技术特征：
1.一种首饰表面抗氧化膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在真空电镀腔室内，将待处理首饰作为阳极，硅靶材作为阴极，进行一次抽真空，充入氩气，经一次磁控溅射在所述待处理首饰表面形成硅膜；(2)对步骤(1)所述真空电镀腔室进行二次抽真空，充入氧气，经二次磁控溅射将步骤(1)所述硅膜氧化成二氧化硅膜并沉积增厚，在首饰表面形成抗氧化膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)所述一次磁控溅射之前，所述制备方法还包括步骤(1’)：在真空电镀腔室内，将待处理首饰作为阳极，铬靶材作为阴极，进行首次抽真空，充入氩气，经首次磁控溅射在所述待处理首饰表面形成铬膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述首次磁控溅射的时间为0.2-1min；优选地，所述首次磁控溅射的电流为0.8-1.2a；优选地，所述首次磁控溅射的电压为380v-410v；优选地，所述首次磁控溅射的温度低于50℃。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述一次磁控溅射的时间为0.1-2min。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述一次磁控溅射的电流为2.8-3.2a；优选地，步骤(1)所述一次磁控溅射的电压为380v-410v；优选地，步骤(1)所述一次磁控溅射的真空度为5.5-6.5
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pa；优选地，步骤(1)所述一次磁控溅射的温度低于50℃。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述二次磁控溅射的时间为20-50min。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，优选地，步骤(2)所述二次磁控溅射的电流为2.8-3.2a；优选地，步骤(2)所述二次磁控溅射的电压为380v-410v；优选地，步骤(2)所述二次磁控溅射的真空度为5.5-6.5
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pa；优选地，步骤(2)所述二次磁控溅射的温度低于50℃。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)所述二次磁控溅射之后，所述制备方法还包括步骤(3)：对步骤(2)所述真空电镀腔室进行三次抽真空，经真空蒸镀在所述抗氧化膜表面沉积氟化镁层。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)所述真空蒸镀中，将氟化镁蒸发源与所述抗氧化膜相对且间隔设置在所述真空电镀腔室内，间距为50-300mm；优选地，步骤(3)所述真空蒸镀的时间为1-5min；优选地，步骤(3)所述真空蒸镀的电流为90-100ma；优选地，步骤(3)所述真空蒸镀的电压为2-3v；优选地，步骤(3)所述真空蒸镀的真空度为5.5-6.5
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pa；优选地，步骤(3)所述真空蒸镀的温度低于50℃。10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1’)在真空电镀腔室内，将待处理首饰作为阳极，铬靶材作为阴极，进行首次抽真空，充入氩气，经首次磁控溅射在所述待处理首饰表面形成铬膜；其中，控制所述首次磁控溅射的时间为0.2-1min，电流为0.8-1.2a，电压为380v-410v，温度低于50℃；(1)在步骤(1’)所述真空电镀腔室内，将待处理首饰作为阳极，硅靶材作为阴极，进行一次抽真空，充入氩气，经一次磁控溅射在所述待处理首饰表面形成硅膜；其中，控制所述一次磁控溅射的时间为0.1-2min，电流为2.8-3.2a，电压为380v-410v，真空度为5.5-6.5
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pa，温度低于50℃；(2)对步骤(1)所述真空电镀腔室进行二次抽真空，充入氧气，经二次磁控溅射将步骤(1)所述硅膜氧化成二氧化硅膜并沉积增厚，在首饰表面形成抗氧化膜；其中，控制所述二次磁控溅射的时间为20-50min，电流为2.8-3.2a，电压为380v-410v，真空度为5.5-6.5
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pa，温度低于50℃；(3)将氟化镁蒸发源与所述抗氧化膜相对且间隔设置在所述真空电镀腔室内，间距为50-300mm，对步骤(2)所述真空电镀腔室进行三次抽真空，经真空蒸镀在所述抗氧化膜表面沉积氟化镁层；其中，控制所述真空蒸镀的时间为1-5min，电流为90-100ma，电压为2-3v，真空度为5.5-6.5
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pa，温度低于50℃。
技术总结
本发明提供了一种首饰表面抗氧化膜的制备方法，将待处理首饰作为阳极，硅靶材作为阴极，先在氩气氛围下经一次磁控溅射在待处理首饰表面形成硅膜，可以有效阻隔氧气与首饰表面的接触，杜绝首饰被氧化变色，随后充入氧气经二次磁控溅射将灰色的硅膜氧化成无色透明的二氧化硅膜，并进一步将硅离子氧化成二氧化硅沉积，使得二氧化硅膜明显增厚。本发明所述制备方法不仅可以在二氧化硅膜制备中避免首饰被氧化发黄发黑的问题，还可以利用更厚的二氧化硅膜提高首饰的透明度、耐磨性、光泽度和抗氧化等性能，而且降低了对待处理首饰材质的限制。制。
技术研发人员：刘丽丽
受保护的技术使用者：广州市中禧珠宝有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8