一种优化腔室设置的线式PECVD设备的制作方法

一种优化腔室设置的线式pecvd设备
技术领域
1.本实用新型涉及一种优化腔室设置的线式pecvd设备。


背景技术：

2.在hjt设备产品制备过程中，需要将硅片置于载板，通过载板进入cvd气相沉积设备内进行等离子化学气相沉积反应，对气体进行电离并附膜在硅片上。当前的设备存在如下问题：1.硅片进入cvd气相沉积设备前需要较长的等待时间，硅片暴露在空气中的时间过长，影响产品的整体性能；2.cvd气相沉积设备各腔室工作时长不一致，影响整线的产能；3.不同沉积腔室的等离子及副产物相互交叉污染，影响产品的质量和性能。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种优化腔室设置的线式pecvd设备，缩短放置在载板上的待沉积基片暴露在空气中的时间，使各腔室的衔接节拍获得调整，提升设备整体产能。
4.本实用新型的目的通过如下技术方案实现：
5.一种优化腔室设置的线式pecvd设备，它包括预热室、与预热室出料端相连的反应室以及与反应室出料端相连的冷却室；所述预热室进料端设有预热室第一密封隔断组件；所述预热室与反应室之间设有反应室第一密封隔断组件；所述反应室与冷却室之间设有冷却室第一密封隔断组件；所述冷却室出料端设有冷却室第二密封隔断组件；所述预热室由依次连接的两个以上预热腔构成；相邻预热腔之间设有预热室第二密封隔断组件。
6.较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：
7.(1)通过将预热室设置为多个独立的腔室，结构更加合理，缩短预热室与反应室之间的衔接等待时间，提升设备整体产能。
8.(2)通过将冷却室设置为多个独立的腔室，结构更加合理，缩短反应室与冷却室之间的衔接等待时间，提升设备整体产能。
9.(3)通过在进行不同沉积反应的反应腔之间设置缓冲室，避免等离子及副产物相互交叉污染，提高产品的质量和性能。
附图说明
10.图1是本实用新型一种优化腔室设置的线式pecvd设备的实施例的结构简图。
11.标号说明：
[0012]1‑
正面非晶硅本征层装载台一
ꢀꢀꢀ2‑
正面非晶硅本征层装载台二
[0013]3‑
正面非晶硅本征层预热腔一
ꢀꢀꢀ4‑
正面非晶硅本征层预热腔二
[0014]5‑
正面非晶硅本征层反应腔一
ꢀꢀꢀ6‑
正面非晶硅本征层反应腔二
[0015]7‑
正面非晶硅本征层冷却腔一
ꢀꢀꢀ8‑
正面非晶硅本征层冷却腔二
[0016]9‑
正面非晶硅本征层出料台
ꢀꢀꢀꢀꢀ
10
‑
正面非晶硅本征层卸载台
[0017]
11
‑
载板过渡台
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12
‑
反面非晶硅本征层装载台一
[0018]
13
‑
反面非晶硅本征层装载台二
ꢀꢀ
14
‑
反面非晶硅本征层预热腔一
[0019]
15
‑
反面非晶硅本征层预热腔二
ꢀꢀ
16
‑
反面非晶硅本征层反应腔一
[0020]
17
‑
反面非晶硅本征层反应腔二
ꢀꢀ
18
‑
反面非晶硅本征层缓冲腔
[0021]
19
‑
n型薄膜硅层反应腔
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
20
‑
n型薄膜硅层冷却腔一
[0022]
21
‑
n型薄膜硅层冷却腔二
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
22
‑
n型薄膜硅层出料台
[0023]
23
‑
n型薄膜硅层卸载台
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
24
‑
载板过渡台
[0024]
25
‑
p型薄膜硅层装载台一
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
26
‑
p型薄膜硅层装载台二
[0025]
27
‑
p型薄膜硅层预热腔一
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
28
‑
p型薄膜硅层预热腔二
[0026]
29
‑
p型薄膜硅层反应腔
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30
‑
p型薄膜硅层冷却腔一
[0027]
31
‑
p型薄膜硅层冷却腔二
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
32
‑
