半导体设备的遮挡组件及反应腔室的制作方法

1.本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体设备的遮挡组件及反应腔室。


背景技术：

2.物理气相沉积(physical vapor deposition，简称pvd)工艺可以在晶圆上沉积薄膜。现有的通过磁控溅射的方式在晶圆上沉积薄膜，是通过使反应腔室内的反应气体电离形成等离子体，并吸引等离子体轰击靶材，使靶材的金属原子逸出靶材，以借助逸出的金属原子在反应腔室内扩散，对晶圆进行轰击，从而在晶圆上沉积薄膜。
3.为了避免逸出的金属原子扩散至反应腔室的内壁以及设置在反应腔室内用于承载晶圆的承载部件上，污染反应腔室的内壁以及承载部件，还需要在反应腔室内设置遮挡组件对反应腔室的内壁及承载部件进行遮挡。遮挡组件可以包括呈环状的内衬(shield)、压环(coverring)和沉积环(dep-ring)，其中，内衬设置在反应腔室内周壁的内侧，用于遮挡反应腔室的内周壁，沉积环设置在承载部件的环形边缘，用于遮挡承载部件的环形边缘，压环能够抵接在内衬或沉积环上，用于遮挡内衬与沉积环之间的间隙，避免逸出的金属原子穿过内衬与沉积环之间的间隙，扩散至承载部件的下方，对反应腔室的底壁造成污染。
4.但是，逸出的金属原子在反应腔室内扩散轰击晶圆的同时，也会轰击压环，而压环与内衬和沉积环的接触面积均较小，无法实现有效的散热，使得压环在持续进行工艺的过程中会积累大量热量，而压环积累的热量又会向晶圆辐射，使得在工艺过程中，靠近压环的晶圆的边缘的温度要明显高于远离压环的晶圆的中心的温度，造成晶圆在工艺过程中的温度不均匀，导致在晶圆上制备的薄膜的均匀性较差。


技术实现要素：

5.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备的遮挡组件及反应腔室，一方面能够提高晶圆在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性；另一方面可以提高遮挡组件的单次工作时长，进而提高产能。
6.为实现本发明的目的而提供一种半导体设备的遮挡组件，设置于反应腔室内，所述遮挡组件包括第一环体和第二环体，所述第一环体用于环绕在所述反应腔室中的承载部件的外周壁上；所述第二环体可活动的设置于所述反应腔室中的内衬上，且所述第二环体位于所述第一环体的上方，所述第一环体和所述第二环体可选择性的分离或者抵接，所述第一环体与所述第二环体相互抵接的两个表面上分别设置有能够相互配合的热交换结构，用于在所述第一环体和所述第二环体抵接时，将所述第二环体上的热量传递向所述第一环体。
7.可选的，所述热交换结构包括分别设置于所述第一环体和所述第二环体相对的表面处均间隔设置的凹部和凸部，所述第一环体支撑所述第二环体时，所述第一环体和所述第二环体中一者的所述凹部和另一者的所述凸部互相配合形成弯折的通道，用以加大所述
第一环体和所述第二环体的热交换面积。
8.可选的，所述第一环体上设置有多个第一凹部和多个第一凸部，多个所述第一凹部和多个所述第一凸部分别呈环状沿径向间隔且同心设置；
9.所述第二环体上设置有多个第二凹部和多个第二凸部；多个所述第二凹部和多个所述第二凸部分别与多个所述第一凸部和多个所述第一凹部配合。
10.可选的，所述第一环体上设置有多个第一凹部和多个第一凸部，多个所述第一凹部和多个所述第一凸部在同一周向上间隔且均匀分布；
11.所述第二环体上设置有多个第二凹部和多个第二凸部；多个所述第二凹部和多个所述第二凸部分别与多个所述第一凸部和多个所述第一凹部配合。
12.可选的，所述热交换结构还包括吸热结构，所述吸热结构设置于所述第一环体上且位于所述第一环体的与所述第二环体相对的表面上，用以吸收所述第二环体的热量。
13.可选的，所述吸热结构为吸热层，所述吸热层的表面具有多个均匀分布的微孔，且所述微孔的半径小于相邻的两个所述微孔的孔间距，且所述孔间距小于所述第二环体的热辐射产生的电磁波的波长，且所述波长小于所述微孔的孔深。
14.可选的，所述微孔的轴线与相对应的所述第一环体的表面垂直。
15.可选的，所述吸热层包括阳极氧化铝涂层。
16.可选的，所述第一环体设有定位部和支撑部；所述第一环体支撑所述第二环体时，所述支撑部用以支撑所述第二环体，所述定位部用以定位所述第二环体。
