晶片下蜡装置的制作方法

1.本公开涉及晶片生产附属装置的技术领域，具体地，涉及一种晶片下蜡装置。


背景技术：

2.随着高亮度led在照明工程领域需求量的急剧增长，带动了国内蓝宝石衬底材料制造产业的发展。蓝宝石独特的晶格结构、优异的力学性能和良好的力学性能成为半导体照明、大规模集成电路及超导纳米材料结构薄膜等最为理想的衬底材料，晶片的表面质量直接决定外延的质量，进而影响最终衬底材料的性能及寿命。为应对光电技术的发展对蓝宝石衬底材料表面提出的超光滑、无损伤的要求，必须对蓝宝石衬底片进行精细抛光，一般是将晶片贴蜡后进行抛光，抛光完成后对晶片进行下蜡，晶片下蜡常用的方法有加热下蜡，即，加热熔蜡后进行晶片的卸片。
3.目前，晶片的熔蜡卸片是待液态蜡受热熔化后，人工用手将晶片推下来或用尼龙刮刀将晶片铲下来，但是，手推晶片较为费力且由于加热温度较高，人员易被烫伤，而采用尼龙刮刀铲片，有可能导致晶片飞出，且刮刀铲刮的部位，易出现崩角缺陷。


技术实现要素：

4.本公开的目的是提供一种晶片下蜡装置，该设备安全实用、操作方便、工作效率高。
5.为了实现上述目的，本公开提供一种晶片下蜡装置，包括工作台和移动组件，所述工作台包括加热平台和收片平台，所述加热平台用于对放置在所述加热平台上的陶瓷盘进行加热，以使贴蜡固定于所述陶瓷盘上的晶片脱蜡，所述移动组件设置在所述工作台上，所述移动组件上连接有吸盘结构，所述移动组件用于带动所述吸盘结构动作，以将所述陶瓷盘上脱蜡后的所述晶片转移至所述收片平台上。
6.可选地，所述移动组件包括支架和电动葫芦，所述支架固定在所述工作台上，所述支架上设置有导轨，所述电动葫芦滑动设置在所述导轨上并能够通过驱动结构驱动所述电动葫芦沿所述导轨的导向方向运动，所述电动葫芦的吊索端部连接有所述吸盘结构，所述电动葫芦用于带动所述吸盘结构上下移动。
7.可选地，所述导轨位于所述加热平台和收片平台上方，并与所述加热平台和所述收片平台平行。
8.可选地，所述工作台还包括控制器，所述控制器分别与所述加热平台、所述驱动结构和所述电动葫芦电性连接。
9.可选地，所述工作台还包括显示器，所述显示器分别与所述加热平台和所述控制器电性连接，用于显示所述加热平台的加热温度。
10.可选地，所述吸盘结构包括真空板，所述真空板内部为空腔结构，所述真空板下表面沿周向均布有多个与所述空腔结构连通的气口，多个所述吸盘对应安装在所述气口上，所述真空板上表面设置有与所述空腔结构连通的真空接头，所述真空接头用于通过真空管
与真空泵连通。
11.可选地，所以收片平台上放置有置盘，所述置盘用于承接脱蜡后的所述晶片。
12.可选地，所述置盘上沿径向方向间隔设置有多个环形沟槽，沿所述环形沟槽的圆周方向均布有多个定位凹槽，所述环形沟槽穿过所述定位凹槽，且所述环形沟槽的深度大于所述定位凹槽的深度，所述定位凹槽用于限制放置在所述定位凹槽内的所述晶片移动。
13.可选地，所述加热平台和所述收片平台位于同一水平面。
14.可选地，所述加热平台为恒温加热台。
15.通过上述技术方案，利用上述晶片下蜡装置对铜抛后的晶片进行下蜡，能够有效降低传统人工铜抛后在晶片下蜡过程中的被烫伤的风险，以及降低晶片崩角缺陷的发生，且能够有效提高生产效率。
16.本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
17.附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
18.图1是本公开提供的一种实施方式的晶片下蜡装置的轴测图；
19.图2是本公开提供的一种实施方式的晶片下蜡装置的主视图；
20.图3是本公开提供的一种实施方式的晶片下蜡装置的俯视图；
21.图4是本公开提供的一种实施方式的置盘的结构图。
22.附图标记说明
23.10-晶片下蜡装置；
24.11-工作台；111-加热平台；113-收片平台；115-控制器；
25.13-陶瓷盘；
26.15-移动组件；151-支架；153-导轨；155-电动葫芦；
27.17-吸盘结构；171-真空板；173-吸盘；175-真空接头；
28.19-置盘；191-环形沟槽；193-定位凹槽；
29.20-晶片。
具体实施方式
30.以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
31.在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右”通常是附图的图面的方向定义的，“内、外”是指相关零部件的内、外。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
32.在本公开的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
33.本技术人发现，在蓝宝石晶片的熔蜡卸片过程中，利用人工用手将晶片20推下，较
为费力且由于加热温度较高，人员易被烫伤，或，利用尼龙刮刀将晶片20铲下，在铲晶片20的过程中，可能导致晶片20飞出，且刮刀铲刮的部位，易出现崩角缺陷。
34.基于此，如图1-4所示，本公开提供一种晶片下蜡装置10，包括工作台11和移动组件15，其中，工作台11包括加热平台111和收片平台113，加热平台111用于对放置在加热平台111上的陶瓷盘13进行加热，以使贴蜡固定于陶瓷盘13上的晶片20脱蜡，移动组件15设置在工作台11上，移动组件15上连接有吸盘结构17，移动组件15用于带动吸盘结构17动作，以将陶瓷盘13上脱蜡后的晶片20转移至收片平台113上。
