多弧离子镀膜设备的制作方法

1.本发明涉及真空镀膜技术领域，具体地，涉及多弧离子镀膜设备。尤其是一种新型多弧离子镀膜设备。


背景技术：

2.随着科技日益发展，诸多行业在原有的基础上或多或少地进行了改革或改善。在表面装备工程领域，往往是电镀的技术方法占领了绝大部分市场份额。20世纪50年代之后，真空镀膜技术开始蓬勃发展，在某些用途上替代了电镀技术，同时也开始发展自身的特有领域。真空镀膜技术以气相沉积技术为基础，主要分为物理气相沉积技术(physical vapor deposition，pvd)和化学气相沉积技术(chemical vapor deposition，cvd)。其中，多弧离子镀膜技术就属于物理气相沉积技术中的离子镀膜技术。它是将靶材(形成薄膜的材料)置于真空环境中，通过物理过程沉积在被镀工件上。电弧离子镀技术经过多年的改进和发展，已经在工、模具表面涂层强化、抗腐蚀及装饰领域得到了广泛的应用。
3.经过多年的发展，现有的多弧离子镀膜设备并不完善，依然存在着诸多问题，例如冷却系统和密封装置设计不完善导致的设备故障；电弧离子源设计不当导致的膜层质量不佳，出现漏镀、掉膜等情况；真空室内壁、衬板设计不当导致难以清理；转架式样品台在取、挂被镀工件的时候不方便等等一些常见的问题。针对上述问题，研究人员提出了各不相同的解决方法和措施。
4.专利文献cn201610263110.6公开了一种多弧离子镀及镀膜方法。该专利文献提供一种结构紧凑、实现了带孔刀具的快速安装、方便安装和卸下夹具、提高涂层均匀性、提高刀具机械强度的多弧离子镀膜设备及镀膜方法。这种方法虽然大大提高了被镀工件的装卸速度，但是转架式样品台固定在真空室中，与真空室形成一体，无论是真空室内的清洗，还是被镀工件的放置，都会受到妨碍。
5.专利文献cn201410577811.8公开了一种离子溅射镀膜机。该专利文献的目的是解决现有的离子溅射镀膜机存在的有效镀膜面积小、膜厚均匀性不容易控制和镀膜表面质量差的技术问题，提供一种镀膜面积大、膜厚均匀性易控制和镀膜表面质量高的离子溅射镀膜机。这种形式的镀膜机仅仅是改变了镀膜靶与被镀工件之间的距离，忽视了其它方面的因素，其中最主要的是电弧离子源的磁场分布。离子镀膜技术的一个大趋势是采用永磁材料和电磁线圈产生的磁场激励气体放电，并控制弧斑在靶材上的运动轨迹。
6.专利文献cn200810015111.4公开了一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备。该专利文献的目的在于克服现有技术的不足，提供一种镀膜工艺和操作程序简单、生产效率高、镀膜效果好的智能化真空离子镀膜设备。该设备在操作程序方面达到了简单方便的目的，但在智能化方面还有很大的提升空间。如何使镀膜设备自动化、无人化进行流水线式的生产、管理，是离子镀膜设备的努力方向。
7.经现有技术专利文献检索发现，中国发明专利公开号为cn105986229a，公开了一种均匀性的多弧离子镀膜设备，属于镀膜的技术领域，能实现工件镀膜均匀度的修正，提高
了产品整体的品质。包括多弧靶、真空室、设置在真空室内的路轨和架体；所述的架体上设有支撑件、中心轴、回转盘；用于支撑架体的支撑件移动式地安装在路轨上，回转盘套装在中心轴上，回转盘上设有相对回转盘转动的自转轴，自转轴上设有夹具，安装在真空室上的多弧靶朝向夹具。镀膜设备还包括直线驱动机构，真空室上设有第二密封装置，所述的直线驱动机构穿过第二密封装置与架体相接。而本发明独特的使用模块化的整体设计思路，利用切割空间的方式将“电、气、水”三方面的设备仪器分割开来，做到易于管理、调整检修，同时在硬件和软件设计方面，提高了设备使用的可靠性和易用性。因此，该文献与本发明所介绍的方法是属于不同的发明构思。


技术实现要素：