17.可选的，所述定位部包括定位凸部，所述定位凸部用于插入所述第二环体的定位凹槽中，且所述定位凸部和所述定位凹槽具有相对应的倾斜侧壁。
18.本发明还提供一种反应腔室，所述反应腔室包括：腔体、承载部件、内衬和遮挡组件，所述承载部件可升降的设置在所述腔体内，用于承载晶圆，所述内衬设置于所述腔体内，且位于所述承载部件上方，所述遮挡组件为本发明提供的所述遮挡组件。
19.本发明具有以下有益效果：
20.本发明提供的半导体设备的遮挡组件，借助分别设置在第一环体与第二环体相互抵接的两个表面上的能够相互配合的热交换结构，在第一环体与第二环体抵接时，将第二环体上的热量传递向第一环体，使第二环体的热量能够通过热交换结构传递向第一环体，而由于第一环体环绕在承载部件的外周壁上，第一环体的热量能够传递向承载部件，从而可以减缓第二环体在持续进行半导体工艺的过程中积累大量的热量，避免第二环体温度显著升高并向晶圆辐射热量而使晶圆的边缘温度明显高于晶圆中心温度的问题，一方面通过提高晶圆在半导体工艺中的温度均匀性，进而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性；另一方面在保证均匀性的前提下，也可以提高遮挡组件的单次工作时长，进而提高产能。
21.本发明提供的反应腔室，借助本发明提供的半导体设备的遮挡组件，能够提高晶圆在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。
附图说明
22.图1为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件及承载部件的结构示意图；
23.图2为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件及具有冷却结构的承载部件的结构示意图；
24.图3为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件的结构示意图；
25.图4为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件具有吸热结构的结构示意图；
26.图5为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件的吸热结构的结构示意图；
27.图6为本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件的微孔内电磁波反射的示意图；
28.图7为一种半导体设备的结构示意图；
29.附图标记说明：
30.11-第一环体；12-第二环体；131-第一凸部；132-第二凸部；133-第一凹部；134-第二凹部；14-吸热结构；15-微孔；16-吸热层；171-支撑部；181-定位部；182-倾斜侧壁；2-反应腔室；21-腔体；22-承载部件；23-冷却结构；24-磁发生装置；25-靶材；26-冷却腔体；27-内衬；28-压环；29-沉积环；3-晶圆。
具体实施方式
31.为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体设备的遮挡组件及反应腔室进行详细描述。
32.如图1和图7所示，本发明实施例提供一种半导体设备的遮挡组件，设置于反应腔室内，遮挡组件包括第一环体11和第二环体12，第一环体11用于环绕在反应腔室中的承载部件22的外周壁上，第二环体12可活动的设置于反应腔室中的内衬27上，且第二环体12位于第一环体11的上方，第一环体11和第二环体12可选择性的分离或者抵接，第一环体11与第二环体12相互抵接的两个表面上分别设置有能够相互配合的热交换结构，用于在第二环体12和第一环体11抵接时，将第二环体12上的热量传递向第一环体11。
