技术特征：
1.一种含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干；所述粗磨使用粒度为180～320目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1200～1800r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60kpa；所述精磨使用粒度为320～400目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1500～2500r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60kpa；所述粗抛使用粒度为320～400目的研磨布进行抛光，抛光机的转速1500～2500r/min，抛光剂为金刚石抛光液，抛光压力为10～30kpa；所述精抛使用抛光海绵进行抛光，抛光机的转速2500～3000r/min，抛光剂为混合抛光液，抛光压力为10～20kpa。2.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述含钪靶材中的钪含量≥25at％。3.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述含钪靶材包括铝钪靶材或钪镓靶材。4.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述有机溶剂包括无水乙醇、异丙醇中的至少一种。5.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述粗磨采用8689百洁布。6.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述精磨采用7447百洁布。7.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述粗磨采用7447百洁布。8.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述混合抛光液包括金刚石抛光液和有机溶剂。9.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述清洁具体为：采用有机溶剂对靶材进行超声清洗或者采用有机溶剂对靶材进行擦拭。10.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述粗磨、精磨、粗抛、精抛时，y轴移动速度均为10～50mm/s，当y轴方向完成研磨后x轴均步进50～100mm，直至研磨面覆盖整个靶材。
技术总结
本发明公开了一种含钪靶材的抛光清洁方法，属于靶材技术领域，包括以下步骤：依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干。本发明通过对含钪靶材进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，能够有效的清除靶材表面的氧化物、异物，消除靶材表面色差，同时对靶材的损耗小，本发明通过控制粗磨、精磨、粗抛、精抛的研磨布以及抛光机的转速和压力，保证每一个位置的抛光平面度、粗糙度一致，通过使用不同粒度的百洁布搭配有机溶剂进行研磨能够去除油污、氧化物，利用抛光海绵，用混合抛光液，使靶材表面抛光接近镜面，去除靶材表面氧化、油污和色差的同时降低靶材表面粗糙度，提高靶材平面度。材平面度。材平面度。
技术研发人员：张俊飞 蔡新志 童培云 朱刘
受保护的技术使用者：先导薄膜材料（广东）有限公司
技术研发日：2022.11.21
技术公布日：2023/3/17