8.针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种多弧离子镀膜设备。
9.根据本发明提供的一种多弧离子镀膜设备，包括放置在壳体内部的真空室、抽气组件、冷却器、plc控制器以及电源；
10.电源电连接plc控制器，plc控制器通过线路分别连接真空室抽气组件以及冷却器，抽气组件连接真空室、并对真空室进行真空处理，冷却器通过水管分别连接真空室和抽气组件，使真空室和抽气组件进行冷却；
11.真空室包括框架、面板、电弧离子源装置以及转架装置，多块面板依次连接于框架四周，使框架形成一个密封空间，多个电弧离子源装置连接于面板内壁上，框架内部连接有转架装置，通过转架装置进行样品移动。
12.一些实施例中，电弧离子源装置包括电弧离子源、进气孔以及引弧针装置，电弧离子源与引弧针装置一一对应连接，引弧针装置固定在面板上，多个进气孔均匀分布在面板上，进气孔的轴线与电弧离子源轴线平行。
13.一些实施例中，电弧离子源包括大线圈、靶材、冷却体、冷却体密封盖、小线圈、永磁体以及极靴，大线圈和小线圈分别与电弧离子源相固定，大线圈和小线圈分别固定于面板上，大线圈连接靶材，靶材固定在冷却体上，通过冷却体对靶材进行降温，冷却体密封盖与冷却体连接，冷却体密封盖与冷却体的连接处通过密封圈进行密封，小线圈连接永磁铁，永磁铁连接于极靴上。
14.一些实施例中，通过调节永磁体与靶材之间的距离，进行调节永磁体作用于靶材上的磁场强度。
15.一些实施例中，面板包括加热器、观察窗把手、观察窗、水冷板以及面板本体，多个加热器均匀分布在面板本体上，加热器对腔室内空间环境进行加热，水冷板对面板本体进行冷却，水冷板覆于面板本体上进行冷却，观察窗位于面板本体上，观察窗上方连接与之相匹配的观察窗把手。
16.一些实施例中，转架装置包括绝缘物、滑轨支撑、滑轨、滑轮、转架机构、小车滑轨、小车滑轨支撑以及拖动件；
17.滑轨支撑与真空室底部之间通过绝缘物连接，多个绝缘物均匀分布在下板上，滑轨支撑上连接有滑轨，滑轨上连接有多个与之相匹配的滑轮，多个滑轮均匀分布在转架机构底部；
18.小车滑轨底部连接小车滑轨支撑，小车滑轨上连接有拖动件，当小车滑轨与滑轨
对接时，将小车滑轨支撑固定于真空室上，通过拖动件将转架机构移动至小车上，小车与小车滑轨连接。
19.一些实施例中，转架机构包括大齿轮、小齿轮、样品夹具、拨片、样品台以及样品台支架，大齿轮由外接的减速电机提供动力，通过磁流体主轴将转速施加到大齿轮上，小齿轮固定于样品台支架上，大齿轮带动小齿轮转动的同时，样品台支架随小齿轮转动，多个样品夹具均匀分布在样品台支架周围，每个样品夹具连接对应的拨片，通过拔片的作用，样品夹具在围绕样品台支架公转的同时进行自转。
20.一些实施例中，抽气装置包括粗抽泵组、安装架、分子泵以及百叶窗式节流阀，分子泵与真空室顶部直连，分子泵与真空室之间连接有百叶窗式节流阀和气动阀，粗抽泵组与真空室连接，粗抽泵组通过安装架固定在真空室后侧。
21.一些实施例中，框架包括上板、下板和支撑柱，下板通过多根支撑柱连接上板，上板和下板中间均设有用于水冷却的夹层，夹层中焊接有加强柱。
22.一些实施例中，还包括双层衬板，多块双层衬板分别连接于框架和面板的内壁上，通过双层衬板对真空室内部进行清洗；
23.双层衬板包括内衬板、外衬板、衬板拨片、铆钉以及衬板螺钉，多个衬板螺钉分别连接于面板、上板以及下板，内衬板连接于衬板螺钉上，外衬板通过铆钉固定于衬板拔片上，通过衬板拔片将外衬板挂于衬板螺钉外端。
24.与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
25.(1)本发明中真空室的构造相比于传统加工制造方法，冷却效果有了较大提升，且放置电弧离子源的面板可进行更换，具有互换性，能达到“一室多用”的效果。
