一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法与流程

1.本发明实施例涉及半导体芯片溅镀的技术领域，尤其涉及一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法。


背景技术：

2.半导体芯片，作为计算机、手机等电子设备的重要组成部件，是一种内部含有集成电路、体积较小的硅片结构。半导体芯片多为立方体结构，在制作过程中需要对半导体芯片除底面以外的其余五个表面进行溅镀金属薄膜，从而达到屏蔽电磁信号的效果。
3.在对半导体芯片进行局部溅镀时，由于除底面以外的其余五个表面的部分区域设计有快插接头、小芯片、散热器等原因不能做溅镀，需要在溅镀前将该类器件保护起来，对半导体芯片进行局部溅镀。
4.现有的溅镀方法通常为整体溅镀，局部溅镀工艺通常容易损伤产品，溅镀过程也比较复杂。
5.图1为现有技术中的整体溅镀的半导体芯片产品结构示意图。如图1所示，在对该产品进行溅镀时，该溅镀方法只适用于整体溅镀，无法满足局部溅镀需求。
6.图2为现有技术中的局部溅镀的半导体芯片产品结构示意图。如图2所示，对该产品进行局部溅镀时，使用胶水涂抹在芯片表面以达到局部溅镀的效果，利用点胶的方式进行局部溅镀时，存在如下缺点：1)、涂胶需要价格昂贵的专用点胶机，点胶精度和胶水外溢等问题极难控制，出现不安全溅镀、产品污染等问题；2)、利用点胶的方式进行局部溅镀时，只适用于半导体芯片产品均为单颗产品时的溅镀，并且存在多个产品时，每个单颗产品之间或单颗产品与框架之间的连接不牢固的情况下，若受轻微外力，每个单颗产品之间或单颗产品与框架之间极易发生形变或断裂。
7.图3为现有技术中的又一种局部溅镀的半导体芯片产品结构示意图。如图3所示，对该产品进行局部溅镀时，使用物理掩膜方式以达到局部溅镀的效果，利用物理掩膜的方式进行局部溅镀时，存在如下缺点：1)、使用物理掩膜方式进行局部溅镀时，在溅镀前，需要由人工操作将掩膜需要的每个托盘安装到载具上，并用螺丝进行固定，待溅镀完成后再拆下固定螺丝并取下掩膜，存在较繁琐的人工操作，并且在掩膜使用一段时间后极易出现变形、损坏等问题；2)、利用物理掩膜的方式进行局部溅镀时，只适用于半导体芯片产品均为单颗产品时的溅镀，并且存在多个产品时，每个单颗产品之间或单颗产品与框架之间的连接不牢固的情况下，若受轻微外力，每个单颗产品之间或单颗产品与框架之间极易发生形变或断裂。


技术实现要素：

8.本发明实施例提供了一种半导体芯片产品及其局部溅镀治具、局部溅镀方法，保证热解保护层在不受力的情况下从半导体芯片产品上完全脱离，避免半导体芯片产品出现溅镀不完全和胶水滞留的情况。
9.第一方面，本发明实施例提供了一种半导体芯片产品的局部溅镀治具，包括：
10.载具，用于承载和固定半导体芯片产品，所述半导体芯片产品包括多颗半导体芯片，所述半导体芯片设置有至少一个保护对象；
11.热解保护层，用于贴附在所述半导体芯片产品背离所述载具的一面，且至少覆盖所述半导体芯片产品上的保护对象；
12.压板，用于压合所述热解保护层层与所述半导体芯片产品粘结。
13.可选地，所述局部溅镀治具还包括热解双面胶层，所述热解双面胶层用于贴附在所述载具的第一表面，还用于将半导体芯片产品粘结固定在所述载具上，且在预设温度范围内发生热解。
14.可选地，所述热解保护层和所述热解双面胶层均包括依次层叠的黏接层、缓冲层以及热解胶层；
15.所述热解保护层中，所述缓冲层和所述黏接层依次层叠于所述热解胶层背离所述半导体芯片产品的一侧；
16.所述热解双面胶层中，所述缓冲层和所述热解胶层依次层叠于所述黏接层背离所述载具的一侧。
17.可选地，所述热解保护层朝向所述半导体芯片产品的一侧表面设置有容置槽，所述热解保护层贴附在所述半导体芯片产品背离所述载具的一面，所述半导体芯片产品上的所述保护对象容置于所述容置槽。