33.本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件，借助分别设置在第一环体11与第二环体12相互抵接的两个表面上的能够相互配合的热交换结构，在第一环体11与第二环体12抵接时，将第二环体12上的热量传递向第一环体11，使第二环体12的热量能够通过热交换结构传递向第一环体11，而由于第一环体11环绕在承载部件22的外周壁上，因此，第一环体11的热量能够传递向承载部件22，这样在半导体工艺中，可以减缓第二环体12在持续进行半导体工艺的过程中积累大量的热量，避免因第二环体12温度显著升高并向晶圆3辐射热量而使晶圆3的温度分布不均匀的问题。通过降低晶圆3的边缘与远离第二环体12的晶圆3的中心的温差，可以提高晶圆在半导体工艺中的温度均匀性，进而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。
34.对于本技术背景技术提出的均匀性差的问题，也可以通过延长第二环体12的冷却时间来解决，即在每次沉积薄膜之后，为第二环体12提供较长的冷却时间，使第二环体12在每次沉积薄膜之后能够有较长的时间进行充分散热，但是，这样就会导致相同的时间内能够沉积的薄膜的数量减少，造成工作效率以及产能的下降。
35.而本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件，是借助分别设置在第一环体11与第二环体12相互抵接的两个表面上的能够相互配合的热交换结构，在第一环体11与第二环体12抵接时相配合，将第二环体12上的热量传递向第一环体11，使第二环体12的热量能够通过热交换结构传递向第一环体11，这样在沉积薄膜之后，即使第二环体12未能够得到较长的冷却时间，第二环体12也能够得到有效的散热，从而能够在保证晶圆3沉积薄膜均匀性
的前提下进一步提高产能。
36.可选的，第一环体11可以包括沉积环(dep-ring)。
37.可选的，第二环体12可以包括压环(cover ring)。
38.可选的，承载部件22可以包括基座和/或静电卡盘(electrostatic chuck，简称esc)，静电卡盘可以设置在基座上。
39.如图2所述，可选的，承载部件22中可以设置有冷却结构23，以提高第一环体11与承载部件22之间的热交换效率，从而提高第二环体12与第一环体11的热交换效率，继而能够进一步提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，进而进一步提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。
40.可选的，冷却结构23可以包括冷却通道，冷却通道用于流通冷却流体。
41.如图3所示，在本发明一优选实施例中，热交换结构可以包括分别设置于第一环体11和第二环体12相对的表面处均间隔设置的凹部和凸部，第一环体11支撑第二环体12时，第一环体11和第二环体12中一者的凹部和另一者的凸部互相配合形成弯折的通道，用于加大第一环体11和第二环体12的热交换面积。
42.需要说明的是，本技术优选第一环体11的凹部与第二环体12的凸部，以及第一环体11的凸部与第二环体12的凹部具有相似的形状，以使形成的弯折通道的高度尽量保持一致。但是本技术实施例并不限定凹部和凸部的具体形状，可以是一端具有缺口的长圆形、矩形或三角形，但不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
43.如图3所示，在本发明一优选实施例中，第一环体11的与第二环体12相对的表面上设置有多个第一凹部133和多个第一凸部131，且各第一凹部133和各第一凸部131均呈环状，且多个第一凹部和多个第一凸部131沿径向间隔且同心设置；第二环体12的与第一环体11相对的表面上可以设置有多个第二凹部134和第二凸部132，借助多个第二凹部134分别与多个第一凸部131配合，以及多个第二凸部132分别与多个第一凹部133配合形成弯折的通道，以此可以加大第一环体11和第二环体12的热交换面积，使第二环体12的热量能够通过第二凹部134和第二凸部132更多的传递向第一凹部133和第一凸部131。
44.通过使各第一凹部133和各第一凸部131均呈环状，且多个第一凸部131和多个第一凸部131同心设置，可以使第二环体12上积累的热量能够均匀的传递向第一环体11，这样在半导体工艺中，就可以使第二环体12积累的热量均匀的降低，从而在半导体工艺过程中，就可以使靠近第二环体12的晶圆3的边缘的温度均匀，并使靠近第二环体12的晶圆3的边缘与远离第二环体12的晶圆3的中心的温差在晶圆3的周向均匀且进一步降低，继而能够进一步提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，进而进一步提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。优选的，各第二凹部134和各第二凸部132也可以均呈环状，且多个第二凸部132和多个第二凸部132也可以沿径向间隔且同心设置。
