技术特征：
1.一种在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，包括步骤：将第一前驱体沉积在衬底表面，得到第一沉积膜；将第二前驱体沉积在所述第一沉积膜表面，得到第二沉积膜；其中，所述第一前驱体包括含氧前驱体和含铝前驱体，所述第二前驱体包括含氧前驱体和含钛前驱体。2.根据权利要求1所述的在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，所述含铝前驱体包括alcl3、al(me)3、al(me)2cl、al(et)3和al(oet)3中的一种或多种，其中，所述含钛前驱体包括ti[n(c2h5)2]4、ti[och(ch3)2]4、ticl4和ti[n(ch3)2]4中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，所述含氧前驱体为o2、h2o2、h2o和o3中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，所述衬底的材料为贵金属。5.根据权利要求1所述的在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，将第一前驱体沉积在衬底表面，得到第一沉积膜，包括步骤：第一沉积：在衬底表面沉积含铝前驱体，得到铝层；第一反应：将含氧前驱体与铝层进行反应，得到第一沉积层；循环进行所述第一沉积和所述第一反应，直至所述第一沉积层达到目标厚度时，得到第一沉积膜。6.根据权利要1所述的在贵金属表面制备复合膜的方法，其特征在于，所述将第二前驱体沉积在所述第一沉积膜表面，得到第二沉积膜，包括步骤：第二沉积：在所述第一沉积膜表面沉积含钛前驱体，得到钛层；第二反应：将含氧前驱体与钛层进行反应，得到第二沉积层；循环进行所述第二沉积和所述第二反应，直至所述第一沉积层达到目标厚度时，得到第二沉积膜。7.一种复合膜，其特征在于，所述复合膜根据如权利要求1-6中任一项所述在贵金属表面制备复合膜的方法得到。8.根据权利要求7所述的复合膜，其特征在于，所述复合膜的厚度为9～24nm，其中，第一沉积膜的厚度为7～14nm，第二沉积膜的厚度为2～10nm。9.根据权利要求8所述的复合膜，其特征在于，所述复合膜的透射率大于等于92％，折射率为1.40-2.00。10.一种贵金属，其特征在于，所述贵金属包括贵金属基体和复合膜，所述复合膜沉积于所述贵金属基体，所述复合膜为权利要求7-9中任一项所述的复合膜。
技术总结
本申请具体涉及一种在贵金属表面制备复合膜的方法、复合膜和贵金属，属于原子层沉积领域，包括步骤：将第一前驱体沉积在衬底表面，得到第一沉积膜；将第二前驱体沉积在第一沉积膜表面，得到第二沉积膜；其中，第一前驱体包括含氧前驱体和含铝前驱体，第二前驱体包括含氧前驱体和含钛前驱体。通过首先在衬底上沉积第一前驱体，得到第一沉积膜，其表面致密且能够很好地贴合贵金属表面，然后再将第二前驱体沉积在第一沉积膜表面，得到第二沉积膜，其性质更加稳定，不易被氧化或溶解。第一沉积膜增强复合膜的附着力和致密程度，第二沉积膜增强复合膜的化学稳定性和物理稳定性，进而使得复合膜具有良好的防贵金属腐蚀性能及防划擦性能。膜具有良好的防贵金属腐蚀性能及防划擦性能。膜具有良好的防贵金属腐蚀性能及防划擦性能。
技术研发人员：姚国华 刘星海 李扬 李钢 王浙加 李明 夏洋 冯嘉恒
受保护的技术使用者：嘉兴科民电子设备技术有限公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2022/6/30