技术特征：
1.一种成膜方法，使用多个旋转靶中的至少3个以上的旋转靶对基板进行溅射成膜，所述旋转靶具有中心轴和靶面，并在内部具备能够绕所述中心轴旋转的磁铁，其中，所述多个旋转靶配置为，所述中心轴相互平行，并且所述中心轴与所述基板平行，一边对所述多个旋转靶通电，一边使所述多个旋转靶各自的所述磁铁绕所述中心轴在具有到所述基板最近的a点的圆弧上移动，一边对所述基板进行溅射成膜，所述多个旋转靶内的至少配置在两端的一对旋转靶的所述磁铁，在所述圆弧上在比所述a点更远离所述基板的中心的区域进行成膜的时间，短于在比所述a点更靠近所述基板的中心的区域进行成膜的时间。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，在将所述a点的所述磁铁的角度设为0度，将从所述0度向逆时针的方向设为负角度，向顺时针的方向设为正角度的情况下，所述一对旋转靶的所述磁铁在从20度到90度的范围的任一角度的位置与从-20度到-90度的范围的任一角度的位置之间旋转移动。3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，配置在所述两端的一对旋转靶中的一个旋转靶从比所述圆弧上的所述a点更靠近所述基板的中心的区域开始进行成膜，配置在所述两端的一对旋转靶中的另一个旋转靶从比所述圆弧上的所述a点更远离所述基板的中心的区域开始进行成膜。4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，在配置在所述两端的一对旋转靶的所述磁铁的移动中，在比所述圆弧上的所述a点更远离所述基板的中心的区域移动的平均的角速度，快于在比所述a点更靠近所述基板的中心的区域移动的平均的角速度。
技术总结
本发明的课题在于实现膜厚分布的均匀化。在成膜方法中，使用至少3个以上的多个旋转靶对基板进行溅射成膜，旋转靶具有中心轴和靶面，并在内部具备能够绕中心轴旋转的磁铁。多个旋转靶配置为中心轴相互平行并且中心轴与基板平行。一边对多个旋转靶通电一边使多个旋转靶各自的磁铁绕中心轴在具有到基板最近的A点的圆弧上移动，一边对基板进行溅射成膜，多个旋转靶内的至少配置在两端的一对旋转靶的磁铁在圆弧上在比A点更远离基板的中心的区域进行成膜的时间比在比A点更靠近基板的中心的区域进行成膜的时间短。区域进行成膜的时间短。区域进行成膜的时间短。
技术研发人员：织井雄一 箱守宗人 须田具和 高木大
受保护的技术使用者：株式会社爱发科
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2022/8/30