一种RPD镀膜设备的制作方法

本发明涉及rpd镀膜生产，尤其涉及一种rpd镀膜设备。

背景技术：

1、hjt太阳电池制备过程中，rpd镀膜是第三道工序，在非晶硅层上加镀一层tco，具有减反射及导电的作用。rpd：（反应等离子体沉积reactive plasma deposi-tion）是最近发展起来的一种优势明显的薄膜沉积方法。采用等离子体产生器将氩气解离形成氩离子(ar+)来激发大量的电子(e-)产生。利用磁场将电子转弯并聚焦于靶锭，将要镀膜物质(tco)加热，直接升华变成气相。气相粒子经过等离子区高度解离成离子态，此时反应气体也在此区域形成离子态。高游离状态的离子结合后沉积于基板，形成高质量膜层，在硅片（3093）表面形成一层透明导电膜。

2、中国专利202010709835.x公开了一种用于蒸镀的烧结体及其制备方法。该烧结体，由氧化铟、掺杂元素x和硅元素制备得到，其中掺杂元素x的含量以x的氧化物/(氧化铟+x的氧化物)的重量比为0.2～5.0％，硅元素在所述烧结体中的含量为5～600ppm，硅元素为纳米氧化硅粉末和二氧化硅溶胶中的至少一种。将氧化铟与掺杂元素x的氧化物混合物料在高温获得具有方铁锰矿结构的、固溶有元素x的氧化铟单一晶相粉末，再与硅元素混合后压制成所需尺寸的胚体，再进行烧结得到烧结体。此烧结体进行rpd镀膜可获得高的迁移率，同时解决了烧结体由于密度低而在使用过程中掉粉影响镀膜过程连续进行而导致生产效率降低的问题，无需再停机针对掉粉问题进行清理，实现了持续的生产，提高了生产效率。

3、但是该技术方案和现有技术存在如下问题：

4、用于量产所使用的rpd镀膜设备腔体内部由多个等离子体及线圈坩埚，多个磁场将电子转弯并聚焦于各个靶锭，各个靶锭所 的气相发生重叠，重叠部分较多的沉积区域基板膜厚则变厚，重叠部分少或无重叠部分沉积区域基板膜厚则薄，导致tco厚度不均匀，且对于rpd镀膜基材只能进行单次单面基材表面的镀膜，镀膜全面性较低，导致生产效率限制了rpd镀膜的发展。

技术实现思路

1、本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种rpd镀膜设备，通过横向臂爪下降插入到硅片的二次夹持端收缩夹持，再令夹持臂爪松动，从而使横向臂爪带动硅片的未镀膜面下降，进而伸出定型腔，使镀膜材料对于硅片的未覆膜区进行二次覆膜，而横向臂爪替换夹持臂爪可以有效对硅片的夹持区进行镀膜，从而实现对硅片的全面镀膜。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种rpd镀膜设备，包括

4、外壳；

5、真空腔，对于镀膜环境进行真空预处理的所述真空腔设置在外壳的内部；

6、均匀单元，对于硅片进行移动牵引镀膜的所述均匀单元设置在所述真空腔的一侧；

7、辅助成型单元，用于辅助硅片进行翻转全面镀膜的所述辅助成型单元设置在所述均匀单元的一侧；

8、将需要镀膜的硅片放置到感应加热件的顶部，并在回形轨的牵引下沿着感应加热件的中线往复运动，使硅片的底部和其侧部的未夹持部分被一次镀膜，一次镀膜完成后，初次推动件在翻转轨的约束下，使一次镀膜的硅片运动到定型喷头下被离子喷射下完成定型，通过夹持臂爪的翻转使硅片未镀膜的部分会面对感应加热件，配合横向臂爪的侧部夹持和夹持推动件的向下推动，实现对硅片的二次全面镀膜。

9、优选的，所述真空腔包括转动台、圆柱台、插槽以及挡板，所述转动台转动设置在真空腔的内部中心，所述转动台的顶面沿真空腔的高度侧设置有圆柱台；

10、所述圆柱台沿其圆周方向均匀分布有插槽，所述插槽由内向外延伸插接有挡板。

11、优选的，所述真空腔还包括发生腔，所述发生腔的两侧对称设置有挡板，所述发生腔的内部设置有离子发生件；

12、所述离子发生件的侧部设置有底台，所述底台的底部设置有转动台，所述底台的顶部安装有加热发生件，所述加热发生件的表面环绕有感应加热件。

13、优选的，所述外壳包括控制箱体，所述控制箱体的内部设置有动力腔，所述动力腔的内部设置有旋转驱动件，所述旋转驱动件的侧部设置有真空件，所述旋转驱动件的输出轴和转动台的底面转动连接；

