沉积系统及沉积方法与流程

1.本揭露实施方式是有关于一种沉积系统及沉积方法。


背景技术：

2.为了生产半导体元件，半导体基材，例如作为半导体元件的原料的硅晶圆，必须经过一系列复杂而精细的制程步骤，例如扩散、离子注入、化学气相沉积、微影、蚀刻、物理气相沉积、化学机械研磨和电镀。
3.物理气相沉积(pvd)通常用于在半导体基材上沉积一层或多层(例如薄膜)。例如，溅射是物理气相沉积的一种形式，通常用于半导体制造过程中，以在基材上沉积复杂的合金和金属，例如银、铜、黄铜、钛、氮化钛、硅、氮化硅和氮化碳。溅射包括在真空罩(例如处理腔室)中彼此平行设置的靶材(源)和基材(例如，晶圆)。靶材(阴极)电气接地，而基材(阳极)具有正电位。氩气，相对较重且是一种化学惰性气体，通常在溅射制程中作为的溅射离子种类。当氩气导入腔室时，与阴极释放的电子发生多次碰撞。这导致氩气失去其外部电子并成为带正电的氩离子。带正电的氩离子被阴极靶材的负电位强烈吸引。当带正电的氩离子撞击靶材表面时，带正电的氩离子的动量会转移到靶材材料上，以去除一个或多个最终沉积在基材上的原子。
4.离开靶材的靶材料原子沿着各种行进路径沉积在基材上。


技术实现要素：

5.在一实施方式中，提供一种用以在基材处理腔室中将材料从靶材沉积于基材上的沉积方法，包含沉积材料的薄膜于基材上。在多个位置测量基材上的薄膜的厚度，其中这些位置包含第一位置。基于在这些位置的测量，对准直器中多个中空结构中的每一者各自的长度进行确定，其中进行确定的步骤包含确定对应第一位置的中空结构的第一中空结构第一长度。
6.在一实施方式中，提供一种沉积系统，包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中中空结构的至少一者的长度是可调整的。
7.在一实施方式中，提供一种沉积系统，包含人工智能控制器、基材处理腔室、围住基材处理腔室的靶材、以及准直器。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中人工智能控制器配置以控制中空结构中的至少一者的长度。
附图说明
8.从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的实施例的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的一般实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
9.图1是根据本揭露的一个或多个实施方式的沉积系统中的基材处理腔室的截面
图；
10.图2是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器的俯视图；
11.图3是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器的截面图；
12.图4是根据本揭露的一个或多个实施方式的沉积系统的局部俯视图；
13.图5是根据本揭露的一个或多个实施方式的冷却腔室连同包括一个以上光学量测装置的厚度量测装置的截面图；
14.图6是根据本揭露的一个或多个实施方式的冷却腔室盖板连同包括一个以上光学量测装置的厚度量测的底视图；
15.图7是根据本揭露的一个或多个实施方式的靶材连同基材处理腔室中的超音波感测器的截面图；
16.图8是根据本揭露的一个或多个实施方式的基材处理腔室使用快门片测量基材上的间隙结构的纵横比的截面图；
17.图9是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器中的一个中空结构的俯视图；
18.图10是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器中的一个中空结构的侧面分解图；
19.图11及图12是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器中的一个中空结构的侧视图；
20.图13是根据本揭露的一个或多个实施方式的提高沉积在后续基材上的薄膜的均匀性的方法的流程图；
21.图14是根据本揭露的一个或多个实施方式的基于基材上的间隙结构的纵横比调整每一个中空结构的方法流程图；以及
22.图15是根据本揭露的一个或多个实施方式的基于靶材侵蚀轮廓量测来调整每一个中空结构的方法流程图。
23.【符号说明】
24.100:沉积系统
25.200:基材处理腔室
26.202:基材基座
27.204:靶材
28.300:控制器
29.302:输入电路
30.303:训练数据
31.304:记忆体
32.305:准直器组态数据库
33.306:处理器
34.307:准直器组态产生器
35.308:输出电路
36.402:靶材厚度量测装置
37.404:超音波感测器
38.500:可调式准直器,准直器
39.502:中空结构
40.504:开口
41.508:耦合机构,螺纹连接位置
42.512:内中空构件
43.514:突出部
44.516:外中空构件
45.518:内螺纹
46.600:冷却腔室
47.602:厚度量测装置
48.620:传送腔室
49.621:传送机械臂
50.622:纵横比量测装置
51.624:影像分析装置
52.700:制程护罩
53.800:冷却腔室盖板
54.812:快门片储存装置
55.840:光学量测装置
56.842:光源
57.843:激光
58.844:滤波器
59.845:偏光镜
60.846:四分之一波片
61.848:侦测器
62.849:分析器
63.850:侦测器
64.851:滤光器
65.862:鳍片
66.864:腔室
67.900:快门片
68.902:基材
69.904:薄膜
70.a:位置
71.b:位置
72.c:位置
73.d:位置
74.aa:位置
75.bb:位置
76.cc:位置
77.dd:位置
78.θ:反射角度
79.s100:步骤
80.s200:步骤
81.s300:步骤
82.s400:步骤
83.s500:步骤
84.s1000:步骤
85.s1100:步骤
86.s1200:步骤
87.s1300:步骤
88.s2000:步骤
89.s2100:步骤
90.s2200:步骤
具体实施方式