26.(2)本发明中电弧离子源加以磁场控制，提高了膜层质量，能够有效降低电弧离子镀中的大颗粒问题，提高了靶材利用率，改善后的水冷方式有效的提升了水冷效果。
27.(3)本发明中设有的滑轨和小车滑轨对接后，通过小车可以将样品台自由地移出、移入真空室，对于装卸被镀工件和清理真空室都提供了极大的便利。
28.(4)本发明中plc可编程集中控制器设计了自动和手动两种镀膜模式，既大幅度的提高了镀膜设备的智能化，又可以按照不同的膜层要求调校不同参数。
29.(5)本发明中多弧离子镀膜设备的整体模块化结构设计，极大的减少了镀膜设备占用的空间，同时易于管理、检修。
附图说明
30.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
31.图1为设备模块俯视分布图；
32.图2为真空室布置图；
33.图3为设备外形图；
34.图4为真空室腔体框架图；
35.图5为面板部件布置图；
36.图6为衬板安装图；
37.图7为衬板拨片图；
38.图8为接口法兰图；
39.图9为电弧离子源简图；
40.图10为磁力线分布图；
41.图11为转架式样品台转动方式图；
42.图12为转架式样品台移出方式简图；
43.图13为设备运行图。
具体实施方式
44.下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
45.实施例1
46.本发明提供的一种多弧离子镀膜设备包括放置在壳体内部的真空室1、抽气组件2、冷却器3、plc控制器4以及电源；
47.电源电连接plc控制器4，plc控制器4通过线路分别连接真空室1抽气组件2以及冷却器3。优选的，进行镀膜过程的流程最优化设计，使多弧离子镀膜设备具有智能化。抽气组件2连接真空室1、并对真空室1进行真空处理，冷却器3通过水管分别连接真空室1和抽气组件2，使真空室1和抽气组件2进行冷却。优选的，水管选用外径ф12mm、厚2mm的pu管，既保证了冷却时足够的水流量，也保证了水流不会造成较大的冲击，同时pu管的强度也可以保证。
48.真空室1包括框架11、面板12、电弧离子源装置13以及转架装置14，多块面板12依次连接于框架11四周，使框架11形成一个密封空间，多个电弧离子源装置13连接于面板12内壁上，框架11内部连接有转架装置14，通过转架装置14进行样品移动。
49.其中，抽气装置2包括粗抽泵组、安装架、分子泵以及百叶窗式节流阀，分子泵与真空室1顶部直连，分子泵与真空室1之间连接有百叶窗式节流阀和气动阀，粗抽泵组与真空室1连接，粗抽泵组通过安装架固定在真空室1后侧。
50.本实施例的整体结构、外形如图1、图3所示，总体尺寸为长3m
×
宽2.3m
×
高2.4m，本实施例包括但不限于上述尺寸。经过空间整合以后，大幅度的缩减了占用的空间。
51.更为具体的，本发明提出了一种多弧离子镀膜设备，从可靠性、易用性、模块化三方面考虑，以解决现有设备中存在的冷却不足、漏气、管理检修繁杂、清洗真空室不便、线路混乱、占用空间大等问题，提高膜层质量、靶材利用率以及生产效率，同时使设备的使用变得流程化，使其具有高度的智能化。
52.为了能够使设备在硬件方面满足可靠性这一要求，且考虑到真空度在1.3
×
10-4
pa以上的高真空和超高真空范围内，真空室、法兰、管道等的材料选用0cr18ni9(奥氏体不锈钢)，该材料防磁、防腐蚀、耐温、强度高、焊接性好，符合离子镀膜设备对材料性能的需求。在设计真空室时，采用下式作为真空室厚度选取标准：
53.式1：δ＝δ0+c；
54.式2：
55.δ：镀膜室实际壁厚，δ0：镀膜室计算壁厚，c：壁厚附加量，b：矩形板的窄边长度，[σ]v：弯曲时许用应力。
[0056]
所以，壁厚符合设计准则。同时，为了易于检修和更换配件，法兰及其配件采用gb/t 6070。为了保证密封性，所以密封槽采用燕尾型密封槽。考虑到多弧离子镀膜设备具有模块化的特征，会对某一个部件进行更换替代，所以有螺栓固定的部分，选择普通螺栓孔，而非铰制孔螺栓配合。
