一种铬铂合金靶材的制作方法、装置、设备及其存储介质与流程

1.本技术涉及物理磁控溅射技术领域，具体涉及一种铬铂合金靶材的制作方法、装置、设备及其存储介质。


背景技术：

2.镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。铂合金作为一种贵金属合金，凭借其优异的化学稳定性，较高的热导率和电导率以及独特的物理，化学性能，被广泛应用于电子、电气以及催化领域，有关其高性能薄膜的制备也一直成为各大高校及企业的研发重点。因此业内会利用铂合金进行靶材的制作。
3.但是现有的靶材制作方法得到的成品靶材的热稳定性较低，不利于成品靶材的后期应用。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供了一种铬铂合金靶材的制作方法、装置、设备及其存储介质，用于解决现有的靶材制作方法得到的成品靶材的热稳定性较低，不利于成品靶材的后期应用的问题。
5.为实现以上目的，现提出的方案如下：
6.第一方面，一种铬铂合金靶材的制作方法，包括：
7.获取符合预设要求的铂粉、铬粉；
8.获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；
9.基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；
10.对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；
11.对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；
12.对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；
13.对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。
14.优选地，所述对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材，包括：
15.将所述第二原料放入预先制备的石墨模具中，得到第一模具；
16.判断所述第一模具的粉末顶部的平整度是否不小于预设的平整度阈值；
17.当所述粉末顶部的平整度不小于所述平整度阈值时，对所述第一模具进行真空热压，得到第二模具；
18.判断所述第二模具的相对密度是否不小于预设的密度阈值；
19.当所述相对密度不小于所述密度阈值时，对所述第二模具进行第一操作，得到第一靶材。
20.优选地，所述对所述第二模具进行第一操作，得到第一靶材，包括：
21.在预设的第一时间段内对所述第二模具进行保温保压，得到第三模具；
22.对所述第三模具进行冷却；
23.当所述第三模具冷却至室温时，对所述第三模具进行脱膜，得到第一靶材。
24.优选地，所述对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材，包括：
25.加热已获取的铟绑定热台至预设温度，利用所述加热至预设温度的铟绑定热台对预先获取的背板和所述第一靶材进行加热，并分别将预先制备的保护胶涂覆在所述背板的非绑定面和所述第一靶材的非绑定面；
26.分别将预先制备的铟层涂覆在所述铟绑定热台的背板的绑定面以及所述第一靶材的绑定面，得到第一背板和加工靶材；
27.将加工靶材涂覆有铟层的一面覆盖在第一背板涂覆有铟层的一面，以完成涂铟绑定，得到绑定靶材；
28.对所述绑定靶材进行第二操作，得到第二靶材。
29.优选地，所述对所述绑定靶材进行第二操作，得到第二靶材，包括：
30.对所述绑定靶材进行绑定巩固后进行冷却；
31.当所述绑定靶材冷却至室温时，去除所述绑定靶材上的保护胶，得到成型靶材；
32.判断所述成型靶材的绑定率是否不小于预设的绑定阈值；
33.当所述绑定率不小于所述绑定阈值时，将所述成型靶材作为第二靶材。
34.优选地，所述对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材，包括：
35.采用已建立的车床程序和磨床程序对所述第二靶材进行加工处理，得到成品靶材。
36.优选地，所述方法还包括：
37.通过电子显微镜对所述成品靶材进行分析，确定所述成品靶材的区域晶粒尺寸、物象分布和杂质含量；
38.若所述区域晶粒尺寸满足第一预设条件、所述物象分布满足第二预设条件并且所述杂质含量满足第三预设条件，则对所述成品靶材进行抛光，得到精品靶材。
39.第二方面，一种铬铂合金靶材的制作装置，包括：
40.第一获取模块，用于获取符合预设要求的铂粉、铬粉；
41.第二获取模块，用于获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；