91.以下的揭露提供了许多不同实施方式或实施例，以实施所提供的标的的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定实施例是用以简化本揭露的实施例。当然这些仅为实施例，并非用以作为限制。举例而言，于描述中，第一特征形成于第二特征的上方，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，亦可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施方式，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。如在此所使用的，第一特征形成在第二特征上意指第一特征形成以直接接触第二特征另外，本揭露可以在各种示例中重复元件符号及/或字母。这些重复本身并非指定所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
92.此外，在此可能会使用空间相对用语，例如“在下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”与类似用语，以方便说明如附图所绘示的一构件或一特征与另一(另一些)构件或特征之间的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。
93.根据在此描述的标的实施例包括一种沉积系统，其能够以可调式准直器所提供的增强的间隙填充能力沉积薄膜(或层)于基材上(例如，接触或介层窗结构于晶圆上)。根据本揭露的一个或多个实施例的可调式准直器能够调整其尺寸(例如，可调式准直器中的每一个中空结构的长度)，以将靶材材料以各种纵横比(例如，高纵横比)沉积(或填充)在与基材上的图案(例如阶梯和沟渠)中。此外，根据本揭露的一个或多个实施例的可调式准直器能够透过调整其尺寸(例如，可调式准直器中每一个中空结构的长度)，在基材上的所有区域提供均匀的沉积。在各种实施例中，可调式准直器能够通过调整其尺寸(例如，可调式准直器中每一个中空结构的长度)来延长靶材的寿命。根据本揭露的各种实施例，具有多个中空结构的可调式准直器位于靶材和基材之间。
94.如上所述，在溅镀制程中，带正电的氩离子撞击靶材表面，带正电的氩离子的动量
转移到靶材材料上，以沿着各种行进路径除去沉积在基材上的一个或多个原子。
95.这种具有可调式准直器的沉积系统的实施例可以将靶材材料沉积(或填充)到基材上具有高纵横比的间隙中，基于靶材材料的行进路径在靶材材料到达基材之前捕获(或过滤)可能阻碍间隙填充的靶材材料。举例来说，如果往间隙行进的靶材材料位在前往间隙底面的行进路径上(例如，垂直方向)，则间隙更有可能被来自间隙底面的材料填充。然而，如果往间隙行进的靶材材料在前往间隙侧壁的路径上(例如，倾斜方向)，则在没有将靶材材料一直填充到间隙的底部的情况下，间隙更有可能被堵塞在间隙的顶部开口处。透过靶材与基材之间的多个长而窄的通道(例如中空结构)，有助于减少可能堵塞间隙的靶材材料，特别是对于具有高纵横比的间隙。在一些实施方式中，可调式准直器中的每一个中空结构被配置以单独或共同地延伸，以根据间隙的纵横比(例如，中空结构的长度随着间隙纵横比的增加而增加)，来捕获可能沉积在间隙侧壁上的靶材材料，以提高沉积系统的间隙填充能力。
96.在本揭露的一些实施例中，透过单独或共同地调整每一个中空结构各自的长度，沉积系统能够填补高纵横比的间隙。在本揭露的一些实施例中，透过单独或共同地调整可调式准直器中每一个中空结构的各自长度，沉积系统能够在基材上沉积一均匀层。在一些实施例中，透过单独或共同地调整可调式准直器中每一个中空结构的各自长度，沉积系统能够更长时间地稳定沉积速率，延长靶材寿命。
97.图1是根据本揭露的一个或多个实施方式的沉积系统100中的基材处理腔室200的截面图。
98.图2是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器500的俯视图。
99.图3是根据本揭露的一个或多个实施方式的可调式准直器500的截面图。
100.图4是根据本揭露的一个或多个实施方式的沉积系统100的局部俯视图。
101.参照图1，基材处理腔室200包括一个支撑基材902(例如晶圆)的基材基座202位于基材处理腔室200中、围住基材处理腔室200的靶材204、位于靶材204和基材基座202之间的制程护罩700、以及设置在或靠近位于在靶材204和基材基座202之间的制程护罩700的内侧的可调式准直器500。
102.参照图2，可调式准直器500包含多个中空结构502，配置以根据来自控制器300的组态控制信号，调整每一个中空结构502的各自的长度(例如延伸或缩至预定长度)。在本揭露的各种实施例中，多个中空结构502聚集以提供多个开口504，以供来自靶材204的材料穿过。也就是说，中空结构502提供靶材204和基材902之间的狭窄通道。在一些实施例中，每一个中空结构与底层基材902的一部分重叠。每一个狭窄通道(中空结构502)的长度影响基材902上的对应区域。举例而言，透过延伸其中一个中空结构502，在基材902上的对应区域上具有高纵横比的间隙很可能被填充而不会出现孔洞或突出问题。此外，通过缩回其中一个中空结构502，更多的靶材材料被沉积在基材902上的对应区域。在各种实施例中，为了增加或调整来自靶材204且通过开口504的材料量，多个开口504包括不同尺寸和形状的开口504(例如，圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形和八边形)。在本揭露的一些实施例中，可调式准直器500包含一个耦合机构508，用以将可调式准直器500连接到制程护罩700的内侧。在图2所示的实施例中，可调式准直器500四透过四个螺纹连接位置508连接到制程护罩700。
103.参照图3，可调式准直器500中的每一个中空结构502是根据来自控制器300组态控制信号而被调整。根据来自控制器300组态控制信号，每一个中空结构502的各自长度可被调整。
104.在图3所示的实施例中，调整每一个中空结构502各自的长度，使得在位置a的中空结构502比在位置b、位置c与位置d的中空结构502长。在所示的实施例中，在位置b的中空结构502比在位置c与位置d的中空结构502长。在所示实施例中，位置c的中空结构502比位置d的中空结构502长。
