1.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10ghz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜；和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的无电解镀铜层，所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为25～300nm，并且所述树脂膜与所述无电解镀铜层的密合强度为4.2n/cm以上。
2.根据权利要求1所述的覆铜层叠体，其中，所述无电解镀铜层的体积电阻率为7.0μω·cm以下。
3.根据权利要求1或2所述的覆铜层叠体，其还具备在所述无电解镀铜层上层叠的电解镀铜层，所述电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为40～300nm。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的覆铜层叠体，其在所述无电解镀铜层上还具备电解镀铜层，将所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸设为第一微晶，将所述电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸设为第二微晶，相对于所述第二微晶的所述第一微晶的比率(第二微晶/第一微晶)为2.0以下。
5.覆铜层叠体，其特征在于，包含：频率10ghz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜、和在所述低介电树脂膜的至少一面层叠的无电解镀铜层，在所述无电解镀铜层上具备电解镀铜层，所述电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为40～300nm，将所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸设为第一微晶、将所述电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸设为第二微晶，相对于所述第二微晶的所述第一微晶的比率(第二微晶/第一微晶)为2.0以下，并且所述树脂膜与所述无电解镀铜层的密合强度为4.2n/cm以上。
6.根据权利要求5所述的覆铜层叠体，其中，所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸为25～300nm。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述电解镀铜层的体积电阻率为5.0μω·cm以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述低介电树脂膜为聚酰亚胺、改性聚酰亚胺、液晶聚合物、氟系树脂中的任一者、或者其混成物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的覆铜层叠体，其中，所述低介电树脂膜中与所述无电解镀铜层相接的镀层侧界面处的平均表面粗糙度ra为1～150nm，所述树脂膜的镀层侧界面处的采用飞行时间型质量分析法(tof-sims)得到的质量121的强度为800以上，并且对所述树脂膜的镀层侧界面赋予了羟基和/或羧基。
10.覆铜层叠体的制造方法，是在频率10ghz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的低介电树脂膜形成无电解镀铜层而制造的覆铜层叠体的制造方法，其特征在于，包括：对于所述低介电树脂膜的表面形成无电解镀铜层的无电解镀铜工序、和以所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸成为25～300nm的方式将形成有所述无电解镀铜层的所述覆铜层叠体加热的加热工序。
11.根据权利要求10所述的覆铜层叠体的制造方法，其中，在所述加热工序中，采用(i)在大气中150～200℃下10～180分钟和(ii)在非活性气体中150～350℃下5～180分钟的任一加热条件，将所述覆铜层叠体加热。
12.根据权利要求10或11所述的覆铜层叠体的制造方法，其中，所述加热工序在所述无电解镀铜层上的抗蚀剂图案化工序之前进行。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的覆铜层叠体的制造方法，其中，在所述无电解镀铜工序之前，还具有：对所述低介电树脂膜的表面赋予羧基和/或羟基的第一表面改性工序、对于赋予了所述羧基和/或羟基的所述表面采用湿式方式赋予电荷的第二表面改性工序、和使催化剂吸附于赋予了所述电荷的所述表面的催化剂吸附工序，对于吸附了所述催化剂的所述表面形成所述无电解镀铜层。
14.柔性电路基板，其形成有采用根据权利要求1～9中任一项所述的覆铜层叠体的电路。
15.柔性电路基板的制造方法，是使用了低介电树脂膜的柔性电路基板的制造方法，其特征在于，具有：在频率10ghz下的相对介电常数为3.5以下并且介电损耗角正切为0.008以下的所述低介电树脂膜形成无电解镀铜层的无电解镀铜工序；在所述无电解镀铜层上涂布抗蚀剂并图案化的抗蚀剂图案化工序；在所述图案化的抗蚀剂间形成电解镀铜层的电解镀铜工序；在所述抗蚀剂图案化工序之前，以所述无电解镀铜层中的微晶的加权平均尺寸成为25～300nm的方式将形成有该无电解镀铜层的所述覆铜层叠体加热的加热工序。
16.柔性电路基板，是在低介电树脂膜上形成了金属配线的柔性电路基板，其特征在于，包含由所述金属配线构成的导体，其中，在所述金属配线中，将从所述低介电树脂膜起的配线高度设为hw、将与所述低介电膜相接的底边的宽度设为lb、将上表面的宽度设为lt、将与在所述低介电树脂膜上相邻的其他金属配线的配线间距离设为s时，用所述配线高度除以所述底边的宽度与所述上表面的宽度之差得到的值(hw/(lb-lt))所规定的所述金属配线的导体形状的矩形度a为2.5以上，s为60μm以下，并且用所述配线间距离除以所述导体形状的矩形度得到的值(s/a)所规定的导体配线密度wd为10.0以下。
17.根据权利要求14所述的柔性电路基板，其特征在于，具有采用所述覆铜层叠体的在所述低介电树脂膜上形成的金属配线的所述电路，对于所述金属配线的至少一部分，将从所述低介电树脂膜起的配线高度设为hw、将与所述低介电膜相接的底边的宽度设为lb、将上表面的宽度设为lt、将与在所述低介电树脂膜上相邻的其他金属配线的配线间距离设为s时，用所述配线高度除以所述底边的宽度与所述上表面的宽度之差得到的值(hw/(lb-lt))所规定的所述金属配线的导体形状的矩形度a为2.5以上，s为60μm以下，并且用所述配线间距离除以所述导体形状的矩形度得到的值(s/a)所规定的导体配线密度wd为10.0以下。
18.根据权利要求16或17所述的柔性电路基板，其具有包含所述金属配线的导体层、层叠有至少4层以上，整体的厚度除以所述导体层的层数得到的平均厚度为50μm以下。