p型薄膜硅层出料台
[0028]
33
‑
p型薄膜硅层卸载台
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
41
‑
正面本征层第一隔断阀门
[0029]
42
‑
正面本征层第二隔断阀门
ꢀꢀꢀꢀ
43
‑
正面本征层第三隔断阀门
[0030]
44
‑
正面本征层第四隔断阀门
ꢀꢀꢀꢀ
45
‑
正面本征层第五隔断阀门
[0031]
46
‑
正面本征层第六隔断阀门
ꢀꢀꢀꢀ
47
‑
正面本征层第七隔断阀门
[0032]
51
‑
反面本征层第一隔断阀门
ꢀꢀꢀꢀ
52
‑
反面本征层第二隔断阀门
[0033]
53
‑
反面本征层第三隔断阀门
ꢀꢀꢀꢀ
54
‑
反面本征层第四隔断阀门
[0034]
55
‑
n型薄膜硅层第五隔断阀门
ꢀꢀꢀ
56
‑
n型薄膜硅层第六隔断阀门
[0035]
57
‑
n型薄膜硅层第七隔断阀门
ꢀꢀꢀ
58
‑
n型薄膜硅层第七隔断阀门
[0036]
59
‑
n型薄膜硅层第七隔断阀门
ꢀꢀꢀ
61
‑
p型薄膜硅层第一隔断阀门
[0037]
62
‑
p型薄膜硅层第二隔断阀门
ꢀꢀꢀ
63
‑
p型薄膜硅层第三隔断阀门
[0038]
64
‑
p型薄膜硅层第四隔断阀门
ꢀꢀꢀ
65
‑
p型薄膜硅层第五隔断阀门
[0039]
66
‑
p型薄膜硅层第六隔断阀门
具体实施方式
[0040]
一种优化腔室设置的线式pecvd设备，它包括预热室、与预热室出料端相连的反应室以及与反应室出料端相连的冷却室；所述预热室进料端设有预热室第一密封隔断组件；所述预热室与反应室之间设有反应室第一密封隔断组件；所述反应室与冷却室之间设有冷却室第一密封隔断组件；所述冷却室出料端设有冷却室第二密封隔断组件；所述预热室由依次连接的两个以上预热腔构成；相邻预热腔之间设有预热室第二密封隔断组件。
[0041]
每个预热腔都设有独立控制的预热装置。
[0042]
所述冷却室由依次连接的两个以上冷却腔构成；相邻冷却腔之间设有冷却室第三密封隔断组件。
[0043]
所述反应室由依次连接的两个以上反应腔构成；相邻反应腔之间设有反应室第二密封隔断组件。
[0044]
当相邻两反应腔进行不同的沉积反应时，该两个反应腔之间设有缓冲室；所述缓冲室进料端设有缓冲室第一密封隔断组件；所述缓冲室出料端设有缓冲室第二密封隔断组件。
[0045]
每个腔室增加单独密封隔断组件控制，一方面各个腔室的功能可单独运行；另一
方面因在cvd等离子溅射过程中，会有残留气体副产物，增加单独密封隔断组件可杜绝各个腔室之间的污染。
[0046]
下面结合说明书附图和实施例对本

技术实现要素：
进行详细说明：
[0047]
如图1所示为本实用新型提供的一种优化腔室设置的线式pecvd设备的实施例示意图。
[0048]
一种优化腔室设置的线式pecvd设备，它包括第一沉积装置、第二沉积装置以及第三沉积装置；所述第一沉积装置与第二沉积装置之间设有用于基片翻面、转运的第一基片翻面移转装置，所述第二沉积装置与第三沉积装置之间设有用于基片翻面、转运的第二基片翻面移转装置；所述第一沉积装置与第二沉积装置之间设有用于基片载板升降回转的第一载板回转装置(即载板过渡台11)，所述第二沉积装置与第三沉积装置之间设有用于基片载板升降回转的第二载板回转装置(即载板过渡台24)。
[0049]
所述第一沉积设备包括第一载板回升装置、与第一载板回升装置出料端连接的第一装载组件、与第一装载组件出料端相连的第一预热室、与第一预热室出料端相连的第一反应室、与第一反应室出料端相连的第一冷却室、与第一冷却室出料端相连的第一出片组件；所述第一预热室进料端设有预热室第一密封隔断组件(即正面本征层第一隔断阀门41)；所述第一预热室与第一反应室之间设有反应室第一密封隔断组件(即正面本征层第三隔断阀门43)；所述第一反应室与第一冷却室之间设有冷却室第一密封隔断组件(即正面本征层第五隔断阀门45)；所述第一冷却室出料端设有冷却室第二密封隔断组件(即正面本征层第七隔断阀门47)。
[0050]
所述第一预热室由依次连接的两个以上预热腔(即正面非晶硅本征层预热腔一3、正面非晶硅本征层预热腔二4)构成；相邻预热腔之间设有预热室第二密封隔断组件(即正面本征层第二隔断阀门42)。
[0051]
每个预热腔都设有独立控制的预热装置。
[0052]
所述第一冷却室由依次连接的两个以上冷却腔(即正面非晶硅本征层冷却腔一7、正面非晶硅本征层冷却腔二8)构成；相邻冷却腔之间设有冷却室第三密封隔断组件(即正面本征层第六隔断阀门46)。
[0053]