42.质量配比模块，用于基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；
43.混粉搅拌模块，用于对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；
44.成型模块，用于对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；
45.绑定模块，用于对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；
46.加工模块，用于对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。
47.第三方面，一种铬铂合金靶材的制作设备，包括存储器和处理器；
48.所述存储器，用于存储程序；
49.所述处理器，用于执行所述程序，实现如第一方面所述的铬铂合金靶材的制作方法的各个步骤。
50.第四方面，一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如第一方面所述的铬铂合金靶材的制作方法的各个步骤。
51.从上述技术方案可以看出，本技术通过获取符合预设要求的铂粉、铬粉；获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。该方案通过将铂粉、铬粉进行质量配比得到第一原料，并对第一原料进行一系列的加工处理，最终得到的成品靶材具有良好的磁性和热稳定性，有利于成品靶材的后期应用。
附图说明
52.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
53.图1为本技术实施例提供的一种铬铂合金靶材的制作方法的可选流程图；
54.图2为本技术实施例提供的另一种铬铂合金靶材的制作方法的可选流程图；
55.图3为本技术实施例提供的一种铬铂合金靶材的制作装置的结构示意图；
56.图4为本技术实施例提供的一种铬铂合金靶材的制作设备的结构示意图。
具体实施方式
57.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
58.镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。铂合金作为一种贵金属合金，凭借其优异的化学稳定性，较高的热导率和电导率以及独特的物理，化学性能，被广泛应用于电子、电气以及催化领域，有关其高性能薄膜的制备也一直成为各大高校及企业的研发重点。其中，溅射镀膜是制备薄膜材料的一项重点技术，而各种高纯度金属、合金靶材作为溅射过程的重要原材料，更是在快速发展的半导体领域中有着举足轻重的作用。因此业内会利用铂合金进行靶材的制作。
59.但是现有的靶材制作方法得到的成品靶材的热稳定性较低，不利于成品靶材的后期应用。
60.本发明实施例提供一种铬铂合金靶材的制作方法，该方法可以应用在各种计算机
终端或是智能终端中，其执行主体可以为计算机终端或是智能终端的处理器或服务器，所述方法的方法流程图如图1所示，具体包括：
61.s1：获取符合预设要求的铂粉、铬粉。
62.预设要求可以设置为纯度大于或等于99.9％(3n)，因此在本技术提供的实施例中，选取纯度为3n以上的铂粉和铬粉作为原料进行靶材的制作，可以得到更加精密的靶材。
63.在获取到符合要求的铂粉和铬粉后，将二者进行来料检验，来料检验是指对采购进来的原材料、部件或产品做品质确认和查核，即在供应商送原材料或部件时通过抽样的方式对品质进行检验，并最后做出判断该批产品是允收还是拒收。若铂粉和铬粉通过来料检验，则进行后续操作，若没有通过来料检验，则重新获取铂粉和铬粉。
64.s2：获取铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积。
65.在步骤s1中得到符合要求和预期的铂粉和铬粉后，分别获取二者的各项物理参数，包括：真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，以方便进行后期的质量配比。
66.s3：基于铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料。
67.优选地，可以按照铂粉：铬粉＝81：19的质量比将铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料。
68.s4：对第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料。
