔室。
63.第一腔室150通过第二连接部分202连接到第二腔室160。第一腔室150可以包括机械臂155，机械臂155将已经完成了沉积工艺的基底s与载体310分离开并且在载体310上设置新的基底s。第一腔室150可以被称为包括机械臂155的机械腔室。第一腔室150可以将内部变为真空状态或大气压状态。
64.当第一腔室150处于真空状态时，第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202被打开，并且第一腔室150和第二腔室160可以保持真空状态。机械臂155可以在真空状态下将完成了沉积工艺的基底s与载体310分离开，以将基底s从第二腔室160传送到第一腔室150。
65.在第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202被关闭的状态下，第一腔室150变为大气压状态，并且第二腔室160保持真空状态。当第一腔室150处于大气压状态时，连通到外部的第二连接部分202被打开，并且机械臂155可以将已经完成了沉积工艺的基底s从第一腔室150搬出到外部。
66.机械臂155可以将新的基底s从外部搬入到第一腔室150中。在新的基底s被搬入到第一腔室150中之后，第一腔室150变为真空状态。当第一腔室150处于真空状态时，第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202可以被打开，并且第一腔室150和第二腔室160可以保持真空状态。机械臂155可以在真空状态下将新的基底s传送到第二腔室160，以将新的基底s安放在处于第一状态st1的载体310上。
67.如上所述，载体310始终设置在处于真空状态的腔室内部，并且不暴露于大气压状态。也就是说，载体310始终暴露于真空状态。因此，可以防止当载体310暴露于大气压状态时水分被吸附在载体310上的现象。可以解决在沉积工艺中吸附在载体310上的水分增大诸如igzo和ito的氧化物的电阻的问题。
68.接下来，参照上面描述的图6至图11连同图1至图5b，描述使用气相沉积设备10的气相沉积方法。
69.图6是示出根据本发明的示例性实施例的气相沉积方法的流程图。图7至图11是示出根据图6的气相沉积方法的第一腔室和第二腔室中的操作状态的框图。图7至图11表示在
侧面上观察的气相沉积设备10(参见图1)中的第一腔室150和第二腔室160。
70.参照图6至图11，气相沉积设备10(参见图1)继续进行搬入步骤以搬入外部基底s。图7至图11表示用于将基底s搬入到包括第一腔室150和第二腔室160的搬出/搬入腔室的步骤。
71.如图7中所示，当第一腔室150处于大气压状态时，将外部与第一腔室150之间的第二连接部分202打开。机械臂155准备抬起在外部准备的基底s，并且准备将基底s传送到第一腔室150。
72.机械臂155将在外部准备的基底s搬入到第一腔室150。也就是说，机械臂155在大气压状态下将基底s搬入到第一腔室150(s11)。在用于将在外部准备的基底s搬入到第一腔室150中的步骤期间，第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202处于关闭状态，并且第二腔室160保持真空状态。
73.如图8中所示，在将基底s搬入到第一腔室150内部之后，将外部与第一腔室150之间的第二连接部分202关闭，并且第一腔室150变成真空状态。也就是说，在将基底s搬入到第一腔室150中之后，将第一腔室150减压到真空状态(s12)。
74.如图9中所示，将第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202打开，并且机械臂155在真空状态下将基底s从第一腔室150传送到第二腔室160(s13)。第一腔室150和第二腔室160保持真空状态。
75.如图10中所示，将第二腔室160中的载体310设置为使得载体310的其上安置有基底s的表面朝向与重力方向相反的方向。在真空状态下将基底s安置在位于第二腔室160中的载体310上(s14)。第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202处于关闭状态，第二腔室160与旋转腔室140(参见图1)之间的第一连接部分201处于关闭状态，并且第二腔室160处于真空状态。
76.如图5b和图11中所示，第二腔室160中的其上安置有基底s的载体310从第一状态st1旋转到第二状态st2。
77.这样，在通过第一腔室150和第二腔室160装载基底s的步骤期间，将载体310放置于真空状态中而不暴露于大气压状态。
78.参照图1至图5b，在执行通过第一腔室150和第二腔室160装载基底s的步骤之后，执行将沉积材料沉积在基底s上的沉积工艺。