[0057]
作为多弧离子镀膜机，重要的一点是具有易用性。使多弧离子镀膜机具有流程化是软件研究过程中追求的一个目标，以期达到大大节省人力、物力的目的。该设备的plc可编程集中控制器14规定了镀膜过程中各个步骤的顺序，以及各个控制器件开启闭合的阀值，使其具有高度智能化。同时，为了参数或者工艺的调整，配备了自动控制、手动控制两种控制模式。
[0058]
针对传统的多弧离子镀膜设备占用空间大、线路杂乱等问题，提出了模块化的镀膜机整体结构设计思路，将真空室单独划为一个区域，为其提供“水、电、气”的冷却系统、电路系统、抽气和进气系统独立分开，仅仅用管路和线路连接。在中央部分设置了走廊，专门用来进行对各个部分检修和管理。
[0059]
综上所述，抽气装置2与真空室1相连进行抽气作用，冷却器3对真空室1、抽气装置2的泵组、电弧离子源131进行冷却；转架装置14在与负偏压电源相连的同时，利用绝缘材料与真空室1绝缘；电弧离子源131在真空室1四周的面板上呈现“2233”纵向分布，与镀件间距为190mm，镀膜层的质量和效果较好；plc可编程集中控制器4对整台设备的控制输出进行集中的管理、放置，对电气方面的线路进行整合。该设备独特的使用模块化的整体设计思路，利用切割空间的方式将“电、气、水”三方面的设备仪器分割开来，做到易于管理、调整检修，同时在硬件和软件设计方面，提高了设备使用的可靠性和易用性。
[0060]
实施例2
[0061]
实施例2是在实施例1的基础上，对真空室1的加工、装配进行详细介绍。
[0062]
如图4所述，框架11包括上板111、下板112和支撑柱113，下板112通过多根支撑柱113连接上板111，上板111和下板112中间均设有用于水冷却的夹层，夹层中焊接有加强柱。优选的，所述支撑柱113由4根304空心无缝钢管和304钢板梁焊接而成，形成一个只有边线的方形架子，并在变线上打螺栓孔。在上端焊接腔体盖板111，下端焊接腔体盖板112，中间留有夹层，以通过冷却水。在焊接完成之后，在四周的四个面上通过加工形成一个平面，在左、右、后三个平面上打螺栓孔，用以安装面板。面板通过螺栓连接，固定在腔体框架的四周，可根据不同功用更换面板，具有互换性。
[0063]
其中需要注意的是，加工时注意前门面板方向，方向唯一且确定。如图2所示，真空室1的部件放置，电弧离子源131的放置呈对角线对称，相对应的两个面板上的电弧离子源131数量分别为2、3个，构成两组，此种形式可以使电弧离子源131处产生的离子或粒子较为均匀的布满整个镀膜区域，保证膜层厚度大致相当。
[0064]
如图5所示，该图所展示的是装有3个电弧离子源131的面板，面板12包括加热器122、观察窗把手123、观察窗124、水冷板125以及面板本体126，多个加热器122均匀分布在面板本体126上，加热器122对腔室内空间环境进行加热，。优选的，加热器122分布在四个角上，在真空室后侧设有温度检测装置，分上中下三个监测点。通过水冷板125对面板本体126
进行冷却，水冷板125覆于面板本体126上进行冷却，观察窗124位于面板本体126上，观察窗124上方连接与之相匹配的观察窗把手123。优选的，每个面板12上配有一个观察窗124，位于横向中心线，观察窗把手123位于观察窗124正上方。
[0065]
其中，电弧离子源装置13包括电弧离子源131、进气孔132以及引弧针装置133，电弧离子源131在被镀工件的高度范围内均匀排放。电弧离子源131与引弧针装置133一一对应连接，引弧针装置133固定在面板12上。优选的，引弧针装置133采用气缸机构，与电弧离子源131分离，形成一个独立的个体。多个进气孔133均匀分布在面板12上，进气孔132的轴线与电弧离子源131轴线平行。优选的，每个电弧离子源131都有一个对应的进气孔132。