69.在本步骤中，可以将第一原料送入混粉搅拌器中混合20分钟后得到第二原料。
70.在得到第二原料后，获取第二原料的均质，均质也称匀浆，是使悬浮液(或乳化液)体系中的分散物微粒化、均匀化的处理过程，这种处理同时起降低分散物尺度和提高分散物分布均匀性的作用。然后将均质进行抽样，对于抽样出来的样本进行主要成分含量和杂质含量的检测，若杂质含量较多，说明第一原料并没有搅拌均匀，则重新对第一原料进行混粉搅拌；若杂质含量较少，则可以对第二原料进行后续的操作和制备。
71.s5：对第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材。
72.首先可以将第二原料进行模具组装，然后进行热压成型，热压成型可以加热加工模具后，注入试料，以压力将模型固定于加热板，控制试料之熔融温度及时间，以达融化后硬化、冷却，再予以取出模型成品，得到第一靶材。
73.在一个示例中，也可以对第二原料进行电火花烧结(sps)，热等静压(hip)，本实施例对此不作限制。相较于电火花烧结和热等静压，真空热压的方法可以使模具耐久度高、操作简易，并且制作效率高。
74.s6：对第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材。
75.可以对第一靶材进行超声波涂铟绑定，对第一靶材进行超声波涂铟绑定可以提高靶材制作的效率，降低制作成本。
76.s7：对第二靶材进行加工，得到成品靶材。
77.从上述技术方案可以看出，本技术通过获取符合预设要求的铂粉、铬粉；获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；
对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。该方案通过将铂粉、铬粉进行质量配比得到第一原料，并对第一原料进行一系列的加工处理，最终得到的成品靶材具有良好的磁性和热稳定性，有利于成品靶材的后期应用。
78.本发明实施例提供的方法中，所述对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材的过程如图2所示，具体说明如下所述：
79.s51：将所述第二原料放入预先制备的石墨模具中，得到第一模具。
80.s52：判断所述第一模具的粉末顶部的平整度是否不小于预设的平整度阈值。
81.s53：当所述粉末顶部的平整度不小于所述平整度阈值时，对所述第一模具进行真空热压，得到第二模具。
82.s54：判断所述第二模具的相对密度是否不小于预设的密度阈值。
83.s55：当所述相对密度不小于所述密度阈值时，对所述第二模具进行第一操作，得到第一靶材。
84.具体地，可以将第二原料填入预先制备的带有石墨纸的石墨模具中，得到第一模具，然后检查第一模具的平整度，若第一模具的平整度不小于预设的平整度阈值，则完成模具组装。接下来可以将第一模具放入真空热压机中进行热压，真空热压机设置为真空度小于10-4
pa，并在0～45分钟内缓慢匀速升温至预设温度，并将第一模具在此温度下保温3小时；随后利用真空热压机对第一模具缓慢施加压力至78吨，同时使真空热压机压头下移，得到第二模具。计算第二模具的相对密度，若第二模具的相对密度不小于预设的密度阈值时，则对第二模具进行第一操作。其中，可以获取铬-铂二元合金的相图，基于铬-铂二元合金的相图，可以确定铬铂合金的工艺参数，并将预设温度设置为1200℃，从而最大限度的发挥铬粉和铂粉的优势，制作出更优的靶材。
85.第一操作的具体过程可以包括：对第二模具进行1小时的保温保压，然后解除对第二模具的压力，从而得到第三模具，下面对第三模具进行冷却，当冷却至室温时，对第三模具进行脱膜，除去第三模具表面的石墨纸，以得到第一靶材。
86.上述实施例对本技术的对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材的过程进行了说明，下面对本技术中的对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材的步骤进行具体说明。
87.可以首先将准备好的铟绑定热台加热至预设温度，可以设置为185℃，然后将预先制备好的保护胶涂覆在预先获取的背板的非绑定面和所述第一靶材的非绑定面，接下来将背板和第一靶材涂覆有保护胶的一面放在铟绑定热台上，利用加热至预设温度的铟绑定热台对背板的保护胶和第一靶材的保护胶进行加热；另外还要分别将预先制备好的铟层涂覆在所述铟绑定热台的背板的绑定面以及所述第一靶材的绑定面，得到第一背板和加工靶材；接下来将加工靶材涂覆有铟层的一面覆盖在第一背板涂覆有铟层的一面，以完成涂铟绑定，得到绑定靶材，最后对所述绑定靶材进行第二操作，得到第二靶材。
