技术特征：
1.一种二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，包含有以下步骤：(a)将反应腔抽气至真空并加热至250℃～650℃，该反应腔中具有至少一导气管；(b)将气态二维半导体材料前躯物通入该导气管中，该导气管呈弯曲迂回状，使该气态二维半导体材料前躯物能在该导气管中有充分时间受热而裂解为离子态二维半导体材料前躯物，并由该导气管的出气口进入该反应腔；以及(c)该离子态二维半导体材料前躯物于该反应腔中进行反应，并于一基板上生成一二维半导体材料层。2.如权利要求1所述的二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，该气态二维半导体材料前躯物为金属化合物与硫属化合物。3.如权利要求2所述的二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，该金属化合物为六氟化钨(wf6)、六羰基钨(w(co)6)、三氧化钨(wo3)、六氟化钼(mof6)、六羰基钼(mo(co)6)、三氧化钼(moo3)、三甲基铟(tm-in)、三甲基锡(tm-sn)、三甲基镓(tm-ga)、三甲基钛(tm-ti)、氯铂酸(h2ptcl6)、硝酸四氨合铂(pt(nh3)4(no3)2)、四氟化锆(zrf4)或四氟化铪(hff4)，该硫属化合物为硫化氢(h2s)或硒化氢(h2se)。4.如权利要求1至3中任一项所述的二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，该二维半导体材料层为硫属金属化合物。5.如权利要求4所述的二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，该硫属金属化合物为二硫化钨(ws2)、二硒化钨(wse2)、二硫化钼(mos2)、二硒化钼(mose2)、二硫化钛(tis2)、二硒化钛(tise2)、硒化铟(inse)、三硒化二铟(in2se3)、二硫化锡(sns2)、硒化锡(snse)、硒化镓(gase)、硫化镓(gas)、硒化铂(ptse2)、硫化铂(pts2)、硒化铪(hfse2)、硫化铪(hfs2)、硒化锆(zrse2)、硫化锆(zrs2)、硫化钨钼(mows2)、硒化钨钼(mowse2)、硒硫化钼(mosse)或硒硫化钨(wsse)。6.如权利要求1所述的二维半导体材料化学气相沉积方法，其特征在于，步骤(a)中的加热温度为300℃～500℃。7.一种二维半导体材料化学气相沉积装置，其特征在于，包含有：一反应腔，具有至少一入气口；至少一导气管，位于该反应腔内且与该入气口连通，该导气管呈弯曲迂回状且具有一出气口；以及一基板承载装置，位于该反应腔内且邻近该导气管的出气口。8.如权利要求7所述的二维半导体材料化学气相沉积装置，其特征在于，还包含有一喷嘴设于该导气管的出气口。9.如权利要求8所述的二维半导体材料化学气相沉积装置，其特征在于，该喷嘴具有多个气孔。
技术总结
本发明是一种二维半导体材料化学气相沉积方法及其装置，其中，该装置包含有一反应腔、至少一导气管以及一基板承载装置，借此执行的方法包括以下步骤：(a)将反应腔抽气至真空并加热至250℃～650℃；(b)使通入呈弯曲迂回状的该导气管中的气态二维半导体材料前躯物在该导气管内有充分时间受热而裂解为离子态二维半导体材料前躯物，并由该导气管的出气口进入该反应腔；以及(c)该离子态二维半导体材料前躯物于该反应腔中进行反应，并于一基板上生成一二维半导体材料层，是以，本发明可在低于习知方法的温度下执行，避免基板因温度过高而致变质或损坏。致变质或损坏。致变质或损坏。
技术研发人员：何焱腾 陈乃榕
受保护的技术使用者：瑞砻科技股份有限公司
技术研发日：2022.06.28
技术公布日：2022/9/23