105.在所示的实施例中，每一个中空结构502的长度是根据来自控制器300的组态控制信号而递增地变化。然而，本揭露的实施例并不限制中空结构502的长度递增变化。在各种实施例中，每一个中空结构502可缩回或延伸至预定长度。
106.如图3所示配置的可调式准直器500对基材902的中心(对应位置a)高纵横比间隙相对于基材902的周边区域(对应位置b、位置c与位置d)的高纵横比间隙提供较大的覆盖范围，因为中空结构502在可调式准直器500的位置a捕获或阻挡更多可能沉积在间隙的侧壁上的靶材材料。然而，如图3所示的可调式准直器500，对基材902的周边区域(对应位置b、位置c与位置d)相对于基材902的中心(对应位置a)提供更高的沉积速率，因为在可调式准直器500的位置b、位置c与位置d(例如可调式准直器500的周边区域)所阻挡或捕获的材料更少500。换言之，可调式准直器500中的每一个中空结构502的各自长度可根据间隙纵横比的尺寸、基材902上的薄膜904的靶材均匀性和/或对应基材902上的每一个区域的靶材材料量而调整。
107.参照图4，沉积系统100包含一个或多个基材处理腔室200、一个或多个冷却腔室600、传送腔室620、传送机械臂621，其中传送机械臂621位于传送腔室620中且被配置为移动基材902从传送腔室620附近的一个腔室到传送腔室620附近的另一个腔室。
108.冷却腔室600用以在将基材902传送至其中一个基材处理腔室200进行沉积制程之前暂时容纳基材902、或在其中一个基材处理腔室200的沉积制程完成后，暂时容纳基材902。在本揭露的各种实施例中，冷却腔室600包括厚度量测装置602，其能够测量沉积在基材902上的薄膜904的厚度。
109.图1所示的实施例示出了在溅镀制程期间，基材基座202是处于制程位置(例如，上方位置)支撑基材902。此时，以来自靶材204的靶材材料(与供应至基材处理腔室200的反应气体)在基材902上形成薄膜904。在各种实施例中，可调式准直器500能够在基材处理腔室200的沉积完成之后，根据在(图4至图6中的)冷却腔室600从基材902的多个位置处所收集的厚度测量值，来调整每一个中空结构502的各自长度(例如延伸或缩回至预定长度)。
110.如上所述，在本揭露的各个实施例中，可调式准直器500能够调整每一个中空结构502各自的长度，以在后续基材上的所有位置提供均匀的沉积速率。举例而言，中空结构502中的其中至少一者可延伸以降低后续基材上的相应位置处(例如，基材处理腔室200在基材902上沉积过量材料的地方)的沉积速率(例如靶材材料的量)。此外，中空结构502中的其中至少一者可以缩回以增加在后续基材上的相应位置处(例如，在基材处理腔室200中先前在基材902上沉积较少量的材料的地方)的沉积速率(沉积材料的量)。通过增加和/或减少在后续基材上不同对应位置的沉积速率，基材处理腔室200可在后续基材上提供均匀的沉积。
111.参照图1及图3，图3绘示可调式准直器500是为了在图1所示的薄膜904上完成厚度
量测后的后续基材均匀沉积而配置。根据厚度量测结果，确定每一个中空结构502的各自的长度。在一些实施例中，透过将薄膜904的预定厚度与薄膜904的每一个位置处的测量厚度进行比较，确定准直器500中的多个中空结构502中的每一个的各自的长度。因此，当薄膜904在一个位置(一个或多个位置)的厚度大于预定厚度时，增加对应于该位置的中空结构502的长度(例如，延伸到预定厚度)。而且，当薄膜904在一个位置(一个或多个位置)的厚度小于预定厚度时，减小对应该位置的中空结构502的长度(例如缩回至预定长度)。缩回或延伸的量与薄膜904的预定厚度与在基材902上的薄膜904的预定厚度与薄膜904的量测厚度之间的差值成比例。在一些实施例中，透过将薄膜904的平均厚度(基于薄膜904的厚度量测值)与在薄膜904的每一个位置处的厚度量测值进行比较，确定准直器500中的每一个的中空结构502的各自长度。因此，当薄膜904在一个位置(一个或多个位置)的厚度大于平均厚度时，增加对应于该位置的中空结构502的长度(例如，延伸到预定厚度)。而且，当薄膜904在一个位置(一个或多个位置)的厚度小于平均厚度时，减小对应该位置的中空结构502的长度(例如缩回至预定长度)。缩回或延伸的量与薄膜904的平均厚度和基材902上的薄膜904的厚度量测值之间的差值成比例。
112.如上所述，中空结构502可以伸长以降低相应位置(本实施例所指的中心区域)的沉积速率(例如靶材材料的量)，且中空结构502可以缩回以在相应的位置(本实施例是指晶圆的边缘区域)增加沉积速率(沉积材料的量)。
113.通过优化可调式准直器500中每一个中空结构502的各自长度，更少的靶材材料可能沉积在可调式准直器500上，这会降低生产良率(例如因为从准直器上剥落的粒子而导致的腔室颗粒问题)。此外，透过对可调式准直器500中的每一个中空结构502的各自长度进行优化，可在沉积中实际利用更多的靶材材料。
114.如上所述，在一些实施例中，沉积层(薄膜904)的均匀性(或厚度)是使用位于冷却腔室600中的厚度量测装置602所测量。然而，本揭露并不限制测量的位置。在一些实施例中，测量可以在沉积系统100中的其他位置进行(例如，基材处理腔室200)。在一些实施例中，测量可以透过度量衡工具来完成。
115.根据各种实施例，基材处理腔室200包括纵横比量测装置622(如图8)，其能够测量基材902上的图案中的间隙的纵横比。在图1中所示的实施例中，快门片900包括纵横比量测装置622，其具有一个或多个影像分析装置624(如图8)(例如，影像感测器)，其可以测量基材902上的图案中的间隙的纵横比。纵横比量测装置622的细节将于本揭露的后续内容提供。
116.如上所述，在各种实施例中，可调式准直器500能够对每一个空结构502调整各自的长度，以提高用来填充基材902上的图案中的高纵横比间隙的阶梯覆盖率(step coverage)。举例而言，可调式准直器500中的中空结构502可共同地伸长，以提高阶梯覆盖率，用以填充基材902上的图案中的高纵横比间隙。如上所述，透过延伸中空结构502，降低了基材处理腔室200的沉积速率。因此，可调式准直器500中的中空结构502可集体地缩回至特定长度，以填补基材902上图案中的低纵横比间隙，以维持一定的沉积速率，确保产量。
117.如上所述，透过优化可调式准直器500中的每一个中空结构502中的各自长度，较少的靶材材料可能沉积在可调式准直器500上，这会降低生产良率(例如因为从准直器上剥落的粒子而导致的腔室颗粒问题)。此外，透过优化可调式准直器500中的每一个中空结构