[0066]
实施例3
[0067]
实施例3是在实施例2的基础上，为了更方便地清洗真空室1内部，所以在真空室1内部加了双层衬板15，使用衬板螺钉155将衬板固定在面板12、上板111和下板112上。如图6所示，多块双层衬板15分别连接于框架11和面板12的内壁上，通过双层衬板15对真空室1内部进行清洗；
[0068]
双层衬板15包括内衬板151、外衬板152、衬板拨片153、铆钉154以及衬板螺钉155，多个衬板螺钉155分别连接于面板12、上板111以及下板112，内衬板151连接于衬板螺钉155上，外衬板152通过铆钉154固定于衬板拔片153上，通过衬板拔片153将外衬板152挂于衬板螺钉155外端。
[0069]
设置双层衬板15的目的是加强对面板12的保护性，防止多弧离子镀膜设备在运行的时候将膜层镀在面板12上。内衬板151起到了加强保护的作用，只需要对外衬板152进行清洗即可。由于外衬板152需要经常性的拆卸和安装，所以将外衬板152的安装方式设计为悬挂式，拆卸外衬板152的时候，只需要将衬板拨片153旋转90
°
即可。
[0070]
实施例4
[0071]
实施例4是在实施例3的基础上，对电弧离子源的结构进行进一步阐述。
[0072]
电弧离子源131是镀膜设备中的一个关键部件，对膜层质量起着关键性的作用。对电弧离子源131的结构和参数加以改善，可以极大的改善弧光放电中产生的大颗粒污染问题。为了更具灵活性，本发明以160电弧离子源作为设计基础，同时设计相对应的接口法兰，以方便安装不同尺寸的电弧离子源131，接口法兰如图8所示，其中参数x随不同的电弧离子源变化。
[0073]
如图9所示，电弧离子源131包括大线圈31、靶材32、冷却体33、冷却体密封盖34、小线圈35、永磁体36以及极靴37，大线圈31和小线圈5分别与电弧离子源13相固定，大线圈31和小线圈5分别固定于面板12上。优选的，带线圈31和小线圈35采用铜线圈，永磁体36采用永磁钢，用以产生电磁场和永磁场。电磁场和永磁场的耦合磁场可以控制靶材上的弧斑运动，提供膜层质量和靶材利用率。大线圈31连接靶材32，靶材32固定在冷却体33上，通过冷却体33对靶材32进行降温。优选的，冷却体33的材料选择热传导较好的铜，以冷却体33为媒介降低靶材32的温度。冷却体密封盖34与冷却体33连接，冷却体密封盖34与冷却体33的连接处通过密封圈进行密封，小线圈35连接永磁铁36，永磁铁36连接于极靴37上。优选的，永磁铁36和极靴37二者作为整体通过螺纹结构，安装在如图3所示的尾端螺纹杆上。其中，通过调节永磁体36与靶材32之间的距离，进行调节永磁体36产生的磁场作用于靶材32上的磁场强度。通过实验可知，磁场可对靶材32上的弧斑运动产生影响，所以调节通过大线圈31、
小线圈35的电流，以及永磁体36相对于靶材32的距离，可以改变靶材32上的水平磁场强度和垂直磁场强度，以达到改善大颗粒污染的问题，提高膜层质量。磁场分布如图10所示，小线圈35改变线圈电流增加或减少永磁体36所产生的磁场强度。由于靶材32接的负偏压，而真空室1接地，所以需要使用绝缘材料将二者进行绝缘。
[0074]
实施例5
[0075]
实施例5是在实施例4的基础上，对转架装置14进行详细说明，如图2所示，转架装置14位于真空室1中心位置。使用绝缘材料与真空室1底部绝缘，并设计有滑轮144和滑轨143，以方便转架机构的整体移出。转架机构配有12根样品台支架，可实现支架的公转和自转，以及样品台相对于支架的公转。这样的设计可以使每一个被镀工件的膜厚都大致相当，提高膜层质量和性能。具体的：
[0076]
如图12所示，转架装置14包括绝缘物141、滑轨支撑142、滑轨143、滑轮144、转架机构145、小车滑轨146、小车滑轨支撑147以及拖动件148；
