1.本发明涉及金属材料表面处理领域，特别是应用在半导体行业中哈氏合金材料抛光方法。
背景技术：
2.目前，应用在半导体行业的前驱体容器大多采用不锈钢材料制成，但是由于不锈钢材质的容器容易析出杂质元素、不耐腐蚀等缺点，哈氏合金材质的包装容器在耐腐蚀及不易析出杂质元素等方面相比不锈钢材质更胜一筹，使得哈氏合金材质的容器越来越多的被应用于半导体行业。用于包装前驱体材料的包装容器对内表面的镜面要求越来越高以满足内部较高的洁净度。这就需要对容器的内表面进行抛光处理，达到洁净的要求。目前对不锈钢材料的抛光技术研究较多基本上能够实现镜面抛光，但是由于哈氏合金材料特殊的性能使得通过一般的抛光方法还不足以达到半导体要求粗糙度效果，应用在半导体上的哈氏合金材料抛光成为亟待解决的问题。
技术实现要素：
3.为解决上述技术问题，提供一种新型哈氏合金材料抛光方法，本发明可以快速达到抛光效果，提升抛光效率，并且抛光方法简单可靠。
4.本发明的技术方案如下：
5.一种哈氏合金材料抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.s1、将哈氏合金材料部件固定安装在治具中，保证在抛光过程中不晃动、不脱落。
7.s2、在抛光机上用100#百叶轮对哈氏合金材料的表面进行粗抛处理，去除材料表面的氧化皮、划痕、毛刺表面缺陷；
8.s3、使用p240
‑
p800尼龙轮对上述步骤s2抛光后的材料进行中抛处理，去除上一步骤中的粗纹路；
9.s4、用麻轮对上述步骤s3抛光后的材料进一步精抛处理，抛光过程中需不断向抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏，去除上一步骤中的产生的细小纹路以及深度清除抛光表面残留的砂眼或砂印，进一步清除工件表面上的细微不平；
10.s5、换成羊毛轮对上述步骤s4抛光后的材料进行进一步镜抛处理，抛光过程中需不断向羊毛轮上涂覆颗粒度较小的二氧化硅抛光膏，增加抛光面的亮度，使其具有更高的光泽；
11.s6、将上述步骤s5抛光后的哈氏合金材料部件浸泡在除蜡剂溶液中10min，浸泡时间结束后取出哈氏合金材料部件用清水清洗干净，并用酒精擦拭其表面，并用干燥压缩空气吹干，以除去表面残留水分。
12.进一步的，所述步骤s2中粗抛时转速为200
‑
300r/min。
13.进一步的，所述步骤s3中抛光时转速为200
‑
300r/min。
14.进一步的，所述步骤s4抛光时转速为100
‑
150r/min。
15.进一步的，所述步骤s5抛光时转速为60
‑
120r/min。
16.进一步的，所述步骤s6中用于浸泡哈氏合金材料部件的除蜡剂溶液温度为50
‑
80℃。
17.进一步的，按重量分数计，所述氧化铝抛光膏包括以下组分：氧化铝微粉20
‑
30份，二氯异氰酸钠3
‑
5份、丙烯乙二醇2
‑
5份、硬脂酸3
‑
6份、磷酸1
‑
2份、表面活性剂2
‑
6份、石蜡3
‑
8份、水40
‑
60份。
18.进一步的，按重量分数计，所述二氧化硅抛光膏包括以下组分：氧化铝微粉20
‑
30份，二氯异氰酸钠3
‑
5份、丙烯乙二醇2
‑
5份、硬脂酸3
‑
6份、表面活性剂2
‑
6份、石蜡3
‑
8份、水40
‑
60份。
19.借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
20.(1)采用本发明的抛光方法可以对应用于半导体行业的哈氏合金材料达到粗糙度要求，使材料表面无任何抛光纹路残留，为表面洁净度提供可能，并且抛光后材料表面粗糙度ra≤0.04μm。
21.(2)采用本发明的抛光方法，成本低、操作简单，可以实现对哈氏合金材料的快速抛光，缩短抛光时间，进而大大提高哈氏合金材料的抛光效率。
22.(3)本发明工艺对哈氏合金材料的部品初始粗超度没有严格要求，不需要对哈氏合金材料进行前处理就可以进行抛光操作。
23.(4)本发明工艺中使用除蜡剂除蜡彻底、除油污能力强，对哈氏合金材料无腐蚀、清洗后部件不变色等优点。
24.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并详细说明如后。
具体实施方式
25.下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
26.实施例1