502中的各自长度，在沉积中可实际利用更多的靶材材料。
118.如上所述，在一些实施例中，使用位于基材处理腔室200中的纵横比量测装置622来测量基材902上图案中的间隙的纵横比。然而，本揭露并不限于测量的位置。在一些实施例中，测量可以在沉积系统100中的其他位置进行(例如，冷却腔室600)。在一些实施例中，测量可以透过度量衡工具来完成。在一些实施例中，纵横比是预先确定的、或包含在沉积制程配方中。
119.根据各种实施例，基材处理腔室200包含靶材厚度量测装置402，其能够测量靶材204在多个位置处的厚度(例如，靶材侵蚀轮廓测量)。靶材厚度量测装置402所使用的感测器可以是适合进行非破坏检测的任何类型的感测器。在图1所示的实施例中，超音波感测器位于靶材204上方。超音波感测器404是用来以非破坏性的方式测量靶材204上多个位置的厚度。图1所示的实施例示出3个超音波感测器404位于靶材204上方。然而，本揭露并不限制超音波感测器404的位置和/或超音波感测器404的数量。此外，超音波感测器404可以放置在任何适合的位置，用于监测靶材204的厚度(例如，靶材侵蚀剖面)。超音波感测器402的详细内容将在本揭露的后续内容说明。
120.如以上各个实施例中所讨论的，可调式准直器500能够针对每一个中空结构502调整各自的长度，以稳定沉积速率，并保持基材902上所有区域的均匀沉积。举例而言，中空结构502可以根据靶材侵蚀轮廓进行延伸或缩回，以稳定沉积速率。透过缩回(或保持)对应于靶材204上剩余较少的靶材材料的位置(这导致较少的材料离开靶材表面)的中空结构502的长度，并透过延长对应于剩余较多的靶材材料的位置(这导致更多的材料离开靶材表面)的中空结构的长度502，基材处理腔室200保持沉积速率的同时可保持在基材处理腔室200中的层均匀度。
121.如上所述，通过优化可调式准直器500中每一个中空结构502的各自的长度，更少的靶材材料可能沉积在可调式准直器500上，这会降低生产良率(例如因为从准直器上剥落的粒子而导致的腔室颗粒问题)。此外，透过优化可调式准直器500中的每一个中空结构502中的各自长度，更多的靶材材料可在沉积中实际被利用。
122.控制器300控制可调式准直器500中的每一个中空结构502的长度(例如伸长或缩回)。根据本揭露的一个或多个实施例，控制器300包括输入电路302、记忆体304、处理器306及输出电路308。控制器300包含(计算机)处理器306，配置以执行在此描述的各种功能和操作，包括透过输入电路302从各种数据源接收输入数据(例如，来自厚度量测装置602、纵横比量测装置622、和/或靶材厚度量测装置402的量测数据)、以及透过输出电路308将输出数据(例如，组态控制信号)传送到可调式准直器500。输入电路302接收由各个测量装置(例如，厚度量测装置602、纵横比量测装置622和/或靶材厚度量测装置402)所测量的厚度量测数据、纵横比量测数据和/或靶材侵蚀剖面量测数据。
123.在本揭露的一些实施例中，在基材902上的一个位置或多个(预定或随机)位置处进行薄膜厚度测量。在一些实施例中，输入电路302也接收制程规格信息，例如靶材薄膜厚度。稍后将在本揭露中说明输入电路302、记忆体304及输出电路308的细节。
124.在一些实施例中，处理器306确定薄膜904的厚度在制程规格的外或的内的至少一个区域或位置(例如，中心区域、晶圆边缘区、以及中心区与晶圆边缘区之间的区域)。基于确定结果，处理器306确定可调式准直器500中的每一个中空结构502(或相关的中空结构
502)的确切长度。在一些实施例中，处理器306基于纵横比测量数据确定可调式准直器500中每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的确切长度。在一些实施例中，处理器306基于靶材侵蚀剖面测量数据确定可调式准直器500中每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的确切长度。
125.记忆体304储存透过输入电路302所接收到的讯息、以及来自处理器306的确定的位置(区域)信息等处理数据。记忆体304可以是或包含任何计算机可读取储存媒体，包括例如只读记忆体(rom)、随机存取记忆体(ram)、快闪记忆体、硬盘驱动器、光储存装置、磁储存装置、电子抹除式可复写只读记忆体(eeprom)、有机储存介质等。输出电路308根据量测数据传送组态控制信号(例如伸长或缩回)至可调式准直器500。
126.根据本揭露的一个或多个实施例，处理器306根据来自各个测量设备(厚度量测装置602、纵横比量测装置622和/或靶材厚度量测装置402)的量测数据，传送组态控制信号至可调式准直器500。
127.在一个非限制性的示例中，基于来自厚度量测装置602的量测数据，处理器306确定基材902上的沉积的靶材材料少于基于制程规格的预期的至少一个位置(例如，中心区域、边缘区、以及中心区与边缘区之间的区域)，其中。处理器306将组态控制信号传送给可调式准直器500，并根据组态控制信号，可调式准直器500为后续的基材调整每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的长度。例如，如果处理器306确定沉积在基材902边缘的靶材材料少于制程配方的预期，处理器306则发送组态控制信号以缩回在相对位置的中空结构502(例如长度较短的中空结构502)，用于后续基材。因此，可在后续基材的边缘上沉积所需要的靶材材料的量。
128.在一个非限制性的例子中，基于用来测量靶材204的侵蚀轮廓的靶材厚度量测装置402所量测到的数据，处理器306确定靶材204上比其他位置剩余较少靶材的至少一个位置(例如，中心区域、边缘区、以及中心区与边缘区之间的区域)。处理器306将组态控制信号传送给可调式准直器500，并根据组态控制信号，可调式准直器500调整每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的长度。例如，如果处理器306确定在靶材204边缘残留的靶材材料比靶材204上的其他位置少，处理器306则发送组态控制信号至可调式准直器500，以收回在在边缘区的中空结构502(例如缩短中空结构502)。因此，基材902上对应于靶材204边缘的区域的沉积速率可与基材902上其他区域的沉积速率相同，或者在其他实施例中，在一段时间可以大于基材902上其他区域的沉积速率。据此，基底处理腔室200可以在保持稳定的沉积速率、或与基材的其他区域的沉积速率不同的沉积速率的同时，沉积均匀的薄膜层。