18.可选地，所述容置槽的侧壁与所述保护对象的侧壁的距离为第一预设距离，所述第一预设距离大于或等于0.1mm。
19.可选地，所述容置槽的底部与所述保护对象的顶部的距离为第二预设距离，所述第二预设距离大于或等于0.4mm。
20.可选地，所述热解保护层包括依次层叠的黏接层、缓冲层以及热解胶层；所述热解保护层中，所述缓冲层和所述黏接层依次层叠于所述热解胶层背离所述半导体芯片产品的一侧；
21.所述缓冲层的厚度与所述保护对象的高度差大于或等于0.4mm。
22.可选地，所述黏接层为聚酰亚胺胶层，所述缓冲层为泡棉胶层。
23.可选地，所述半导体芯片包括保护区和溅镀区，所述保护对象位于所述保护区；
24.所述压板包括多个凸起结构，多个所述凸起结构对应位于多个所述半导体芯片的所述保护区。
25.可选地，所述凸起结构的顶部设置有凹槽结构，所述凹槽结构用于覆盖所述保护对象。
26.可选地，所述半导体芯片还设置有至少一个溅镀对象，在垂直所述半导体芯片所在平面的方向上，所述溅镀对象的高度值为h1，在垂直所述压板所在平面的方向上，所述凸起结构的高度值为h2，h2＞h1。
27.可选地，δh＝h2-h1，δh≥0.2mm。
28.可选地，所述预设温度范围为150℃-180℃。
29.第二方面，本发明实施例还提供了一种半导体芯片产品，采用上述第一方面中所述的半导体芯片产品的局部溅镀治具进行溅镀，所述半导体芯片产品包括：
30.印刷电路板；
31.多个半导体芯片，位于所述印刷电路板上；所述半导体芯片包括溅镀区和保护区，所述半导体芯片上设置有至少一个保护对象，所述保护对象位于所述保护区；
32.边框，与所述印刷电路板边缘固定连接，且与所述印刷电路板所在平面垂直；
33.多个第一连接杆，两端分别固定连接所述边框和所述半导体芯片。
34.可选地，还包括多个第二连接杆；所述第二连接杆的两端固定连接相邻的两个所述半导体芯片。
35.可选地，所述第一连接杆的径向尺寸小于或等于所述半导体芯片周长的十分之一。
36.可选地，所述半导体芯片还设置有至少一个溅镀对象；在垂直所述半导体芯片所在平面的方向上，所述溅镀对象与所述保护对象的高度差大于或等于0.5mm。
37.第三方面，本发明实施例还提供了一种半导体芯片产品的局部溅镀方法，采用如上述第一方面中所述的半导体芯片产品的局部溅镀治具进行溅镀，包括：
38.在载具的第一表面固定半导体芯片产品，所述半导体芯片产品包括多颗半导体芯片，所述半导体芯片设置有至少一个保护对象；
39.在所述半导体芯片产品背离所述载具的第一表面的一面贴附热解保护层，将所述热解保护层至少覆盖所述半导体芯片产品上的保护对象；
40.利用压板压合所述热解保护层，使所述热解保护层与所述半导体芯片产品粘结；
41.将贴附有所述热解保护层的所述半导体芯片产品进行溅镀；
42.将所述半导体芯片产品在预设温度范围内加热，使所述热解保护层发生热解从所述半导体芯片产品脱离。
43.可选地，在所述载具的第一表面固定半导体芯片产品之前，还包括：在所述载具的第一表面贴附热解双面胶层，所述热解双面胶层将所述半导体芯片产品粘结固定在所述载具上，且在预设温度范围内发生热解。
44.可选地，所述预设温度范围为150℃-180℃。
45.本实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀治具，通过在半导体芯片产品背离载具的一面贴附热解保护层，该热解保护层覆盖半导体芯片产品的保护对象区域，实现半导体芯片产品的局部溅镀，紧接着通过压板压合将热解保护层与半导体芯片产品紧密粘结，将贴附有热解保护层的整条状半导体芯片产品放入真空环境下的溅镀腔体内进行溅镀，待溅镀完成后通过高温热解的方式，使热解保护层在不受力的情况下从半导体芯片产品上完全脱离，且保证整条状的半导体芯片产品不会发生形变，不会造成溅镀不完全和胶水滞留的情况。
附图说明
46.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