79.对于沉积工艺，将其上安置有基底s的载体310通过处于真空状态的旋转腔室140传送到沉积腔室110(s15)。
80.将其上安置有基底s的载体310搬入到沉积腔室110中，并且在沉积腔室110中对安置在载体310上的基底s执行沉积工艺(s16)。当其上安置有基底s的载体310移动到被包括在沉积腔室110中的处于真空状态的多个单元腔室111时，执行沉积工艺。在每个单元腔室111中执行沉积工艺的同时，设置在单元腔室111之间的第一连接部分201保持关闭状态，使得沉积材料可以不在单元腔室111之间混合。当其上安置有基底s的载体310沿着第一传送构件321移动时，第一连接部分201被打开。在真空状态下将其上安置有在沉积腔室110中完成了沉积工艺的基底s的载体310传送到横移腔室130。
81.横移腔室130在真空状态下将其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310传送到输送腔室120(s17)。当在气相沉积设备10中省略横移腔室130时，其上安置有在沉积腔室
110中完成了沉积工艺的基底s的载体310可以从沉积腔室110直接传送到输送腔室120。
82.在真空状态下将其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310传送到第二腔室160(s18)。设置在输送腔室120与第二腔室160之间的旋转腔室140可以将其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310传送到第二腔室160。
83.如果将其上安置有完成了沉积工艺的基底s的载体310传送到第二腔室160，则执行基底s的搬出步骤。用于搬出基底s的步骤可以以与图7至图11中示出的用于搬入基底s的步骤相反的顺序进行。
84.也就是说，如图11中所示，将处于第二状态st2的其上安置有基底s的载体310传送到第二腔室160。另外，如图10中所示，在第二腔室160中，将处于第二状态st2的载体310旋转到第一状态st1。
85.此外，如图9中所示，在第一腔室150和第二腔室160保持真空状态的状态下，第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202被打开，并且机械臂155将基底s与载体310分离开。机械臂155将基底s从第二腔室160传送到第一腔室150(s19)。
86.此外，如图8中所示，将第一腔室150与第二腔室160之间的第二连接部分202关闭，并且第二腔室160保持真空状态。
87.另外，如图7中所示，在第二腔室160保持为真空状态的状态下，在利用大气压对第一腔室150加压之后，将第一腔室150与外部之间的第二连接部分202打开，并且将基底s从第一腔室150搬出到外部(s20)。
88.如上所述，在执行通过第一腔室150和第二腔室160将基底s搬出的步骤的同时，将载体310放置于真空状态中而不暴露于大气压状态。
89.图12是模拟通过使用根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备沉积在基底上的氧化物的电阻的曲线图。
90.参照图1、图7和图12，为了通过使用根据本发明的示例性实施例的气相沉积设备10将载体310始终设置在处于真空状态的腔室内部，当在沉积工艺中反复地搬运载体310时沉积在基底s上的氧化物的电阻被测量，以作为模拟结果。即使沉积的数量增加，也可以确认氧化物的电阻几乎均匀地分布。
91.图13是模拟根据比较示例的沉积在基底上的氧化物的电阻的曲线图。
92.参照图13，为了在大气压状态下将基底安置在载体上，当在沉积工艺中反复地搬运载体时沉积在基底上的氧化物的电阻被测量，以作为模拟结果。即使沉积的数量增加，也可以确认氧化物的电阻增加。为了将氧化物的电阻保持在特定水平以下，必须周期性地置换载体，并且在这种情况下，沉积工艺所需的时间和成本会增加。
93.提供以上参照附图的详细描述，以帮助对由权利要求及其等同物所限定的本发明的示例性实施例的全面理解。所述详细描述包括各种具体细节以帮助这种全面理解，但是这些细节将仅被视为是示例性的。因此，本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以进行对本文中所描述的实施例的各种改变和修改。因此，本发明的范围应当仅根据所附权利要求及其等同物来确定。
94.<符号的说明>
95.10：气相沉积设备 110：沉积腔室
96.120：输送腔室 130：横移腔室
97.140：旋转腔室 150：第一腔室
98.160：第二腔室 201：第一连接部分
99.202：第二连接部分 310：载体
100.s：基底