129.在一个非限制性的例子中，处理器306根据纵横比量测装置622的量测数据，确定基材902上图案间隙的纵横比。处理器306传送组态控制信号至可调式准直器500，并根据组态控制信号，可调式准直器500调整每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的长度。例如，如果处理器306确定基础902在基材902上的图案中包含高纵横比间隙，则处理器306传输组态控制信号来使中空结构502延伸以填补高纵横比的间隙。
130.输出电路308可以是、或可包含一个或多个输出端子，这些输出端子可通信地耦合到沉积系统100的任何期望数量的元件，例如可调式准直器500。稍后将于本揭露提供厚度测量装置602、纵横比量测装置622和靶材厚度量测装置402的细节。
131.在一些实施例中，处理器306包括准直器组态产生器307(人工智能控制器)，用于
透过采用一种或多种人工智能技术来确定每一个中空结构502的各自长度。
[0132]“人工智能”在本揭露中用于广义地描述任何可以学习知识(例如，基于训练数据)，并使用这种学习到的知识来适应其解决一个或多个问题的方法，例如基于接收到的输入进行推断，例如透过输入电路302接收到的量测值(量测数据)。人工智能机器可以采用例如神经网络、深度学习、卷积神经网络(convolutional neural network)、贝叶斯程序学习(bayesian program learning)和模式识别技术(pattern recognition techniques)来解决例如确定每一个中空结构502的各自长度的问题。此外，人工智能可以包括以下计算机技术中的任何一种或组合：约束程序(constraint program)、模糊逻辑、分类、常规人工智能(conventional artificial intelligence)、符号运算、模糊集合理论、演化计算、控制论、数据探勘、近似推理、无梯度优化(derivative-free optimization)、决策树和/或软计算。采用一种或多种计算智能技术，准直器组态产生器307可以学习以确定可调式准直器500中每一个中空结构502(或有关的中空结构502)各自的长度。
[0133]
在一些实施例中，准直器组态产生器307是根据记忆体304中储存的训练数据303进行训练的。在一些实施例中，训练数据303包括针对各种条件的中空结构502的预定长度。作为非限制性示例，训练数据303包含对应于不同靶材204厚度(靶材侵蚀轮廓)、不同间隙图案纵横比、不同薄膜904厚度(包含在沉积前对先前沉积在基材902上的前一层进行的测量)、电路设计最小空间信息(间隙填充信息)、及其任意组合的中空结构502的预定长度。
[0134]
在一些实施例中，基于训练数据303，准直器组态产生器307控制和/或调整每一个中空结构502(或相关的中空结构502)的各自长度。
[0135]
在一些实施例中，准直器组态产生器307因应训练数据303学习以修改其行为，并获得或产生储存在准直器组态数据库305中的准直器组态知识。组态知识包含使用训练数据303操作沉积系统100(例如沉积)的结果，训练数据303例如为薄膜904均匀性和所使用的对应训练数据303、间隙填充制程的制造良率和所使用的对应训练数据303)、以及使用的靶材204生命周期和对应的训练数据303。可以使用位于沉积系统100中的一个或多个感测器(例如超音波感测器、红外线感测器、激光感测器、光学雷达(light detection and ranging sensor)、声纳探测器(sound navigation ranging sensor)和/或影像感测器)来获得基于训练数据303(例如，薄膜904的均匀性、靶材204的寿命、靶材204的侵蚀轮廓和/或与制造良率相关的间隙填充结果)的沉积结果。
[0136]
在一些实施例中，基于准直器组态知识(包含沉积结果)，准直器组态产生器307对训练数据303进行校正，以优化或改进训练数据303到特定的基材处理腔室200。也就是说，准直器组态产生器307回应训练数据303和准直器组态数据库305不断地修正其行为，并更新准直器组态数据库305中的准直器组态知识。
[0137]
图5是根据本揭露的一个或多个实施例的冷却腔室600连同包含一个以上光学量测装置840的厚度量测装置602的剖视图。
[0138]
图6是根据本揭露的一个或多个实施例的冷却腔室盖板800连同包含一个以上光学量测装置840的厚度量测装置602的底视图。
[0139]
参照图5及图6，根据本揭露的一个或多个实施例，每一个光学量测装置840包含配置以向基材902上的薄膜904发射线偏振光(例如线偏振激光)的光源842、以及被配置为侦测从薄膜904(例如反射椭圆)反射的光的光侦测器848。基于反射椭圆的形状和反射角度θ，
可以确定基材902上的薄膜904的厚度。基材902放置在腔室864底部的多个鳍片862上，而基材902位于冷却腔室600中。
[0140]
在图5及图6所示的实施例中，光学量测装置840被放置在基材902上方一定距离处，以量测基材902上的薄膜904的厚度。每一个光学量测装置840包含光源842及光侦测器848，光源842配置以向基材902上的薄膜904发射线偏振光(例如线偏振激光)，光侦测器848配置以侦测从薄膜904(例如反射椭圆)反射的光。基于反射椭圆的形状和反射角度θ，可以确定基材902上的薄膜904的厚度。根据本揭露的一个或多个实施例，为了产生线性偏振光，光源842包含激光843和偏光镜845。如图5中的实施例所示，除了激光843和偏光镜845之外，光源842包括滤波器844和四分之一波片846以从激光843产生线偏振光。在本揭露的一些实施例中，光侦测器848包含分析器849和侦测器850，接收并检测反射椭圆的形状。根据上述，基于反射椭圆的形状和反射角度θ，可以确定基材902上的薄膜904的厚度。
[0141]