45.在本发明另一优选实施例中，第一环体11的与第二环体12相对的表面上设置有多个第一凹部133和多个第一凸部131，多个第一凹部133和多个第一凸部131在同一周向上间隔且均匀分布，第二环体12的与第一环体11相对的表面上可以设置有多个第二凹部134和第二凸部132，在第一环体11支撑第二环体12时，借助多个第二凹部134分别与多个第一凸部131配合，以及多个第二凸部132分别与多个第一凹部133配合形成弯折的通道，也可以加大第一环体11和第二环体12的热交换面积，使第二环体12的热量能够通过第二凹部134和
第二凸部132更多的传递向第一凹部133和第一凸部131，继而使第二环体12的热量能够通过第一凹部133和第一凸部131更多的传递向第一环体11。
46.通过使多个第一凹部133和多个第一凸部131在同一周向上均匀分布，可以使第二环体12上积累的热量能够均匀的传递向第一环体11，这样在半导体工艺中，也可以使第二环体12积累的热量均匀的降低，从而在半导体工艺过程中，也可以使靠近第二环体12的晶圆3的边缘的温度均匀，并使靠近第二环体12的晶圆3的边缘与远离第二环体12的晶圆3的中心的温差在晶圆3的周向均匀且进一步降低，继而能够进一步提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，进而进一步提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。优选的，多个第二凹部134和多个第二凸部132也可以在同一周向上间隔且均匀分布。
47.需要说明的是，本技术实施例并不限定，第一凸部131和第一凹部133以及第二凸部132和第二凹部134的具体的配合方式，例如可以是在不同半径的圆周上采用以上两种实施例相配合的方式。因此本技术实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
48.如图4所示，在本发明一优选实施例中，热交换结构可以还包括吸热结构14，吸热结构14可以设置于第一环体11上且位于第一环体11的与第二环体12相对的表面上，用以吸收第二环体12的热量，从而进一步提高第二环体12散热的速度，减缓了第二环体12的热量累积，在提高晶圆3温度的均匀性的同时，还可以减少第二环体12降温所需的时间，进而提高半导体工艺的效率以及产能。
49.如图4所示，可选的，吸热结构14可以设置于第一环体11的凹部的与第二环体12的凸部相对的表面上，以及第一环体11的凸部的与第二环体12的凹部相对的表面上，也就是说吸热结构14位于第一环体11和第二环体12的凹部和凸部互相配合形成弯折的通道内，可以吸收第二环体12的凸部传递向第一环体11的凹部的热量，以及自第二环体12的凹部传递向的第一环体11的凸部的热量，这些热量会传递至承载部件22而被带走，进一步减缓了第二环体12的热量累积。
50.如图5所示，在本发明一优选实施例中，吸热结构14可以为吸热层16，吸热层16的表面具有多个均匀分布的微孔15，且微孔15的半径小于相邻的两个微孔15的孔间距，且孔间距小于第二环体12的热辐射产生的电磁波的波长，且波长小于微孔15的孔深。
51.如图5和图6所示，多个微孔15在吸热层16的表面均匀分布，即，相邻的两个微孔15的孔间距相等，例如，微孔15的半径为a，相邻的两个微孔15的孔间距为b，第二环体12的热辐射产生的电磁波的波长为λ，微孔15的孔深为h，若满足a＜b＜λ＜h，热辐射产生的电磁波入射到微孔15均会有折射损失，也就是说第二环体12热辐射产生的大部分能量被限制在微孔15中，最终被承载部件22带走。