所述第一反应室由依次连接的两个以上反应腔(即正面非晶硅本征层反应腔一5、正面非晶硅本征层反应腔二6)构成；相邻反应腔之间设有反应室第二密封隔断组件(即正面本征层第四隔断阀门44)。
[0054]
所述第一装载组件包括依次连接的正面非晶硅本征层装载台一1和正面非晶硅本征层装载台二2。
[0055]
所述第一出片组件包括依次相连的第一出料机构(即正面非晶硅本征层出料台8)和第一卸料机构(即正面非晶硅本征层卸载台9)。
[0056]
所述基片为待沉积本征层的硅片73。
[0057]
所述第二沉积设备包括第二装载组件、与第二装载组件出料端相连的第二预热室、与第二预热室出料端相连的第二反应室、与第二反应室出料端相连的第二冷却室、与第二冷却室出料端相连的第二出片组件；所述第二预热室进料端设有预热室第一密封隔断组件(即反面本征层第一隔断阀门51)；所述第二预热室与第二反应室之间设有反应室第一密封隔断组件(即反面本征层第三隔断阀门53)；所述第二反应室与第二冷却室之间设有冷却
室第一密封隔断组件(即n型薄膜硅层第七隔断阀门57)；所述第二冷却室出料端设有冷却室第二密封隔断组件(即n型薄膜硅层第九隔断阀门59)。
[0058]
所述第二预热室由依次连接的两个以上预热腔(即反面非晶硅本征层预热腔一14、反面非晶硅本征层预热腔二15)构成；相邻预热腔之间设有预热室第二密封隔断组件(即反面本征层第二隔断阀门52)。
[0059]
每个预热腔都设有独立控制的预热装置。
[0060]
所述第二冷却室由依次连接的两个以上冷却腔(即n型薄膜硅层冷却腔一20、n型薄膜硅层冷却腔二21)构成；相邻冷却腔之间设有冷却室第三密封隔断组件(即正面本征层第六隔断阀门46)。
[0061]
所述第二反应室由依次连接的两个以上反应腔(即反面非晶硅本征层反应腔一16、反面非晶硅本征层反应腔二17、n型薄膜硅层反应腔19)构成；相邻反应腔之间设有反应室第二密封隔断组件(即反面本征层第四隔断阀门54)。
[0062]
当相邻两反应腔进行不同的沉积反应时，该两个反应腔(即反面非晶硅本征层反应腔二17、n型薄膜硅层反应腔19)之间设有缓冲室(即反面非晶硅本征层缓冲腔18)；所述缓冲室进料端设有缓冲室第一密封隔断组件(即n型薄膜硅层第五隔断阀门55)；所述缓冲室出料端设有缓冲室第二密封隔断组件(即n型薄膜硅层第六隔断阀门56)。
[0063]
所述第二装载组件包括依次连接的反面非晶硅本征层装载台一12和反面非晶硅本征层装载台二13。
[0064]
所述第二出片组件包括依次相连的第二出料机构(即n型薄膜硅层出料台22)和第二卸料机构(即n型薄膜硅层卸载台23)。
[0065]
所述第三沉积设备包括第三装载组件、与第三装载组件出料端相连的第三预热室、与第三预热室出料端相连的第三反应室、与第三反应室出料端相连的第三冷却室、与第三冷却室出料端相连的第三出片组件、与第三出片组件相连的用于基片载板下降回转的第三载板回转装置；所述第三预热室进料端设有预热室第一密封隔断组件(即p型薄膜硅层第一隔断阀门61)；所述第三预热室与第三反应室之间设有反应室第一密封隔断组件(即p型薄膜硅层第三隔断阀门63)；所述第三反应室与第三冷却室之间设有冷却室第一密封隔断组件(即p型薄膜硅层第三隔断阀门63)；所述第三冷却室出料端设有冷却室第二密封隔断组件(即p型薄膜硅层第六隔断阀门66)。
[0066]
所述第三预热室由依次连接的两个以上预热腔(即p型薄膜硅层预热腔一27、p型薄膜硅层预热腔二28)构成；相邻预热腔之间设有预热室第二密封隔断组件(即p型薄膜硅层第二隔断阀门62)。
[0067]
每个预热腔都设有独立控制的预热装置。
[0068]
所述第三冷却室由依次连接的两个以上冷却腔(即p型薄膜硅层冷却腔一30、p型薄膜硅层冷却腔二31)构成；相邻冷却腔之间设有冷却室第三密封隔断组件(即p型薄膜硅层第五隔断阀门65)。
[0069]
所述第三装载组件包括依次连接的p型薄膜硅层装载台一25和p型薄膜硅层装载台二26。
[0070]
所述第三出片组件包括依次相连的第三出料机构(即p型薄膜硅层出料台32)和第三卸料机构(即p型薄膜硅层卸载台33)。
[0071]
本发明具有以下特点：
[0072]
1.预热室和冷却室结构相似度高，设计可直接应用，设计周期可缩短。
[0073]
2.预热室和冷却室设计有两个以上独立腔室，在提升预热和冷却效果的同时，缩短反应室等待预热和冷却时间，对整线运行节拍提升，产线运行也更加顺畅和合理，满足工艺需求，提高了产品的性能质量；并且提高设备的利用率，降低能耗，节约成本。
[0074]
3.不同沉积反应的反应腔之间设置缓冲室，起到隔离缓冲作用，避免等离子及副产物相互交叉污染，提高产品的质量和性能。