35.根据上述结构特征，利用加热平台111对放置在加热平台111上的陶瓷盘13加热，使贴蜡固定于陶瓷盘13上的晶片20周围的蜡层熔化，然后，移动组件15带动吸盘结构17移动至陶瓷盘13处，吸起已与蜡层分离的晶片20，最后，移动组件15再带动吸盘结构17移动至收片平台113处，将晶片20放置在收片平台113上，从而完成晶片20的下蜡。
36.通过上述技术方案，利用上述晶片下蜡装置10对铜抛后的晶片20进行下蜡，能够有效降低传统人工铜抛后在晶片20下蜡过程中的被烫伤的风险，以及降低晶片崩角缺陷的发生，且能有效提高生产效率。
37.本公开的一种实施方式中，工作台11还包括支撑底座，加热平台111和收片平台113水平设置于支撑底座顶部。
38.本公开的一种实施方式中，加热平台111位于支撑底座的中间位置，收片平台113位于支撑底座的两侧。
39.本公开对加热平台111和收片平台113的数量不作限定，优选的，两个加热平台111相邻设置在支撑底座上，其中一个加热平台111远离另一加热平台111的一侧分别设置有一个收片平台113。
40.可以理解的是，本公开的一种实施方式中，陶瓷盘13为铜抛机抛光使用的陶瓷盘，陶瓷盘13上贴蜡固定有晶片20，经抛光后置于加热平台111上，用以熔蜡脱片，即下蜡。
41.可选地，移动组件15包括支架151和电动葫芦155，支架151固定在工作台11上，支架151上设置有导轨153，电动葫芦155滑动设置在导轨153上并能够通过驱动结构驱动电动葫芦155沿导轨153的导向方向运动，电动葫芦155的吊索端部连接有吸盘结构17，电动葫芦155用于带动吸盘结构17上下移动。
42.通过上述技术方案，电动葫芦155沿导轨153的导向方向运动，能够带动吸盘结构17在水平方向上移动，电动葫芦155是一种特种起重设备，吊索端能够上下移动，从而带动吸盘结构17上下移动，通过导轨153和电动葫芦155的结合，能够实现吸盘结构17的自由移动。
43.本公开的一种实施方式中，支架151包括分别竖直设置在工作台11两侧的支撑杆，导轨153位于两支撑杆之间，且导轨153的两端分别与支撑杆连接。
44.可选地，导轨153位于加热平台111和收片平台113上方，并与加热平台111和收片平台113平行。
45.通过上述技术方案，滑动设置在导轨153上的电动葫芦155能够在加热平台111和收片平台113上方水平移动，以将陶瓷盘13上脱蜡后的晶片20转移至收片平台113上。
46.可选地，工作台11还包括控制器115，控制器115分别与加热平台111、驱动结构和电动葫芦155电性连接。
47.通过上述技术方案，控制器115用于控制加热平台111的开启、关闭和加热温度以及控制驱动结构驱动电动葫芦155沿导轨153的导向方向水平移动和控制电动葫芦155的吊索端上下移动。
48.本公开的一种实施方式中，控制器115包括但不限于plc控制系统。
49.本公开的一种实施方式中，控制器115位于支撑底座上。
50.可选地，工作台11还包括显示器，显示器分别与加热平台111和控制器115电性连接，用于显示加热平台111的加热温度。
51.通过上述技术方案，显示器用于显示加热平台111的加热温度以及控制器的相应参数信息，以便工作人员及时查看。
52.本公开的一种实施方式中，显示器位于支撑底座上。
53.可选地，吸盘结构17包括真空板171，真空板171内部为空腔结构，真空板171下表面沿周向均布有多个与空腔结构连通的气口，多个吸盘173对应安装在气口上，真空板171上表面设置有与空腔结构连通的真空接头175，真空接头175用于通过真空管与真空泵连通。
54.通过上述技术方案，真空泵工作后，能够将真空板171内部抽真空，从而使与真空板171连通的多个吸盘173能够同步吸附和松开。
55.本公开的一种实施方式中，每个气口对应安装有一个吸盘173。
56.本公开的一种实施方式中，真空接头175还可以为真空插头。
57.可选地，所以收片平台113上放置有置盘19，置盘19用于承接脱蜡后的晶片20。
58.通过上述技术方案，置盘19用于承接脱蜡后的晶片20，便于晶片20装片，晶片20装满置盘19后，重新更换另一置盘19承载晶片20，防止晶片20堆积、碰撞而造成损伤。
59.可选地，置盘19上沿径向方向间隔设置有多个环形沟槽191，沿环形沟槽191的圆周方向均布有多个定位凹槽193，环形沟槽191穿过定位凹槽193，且环形沟槽191的深度大于定位凹槽193的深度，定位凹槽193用于限制放置在定位凹槽193内的晶片20移动。
60.通过上述技术方案，置盘19的上述结构特征，便于放置在置盘19上的晶片20的取出，还可以使晶片20表面附着的少许液态蜡流入环形沟槽191内。
61.可选地，加热平台111和收片平台113位于同一水平面。
62.通过上述技术方案，便于以将陶瓷盘13上脱蜡后的晶片20转移至收片平台113上。
63.可选地，加热平台111为恒温加热台。
64.通过上述技术方案，恒温加热台受热均匀，温度稳定。
65.本公开的一种实施方式中，加热平台111为数显恒温加热台。
66.以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
67.另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
68.此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。