技术特征：
1.一种半导体设备用6系铝合金板材，其含有al和不可避免的杂质，其特征在于，其还含有质量百分含量如下的下述各化学元素：si：0.5-0.7％，fe：0.001-0.3％，cu：0.2-0.35％，mn：0.02-0.15％，mg：0.9-1.1％，cr：0.15-0.3％，ti：0.01-0.03％；其还满足mn/fe：0.3-0.8。2.如权利要求1所述的半导体设备用6系铝合金板材，其特征在于，其各化学元素质量百分含量为：si：0.5-0.7％，fe：0.001-0.3％，cu：0.2-0.35％，mn：0.02-0.15％，mg：0.9-1.1％，cr：0.15-0.3％，ti：0.01-0.03％；余量为al和其他不可避免的杂质；其还满足mn/fe：0.3-0.8。3.如权利要求1或2所述的半导体设备用6系铝合金板材，其特征在于，其微观组织不具有mg2si相和针状的βalfesi相，其微观组织具有均匀细小弥散分布的αalfesi相。4.如权利要求3所述的半导体设备用6系铝合金板材，其特征在于，所述αalfesi相的相尺寸小于15μm。5.如权利要求1或2所述的半导体设备用6系铝合金板材，其特征在于，其厚度为50-250mm。6.如权利要求1或2所述的半导体设备用6系铝合金板材，其特征在于，其进行阳极氧化后的耐腐蚀时长＞4h，其进行阳极氧化后的耐击穿电压≥640v/mil。7.如权利要求1-6中任意一项所述的半导体设备用6系铝合金板材的制造方法，其特征在于，其包括步骤：(1)熔炼和铸造；(2)两阶段均匀化热处理：第一阶段，室温进入均热炉，随炉升温至520-540℃保温2-6h，控制均热炉内空气温度的升温速率为30-100℃/h；第二阶段，再升温至565-575℃保温15-30h，达到保温时间后铸锭出炉空气冷却；(3)加热；(4)轧制；(5)固溶热处理；(6)时效热处理。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步骤(3)中，加热温度为400-500℃，加热时间为1-30h。9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步骤(3)中，在加热前，先进行铣面以去除表面氧化皮。10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步骤(5)中，加热至520-550℃保温，保温结束后进行喷淋式淬火冷却。11.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在步骤(6)中，时效热处理温度为170-190℃，保温8-16h，保温结束后室温自然冷却。
技术总结
本发明公开了一种半导体设备用6系铝合金板材，其含有Al和不可避免的杂质，其还含有质量百分含量如下的下述各化学元素：Si：0.5-0.7％，Fe：0.001-0.3％，Cu：0.2-0.35％，Mn：0.02-0.15％，Mg：0.9-1.1％，Cr：0.15-0.3％，Ti：0.01-0.03％；其还满足Mn/Fe：0.3-0.8。此外，本发明还公开了上述半导体设备用6系铝合金板材的制造方法，其包括步骤：(1)熔炼和铸造；(2)两阶段均匀化热处理：第一阶段，室温进入均热炉，随炉升温至520-540℃保温2-6h，控制均热炉内空气温度的升温速率为30-100℃/h；第二阶段，再升温至565-575℃保温15-30h，达到保温时间后铸锭出炉空气冷却；(3)加热；(4)轧制；(5)固溶热处理；(6)时效热处理。(6)时效热处理。(6)时效热处理。
技术研发人员：刘莹颖 曾渝 杨庚辰 刘俊涛 杨兵
受保护的技术使用者：宝山钢铁股份有限公司
技术研发日：2021.07.28
技术公布日：2023/2/2