蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模与流程

技术特征：
1.一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，为由化学式1表示的化合物，[化学式1]a
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其中，所述a为碳或硅；所述b为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述x为氟(f)、氯(cl)、溴(br)以及碘(i)中的一种以上；所述y与z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。2.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，所述蒙版由cnt、富勒烯或它们的混合物形成。3.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，在所述化学式1中，所述o为1～5的整数。4.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物为支化型、环状或芳香族化合物。5.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物使用于ald(原子层沉积)工序。6.根据权利要求1所述的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂，其特征在于，由所述化学式1表示的化合物在常温22℃下为液体，密度为0.8～1.5g/cm3，在20℃下的蒸汽压为1～300mmhg，在25℃下的水中的溶解度为200mg/l以下。7.一种蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：将由化学式1表示的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂注入到ald腔室内并使其吸附于所装载的蒙版的表面，[化学式1]a
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其中，所述a为碳或硅；所述b为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述x为氟(f)、氯(cl)、溴(br)以及碘(i)中的一种以上；所述y与z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。8.根据权利要求7所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤i)，将所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂进行汽化并使其吸附于装载到ald腔室内的蒙版的表面；步骤ii)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第一次吹扫；步骤iii)，将蒙版保护薄膜前体化合物进行汽化并使其吸附于装载到ald腔室内的蒙版的表面；步骤iv)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第二次吹扫；步骤v)，向所述ald腔室内部供给反应气体；以及步骤vi)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第三次吹扫。9.根据权利要求7所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤i)，将蒙版保护薄膜前体化合物进行汽化并使其吸附于装载到ald腔室内的蒙版
的表面；步骤ii)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第一次吹扫；步骤iii)，将所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂进行汽化并使其吸附于装载到ald腔室内的蒙版的表面；步骤iv)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第二次吹扫；步骤v)，向所述ald腔室内部供给反应气体；以及步骤vi)，利用吹扫气体对所述ald腔室内部进行第三次吹扫。10.根据权利要求8或9所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂以及蒙版保护薄膜前体化合物通过vfc方式、dli方式或lds方式被移送到ald腔室内。11.根据权利要求8或9所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂与所述蒙版保护薄膜前体化合物的ald腔室内投入量(mg/周期)之比为1∶1.5～1∶20。12.根据权利要求8或9所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，根据数学式1计算的所述蒙版保护薄膜形成方法的每周期薄膜生长率(/周期)减少率为-5％以下，[数学式1]每周期薄膜生长率减少率(％)＝[(使用了蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂时的每周期薄膜生长率-未使用蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂时的每周期薄膜生长率)/未使用蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂时的每周期薄膜生长率]
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100。13.根据权利要求8或9所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，根据sims测量的所述蒙版保护薄膜形成方法在经过200周期之后所形成的薄膜内残留卤素强度(c/s)为10,000以下。14.根据权利要求8或9所述的蒙版保护薄膜形成方法，其特征在于，所述反应气体为还原剂、氮化剂或氧化剂。15.一种掩模，其特征在于，通过权利要求7所述的蒙版保护薄膜形成方法制造而成。16.一种掩模，其特征在于，包括掩模以及覆盖所述掩模的表面的蒙版，所述蒙版由cnt、富勒烯或它们的混合物形成，所述蒙版的表面涂布有保护薄膜。

技术总结
本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]A


技术研发人员：延昌峰 郑在善 都昇哲 王虎林
受保护的技术使用者：秀博瑞殷株式公社
技术研发日：2021.07.06
技术公布日：2023/2/24