技术特征：
1.一种基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法包括：当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；基于预设ropn控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。2.如权利要求1所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，在所述当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值的步骤之前，所述方法包括：判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境，若所述工作环境为真空环境，则判定所述工艺流程阶段为所述真空端工艺流程。3.如权利要求2所述基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述工艺流程阶段还包括大气端工艺流程，所述大气端工艺流程包括冷却区，在所述判断所述薄膜沉积设备的工艺流程的工作环境的步骤之后，所述方法还包括：若所述工作环境为大气环境，则判定所述工艺流程为所述真空端工艺流程；当所述大气端工艺流程中的传输装置夹取待冷却工件移动至所述冷却区时，判断所述冷却区的冷却区处理状态是否为存在处理完成的工件；若所述冷却区处理状态为存在处理完成的工件，则将所述预设交换式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；若所述冷却区处理状态为不存在处理完成的工件，则将所述预设拉式控制策略作为所述大气端工艺流程的最佳控制策略；基于所述大气端工艺流程的最佳控制策略传输所述大气端工艺流程中的待处理工件。4.如权利要求1所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述真空端工艺流程对应的所述预设ropn控制逻辑图中各工艺步骤设有控制库所，所述基于预设ropn控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件的步骤包括：根据所述真空端工艺流程中待处理工件的当前工艺步骤确定所述待处理工件的下一可选工艺步骤集；从所述预设ropn控制逻辑图中获取所述下一可选工艺步骤集中各工艺步骤对应控制库所的令牌状态得到令牌状态集；根据所述令牌状态集从所述下一可选工艺步骤集中选取所述待处理工件的下一目标工艺步骤；基于所述最佳控制策略将所述待处理工件传输至所述下一目标工艺步骤处理，并将所述下一目标工艺步骤在所述预设ropn控制逻辑图中对应的控制库所的令牌状态变更为占用。
5.如权利要求4所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述根据所述真空端工艺流程中待处理工件的当前工艺步骤确定所述待处理工件的下一可选工艺步骤集的步骤包括：根据所述待处理工件所处的工件组，确定所述待处理工件的工艺工序；根据所述当前工艺步骤在所述工艺工序中的位置确定所述待处理工件的下一工艺步骤得到所述下一可选工艺步骤集。6.如权利要求5所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述令牌状态还包括空闲，所述根据所述令牌状态集从所述下一可选工艺步骤集选取所述待处理工件的下一目标工艺步骤的步骤包括：将下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述待处理工件的下一目标工艺步骤。7.如权利要求6所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法，其特征在于，所述将下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述待处理工件的下一目标工艺步骤的步骤还包括：若所述下一可选工艺步骤集中令牌状态为空闲的控制库所的数量大于等于一，则从所述下一可选工艺步骤集随机选取一个令牌状态为空闲的控制库所对应的工艺步骤作为所述下一目标工艺步骤。8.一种基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制装置，其特征在于，所述薄膜沉积设备的控装置包括：决策模块，用于当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；传输模块，用于基于预设ropn控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。9.一种基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制设备，其特征在于，所述基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制程序，所述基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法的步骤。10.一种可读储存介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制程序，所述基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的基于ropn技术的薄膜沉积设备的控制方法的步骤。
技术总结
本发明公开了一种基于ROPN技术的薄膜沉积设备的控制方法、装置、设备及可读存储介质，涉及半导体制造领域，其中，所述方法包括：当所述薄膜沉积设备的工艺流程的工艺流程阶段为真空端工艺流程时，判断所述真空端工艺流程的当前清洁状态是否达到阈值；若达到所述阈值，则将预设拉式控制策略作为所述真空端工艺流程中的最佳控制策略；若未达到所述阈值，则将预设交换式控制策略作为所述真空端工艺流程的最佳控制策略；基于预设ROPN控制逻辑图和所述真空端工艺流程的最佳控制策略传输所述真空端工艺流程中的待处理工件。本发明基于最佳控制策略控制待处理工件的传输，减少待处理工件的传输时间。使得得到的机械手动作序列质量更优。更优。更优。
技术研发人员：付锦超 刘斌 李杰 郭宇翔
受保护的技术使用者：埃克斯工业（广东）有限公司
技术研发日：2022.08.15
技术公布日：2022/11/18