技术特征：
1.一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：1)将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备真空室中的转架杆上，该转架杆随转架台转动，同时自转，保证镀膜过程的均匀性；2)以平面si靶、c靶作为相应元素的来源，平面si靶和c靶以对靶的方式安置在炉体内壁上；3)将真空室的气压抽至10-4～10-3pa，加热基体，使基体温度为200～250℃；4)将基体转移到等离子体浸没式离子注入机的真空室a(7)内，该真空室a(7)内的两端分别设有si靶(5)和c靶(6)，带有氮化钛涂层的医用钛合金固定在试样盘a(6)上，调节真空室a(7)的真空度为10-4-10-3pa，阴极使用c靶(5)当作离子源，调节试样盘a(6)的转速为8～35转/分钟，并依靠水冷对试样盘a(6)降温，然后在常温下进行c离子注入，c离子的加速电压为30kv～80kv，注入时间为0.5～1h，得到氢化硅碳薄膜。2.如权利要求1所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述基体包括单晶si片、石英片或高速钢片。3.如权利要求2所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述步骤5)结束后，将沉积有氢化硅碳薄膜的单晶硅片或石英片在真空炉内1000℃退火，退火时间为30min。4.如权利要求1所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述步骤4)中，通入ar气的流量为16～24sccm，当真空室气压达到4～8pa时保持该气压，开负偏压至-800v～-1000v，对真空室和基体进行轰击清洗，持续20～40min。
技术总结
本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜涂层的方法，将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中，以平面Si靶和C靶作为相应元素的来源，Si靶、C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上，通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率；采用高纯Ar作为离化气体，保证有效的辉光放电过程；采用高纯H2作为反应气体，使其离化并与Si、C元素结合，在基体表面沉积形成氢化硅碳薄膜，通过掺入C含量的变化，改变Si、C的化学计量比，进而改变薄膜的光电性能。本发明制备的氢化硅碳薄膜可在太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管、紫外图像传感器、微细超流涂层以及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。
技术研发人员：王志博 杨添皓 周睿 苏晓欣 张恩永
受保护的技术使用者：王志博
技术研发日：2022.05.12
技术公布日：2022/7/29