47.图1为现有技术中的整体溅镀的半导体芯片产品结构示意图；
48.图2为现有技术中的局部溅镀的半导体芯片产品结构示意图；
49.图3为现有技术中的又一种局部溅镀的半导体芯片产品结构示意图；
50.图4为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀治具的整体结构示意图；
51.图5为本发明实施例提供的一种热解双面胶层贴附在载具上的结构示意图；
52.图6为本发明实施例提供的一种热解保护层贴附在半导体芯片产品上的结构示意图；
53.图7为本发明实施例提供的又一种半导体芯片产品的局部溅镀治具的结构示意图；
54.图8为图7中虚线框aa的局部放大示意图；
55.图9为本发明实施例提供的一种半导体芯片的局部结构示意图；
56.图10为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的结构示意图；
57.图11为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的俯视结构示意图；
58.图12为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀方法。
59.图中：10-载具；20-半导体芯片产品；21-半导体芯片；211-保护对象；212-保护区；213-溅镀区；214-溅镀对象；22-印刷电路板；23-边框；24-第一连接杆；25-第二连接杆；30-热解保护层；31-黏接层；32-缓冲层；33-热解胶层；34-容置槽；40-压板；41-凸起结构；411-凹槽结构；50-热解双面胶层。
具体实施方式
60.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
61.在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作(或步骤)描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等等。此外，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
62.本发明使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”。
63.需要注意，本发明中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对相应内容进行区分，并非用于限定顺序或者相互依存关系。
64.需要注意，本发明中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
65.图4为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀治具的整体结构示意图。如图4所示，该局部溅镀治具包括：载具10，用于承载和固定半导体芯片产品20，半导体芯片产品20包括多颗半导体芯片21，半导体芯片21设置有至少一个保护对象211，热解保护层30，用于贴附在半导体芯片产品20背离载具10的一面，且至少覆盖半导体芯片产品20上的保护对象211，压板40，用于压合热解保护层30与半导体芯片产品20粘结。
66.其中，载具10可以是聚合物制成，该类聚合物可以是聚乙烯、聚丙烯、聚烯烃、聚酯
以及乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，也可以是该类聚合物的组合，载具10为半导体芯片产品20提供较佳的保护及支撑效果。
