技术特征：
1.一种抛光设备的下片结构，其特征在于，包括：抛头部(100)，所述抛头部(100)具有竖直升降的移动自由度，所述抛头部(100)竖直移动而形成有第一工位，抛头部(100)位于第一工位上进行抛片的下片；所述抛头部(100)包括：抛头座(110)，所述抛头座(110)的底面具有一凹面(1121)；第一软基垫(120)，所述第一软基垫(120)可弹性形变，所述第一软基垫(120)用于连接抛片，所述第一软基垫(120)包覆于所述抛头座(110)的底部，使得所述第一软基垫(120)与凹面(1121)之间形成调压空间(140)；其中，所述抛头部(100)上开设有调压通道(130)，通过所述调压通道(130)使得所述调压空间(140)与外部连通，所述调压通道(130)用于调节所述调压空间(140)内的气压；喷淋部(200)，喷淋部(200)包括：喷头(210)，所述喷头(210)位于所述第一工位的侧边，所述喷头(210)倾斜布置，所述喷头(210)用于向所述第一软基垫(120)与抛片之间喷水。2.根据权利要求1所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述喷头(210)位于所述第一工位的底部侧边，所述喷头(210)呈倾斜向上布置。3.根据权利要求2所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述抛头部(100)位于所述第一工位上时，所述第一软基垫(120)受所述调压空间(140)内气压调节而至少形成有第一状态和第二状态：在第一状态下，所述调压空间(140)内气压处于第一区间，使得抛片与所述第一软基垫(120)贴合；在第二状态下，所述调压空间(140)内气压处于第二区间，使得抛片边缘与所述第一软基垫(120)分离并形成喷淋空间(116)，所述喷头(210)用于向所述喷淋空间(116)内喷水。4.根据权利要求2或3所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述喷头(210)具有多个，所述喷头(210)均匀分布于所述第一工位的底部侧边。5.根据权利要求1所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述抛头部(100)还包括基板组件(115)，所述基板组件(115)包括：第二软基垫(1151)，所述第二软基垫(1151)可弹性形变，所述第二软基垫(1151)连接于所述第一软基垫(120)上并与所述第一软基垫(120)贴合；基板(1152)，所述基板(1152)呈环形且为刚性，所述基板(1152)连接于所述第二软基垫(1151)上，所述基板(1152)的内圈与所述第二软基垫(1151)之间形成一容置区(1153)，所述容置区(1153)用于容置抛片。6.根据权利要求5所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述抛头座(110)包括：第一座(111)；第二座(112)，所述第二座(112)连接于所述第一座(111)的底部，所述第二座(112)与所述第一座(111)之间形成有一空腔(113)。7.根据权利要求6所述的一种抛光设备的下片结构，其特征在于，所述抛头座(110)还包括：保持环(114)，所述保持环(114)连接于所述第一座(111)和第二座(112)的外圈，所述
保持环(114)与所述第二座(112)的底部齐平；其中，所述第一软基垫(120)包覆于所述保持环(114)和所述第二座(112)，且所述基板(1152)位于所述保持环(114)的正下方。8.一种抛光设备，其特征在于，包括如权利要求1-7中任意一项所述的下片结构。9.一种如权利要求1-7中任意一项所述的抛片下片方法，其特征在于，包括：驱动抛头部(100)至第一工位上；向调压空间(140)内鼓气使得第一软基垫(120)向外膨胀；抛片边缘与第一软基垫(120)分离并形成喷淋空间(116)；喷头(210)向喷淋空间(116)喷水；抛片整体脱离于第一软基垫(120)，完成下片。10.根据权利要求9所述的一种抛片下片方法，其特征在于，还包括：所述抛头部(100)持续旋转。
技术总结
本申请涉及半导体晶圆抛光领域，尤其是涉及一种抛光设备的下片结构，包括：抛头部，抛头部位于第一工位上进行抛片的下片；抛头部包括：抛头座，抛头座的底面具有一凹面；第一软基垫，第一软基垫可弹性形变，第一软基垫用于连接抛片，第一软基垫包覆于抛头座的底部，使得第一软基垫与凹面之间形成调压空间；其中，抛头部上开设有调压通道，通过调压通道使得调压空间与外部连通，调压通道用于调节调压空间内的气压；喷淋部，喷淋部包括：喷头，喷头位于第一工位的侧边，喷头倾斜布置，喷头用于向第一软基垫与抛片之间喷水。解决了抛光后的硅片下片效率低的技术问题，达到提高抛光后的硅片下片效率的技术效果。片效率的技术效果。片效率的技术效果。
技术研发人员：朱亮 曹建伟 李阳健 郑猛 黄金涛 韩鹏飞 单显琦
受保护的技术使用者：浙江晶盛机电股份有限公司
技术研发日：2022.12.05
技术公布日：2023/3/28