参照图5及图6，厚度量测装置602包含超过一个光学量测装置840，以量测基材902上多个位置的薄膜904厚度。如图5及图6中所示实施例，4个光学量测装置840位于冷却腔室盖板800的底部，以测量薄膜904上对应位置的厚度。对于非限制性的示例，位于冷却腔室盖板800上的位置a的光学量测装置840配置以测量位置aa的薄膜904的厚度，位于冷却腔室盖板800上的位置b的光学量测装置840配置以测量位置bb的薄膜904的厚度，位于冷却腔室盖板800上的位置c的光学量测装置840配置以测量位置cc的薄膜904的厚度，位于冷却腔室盖板800上的位置d的光学量测装置840配置以测量位置dd的薄膜904的厚度。
[0142]
在一些实施例中，在位置aa、位置bb、位置cc和位置dd位置处的薄膜904的厚度是以对应位置a、位置b、位置c和位置d各自的位置的光学量测装置840以预定顺序依次取得。
[0143]
在一些实施例中，为了增加产能(例如减少测量时间)，在位置aa、位置bb、位置cc和位置dd位置处的薄膜904的厚度可同步以对应位置a、位置b、位置c和位置d的光学量测装置840来取得。为了通过减少因同时测量造成的干扰来提高厚度量测的准确性，每一个对应的光学量测装置840都具有光源842，其产生彼此不同的独特波长的光(例如激光)。在一个非限制的例示中，位于位置a的光学量测装置840的的光源842发射第一波长的光到基材902上的位置aa，且位于位置a的光学量测装置840的光侦测器848用于侦测第一波长的光，从位置aa侦测第一波长中的反射椭圆。在本揭露的一些实施例中，位于位置a的光学量测装置840的光侦测器848包括滤光器851以阻挡其他不同波长的光，故只有第一波长中的反射椭圆被光侦测器848侦测到。
[0144]
与位置a的光学量测装置840的光源842类似，位置b的光学量测装置840的光源842发射第二波长的光至基材902上的位置bb，且位置b的光学量测装置840的光侦测器848用于侦测第二波长的光，从位置bb侦测第二波长中的反射椭圆。在本揭露的一些实施例中，位于位置b的光学量测装置840的光侦测器848包括滤光器851以阻挡其他不同波长的光，故只有第二波长中的反射椭圆被光侦测器848侦测到。
[0145]
与位置a的光学量测装置840的光源842类似，位置c的光学量测装置840的光源842发射第三波长的光至基材902上的位置cc，且位置c的光学量测装置840的光侦测器848用于侦测第三波长的光，从位置cc侦测第三波长中的反射椭圆。在本揭露的一些实施例中，位于位置c的光学量测装置840的光侦测器848包括滤光器851以阻挡其他不同波长的光，故只有第三波长中的反射椭圆被光侦测器848侦测到。
[0146]
与位置a的光学量测装置840的光源842类似，位置d的光学量测装置840的光源842发射第四波长的光至基材902上的位置dd，且位置d的光学量测装置840的光侦测器848用于侦测第四波长的光，从位置dd侦测第四波长中的反射椭圆。在本揭露的一些实施例中，位于位置d的光学量测装置840的光侦测器848包括滤光器851以阻挡其他不同波长的光，故只有第四波长中的反射椭圆被光侦测器848侦测到。
[0147]
在本揭露的一些实施例中，如果光源842相隔一预定距离、或是相隔预定数量，则其中一些光源842可产生相同波长的光。在一非限制性例示中，在位置a与位置c处的每一个光源842发射相同波长的光。同样地，在位置b与位置d处的光源842发出相同波长的光。
[0148]
在图5及图6中，厚度量测装置602包括位于冷却腔室600中的光学量测装置840，以测量基材902上的薄膜904。然而，本揭露不限制厚度量测装置602的位置。此外，本揭露亦不限制用于测量的感测方法。作为非限制性示例，在一些实施例中，厚度量测装置602包括超音波感测器、红外线感测器、激光感测器、光学雷达、声纳探测器、或影像感测器。
[0149]
图7是根据本揭露的一个或多个实施例的基材处理腔室200中的靶材204连同超音波感测器404的剖视图。
[0150]
参照图7，根据本揭露的一个或多个实施例的基材处理腔室200包含三个超音波感测器404。
[0151]
在图所示的实施例中，三个超音波感测器404位于靶材204的上方。每一个超音波感测器404基于超音波传播使用至少一种的非破坏检测技术测量各自靶材区域中的靶材204的厚度。例如，根据图2所示的实施例，每一个超音波感测器404产生中心频率在0.1mhz和50mhz之间的短超音波脉冲波，并将超音波脉冲波传播至靶材204中。超音波感测器404透过比较超音波感测器402产生的初始超音波脉冲波和靶材204反射的超音波脉冲波，测量各自区域的靶材204的厚度。
[0152]
根据本揭露的实施例不限于使用中心频率在0.1mhz和50mhz之间的短超音波脉冲波。作为非限制性的示例，根据本揭露的其他实施例中，中心频率低于0.1mhz或高于50mhz。根据本揭露的实施例，超音波感测器402产生的波形不限于脉冲波。作为非限制性的示例，在根据本揭露的实施例中，波形可以是任何能够测量靶材204的厚度的适合波形，例如正弦波形、三角波形与锯齿波形。
[0153]
根据本揭露的实施例并不限于使用三个超音波感测器404。例如，在根据本揭露的其他实施例中，基于靶材204的尺寸，两个或更多个超音波感测器404(均匀地或不均匀地)位在靶材204上方。然而，如果具有一个超音波感测器404就足以测量多个位置的靶材204的厚度，则靶材204上可以只设置一个超音波感测器404。或者，可使用一个或多个可移动式的超音波感测器404来测量多个位置的靶材的厚度。
[0154]
如以上各个实施例中所讨论的，可调式准直器500能够调整每一个中空结构502的各自长度，以稳定沉积速率以保持基材902上所有区域的均匀沉积。例如，中空结构502可以根据靶材侵蚀轮廓进行延伸或缩回，以稳定沉积速率。透过缩回(或保持)对应于靶材204上剩余较少的靶材材料的位置(这导致较少的材料离开靶材表面)的中空结构502的长度，并透过延长对应于剩余较多的靶材材料的位置(这导致更多的材料离开靶材表面)的中空结构的长度502，基材处理腔室200保持沉积速率的同时可保持在基材处理腔室200中的层均匀度。在一些实施例中，使用制程配方中的晶圆交换间隔设置来测量靶材侵蚀轮廓(例如，
多个位置处的靶材厚度)。
[0155]
在图7中，靶材厚度量测装置402包括位于基材处理腔室200中的超音波感测器404以测量靶材204。然而，本揭露并不限制靶材厚度量测装置402的位置。此外，本揭露不限制用于测量的感测方法。在一些实施例中，厚度量测装置402包括超音波感测器、红外线感测器、激光感测器、光学雷达、声纳探测器、或影像感测器。