67.热解保护层30是一种热剥离型的黏胶，即遇热可解除黏性。本实施例的热解保护层30可选用uv胶，在加工完成后可以通过高温烘烤退膜，并且在预设温度范围的高温下解胶，胶水在固化后无污染物排放，脱胶后无残胶，不会产生产品表面颜色污染的现象，利用热解保护层30贴附半导体芯片产品20时，具有较强的粘结能力，加热能够迅速脱胶，且无残留、无胶印。
68.本实施例提供的局部溅镀治具在真空环境下对半导体芯片产品20上的溅镀对象进行溅镀，半导体芯片产品20包括多颗半导体芯片21，多颗半导体芯片21连接形成整条状。半导体芯片产品20通常包括快接插头、小芯片等零器件，该类器件在溅镀过程中需要被保护起来，参照图4，半导体芯片产品20置于载具10的第一表面，热解保护层30覆盖半导体芯片产品20的保护对象211，即，保护对象211通常是快接插头、小芯片等零器件，以此保证在溅镀过程中保护半导体芯片产品20上的这些零器件不被溅镀到。
69.具体地，将整条状的半导体芯片产品20置于载具10，并在半导体芯片产品20背离载具10的一面贴附热解保护层30，该热解保护层30覆盖半导体芯片产品20的保护对象211，通过压板40将热解保护层30与半导体芯片产品20紧密粘结，将贴附有热解保护层30的整条状半导体芯片产品20放入真空环境下的溅镀腔体内进行溅镀，待溅镀完成后通过热解的方式，使热解保护层30在不受力的情况下从半导体芯片产品20上完全脱离，不会造成溅镀不完全和胶水滞留的情况，需要说明的是，在本实施例中，采用常用的烤箱进行热解，一次烘烤可以同时热解两层热解保护层。
70.本实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀治具，包括：载具，用于承载和固定半导体芯片产品，半导体芯片产品包括多颗半导体芯片，半导体芯片设置有至少一个保护对象，热解保护层，用于贴附在半导体芯片产品背离载具的一面，且至少覆盖半导体芯片产品上的保护对象，还用于在预设温度范围内发生热解，压板，用于压合热解保护层与半导体芯片产品粘结。通过在半导体芯片产品背离载具的一面贴附热解保护层，该热解保护层覆盖半导体芯片产品的保护对象区域，实现半导体芯片产品的局部溅镀，紧接着通过压板压合将热解保护层与半导体芯片产品紧密粘结，将贴附有热解保护层的整条状半导体芯片产品放入真空环境下的溅镀腔体内进行溅镀，待溅镀完成后通过高温热解的方式，使热解保护层在不受力的情况下从半导体芯片产品上完全脱离，且保证整条状的半导体芯片产品不会发生形变，不会造成溅镀不完全和胶水滞留的情况。
71.可选地，继续参照图4，本实施例提供的局部溅镀治具还包括热解双面胶层50，热解双面胶层50用于贴附在载具10的第一表面，还用于将半导体芯片产品20粘结固定在载具10上，且在预设温度范围内发生热解。
72.在上述实施例的基础上，热解双面胶层50的底部粘结在载具10的第一表面，顶部粘结半导体芯片产品20，使得整条状的半导体芯片产品20粘结固定在载具10上。由于热解双面胶层50粘结在半导体芯片产品20靠近载具10的一面，因此，热解双面胶层50与半导体芯片产品20的底部契合，该热解双面胶层50也为整条状。
73.与上述热解保护层30发生热解时脱离的原理类似，半导体芯片产品20通过热解双面胶层50粘结在载具10的第一表面，将贴附有热解双面胶层50的局部溅镀治具放入真空环
境下的溅镀腔体内进行溅镀，使得半导体芯片产品20的背面在溅镀过程中不被溅镀到，待溅镀完成后通过热解的方式，使热解双面胶层50在预设温度范围的热解温度下失去粘性，使得整条状的半导体芯片产品20在不受力的情况下从热解双面胶层50上脱离。
74.需要说明的是，热解双面胶层50类似于热解保护层30，在对半导体芯片产品20进行局部溅镀时，也可选用uv胶，关于热解双面胶层50的粘性和厚度在本实施例中不做限定，只需保证半导体芯片产品20的背面在溅镀过程中不被溅镀到即可。
