技术特征：
1.一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜，其特征在于，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。2.根据权利要求1所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜，其特征在于，下层材料薄膜和上层材料薄膜为：c、ag或pb，上下两层薄膜材料在生长过程发生嵌套式结构。3.根据权利要求1所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜，其特征在于，基底为si、al、ag、cu、au、fe、co、ni或铝合金镀银基片。4.一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜的制备方法，其特征在于，基于权利要求1至3任意一项所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜，包括以下步骤：步骤1：清洗基底；步骤2：将清洗后的基底固定在磁控溅射的托盘上，送入磁控溅射腔内，抽真空至5*10
‑4pa以下；步骤3：在氩气氛围下生长下层材料薄膜；步骤4：生长完下层材料薄膜后，继续生长上层材料薄膜。5.根据权利要求4所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜的制备方法，其特征在于，基底清洗：对基底利用异丙醇和去离子水进行表面清洗，用n2吹干。6.根据权利要求4所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜的制备方法，其特征在于，基底的固定方式为用kapton胶带固定。7.根据权利要求4所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，给腔内通氩气，氩气压强为1pa，氩气流量为25sccm，用10w的功率生长下层材料薄膜，生长20s。8.根据权利要求4所述的一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中，将功率提高至60w，继续用60w的功率生长上层材料薄膜，生长20s。
技术总结
一种含有嵌套的微陷阱结构的薄膜及其制备方法，包括下层材料薄膜、上层材料薄膜和基底；下层材料薄膜设置在基底上，上层材料薄膜设置在下层材料薄膜上；下层材料薄膜原子间隙小于上层材料薄膜的原子间隙，下层材料薄膜的原子间隙嵌套进上层材料薄膜的原子间隙，形成嵌套的微陷阱结构。本发明利用磁控溅射技术生长具有嵌套的微陷阱结构的薄膜，通过控制溅射功率进而形成上下两层密度不同的薄膜，下层薄膜溅射功率小，材料密度大，原子间距小，原子间存在小空隙；而上层薄膜溅射功率大，材料密度小，原子间距较大，原子之间存在大空隙，上下两层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。层的大小空隙组成嵌套的微陷阱结构。
技术研发人员：胡忠强 赵亚楠 朱媛媛 刘明 何鋆 胡天存 张毅 崔万照
受保护的技术使用者：西安空间无线电技术研究所
技术研发日：2021.09.02
技术公布日：2021/12/3