技术特征：
1.一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，包括：运转机构（10），包括转动设置的安装盘（11），安装盘（11）顶面沿圆周阵列开设有至少三个安装孔（111）；承载盘（20），数量与安装孔（111）相同，承载盘（20）转动设于安装孔（111）内，承载盘（20）沿圆周设有多个沉孔（21），用于放置晶圆片，承载盘（20）底部设有连接部（22）；第一驱动部件（30），位于安装盘（11）下方，第一驱动部件（30）包括驱动泵（31），驱动泵（31）的转轴利用水力驱动旋转，沿驱动泵（31）转轴的轴线方向移动设有驱动轴（32），驱动泵（31）与驱动轴（32）同时旋转，打磨晶圆片时，驱动轴（32）与承载盘（20）的连接部（22）相连；进料机构（40），包括对位台（41）及吸盘（42），对位台（41）用于对晶圆片定位，吸盘（42）设于对位台（41）上方，吸盘（42）用于吸附并向沉孔（21）内转移晶圆片;打磨机构（50），对应第一驱动部件（30）设于安装盘（11）上方，打磨机构（50）设有打磨盘（51），安装盘（11）的上方及下方对应打磨机构（50）的位置设有密封罩（12）。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置 ，其特征在于，还包括第二驱动部件（60），对应进料机构（40）设于安装盘（11）下方，第二驱动部件（60）包括电机（61），电机（61）的转轴滑动设磁板（62），磁板（62）与电机（61）的转轴端面之间设有分隔板（63），磁板（62）用于吸附连接承载盘（20）的连接部（22）。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，驱动泵（31）的转轴设有连接杆（313），连接杆（313）位于驱动泵（31）的外侧，连接杆（313）同轴穿设于驱动轴（32）下段的连接孔内，连接孔的底面与连接杆（313）前端之间设有弹簧（34）；驱动轴（32）外周套设有密封套（33），密封套（33）底面与驱动泵（31）外壁密封连接，驱动轴（32）下段设有法兰（321），法兰（321）位于密封套（33）内，密封套（33）侧壁连通设有导管（331），导管（331）位于法兰（321）与密封套（33）底面之间，导管（331）用于向密封套（33）内部加压。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，连接部（22）底部具有圆锥孔（221），圆锥孔（221）的侧壁沿圆周开设有多处条形槽（222），驱动轴（32）顶部为圆锥台（322），圆锥台（322）外壁沿圆周设有多处凸条（323），当驱动轴（32）与连接部（22）相连时，圆锥台（322）与圆锥孔（221）贴合，凸条（323）嵌合于条形槽（222）内。5.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，承载盘（20）的沉孔（21）周侧均开设有环形槽（211），环形槽（211）底部开设有通孔（212），安装孔（111）底部为镂空结构，通孔（212）位于环形槽（211）内距离承载盘（20）轴线最远的位置。6.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，还包括检测开关（70），承载盘（20）的沉孔（21）中心位置的底部均开设有贯穿孔（213），检测开关（70）位于安装盘（11）下方，当进料机构（40）向承载盘（20）放置晶圆片时，检测开关（70）与承载盘（20）其中一个沉孔（21）的贯穿孔（213）对齐。7.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，对位台（41）开设有四条呈“十”字结构的滑槽（411），滑槽（411）均沿对位台（41）的法线方向开设，滑槽（411）均滑动设有滑块（43），对位台（41）同轴设有十字拨叉（44），十字拨叉（44）的各分支通过连杆（45）分别与滑块（43）相连，连杆（45）与十字拨叉（44）以及滑块（43）均采用铰接
连接，滑块（43）设有拨杆，拨杆均凸出于对位台（41）的顶面。8.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，其特征在于，运转机构（10）设于工作台（80）上，工作台（80）顶面设有环形罩（81），安装盘（11）转动设于环形罩（81）内，安装盘（11）采用同步带驱动，同步带设于工作台（80）下方。
技术总结
本申请提供一种用于半导体晶圆背面打磨的装置，属于晶圆制造领域，包括：运转机构包括可旋转的安装盘，安装盘多个安装孔。承载盘数量与安装孔相同，承载盘转动设于安装孔内，承载盘沿圆周设有多个沉孔，承载盘底部设有连接部。第一驱动部件位于安装盘下方，第一驱动部件包括驱动泵，沿驱动泵转轴的轴线方向移动设有驱动轴，打磨晶圆片时，驱动轴与承载盘的连接部相连。进料机构包括对位台及吸盘。打磨机构对应第一驱动部件设于安装盘上方，打磨机构设有打磨盘，安装盘的上方及下方对应打磨机构的位置设有密封罩。具有较高的使用安全性，同时便于维修检查，且具有较高的加工效率。且具有较高的加工效率。且具有较高的加工效率。
技术研发人员：袁根 鲜浩
受保护的技术使用者：四川明泰微电子有限公司
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2021/12/3