75.图5为本发明实施例提供的一种热解双面胶层贴附在载具上的结构示意图。图6为本发明实施例提供的一种热解保护层贴附在半导体芯片产品上的结构示意图。如图5和6所示，热解保护层30和热解双面胶层50均包括依次层叠的黏接层31、缓冲层32以及热解胶层33。参照图6，热解保护层50中，缓冲层32和黏接层31依次层叠于热解胶层33背离半导体芯片产品20的一侧。参照图5，热解双面胶层30中，缓冲层32和热解胶层33依次层叠于黏接层31背离载具10的一侧。
76.其中，在图5中，局部溅镀治具中的半导体芯片产品20通过热解双面胶层50粘结在载具10上，热解双面胶层50中的黏接层31贴附在载具10的第一表面，该黏接层31用于连接热解双面胶层50和载具10，进一步固定载具10，缓冲层32和热解胶层33依次贴附于黏接层31，缓冲层32用于连接黏接层31和热解胶层33，并且在压板压合过程中缓冲压力，热解双面胶层50贴附在半导体芯片产品20的背面，进一步保护半导体芯片产品20在溅镀过程中保护半导体芯片产品20背面不被溅镀到。
77.如图6所示，热解保护层30贴附在半导体芯片产品20背离载具的一面，并且覆盖半导体芯片产品20的保护对象(图中未示出)，因此，热解保护层30的整体设计在不影响溅镀的基础上，另外根据半导体芯片产品20需要保护的零器件的形状而制定，在本实施例中，由于黏接层31置于背离半导体芯片产品20的最外侧，因此，在设计热解保护层30时，只需根据非溅镀区中需要保护的零器件的形状设计缓冲层032和热解胶层33的形状即可，关于该描述在其他一些实施例中做进一步说明。
78.图7为本发明实施例提供的又一种半导体芯片产品的局部溅镀治具的结构示意图。如图7所示，热解保护层30朝向半导体芯片产品20的一侧表面设置有容置槽34，在热解保护层30贴附在半导体芯片产品20背离载具10的一面的状态下，半导体芯片产品20上的保护对象211容置于容置槽34中。
79.其中，热解保护层30中的热解胶层33贴附在半导体芯片产品20背离载具10的一面，且黏接层(图中未示出)和缓冲层32依次层叠于热解胶层33背离半导体芯片产品20的一侧。类似地，热解胶层33用于在溅镀过程中保护半导体芯片产品20背离载具10的一面中的保护对象不被溅镀到，在溅镀完成后通过热解的方式，使热解保护层30在不受力的情况下从半导体芯片产品20上完全脱离，热解保护层30中的黏接层31相当于一层保护膜层，缓冲层32用于连接热解胶层33和保护膜层，并且在压板压合过程中缓冲压力，以此避免半导体芯片产品20中的零器件受压而损坏。
80.由于半导体芯片产品20通常包括快接插头、小芯片等零器件，在溅镀过程中，该类零器件被保护起来，属于保护对象，且该类零器件在半导体芯片产品20中设置于产品的印刷电路板上，与印刷电路板不在同一水平面。因此，当热解保护层30贴附在半导体芯片产品20的正面时，需要根据保护的保护对象区域的零器件的形状设计对应的容置槽34，将保护
对象211容置在该类容置槽34中，再在保护对象211的正面贴附热解胶层33，以此保护半导体芯片产品20背离载具10的一面中的保护对象211不被溅镀到。
81.需要说明的是，由于热解保护层30中的黏接层31设置于缓冲层32和热解胶层33背离半导体芯片产品20的一侧，相当于一层保护膜层，因此，在朝向半导体芯片产品20的一侧表面设置容置槽34时，只需在缓冲层泡棉胶层32和热解胶层33处设置即可。另外，在缓冲层32和热解胶层33设置容置槽34时，两层胶上的容置槽34的形状及尺寸与需保护的保护对象211的形状及尺寸契合。
82.图8为图7中虚线框aa的局部放大示意图。如图8所示，容置槽34的侧壁与保护对象211的侧壁的距离为第一预设距离l1，第一预设距离l1大于或等于0.1mm。
83.在上述实施例的基础上，容置槽34用于容置保护对象211，为了确保保护对象211得以保护，需要完全放进容置槽34中，并且设置有容置槽34的缓冲层32和热解胶层33需要有足够的宽度和半导体芯片产品20粘合以保证产品上的保护对象211不会被溅镀到，因此，在本实施例中，参照图8，设置容置槽34的侧壁与保护对象211的侧壁的距离l1大于获得等于0.1mm，以此满足溅镀过程中保护保护对象211的需求。