[0156]
图8是根据本揭露的一个或多个实施例的使用快门片900测量基材902上图案间隙纵横比的基材处理腔室200剖视图。
[0157]
参照图8，在图1所示的沉积制程之前，支撑基材902的基材基座202与基材902处于测量位置(例如下位)，因此基材902的位置较接近基材处理腔室200的底部内表面200。当基材基座202处于测量位置时，通常在不使用时，存放在快门片储存装置812中的快门片900是放置在基材902上方距基材902一定距离处，以便测量基材902上的间隙结构的纵横比。
[0158]
在图8所示的实施例中，具有纵横比量测装置622的快门片900位于基材902上方，用于测量纵横比。
[0159]
在图8所示的实施例中，快门片900上的纵横比量测装置622包括多个影像分析装置624，其可捕捉和分析如在图8所示的基材902上的图案。如上所述，使用影像分析装置624测量基材902上图案中间隙的纵横比。在一些实施例中，使用制程配方中的晶圆交换间隔设置来测量图案中间隙的纵横比。
[0160]
本揭露不限制纵横比量测装置622中影像分析装置624的数量。因此，在本揭露的一些实施例中，纵横比量测装置622包括少于两个影像分析装置624或多于两个影像分析装置624。
[0161]
在图8中，纵横比量测装置622包括图像分析装置604，其位于在快门片900上以测量间隙的纵横比。然而，本揭露并不限制纵横比量测装置622的位置。此外，本揭露不限制用于测量的感测方法。作为非限制性的示例，在一些实施例中，纵横比量测装置622包括超音波感测器、红外线感测器、激光感测器、光学雷达、声纳探测器、或影像感测器中的至少一个。
[0162]
图9是根据本揭露的一个或多个实施例的可调式准直器500中的一个中空结构502的俯视图。
[0163]
图10是根据本揭露的一个或多个实施例的可调式准直器500中的一个中空结构502的侧面分解图。
[0164]
图11及图12是根据本揭露的一个或多个实施例的调式准直器500中的一个中空结构502的侧视图。
[0165]
参照图9至图12，中空结构502包括一个内中空构件512和一个外中空构件516。在一些实施例中，为了调整中空结构502的长度，内中空构件512被配置为在外中空构件516中旋转。随着内中空构件512沿着第一方向旋转，中空结构502的长度变短。同样地，随着内中空构件512沿着第二方向旋转，中空结构502的长度变长。
[0166]
在图9至图12所示实施例中，外中空构件516包括内螺纹518(螺旋槽)，内中空构件512包括在旋转运动时与内螺纹518(螺旋槽)配合的突出部514(例如，局部螺旋凸起部)。
[0167]
在一些实施例中，中空结构502的长度是基于来自控制器300的组态控制信号，来使用马达(未示出)旋转内中空构件512来调整。
[0168]
图13是根据各种实施例的提高沉积在后续基材上的薄膜的均匀性的方法的流程图。
[0169]
参考图13，提高后续基材上的薄膜的均匀性的方法包含：步骤s100，在多个位置测量在基材处理腔室200之前沉积在基材902上的薄膜904的厚度；步骤s200在基材902上沉积薄膜904；步骤s300，在多个位置测量基材902上的薄膜904的厚度；以及步骤s400基于基材处理腔室200之前和之后的测量确定每一个中空结构502的各自长度；以及步骤s500，为后续的基材调整每一个中空结构502的各自长度。
[0170]
在多个位置测量在基材处理腔室200之前沉积在基材902上的薄膜904的厚度的步骤s100包含测量先前沉积在基材902上的薄膜的步骤。如上所述，在一些实施例中，在冷却腔室600收集厚度量测值。在一些实施例中，先前沉积在基材902上的薄膜的厚度量测值被传送至控制器300。
[0171]
在基材902上沉积薄膜904的步骤s200包含在基材902上沉积薄膜904的步骤。
[0172]
在多个位置测量基材902上的薄膜904的厚度的步骤s300包含测量基材902上的薄膜904的步骤。如上所述，在一些实施例中，在冷却腔室600处收集厚度量测值。在一些实施例中，冷却腔室600可以是与用于测量先前沉积的薄膜的相同腔室。在一些实施例中，冷却腔室600可为不同腔室。在一些实施例中，在基材处理腔室200量测的沉积在基材902上的薄膜904的厚度量测值被传送到控制器300。
[0173]
基于在基材处理腔室200之前和之后进行的测量确定每一个中空结构502的各自长度的步骤s400包括基于在沉积前后所进行的厚度量测值来确定每一个中空结构502的适合长度的步骤。根据比较结果，可以确定沉积在基材902上的薄膜904的均匀性(或在基材902上多个位置处的薄膜904的厚度)。基于量测结果，确定每一个中空结构502各自的长度。如上所述，在一些实施例中，控制器300使用一种或多种人工智能技术确定每一个中空结构502各自的长度。
[0174]
为后续基材调整各中空结构502的长度的步骤s500包含根据确定的合适的长度调整每一个中空结构502的步骤。在一些实施例中，控制器300将组态控制信号传送到可调式准直器500以调整每一个中空结构502的长度。在一些实施例中，步骤s100被省略，而步骤s300用于测量沉积在基材902上的薄膜904。因此，在一些实施例中，确定每一个中空结构502的相应长度的步骤s400是基于在沉积之后进行的厚度量测值来确定。根据沉积后的测量，可以确定沉积在基材902上的薄膜904的均匀性(或基材902上多个位置处的薄膜904的厚度)。
[0175]
图14是基于基材902上(图案中)的间隙的纵横比，调整中空结构502各自长度的方法流程图。
[0176]
参照图14，调整中空结构502的长度的方法包含：步骤s1000定位基材902以进行纵横比测量；步骤s1100测量基材902上的(图案中)间隙的纵横比；步骤s1200，基于测量确定每一个中空结构502的各自长度；步骤s1300，为基材902调整中空结构502的各长度。
[0177]
用于纵横比测量的基材902的定位步骤s1000包括用于纵横比测量(例如，测量位置或更低位置)的基材902定位的步骤。在一些实施例中，如上所述，具有纵横比量测装置622的快门片900位于用于纵横比量测的基材902上方。
[0178]
测量基材902上图形的间隙纵横比的步骤s1100包括测量基材902上图形的间隙纵