88.在上述方案中，第二操作可以包括：
89.将铟绑定热台保持加热的状态，对绑定靶材进行绑定巩固，比如在绑定靶材上外加20千克的负载，并持续一段时间，以巩固绑定效果。一段时间后关闭铟绑定热台，同时保
留负载并将绑定靶材冷却至室温，而后移除负载并去除表面的保护胶，得到成型靶材。最后对成型靶材进行超声波c扫描检测出绑定率，若绑定率不小于预设的绑定阈值，则将成型靶材作为第二靶材。
90.在本技术提供的实施例中，由于前期在超声波涂铟的过程中，会产生铟外溢的情况，因此会对第二靶材进行进一步的加工处理，包括采用已建立的车床程序和磨床程序对第二靶材进行加工处理，从而得到成品靶材。
91.在本技术提供的另一个实施例中，该方法还可以包括：
92.s9：通过扫描电子显微镜(sem)对成品靶材进行分析，确定成品靶材的区域晶粒尺寸、物象分布和杂质含量。然后还可以通过等离子体发射光谱来测试成品靶材的主体成分以及杂质成分。
93.s10：若区域晶粒尺寸满足第一预设条件、所述物象分布满足第二预设条件并且所述杂质含量满足第三预设条件，则对所述成品靶材进行抛光，除去成品靶材表面的机械划痕以及指纹，使其表面光洁度小于20ra，从而得到精品靶材。
94.s11：在超净间内，对上述得到的精品靶材进行真空塑封，然后将其包装完整后放入预备的纸箱中，以便生产人员进行后期的搬运或售卖。
95.相比于现阶段主流的以铁系(fept)、钴系(copt)为主的铂贵金属溅射靶材，其高温下处于面心立方结构(fcc)的铁以及六方密堆(hcp)的钴在与体心立方(bcc)的铂合金化的过程中，由于晶体结构的差异，不可避免的会产生一些晶格空位、间隙缺陷以及线缺陷，将铂掺入同为体心立方结构的铬而形成铬铂合金，本技术提供的靶材的制作方法将铬铂合金用于靶材的制作，可以有效的降低上下层之间的晶格失配应力，在热稳定性提高的同时，有效降低复式结构的剩磁面密度，从而达到减少信号损失的效果；同时，更低的晶格失配度可以有效减少晶体外延生长过程中产生的缺陷，大大提升器件的性能及其寿命，使得铬铂合金在众多铂系合金中脱颖而出，成为信息存储领域界冉冉升起的新星，其具有良好的磁性和热稳定性，常用于磁记录层的原料，还可以应用于制备新一代tmr隧道磁电阻技术相关模组。
96.在一个示例中，利用本身请提供的靶材的制作方法的过程可以包括：
97.选取纯度均为3n以上，粒径均小于0.15毫米的铂粉和铬粉，然后称1856克铂粉和481克铬粉，经过来料检验后，获取二者的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，根据这些物理参数进行过100目筛，将铬粉和铬粉按照21：79的比例进行质量配比，得到第一原料，然后将第一原料送入混粉搅拌器中均匀搅拌20分钟，得到第二原料，获取第二原料的均质，然后对均质进行抽样，抽样合格则进行后续操作。
98.将第二原料装填入表面包覆石墨纸真空热压的模具后，得到第一模具，再整体装入真空热压机中，真空热压机设置为真空度小于10-4
pa，并在0～45分钟内缓慢匀速升温至1000℃～1400℃，具体可以设置为1200℃，并将第一模具在此温度下保温3小时；随后利用真空热压机对第一模具缓慢施加压力至65吨～85吨，具体可以设置为75吨，为了避免第一模具表面缺陷以及破损，应确保填粉过程中石墨纸没有破损以及褶皱，同时在机器中施加垂直向下的压力，得到第二模具，此时可以测出第二模具的相对密度为98.1％，其不小于密度阈值95％，则满足要求，然后对第二模具进行1小时的保温保压后解除对第二模具的压力，得到第三模具，对第三模具进行冷却至室温时进行脱膜，小心除去第三模具表面的石墨
纸，得到第一靶材。
99.得到第一靶材后，将铟绑定热台加热至150℃～200℃，具体可以设置为185℃，然后在预先获取的背板的非绑定面和第一靶材的非绑定面涂覆一层0.1毫米厚的铟层；另外还要分别将隔热胶涂覆在铟绑定热台的背板的绑定面以及第一靶材的绑定面，得到第一背板和加工靶材，将第一背板涂覆有铟层的一面覆盖在加工靶材涂覆有铟层的一面，以完成涂铟绑定，得到绑定靶材，在此过程中，铟绑定热台对背板、第一靶材和之后的第一背板以及之后的绑定靶材一直保持持续加热的状态；下面在绑定靶材上外加20千克的负载，并持续30分钟。随后关闭铟绑定热台，同时保留负载并将绑定靶材冷却至室温，而后移除负载并去除表面的保护胶，得到成型靶材。最后对成型靶材进行超声波c扫描检测出其绑定率为98.85％，符合绑定阈值96％，因此该成型靶材即为第二靶材。
100.下面移除第二靶材及背板非绑定面的隔热胶以及外溢的铟，通过车床、磨床等工序将第二靶材加工到最终尺寸，得到成品靶材，为防止尺寸超过控制线，车床后应至少预留0.5mm机加工余量。