27.一种哈氏合金材料抛光方法，将哈氏合金材料部件稳固安装在相应治具中，先用100#的百叶轮进行粗抛，粗抛转速200r/min；更换抛光轮为p240的尼龙轮进一步中抛，抛光时转速200r/min；再次更换抛光轮为麻轮进行精抛，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏，抛光转速100r/min；氧化铝抛光膏由氧化铝微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、磷酸1份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；更换抛光轮为羊毛轮进行镜面抛光，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆二氧化硅抛光膏，抛光转速60r/min；二氧化硅抛光膏由二氧化硅微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；将哈氏合金材料部件浸泡在除蜡剂中10min，浸泡后取出哈氏合金材料用清水清洗干净，并用酒精擦拭其表面，并用干燥压缩空气吹干，得到抛光好的哈氏合金材料部件。
28.实施例2
29.一种哈氏合金材料抛光方法，将哈氏合金材料部件稳固安装在相应治具中，先用100#的百叶轮进行粗抛，粗抛转速250r/min；更换抛光轮为p500的尼龙轮进一步中抛，抛光
时转速250r/min；再次更换抛光轮为麻轮进行精抛，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏，抛光转速125r/min；氧化铝抛光膏由氧化铝微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、磷酸1份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；更换抛光轮为羊毛轮进行镜面抛光，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆二氧化硅抛光膏，抛光转速80r/min；二氧化硅抛光膏由二氧化硅微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；将哈氏合金材料部件浸泡在除蜡剂中10min，浸泡后取出哈氏合金材料用清水清洗干净，并用酒精擦拭其表面，并用干燥压缩空气吹干，得到抛光好的哈氏合金材料部件。
30.实施例3
31.一种哈氏合金材料抛光方法，将哈氏合金材料部件稳固安装在相应治具中，先用100#的百叶轮进行粗抛，粗抛转速300r/min；更换抛光轮为p800的尼龙轮进一步中抛，抛光时转速300r/min；再次更换抛光轮为麻轮进行精抛，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆氧化铝抛光膏，抛光转速150r/min；氧化铝抛光膏由氧化铝微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、磷酸1份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；更换抛光轮为羊毛轮进行镜面抛光，抛光过程中在抛光轮上均匀涂覆二氧化硅抛光膏，抛光转速120r/min；二氧化硅抛光膏由二氧化硅微粉20份，二氯异氰酸钠3份、丙烯乙二醇2份、硬脂酸3份、表面活性剂2份、石蜡3份、水60份均匀搅拌制得；将哈氏合金材料部件浸泡在除蜡剂中10min，浸泡后取出哈氏合金材料用清水清洗干净，并用酒精擦拭其表面，并用干燥压缩空气吹干，得到抛光好的哈氏合金材料部件。
32.实施例4
33.实施例4与实施例1相比区别在于氧化铝抛光液由氧化铝微粉30份，二氯异氰酸钠5份、丙烯乙二醇5份、硬脂酸6份、磷酸2份、表面活性剂6份、石蜡8份、水40份均匀搅拌制得；二氧化硅抛光膏由二氧化硅微粉30份，二氯异氰酸钠5份、丙烯乙二醇5份、硬脂酸6份、表面活性剂6份、石蜡8份、水40份均匀搅拌制得。
34.实施例5
35.实施例5与实施例1相比区别在于氧化铝抛光液由氧化铝微粉25份，二氯异氰酸钠4份、丙烯乙二醇3.5份、硬脂酸4.5份、磷酸1.5份、表面活性剂4份、石蜡5.5份、水50份均匀搅拌制得；二氧化硅抛光膏由二氧化硅微粉25份，二氯异氰酸钠4份、丙烯乙二醇3.5份、硬脂酸4.5份、表面活性剂4份、石蜡5.5份、水50份均匀搅拌制得。
36.抛光后检测数据：
37.序号表面粗糙度ra(μm)实施例10.029实施例20.035实施例30.033实施例40.038实施例50.026
38.本发明至少具有以下优点：
39.(1)采用本发明的抛光方法可以对应用于半导体行业的哈氏合金材料达到粗糙度要求，使材料表面无任何抛光纹路残留，为表面洁净度提供可能，并且抛光后材料表面粗糙
度ra≤0.04μm。
40.(2)采用本发明的抛光方法，成本低、操作简单，可以实现对哈氏合金材料的快速抛光，缩短抛光时间，进而大大提高哈氏合金材料的抛光效率。
41.(3)本发明工艺对哈氏合金材料的部品初始粗超度没有严格要求，不需要对哈氏合金材料进行前处理就可以进行抛光操作。
42.(4)本发明工艺中使用除蜡剂除蜡彻底、除油污能力强，对哈氏合金材料无腐蚀、清洗后部件不变色等优点。
43.以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。