84.可选地，继续参照图8，容置槽34的底部与保护对象211的顶部的距离为第二预设距离l2，第二预设距离l2大于或等于0.4mm。
85.类似地，为了确保保护对象211得以保护，容置槽34需要有足够的空间容置保护对象211，进一步保证热解保护层30覆盖保护对象211时，保护对象211不会被溅镀到。
86.需要说明的是，在本实施例中，第二预设距离l2是为了保证容置槽34能够完全容置当前保护对象211的形状及尺寸而做的合理预设，当第二预设距离l2小于0.4mm时，保护对象211的顶部会破坏热解胶层33，因此，热解胶层33在溅镀过程中使得半导体芯片产品20背离载具10的一面中的部分保护对象211被溅镀到。
87.在其他一些实施例中，若保护对象211为其他形状及尺寸，则容置槽34也相应发生变化，只需保证该容置槽34能够完全容置保护对象211即可，
88.可选地，继续参照图8，热解保护层包括依次层叠的黏接层(图中未示出)、缓冲层32以及热解胶层33，热解保护层30中，缓冲层32和黏接层31依次层叠于热解胶层33背离半导体芯片产品20的一侧，缓冲层32的厚度l3与保护对象211的高度l4差大于或等于0.4mm。
89.其中，缓冲层32设置于热解胶层33背离半导体芯片产品20的一侧，用于连接热解胶层33和保护膜层(图中未示出的黏接层)，并且在压板压合过程中缓冲压力，以避免半导体芯片产品20中的保护对象211受压而损坏，因此，当缓冲层32和保护对象211之间留有一定空间时，压板压合过程中具备缓冲压力的能力，在本实施例中，为避免胶层太薄导致的粘结度较低，缓冲层32的厚度l3和保护对象211的高度l4差优选大于或等于0.4mm，在其他一些实施例中，可根据保护对象211的形状及尺寸做相应改变。
90.可选地，黏接层31为聚酰亚胺胶层，缓冲层32为泡棉胶层。
91.需要说明的是，热解保护层30和热解双面胶层50中的黏接层31均为聚酰亚胺胶层，缓冲层32均为泡棉胶层。
92.图9为本发明实施例提供的一种半导体芯片的局部结构示意图。如图9所示，半导体芯片21包括保护区212和溅镀区213，保护对象211位于保护区212，压板40包括多个凸起结构41，在压板40压合半导体芯片产品20的过程中，多个凸起结构41在半导体芯片产品20
所在平面的垂直投影一一对应位于多个半导体芯片21的保护区212中。
93.其中，压板40的形状需要与热解保护层30及保护对象211的形状契合，以达到普通保压的目的。
94.另外，当压板40上的凸起结构41在半导体芯片产品20所在平面的垂直投影一一对应位于多个保护区212时，可以确保压板40正常压到覆盖在保护区212中的保护对象211的热解保护层30。
95.需要说明的是，压板40在压合过程中，为了避免在下压过程中损坏到保护对象211，下压高度需与保护区212中的保护对象211保持一定距离，关于该部分内容在其他一些实施例中做示例性说明。
96.可选地，继续参照图9，凸起结构41的顶部设置有凹槽结构411，在压板40压合所述半导体芯片产品20的过程中，凹槽结构411在半导体芯片产品20所在平面的垂直投影覆盖保护对象211。
97.参照图9，凸起结构41朝向保护区212中保护对象211的一侧设置有凹槽结构411，该类凹槽结构411与上述实施例中的容置槽34相契合，该类凹槽结构411的槽深可以与上述实施例中容置槽34的深度保持一致，以确保在压合过程中不会压到保护对象211。
98.可选地，继续参照图9，半导体芯片21还设置有至少一个溅镀对象214，在垂直半导体芯片21所在平面的方向上，溅镀对象214的高度值为h1，在垂直压板所在平面的方向上，凸起结构41的高度值为h2，h2＞h1。