52.这样的设计是由于在半导体工艺的真空环境中，第二环体12的热量会以电磁波的形式辐射出来，实现第二环体12与第一环体11之间的热传递，而通过使微孔15的半径小于相邻的两个微孔15的孔间距，且使相邻的两个微孔15的孔间距小于第二环体12的热辐射产生的电磁波的波长，且使第二环体12的热辐射产生的电磁波的波长小于微孔15的孔深，可以使微孔15对第二环体12的热辐射产生的电磁波具有一定的选择吸收性，例如，第二环体12的热辐射产生的电磁波的波长为属于红外光的波长范围，通过使微孔15的半径小于相邻的两个微孔15的孔间距，且使相邻的两个微孔15的孔间距小于红外光的波长，且使微孔15
的孔深大于红外光的波长，则如图6所示，红外光在进入微孔15内后需要经过多次反射才有可能离开微孔15，而每次入射的红外光都会有折射损失，因此大部分能量都会被限制在微孔15内，无法离微孔15，可以降低红外线传递回第二环体12的能量，从而实现微孔15对第二环体12的热量进行吸收。
53.如图4所示，可选的，吸热层16可以设置于第一环体11上且位于第一环体11的与第二环体12相对的表面上。可选的，吸热层16可以设置于第一环体11的凹部的与第二环体12的凸部相对的表面上，以及第一环体11的的凸部的与第二环体12的凹部相对的表面上。优选的，吸热层16与第二环体12相对的表面之间保留间隙，防止第二环体12与第一环体11抵接时，第二环体12对吸热层16产生破坏，从而影响吸热效果，并且还能避免反应腔室污染。
54.如图5所示，可选的，多个微孔15可以呈行列分布，且在列方向上的相邻的两个微孔15的的孔间距与在行方向上的相邻的两个微孔15的的孔间距相等。在此种情况下，在列方向上的相邻的两个微孔15的的孔间距，以及在行方向上的相邻的两个微孔15的的孔间距均为b。
55.可选的，微孔15的半径可以为20纳米(nm)-50纳米。
56.在本发明一优选实施例中，微孔15的轴线可以与相对应的第一环体11的表面垂直。这样可以增加进入微孔15内的电磁波以及其在微孔15内的反射次数，从而增加微孔15对热量的吸收效果。
57.例如，设置于第一环体11的凹部的与第二环体12的凸部相对的表面上的吸热层16的表面的微孔15的轴线，可以与该吸热层16所处的第一环体11的凹部的与第二环体12的凸部相对的表面垂直。
58.如图4所示，在本发明一优选实施例中，吸热层16可以包括阳极氧化铝涂层(anodic aluminum oxide，简称aao)。
59.第一环体11的材质可以为铝，通过阳极氧化工艺可以在第一环体11的与第二环体12相对的表面上形成具有均匀排列且垂直表面的纳米级微孔的阳极氧化铝涂层。
60.如图1所示，在本发明一优选实施例中，第一环体11设有定位部181和支撑部171；第一环体11支撑第二环体12时，支撑部171用以支撑第二环体12，定位部181用以定位第二环体12。
61.在第一环体11设有定位部181，以借助定位部181在第一环体11支撑第二环体12时定位第二环体12，这是由于在工艺前第二环体12是搭接在内衬27上，第二环体12设置在位于低位的承载部件22的外周壁上，并可随承载部件22上下运动，工艺时，承载部件22带动晶圆3和第一环体11上升至高位时，第一环体11与第二环体12抵接，此时第二环体12脱离内衬27。所以第一环体11和第二环体12在分离时可能处于不同心状态，这样当第一环体11与第二环体12由分离转变为抵接时，可能会出现偏心的情况，而借助定位部181在第一环体11支撑第二环体12时定位第二环体12，可以使第二环体12与第一环体11抵接时处于同心的状态。
62.如图1所示，在本发明一优选实施例中，定位部181可以包括定位凸部，定位凸部用于插入第二环体12的定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽具有相对应的倾斜侧壁182。
63.也即是说，第二环体12设置有定位凹槽，第一环体11支撑第二环体12时，定位凸部插入定位凹槽中，且定位凸部具有倾斜侧壁182，定位凹槽也具有倾斜侧壁182，且定位凸部
的倾斜侧壁182与定位凹槽的倾斜侧壁182相对应，这样当第一环体11与第二环体12由分离转变为抵接时，定位凸部插入至定位凹槽中，若第一环体11与第二环体12处于偏心的状态，则定位凸部的倾斜侧壁182会与定位凹槽的与定位凸部相对应的倾斜侧壁182相抵，使第一环体11与第二环体12产生相对位移，从而可以改变第一环体11与第二环体12的相对位置，从而能够对第一环体11与第二环体12的相对位置进行定位，使第一环体11与第二环体12处于同心的状态。
