技术特征：
1.一种超薄ic晶圆专用划片刀，其特征在于，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。2.如权利要求1所述超薄ic晶圆专用划片刀，其特征在于，刀刃的长厚比为（24~34）：1。3.如权利要求1所述超薄ic晶圆专用划片刀，其特征在于，所述基体为铝基体；所述金刚石磨料为4800目金刚石微粉；金刚石微粉的颗粒等效粒径中值d50为1.67μm；所述金刚石磨料为多棱角型晶型。4.如权利要求1所述超薄ic晶圆专用划片刀，其特征在于，金刚石磨料在复合镀层中体积占比为10.1%~15.2%。5.权利要求1-4任一所述超薄ic晶圆专用划片刀的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）铝基体加工将铝棒车断，再经过粗加工和精加工，制成外径56mm、内孔径19.054mm的碟形铝基体；其中铝基体的大端面用于电镀沉积含有金刚石磨料的复合镀层，铝基体的大端面平面精度要求在1μm以内；（2）电镀将加工好的铝基体用夹具进行组装，清洗，放入电镀槽，在包含电镀液+金刚石磨料的混合液中进行电镀；电镀液的成分包括镍盐和硼酸，其中，镍盐为硫酸镍或氨基磺酸镍，电镀液ph为4.2~4.8；（3）磨外圆磨外圆工序是在铝基体半径方向去除20μm厚度的材料；（4）铝腐蚀出刃铝腐蚀出刃工序采用强碱溶液，同时控制碱溶液浓度、温度及铝腐蚀时间，将与镀层边缘接触的铝基体进行溶解去除，去除后镀层露出部分形成刀刃；（5）电解抛光将铝腐蚀出刃后的刀片，放入抛光电解液内，通电10~15s进行电解抛光；抛光电解过程，去除0.2~0.4μm厚度的电镀镍结合剂。6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤（2）中，电镀液主要成分是氨基磺酸镍和硼酸，其中氨基磺酸镍的浓度为350
±
50g/l，硼酸的浓度为35
±
5g/l；电镀液中金刚石磨料的含量为1-1.5g/l。7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤（2）中，电镀时电流密度为0.86~0.90a/dm2，电镀时间为78~80min；；电镀时电镀镍硬度波动范围在650~720hv。8.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤（4）中，强碱溶液为氢氧化钠溶液；氢氧化钠溶液的浓度为120
±
10g/l，溶液温度为55
±
1℃，腐蚀时间为85min，腐蚀出刀刃长度在380~440μm之间。9.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤（5）中，抛光电解液由体积分数20%的h2so4、体积分数20%的h3po4、以及体积分数60%的水组成。10.权利要求1-4任一所述超薄ic晶圆专用划片刀在切割超薄ic晶圆中的应用。
技术总结
本发明属于半导体芯片加工制造技术领域，具体涉及一种超薄IC晶圆专用划片刀及其制作方法。所述超薄IC晶圆专用划片刀，由基体和镀覆在基体表面的复合镀层构成，所述复合镀层由电镀镍结合剂和金刚石磨料组成；复合镀层的厚度为13~16μm；所述基体为铝基体；复合镀层伸出基体之外的部分为刀刃，刀刃长度为380~440μm。本发明所述超薄IC晶圆专用划片刀能够改善50~100μm厚度范围的超薄IC硅晶圆的切割质量，还能够能克服DAF膜的粘附，减少常规刀片切割时典型的背崩、侧崩、背裂的发生，进而提升晶圆划切良率和加工效率。圆划切良率和加工效率。
技术研发人员：闫贺亮 邵俊永 王战 杨森 陈月涛 董峰 刘建双 栗云慧 窦文海 乔帅 付林泊 杨双 高鹏
受保护的技术使用者：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
技术研发日：2022.04.15
技术公布日：2022/8/9