99.参照图9，半导体芯片产品20中的溅镀对象214和保护对象211在水平方向呈阶梯状，因此，溅镀对象214和保护对象在211沿水平方向上存在高度差。其中，半导体芯片21的溅镀对象214中的零器件由环氧树脂包埋，该类环氧树脂是一种稳定的热固性化学材料，在加入该类环氧树脂固化剂后，环氧基打开形成烃基并交链，从而由线性聚合物交链形成网状结构而固化层热固性塑料，以实现保护半导体芯片21溅镀对象214中的零器件不受外界环境的影响，阻隔外界环境与半导体芯片21的电绝缘。
100.在上述实施例的基础上，半导体芯片产品20通过热解双面胶层50整条贴附在载具10上，对溅镀对象214进行溅镀，热解保护层30覆盖半导体芯片产品20的保护对象211区域，通过压板40将热解保护层30与半导体芯片产品20紧密粘结，确保中间没有空隙，当h2＞h1时，进一步保证保护对象211在溅镀时足够被保护到，且不会损坏到溅镀对象214中的环氧树脂。
101.可选地，δh＝h2-h1，δh≥0.2mm。
102.如上所述的压板40的凸起结构41在半导体芯片产品20所在平面的垂直投影一一对应位于多个半导体芯片21的保护区212中，为了实现保压和避让溅镀对象214的目的，在本实施例中，将溅镀对象214和凸起结构41的高度差值设定为0.2mm，在其他一些实施例中，该高度差值还可根据半导体芯片21的尺寸及形状、压板40的形状及尺寸设定为其他值，此处不做限定。
103.可选地，预设温度范围为150℃-180℃。
104.其中，热解双面胶层50和热解保护层30要求在溅镀腔体内真空环境下进行，在温度150℃的环境内可以保持正常性能且不能有气体外溢，当预设温度范围在150-180℃范围内，能够保证半导体芯片产品20从热解双面胶层50上完全脱离，也能保证热解保护层30从
半导体芯片产品20上完全脱离，当温度在150℃以下时，没有达到热解条件，因此，不能发生任何热解动作，当温度超过180℃时，通常加热30分钟以内完全热解，并且在热解结束后胶层和产品基本完全脱离，半导体芯片产品20表面无异物残留。
105.图10为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的结构示意图。如图10所示，该半导体芯片包括：印刷电路板22，多个半导体芯片21，位于印刷电路板22上，半导体芯片包括溅镀区213和保护区212，半导体芯片21上设置有至少一个保护对象211，保护对象211位于所述保护区212。
106.图11为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的俯视结构示意图。如图11所示，该半导体芯片21还包括边框23，与印刷电路板边缘固定连接，且与印刷电路板所在平面垂直(图中未示出)，多个第一连接杆24，两端分别固定连接边框23和半导体芯片21。
107.多颗半导体芯片21在印刷电路板22上连接形成整条状的半导体芯片产品20，其中，每颗半导体芯片21中的零件在溅镀过程中被保护起来。
108.现有技术的半导体芯片产品在溅镀时，半导体芯片产品中的单颗半导体芯片与框架之间的连接不牢固，在受轻微外力的情况下，单颗半导体芯片与框架之间极易发生形变或断裂，导致后续工序无法正常作业。因此，为了解决上述问题，在本实施例提供的半导体芯片产品为整条状，整条状产品中的单颗半导体芯片的半导体芯片21与边框23之间通过多个第一连接杆连接24，以此解决现有技术中不牢固的问题。
109.可以理解的是，本实施例中的多个第一连接杆24可以是具备固性的长轴工件，通过焊接的方式将该类第一连接杆24连接在边框23和半导体芯片21之间，以此进行加固，提高半导体芯片21连接的稳定性，有效避免在溅镀完成后，半导体芯片产品20从热解双面胶层50上脱离过程中的撕裂、断裂的问题，进一步提升工作效率。
110.可选地，继续参照图11，半导体芯片产品20还包括多个第二连接杆25，第二连接杆25的两端固定连接相邻的两个半导体芯片21。