[0077]
滑轨支撑142与真空室1底部之间通过绝缘物141连接，多个绝缘物141均匀分布在下板112上，滑轨支撑142上连接有滑轨143，滑轨143上连接有多个与之相匹配的滑轮144，多个滑轮144均匀分布在转架机构145底部；
[0078]
小车滑轨146底部连接小车滑轨支撑147，小车滑轨146上连接有拖动件148，当小车滑轨146与滑轨143对接时，将小车滑轨支撑147固定于真空室1上，通过拖动件148将转架机构145移动至与小车滑轨147连接的小车上。优选的，拖动件148的基础结构是丝杠，利用丝杠将拖动件148前后移动，以对样品台1455进行移入和移出。
[0079]
将转架机构设计为可移出式，是为了真空室更好维护和管理，也为了样品台更容易地装卸被镀工件。
[0080]
如图11所示，转架机构145与磁流体轴通过单向键连接，使转架机构145在某一特定角度时才能将转架式样品台移出真空室外。转架机构145包括大齿轮1451、小齿轮1452、样品夹具1453、拨片1454、样品台1455以及样品台支架1456，大齿轮1451由外接的减速电机提供动力，通过磁流体主轴将转速施加到大齿轮1451上，小齿轮1452固定于样品台支架1456上，大齿轮1451带动小齿轮1452转动的同时，样品台支架1456随小齿轮1452转动，多个样品夹具1453均匀分布在样品台支架1456周围，优选的，样品夹具1453与样品台1455具有转动的自由度。每个样品夹具1453连接对应的拨片1454，在拔片1454的作用下，样品夹具1453在围绕样品台支架1456公转的同时进行自转。
[0081]
实施例6
[0082]
实施例6是在实施例1-5的基础上，对lpc控制器4作为镀膜软件的进一步阐述。lpc控制器4采用plc可编程集中控制器。具体的：
[0083]
plc可编程集中控制器4与真空室1、抽气装置2、电源、冷却器3、加热器122、各类传感器以及各类电控阀相连，以输出高电平和低电平的形式控制各个部件的开启和关闭。在此基础上，以windows为系统支持，将plc可编程集中控制器与windows系统进行交互，形成在windows系统下控制plc可编程集中控制器输出命令的操作软件。该软件设计了用户界面友好的gui图形用户界面，允许用户使用鼠标等输入设备操纵屏幕上的图标或菜单选项，选择命令、启动程序或执行其它一些任务。
[0084]
软件的运行步骤如图13所示，主要分为两大运行形式：自动运行和手动运行。自动
运行模式即设备的自体运行，在某一个要素达到规定的阀值后，会根据预设定的镀膜流程，进行下一步的工作，直到镀膜工作结束后，关闭设备。该模式下运行的好处是，能够节省人力物力，使镀膜工作流程化。手动运行是在人工操作下进行镀膜工作，可以根据当时的情况手动设定参数。在手动模式下，会有一个工作部件保护机制，该机制是为了保护工作部件在科工作的条件环境中开启或关闭，避免工作部件因为人员失误造成损害或者故障。例如在手动运行模式下，分子泵开始运行后，只有在真空度高于2.8pa的才能将分子泵与真空室之间的插板阀打开，起到保护分子泵的作用。手动运行模式和自动运行模式的应用范围各有针对性。手动模式主要针对于在实验过程中不定时地调整实验参数，获得实验数据，逐步改善工艺流程。在工艺流程确定以后，可以采用自动运行模式，设备在规定好的流程下独自完成镀膜工作。
[0085]
在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0086]
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本技术的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。