14、所述外壳的外侧设置有迁移轨，所述迁移轨的内部活动安装有闭合板。

15、优选的，所述外壳还包括对接板，所述对接板安装在外壳的顶部，所述对接板的底面安装有移动轨，所述移动轨的底部活动安装有移动件；

16、所述外壳的一侧设置有闭合板，所述外壳的另外一侧设置有控制门，所述闭合板的顶部开设有配合移动轨形状的对应槽，所述闭合板底部的外侧设置有控制件。

17、优选的，所述均匀单元包括上连接头、连接筒，所述移动件通过上连接头和连接筒螺纹连接，所述连接筒的外侧插接有回形轨，所述回形轨的内部活动连接有移动块，所述移动块通过连接块和辅助成型单元活动连接；

18、所述辅助成型单元的外侧安装有约束块，所述约束块的内部开设有穿槽。

19、优选的，所述穿槽的内部活动安装有密封轨，所述密封轨的顶部固定安装有密封板，所述密封轨通过同步套柱和牵动杆活动连接；所述牵动杆的底部活动连接有转动杆，所述转动杆的一侧安装有转动轮，所述转动杆的另外一侧安装有竖板。

20、优选的，所述竖板通过中固板和夹持臂爪活动连接，所述夹持臂爪的外侧活动安装有横向控制件；

21、所述横向控制件的上下均设置有保护挡板，所述夹持臂爪以辅助成型单元的中线对称分布，所述夹持臂爪的内侧和硅片的初次夹持端的外侧活动连接。

22、优选的，所述辅助成型单元包括翻转轨、拉伸杆以及定型腔，所述辅助成型单元的内部设置有定型腔，所述定型腔沿其高度侧向下延伸有翻转轨和拉伸杆；

23、所述密封板的内侧开设有对接槽、密封圆槽，所述对接槽和翻转轨配合，所述拉伸杆和密封圆槽配合，所述翻转轨的内部滚动连接有转动轮，所述拉伸杆通过旋转套块和转动杆转动连接。

24、优选的，所述辅助成型单元还包括夹持推动件，所述夹持推动件的底部通过推动杆和长板活动连接，所述长板的顶部安装有横向伸缩件；

25、所述横向伸缩件通过横向臂爪和长板活动连接，所述拉伸杆通过初次推动件和辅助成型单元的顶面活动；连接，所述初次推动件和夹持推动件的外侧倾斜安装有定型喷头。

26、本发明的有益效果在于：

27、1.本发明通过向离子发生件的内部通入氩气，使离子发生件将氩气解离形成氩离子(ar+)来激发大量的电子(e-)产生，利用感应加热件外接电源产生的磁场将电子转弯并聚焦于加热发生件和感应加热件，将加热发生件内部的镀膜物质(tco)加热，直接升华变成气相，进而在热能粒子的振荡下气相上升结合移动块的往复运动，使镀膜物质均匀覆盖在硅片底面和二次夹持端；

28、2.本发明通过转动轮的直径和翻转轨的长度以及转动轮的上升转动距离联立计算设计即翻转轨的长度等于转动轮的直径和转动轮的转动圈数的乘积，使初次推动件带动拉伸杆以及拉伸杆底部的夹持臂爪上升，通过牵动杆带动对于定型腔进行密封的密封板打开，使转动轮运动到横向臂爪的底部时，令镀膜完成后的硅片面朝上，进而使定型喷头喷出离子束，辅助轰击硅片成膜，使膜层致密、均匀、可提高薄膜的稳定性；

29、3.本发明通过横向臂爪下降插入到硅片的二次夹持端收缩夹持，再令夹持臂爪松动，从而使横向臂爪带动硅片的未镀膜面下降，进而伸出定型腔，使镀膜材料对于硅片的未覆膜区进行二次覆膜，而横向臂爪替换夹持臂爪可以有效对硅片的夹持区进行镀膜，从而实现对硅片的全面镀膜；

30、4.本发明通过需要加工的硅片的初次夹持端被夹持臂爪夹持，进而使迁移轨带动闭合板下降，使进入口被漏出，使移动轨带动移动件以及其底部的均匀单元、辅助成型单元以及均匀单元底部的硅片穿过进入口进入到真空腔的内部，并使闭合板上升闭合，进而使真空腔被密封，进而使真空件运动，使真空腔的内部被持续地抽真空，使真空腔内部的气压达到加工气压的要求，便于后续的镀膜料被加热；

31、综上所述，本发明具有镀膜均匀、镀膜全面的优点。