111.类似地，在半导体芯片产品20中的每两个半导体芯片21中增设第二连接杆25，同样避免在半导体芯片产品20受轻微外力时，单颗半导体芯片21受外力影响而发生位置或形状的改变，进一步提高溅镀工艺的准确性。
112.需要说明的是，为了简化工艺流程，半导体芯片产品中用于连接固定每个半导体芯片21的第二连接杆25由同一材料制成，且尺寸、连接长度都相同。
113.可选地，第一连接杆24的径向尺寸小于或等于半导体芯片21周长的十分之一。
114.参照图11，第一连接杆24两端分别固定连接边框23和半导体芯片21，当第一连接杆24的径向尺寸l5大于半导体芯片21周长的十分之一时，提高了印刷电路板上半导体芯片21与边框23的连接牢固性，更进一步避免在溅镀完成后，半导体芯片产品20从热解双面胶层50上脱离过程中的撕裂、断裂的问题。
115.需要说明的是，在本实施例中，第一连接杆24的径向尺寸大于第二连接杆25的径向尺寸。
116.可选地，继续参照图9，半导体芯片21还设置有至少一个溅镀对象214，在垂直半导体芯片21所在平面的方向上，溅镀对象214与保护对象211的高度差h3大于或等于0.5mm。
117.如上所述，半导体芯片产品20中的溅镀对象214和保护对象211在水平方向呈阶梯状，因此，溅镀对象214和保护对象211在沿水平方向上存在高度差。在溅镀过程中，为了实
现避让溅镀对象214的目的，溅镀对象214和保护对象211的高度差值设定为0.5mm，在其他一些实施例中，该高度差值还可根据半导体芯片21的尺寸及形状设定为其他值，此处不做限定。
118.图12为本发明实施例提供的一种半导体芯片产品的局部溅镀方法。如图12所示，该局部溅镀方法具体包括如下步骤：
119.s121、在载具的第一表面固定半导体芯片产品，半导体芯片产品包括多颗半导体芯片，半导体芯片设置有至少一个保护对象。
120.其中，载具用于承载半导体芯片产品，本实施例中的半导体芯片产品为整条状，将该整条状的产品置于载具时，为了保证半导体芯片与载具连接的准确度，需保证沿水平方向载具的长度大于或等于整条状的产品的长度。
121.可选地，在载具的第一表面固定半导体芯片产品之前，还包括：在载具的第一表面贴附热解双面胶层，热解双面胶层将半导体芯片产品粘结固定在载具上，且在预设温度范围内发生热解。
122.需要说明的是，依据上述实施例中提供的关于热解双面胶层的技术内容，半导体芯片产品通过高温贴附热解双面胶层贴附在载具的第一表面。
123.s122、在半导体芯片产品背离载具的第一表面的一面贴附热解保护层，将热解保护层至少覆盖半导体芯片产品上的保护对象。
124.其中，可以通过滚轮涂胶或螺旋喷胶或条状上胶的方式，在半导体芯片产品背离载具的第一表面的一面贴附热解保护层。
125.s123、利用压板压合热解保护层，使热解保护层与半导体芯片产品粘结。
126.其中，可以通过机械的方式进行压板的向下压合，本实施例中的压板包括多个凸起结构，利用该凸起结构朝向半导体芯片保护区中的保护对象进行下压，保证保护对象表面的热解保护层与芯片产品的紧密粘结。
127.需要说明的是，关于压板压合的压力可依据热解保护层与半导体芯片产品的粘结程度进行人为控制，该技术为本领域技术人员所熟知的内容，此处不再赘述。
128.s124、将贴附有热解保护层的半导体芯片产品进行溅镀。
129.s124、将半导体芯片产品在预设温度范围内加热，使热解保护层热解保护层发生热解从半导体芯片产品脱离。
130.由于半导体芯片包括溅镀对象和保护对象，并且保护对象与溅镀对象沿水平方向存在高度差，为了保护芯片中的保护对象在溅镀过程中被溅镀到，将热解保护层贴附在产品的保护对象，并进行溅镀，待溅镀完成后，通过在预设温度范围内的高温热解方式，使热解保护层从半导体芯片上脱离，芯片表面无异物残留，实现热解保护层的完全脱离。
131.可选地，预设温度范围为150℃-180℃。
132.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。