技术特征：
1.一种用于处理基板的处理模块，所述处理模块包括：多个台，每个台配置为容纳基板；以及包封所述台的壳体，所述壳体包括底部、顶板以及从所述底部延伸到所述顶板的侧壁，其中，如在截面侧视图中可见，所述顶板的形状限定了向上延伸的凸起。2.如权利要求1所述的处理模块，其中所述壳体还包括刚性结构，其设置在所述顶板上方并跨越所述顶板，所述刚性结构包括附接到所述顶板的提升机构，用于维持所述凸起的向上延伸。3.如权利要求2所述的处理模块，其中所述提升机构是可调节的，以调节所述凸起的高度。4.如权利要求3所述的处理模块，其中所述提升机构包括螺纹杆，其附接到所述顶板的对应的螺纹部分，其中所述凸起的顶点的高度通过所述杆和所述顶板的对应的螺纹部分的相对旋转而是可调节的。5.如权利要求2所述的处理模块，其中所述刚性结构包括刚性梁。6.如权利要求2所述的处理模块，其中所述顶板是盖组件，其包括对应于所述多个台的多个盖，且其中所述刚性结构在成对的盖之间延伸。7.如权利要求1所述的处理模块，其中多个盖设置在所述台中的相应台上方，其中所述多个盖不平行于所述相应台。8.如权利要求7所述的处理模块，其中所述台的总数和所述盖的数量均为四个，其中所述台和所述盖均布置为2
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2矩阵。9.如权利要求1所述的处理模块，其中所述凸起的顶点在比所述顶板的外围高0.2毫米至4毫米的范围内凸出。10.如权利要求1所述的处理模块，其中所述壳体的底部向外延伸以形成凸形形状。11.一种用于处理基板的处理模块，包括：一个或多个台，每个台配置为容纳基板；包封所述一个或多个台的壳体，所述壳体包括底部、顶板以及从所述底部延伸到盖组件的侧壁；以及设置在所述顶板上方的刚性结构，所述刚性结构包括可调节的提升机构，其附接到所述顶板，用于改变所述顶板的形状。12.如权利要求11所述的处理模块，其中所述刚性结构包括梁，其在所述顶板上方延伸并跨越所述顶板。13.如权利要求11所述的处理模块，其中所述提升机构包括：外螺纹；以及内螺纹，配置为与所述外螺纹联接且可相对于所述外螺纹旋转，其中所述外螺纹和内螺纹中的一个附接到所述刚性结构，且所述外螺纹和内螺纹中的另一个附接到所述顶板。14.如权利要求11所述的处理模块，其中所述台的数量和所述盖的数量为四个，并且其中所述台和所述盖均布置为2
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2矩阵，且所述刚性结构设置在两排两个盖之间。15.如权利要求11所述的处理模块，其中，如在俯视图中可见，所述提升机构在所述顶板的偏心点处附接到所述顶板。
16.一种半导体处理系统，包括：传送室；附接到所述传送室的一个或多个处理模块，所述一个或多个处理模块各自包括：多个台，每个台配置为容纳基板；包封所述一个或多个台的壳体，所述壳体包括：底部；顶板；门，可通向所述传送室；以及侧壁，其与所述门相对且从所述底部延伸到所述顶板，其中，如在截面侧视图中可见，所述顶板具有凸形形状，其中所述凸形形状具有顶点，其更靠近与所述门相对的所述侧壁，而不是可打开的门。17.如权利要求16所述的处理模块，其中每个台具有相应盖，其中所述顶板是盖组件，其中当在所述台上处理所述基板时，所述凸形形状可变为扁平形状，在所述扁平形状中，所述盖平行于所述相应台。18.如权利要求16所述的处理模块，还包括刚性结构，其具有提升机构以用于调节所述顶板的形状。19.如权利要求18所述的处理模块,其中所述提升机构包括：外螺纹；以及内螺纹，配置为与所述外螺纹联接且可相对于所述外螺纹旋转，其中所述外螺纹和内螺纹中的一个附接到所述刚性结构，且所述外螺纹和内螺纹中的另一个附接到所述顶板。20.一种处理半导体基板的方法，所述方法包括：提供半导体处理模块，所述半导体处理模块包括：包封多个台的壳体，多个台用于容纳多个半导体基板以进行处理，所述壳体包括底部、顶板以及从所述底部延伸到所述顶板的侧壁，其中所述盖组件包括多个盖，每个盖对应于所述多个台中的一个；以及刚性结构，设置在所述顶板上方，所述刚性结构包括可调节的提升机构，其附接到所述顶板，以用于改变所述顶板的形状；确定半导体工艺的工艺温度和工艺压力中的一者或两者；以及基于所述工艺温度和工艺压力中的一者或两者，利用所述提升机构调节所述顶板的形状。21.如权利要求20所述的方法，其中利用所述提升机构调节所述顶板的形状包括基于所述工艺温度和工艺压力两者改变所述顶板的形状。22.如权利要求21所述的方法，其中利用所述提升机构调节所述顶板的形状包括增加顶板的附接到提升机构的一部分的高度。23.如权利要求20所述的方法，还包括将所述多个台加热到所述工艺温度并将所述多个台抽空到所述工艺压力。24.如权利要求23所述的方法，还包括在所述多个台中后续处理多个半导体基板。25.如权利要求24所述的方法，其中将所述多个台加热到所述工艺温度并将所述多个
台抽空到所述工艺压力，使所述顶板的形状的向上偏转变平。26.如权利要求25所述的方法，其中，在处理半导体基板期间，所述盖平行于所述台。27.如权利要求24所述的方法，其中处理半导体基板包括处理lcd面板。
技术总结
真空处理模块具有预成型的顶板和/或成型为向外凸起的底部。顶板和/或处理模块的形状抵消了在处理模块中处理基板时由真空压力和/或高温引起的变形。处理模块具有可通向传送室的侧面和与可打开侧面相对的侧面。凸起可以是不对称的，凸起的顶峰在顶板上偏心并且更靠近相对的侧面而不是可打开侧面。刚性结构可以安装在顶板上以调节顶板中的凸起的大小。梁可以是刚性梁，其具有可调节的提升机构，以提升顶板的附接部分。处理模块可以容纳多个基板以进行处理，每个基板在处理模块中占用专用的台。每个基板在处理模块中占用专用的台。每个基板在处理模块中占用专用的台。
技术研发人员：森幸博
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/12/30