101.接下来对成品靶材的主要成分含量、杂质元素含量、外观、尺寸进行检测以满足出货需求，而后操作员对成品靶材进行手工抛光塑封，并装入预先准备好的纸箱中，得到最终的靶材产品。具体地，最终的靶材产品的直径为164毫米，厚度为5毫米，杂质含量低于1000ppm，并且可以根据物理磁控溅射的特点，绑定一块同样具有较高热导率及电导率的铜背板，最终整体的厚度为11毫米。
102.与图1所述的方法相对应，本发明实施例还提供了铬铂合金靶材的制作装置，用于对图1中方法的具体实现，本发明实施例提供的铬铂合金靶材的制作装置可以在计算机终端或各种移动设备中，结合图3，对铬铂合金靶材的制作装置进行介绍，如图3所示，该装置可以包括：
103.第一获取模块10，用于获取符合预设要求的铂粉、铬粉。
104.第二获取模块20，用于获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积。
105.质量配比模块30，用于基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料。
106.混粉搅拌模块40，用于对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料。
107.成型模块50，用于对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材。
108.绑定模块60，用于对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材。
109.加工模块70，用于对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。
110.在一个示例中，所述成型模块50可以包括：
111.制备模块，用于将所述第二原料放入预先制备的石墨模具中，得到第一模具；
112.平整度判断模块，用于判断所述第一模具的粉末顶部的平整度是否不小于预设的平整度阈值；
113.真空热压模块，用于当所述粉末顶部的平整度不小于所述平整度阈值时，对所述第一模具进行真空热压，得到第二模具；
114.相对密度判断模块，用于判断所述第二模具的相对密度是否不小于预设的密度阈
值；
115.第一操作模块，用于当所述相对密度不小于所述密度阈值时，对所述第二模具进行第一操作，得到第一靶材。
116.在一个示例中，所述第一操作模块可以包括：
117.保温保压模块，用于在预设的第一时间段内对所述第二模具进行保温保压，得到第三模具；
118.第一冷却模块，用于对所述第三模具进行冷却；
119.脱膜模块，用于当所述第三模具冷却至室温时，对所述第三模具进行脱膜，得到第一靶材。
120.在一个示例中，所述绑定模块60可以包括：
121.第一涂覆模块，用于加热已获取的铟绑定热台至预设温度，利用所述加热至预设温度的铟绑定热台对预先获取的背板和所述第一靶材进行加热，并分别将预先制备的保护胶涂覆在所述背板的非绑定面和所述第一靶材的非绑定面；
122.第二涂覆模块，用于分别将预先制备的铟层涂覆在所述铟绑定热台的背板的绑定面以及所述第一靶材的绑定面，得到第一背板和加工靶材；
123.覆盖模块，用于将加工靶材涂覆有铟层的一面覆盖在第一背板涂覆有铟层的一面，以完成涂铟绑定，得到绑定靶材；
124.第二操作模块，用于对所述绑定靶材进行第二操作，得到第二靶材。
125.在一个示例中，所述第二操作模块可以包括：
126.第二冷却模块，用于对所述绑定靶材进行绑定巩固后进行冷却；
127.保护胶去除模块，用于当所述绑定靶材冷却至室温时，去除所述绑定靶材上的保护胶，得到成型靶材；
128.绑定率判断模块，用于判断所述成型靶材的绑定率是否不小于预设的绑定阈值；
129.第二靶材得到模块，用于当所述绑定率不小于所述绑定阈值时，将所述成型靶材作为第二靶材。
130.在一个示例中，所述加工模块70可以包括：
131.加工处理模块，用于采用已建立的车床程序和磨床程序对所述第二靶材进行加工处理，得到成品靶材。
132.在一个示例中，所述装置还可以包括：
133.分析模块，用于通过电子显微镜对所述成品靶材进行分析，确定所述成品靶材的区域晶粒尺寸、物象分布和杂质含量；
134.抛光模块，用于若所述区域晶粒尺寸满足第一预设条件、所述物象分布满足第二预设条件并且所述杂质含量满足第三预设条件，则对所述成品靶材进行抛光，得到精品靶材。
135.从上述技术方案可以看出，本技术通过获取符合预设要求的铂粉、铬粉；获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；对所述第二原料进行真空热压预成型，得到