64.需要说明的是，第一环体11和第二环体12中的凹部和凸部也可以直接接触，也就是说第一环体11的多个第一凸部131和/或第一凹部133同时起到对第二环体12支撑和定位的作用，依然可以使第二环体12的热量能够通过凸部和凹部传递向第一环体11。但是，工艺过程中第一环体11和第二环体12需要重复支撑配合，如果凸部和凹部直接面接触，多次摩擦会产生较多的颗粒，污染反应腔室环境。
65.本发明实施例还提供一种反应腔室，反应腔室包括：腔体21、承载部件22、内衬27和遮挡组件，承载部件22可升降的设置在腔体21内，用于承载晶圆3，内衬27设置于腔体21内，且位于承载部件22的上方，遮挡组件为如本发明实施例提供的遮挡组件。
66.本发明实施例提供的反应腔室，借助本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件，能够提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性，并且还能提高产能。
67.本发明实施例提供的反应腔室在进行半导体工艺的过程中，首先，承载部件22可以在腔体21内下降至低位，此时，第一环体11环绕在承载部件22的外周壁上，第二环体12抵接在内衬27上，第一环体11与第二环体12分离，随后，晶圆3被传送至腔体21内，并被置于承载部件22上，之后，承载部件22承载晶圆3上升至高位，在承载部件22上升至高位的过程中，第一环体11随承载部件22上升，并从抵接在内衬27上的第二环体12的下方与第二环体12抵接，且将第二环体12托起，使第二环体12与内衬27分离，之后，可以进行半导体工艺，在半导体工艺结束后，承载部件22承载晶圆3下降至低位，在承载部件22承载晶圆3下降至低位的过程中，首先，第一环体11随承载部件22下降，第二环体12会首先随承载部件22下降，在第二环体12随承载部件22下降的过程中，会从内衬27的上方与内衬27抵接，随后，第二环体12不再随承载部件22下降，而是抵接在内衬27上，之后，第一环体11继续随承载部件22下降，第二环体12抵接在内衬27上与第一环体11分离，在承载部件22承载晶圆3下降至低位后，承载于承载部件22上的晶圆3可以被取走。
68.如图7所示，一种利用磁控溅射的方式进行物理气相沉积工艺的反应腔室2包括磁发生装置24、靶材25、冷却腔体26、腔体21、承载部件22、内衬27、压环28和沉积环29，其中，靶材25设置在腔体21的顶部，冷却腔体26设置在腔体21的顶部，并与靶材25之间形成一冷却空间，冷却空间中储有冷却液，用于对靶材25进行冷却，磁发生装置24设置在靶材25的上方，用于产生磁场，承载部件22设置在腔体21内，用于承载晶圆3，内衬27设置在腔体21内周壁的内侧，用于遮挡腔体21的内周壁，沉积环29设置在承载部件22的外周壁上，用于遮挡承载部件22的外周壁，压环28能够抵接在内衬27或沉积环29上，用于遮挡内衬27与沉积环29之间的间隙。在利用磁控溅射的方式进行物理气相沉积工艺的过程中，晶圆3承载于承载部件22上，承载部件22上升使沉积环29与压环28抵接，并将压环28托起与内衬27分离，电源向靶材25施加偏压，使通入至腔体21内的氩气电离产生等离子体，靶材25的偏压及磁发生装
置24产生的磁场能够吸引氩离子轰击靶材25，使靶材25的金属原子逸出靶材25，逸出的金属原子在腔体21内扩散并沉积在晶圆3上，从而在晶圆3上沉积薄膜，之后，承载部件22下降使压环28抵接在内衬27上，使压环28与沉积环29分离。
69.借助本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件的第一环体11作为沉积环29，第二环体12作为压环28分别对承载部件22的边缘及外侧进行遮挡，能够提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。
70.综上所述，本发明实施例提供的半导体设备的遮挡组件及反应腔室能够提高晶圆3在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高半导体工艺制备的薄膜的均匀性。
71.可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。