横比的步骤。如上所述，在一些实施例中，快门片900包括具有一个或多个影像分析装置624的纵横比量测装置622，影像分析装置624可以测量基材902上的图案中的间隙的纵横比。在一些实施例中，由纵横比量测装置622测量的纵横比测量被传输到控制器300。
[0179]
基于量测确定每一个中空结构502的各自的长度的步骤s1200包含基于基材902上的间隙(间隙结构)的纵横比确定每一个中空结构502的合适长度的步骤。如上所述，控制器300使用一种或多种人工智能技术为每一个中空结构502确定合适的长度。
[0180]
为基材902调整中空结构502各长度的步骤s1300包括根据确定的合适长度调整中空结构502各长度的步骤。在一些实施例中，控制器300将组态控制信号传送到可调式准直器500，以将每一个中空结构502的长度调整到合适的长度。
[0181]
图15是基于靶材侵蚀轮廓测量调整每一个中空结构502的方法的流程图。
[0182]
参照图15，调整各中空结构502的方法包括：在多个位置测量靶材204的厚度的步骤s2000；基于测量确定每一个中空结构502的各自长度的步骤s2100；以及调整每一个中空结构502的各自长度的步骤s2200。
[0183]
在多个位置测量靶材204的厚度的步骤s2000包含测量靶材204侵蚀轮廓的步骤。如上所述，在一些实施例中，位于靶材204上方的超音波感测器404用于使用至少一种非破坏性检测技术在多个位置处测量靶材204的厚度。在一些实施例中，将超音波感测器404所测得的侵蚀轮廓传送至控制器300。
[0184]
基于测量确定每一个中空结构502的各自长度的步骤s2100包括基于测量的侵蚀轮廓确定每一个中空结构502的适当长度的步骤。如上所述，在一些实施例中，控制器300使用一种或多种人工智能技术确定每一个中空结构502的各自长度。
[0185]
调整每一个中空结构502的各自长度的步骤s2200包含根据确定的适当长度调整中空结构502的各长度的步骤。在一些实施例中，控制器300将组态控制信号传送给可调式准直器500，以将每一个中空结构502的长度调整到合适的长度。
[0186]
使用可调式准直器500能够延长的靶材寿命的能力可产生实质节约成本，并通过减少诸如孔洞、突出现象(overhang)和异常均匀度等制造问题来提高产量。
[0187]
在本揭露实施方式中，提供一种用以在基材处理腔室中将材料从一靶材沉积于基材上的沉积方法，包含沉积材料的一薄膜于基材上。使用任何适合的方法例如溅镀将薄膜沉积在基材上。方法包含在多个位置测量基材上的薄膜的厚度。方法包含基于在这些位置的测量，确定准直器中的每一个中空结构的长度。在本揭露实施方式中，提供一种用以在基材处理腔室中将材料从靶材沉积于基材上的沉积方法，包含沉积该材料的薄膜于基材上。方法包含在多个位置测量基材上的薄膜的厚度，其中这些位置包含第一位置。方法还包含基于在这些位置的测量，对准直器中多个中空结构中的每一者各自的长度进行确定，其中进行确定的步骤包含确定对应第一位置的中空结构的第一中空结构第一长度。在一实施方式中，方法还包含当位于第一位置的薄膜的第一厚度大于预定厚度时，增加第一中空结构的第一长度至预定长度。在一实施方式中，方法还包含当位于第一位置的薄膜的第一厚度小于预定厚度时，减少第一中空结构的第一长度至预定长度。在一实施方式中，方法还包含基于在这些位置的测量，确定沉积在基材上的薄膜的平均厚度。在一实施方式中，方法还包含当位于第一位置的薄膜的第一厚度大于平均厚度时，增加第一中空结构的第一长度至预定长度。在一实施方式中，方法还包含当位于第一位置的薄膜的第一厚度小于平均厚度时，
减小第一中空结构的第一长度至预定长度。在一实施方式中，第一中空结构包含第一中空构件以及第二中空构件，第一中空构件与第二中空构件互相重叠。在一实施方式中，第一中空结构包含第一中空构件以及第二中空构件，第一中空构件与第二中空构件部分互相重叠。在一实施方式中，第一中空构件包含内螺旋槽，且第二中空构件包含螺旋凸起部固定至内螺旋槽。在一实施方式中，每一个中空结构被配置以在线性方向上独立地伸缩。
[0188]
根据本揭露的一个或多个实施例，提供一种沉积系统，其能够控制沉积在基材上的靶材材料的量和/或沉积在基材上的靶材材料的方向。根据本揭露的沉积系统包含基材处理腔。沉积系统包含位于基材处理腔室中的基材基座，基材基座配置以支撑基材。靶材围住基材处理腔室。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中中空结构的至少一者的长度是可调整的。在一实施方式中，第一中空结构包含第一中空构件以及第二中空构件，第一中空构件与第二中空构件互相重叠。在一实施方式中，第一中空结构包含第一中空构件以及第二中空构件，第一中空构件与第二中空构件部分互相重叠。在一实施方式中，第一中空构件包含内螺旋槽，且第二中空构件包含螺旋凸起部固定至内螺旋槽。在一实施方式中，中空构件的旋转运动使第二中空构件在线性方向上移动。在一实施方式中，沉积系统还包含控制器，控制器基于靶材轮廓量测数据、基材上图案中的间隙尺寸、或薄膜厚度量测中的至少一者，来控制第二中空构件的旋转运动。在一实施方式中，沉积系统还包含控制器，控制器人工智能方法确定长度。
[0189]
根据本揭露的一个或多个实施例，提供一种包含人工智能控制器、基材处理腔室、围住基材处理腔室的靶材、以及准直器的沉积系统。准直器具有多个中空结构设置在靶材与基材之间，其中人工智能控制器配置以控制中空结构中的至少一者的一长度。在一实施方式中，人工智能控制器包含储存训练数据的记忆体以及准直器组态数据库。在一实施方式中，训练数据包含一组初始数据点，用于训练人工智能控制器以控制中空结构中的至少一者的长度。
[0190]
上面的揭露已概述数个实施方式的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的实施例的态样。熟悉此技艺者将了解到，其可轻易地利用本揭露的实施例做为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施方式相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也将了解到，这类对等架构并未脱离本揭露的实施例的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的实施例的精神和范围下，在此进行各种的更动、取代与修改。