第一靶材；对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。该方案通过将铂粉、铬粉进行质量配比得到第一原料，并对第一原料进行一系列的加工处理，最终得到的成品靶材的具有良好的磁性和热稳定性，有利于成品靶材的后期应用。
136.更进一步地，本技术实施例提供了一种铬铂合金靶材的制作设备。可选的，图4示出了铬铂合金靶材的制作设备的硬件结构框图，参照图4，铬铂合金靶材的制作设备的硬件结构可以包括：至少一个处理器01，至少一个通信接口02，至少一个存储器03和至少一个通信总线04。
137.在本技术实施例中，处理器01、通信接口02、存储器03、通信总线04的数量为至少一个，且处理器01、通信接口02、存储器03通过通信总线04完成相互间的通信。
138.处理器01可以是一个中央处理器cpu，或者是特定集成电路asic(application specific integrated circuit)，或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路等。
139.存储器03可能包含高速ram存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)等，例如至少一个磁盘存储器。
140.其中，存储器存储有程序，处理器可调用存储器存储的程序，程序用于执行下述铬铂合金靶材的制作方法，包括：
141.获取符合预设要求的铂粉、铬粉；
142.获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；
143.基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；
144.对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；
145.对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；
146.对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；
147.对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。
148.可选的，程序的细化功能和扩展功能可参照方法实施例中的铬铂合金靶材的制作方法的描述。
149.本技术实施例还提供一种存储介质，该存储介质可存储有适于处理器执行的程序，在所述程序运行时控制所述存储介质所在的设备执行下述铬铂合金靶材的制作方法，包括：
150.获取符合预设要求的铂粉、铬粉；
151.获取所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及所述铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积；
152.基于所述铂粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积以及铬粉的真实密度、颗粒尺寸分布和颗粒比表面积，将所述铂粉和铬粉进行质量配比，得到第一原料；
153.对所述第一原料进行混粉搅拌，得到第二原料；
154.对所述第二原料进行真空热压预成型，得到第一靶材；
155.对所述第一靶材进行涂铟绑定，得到第二靶材；
156.对所述第二靶材进行加工，得到成品靶材。
157.具体地，该存储介质可以是一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质可以是诸如闪存、eeprom(电可擦除可编程只读存储器)、eprom、硬盘或者rom之类的电子存储器。
158.可选的，程序的细化功能和扩展功能可参照方法实施例中的铬铂合金靶材的制作方法的描述。
159.另外，在本公开各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本公开的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，直播设备，或者网络设备等)执行本公开各个实施例方法的全部或部分步骤。
160.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
161.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
162.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。