磁体组件的制作方法

磁体组件
1.本技术要求2021年3月9日递交的韩国专利申请第10-2021-0030802号的优先权以及从其获得的所有权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
2.本公开涉及磁体组件和包括该磁体组件的沉积装置。


背景技术：

3.发光显示设备用作用于显示图像的设备。发光显示设备可以通过像素的组合来显示图像，并且每个像素可以由发光二极管实现。
4.发光二极管可以包括阳极、阴极以及在阳极和阴极之间的发射层。发光二极管的发射层可以通过沉积方法提供或形成。例如，通过将待在其上形成发射层的基板布置在其上形成图案的沉积掩模上并且然后使发射层的材料穿过沉积掩模的图案，可以将与沉积掩模图案匹配的发射层沉积在基板上。
5.为了使沉积掩模和基板彼此紧密接触，可以使用其中磁体布置在轭板上的磁体组件，并且基板可以设置在沉积掩模与磁体组件之间。由于磁体的磁力，沉积掩模和基板可以利用附着力彼此紧密接触。


技术实现要素：

6.实施例提供磁体组件和包括该磁体组件的沉积装置，其可以在保持由磁体组件的磁体作用在掩模组件上的平均附着力的同时降低峰值附着力。
7.一种磁体组件包括轭板和固定到所述轭板的多个磁体。每个磁体包括面向所述轭板的第一表面、面向与所述第一表面相反的方向的第二表面和在所述第二表面中的槽。
8.所述槽可以沿所述磁体的长度、以从所述第二表面起的深度延伸。
9.所述槽可以在所述第二表面的中央部分处沿所述磁体的长度延伸。
10.所述槽可以沿所述磁体的厚度方向不穿透所述磁体。
11.所述槽可以具有四边形、三角形、半圆形或半椭圆形截面形状。
12.所述磁体可以具有u形截面形状。
13.所述多个磁体可以沿第一方向彼此间隔开，并且沿与所述第一方向相交的第二方向彼此接触。
14.所述多个磁体的第二表面侧的极性可以沿所述第一方向交替，并且可以沿所述第二方向相同。
15.所述轭板可以包括沿所述第二方向延伸的多个槽，并且两个或更多个磁体可以在所述轭板的每个槽中。
16.所述磁体的所述第一表面可以是平坦的或弯曲的表面。
17.一种沉积装置包括：提供沉积材料的沉积源；在所述沉积源上方的掩模组件；以及在所述掩模组件上方并且包括轭板和固定到所述轭板的多个磁体的磁体组件。每个磁体包
括面向所述轭板的第一表面、面向所述掩模组件的第二表面和在所述第二表面中的槽。
18.所述槽可以在所述第二表面的中央部分处以深度沿所述磁体的长度延伸。
19.所述槽可以沿所述磁体的厚度方向不穿透所述磁体。
20.所述槽可以具有四边形、三角形、半圆形或半椭圆形截面形状。
21.所述多个磁体可以从所述轭板朝向所述掩模组件突出。
22.所述多个磁体可以沿第一方向彼此间隔开，并且沿与所述第一方向相交的第二方向彼此接触。
23.所述多个磁体的第二表面侧的极性可以在所述第一方向上交替，并且可以在所述第二方向上相同。
24.所述轭板可以包括沿所述第二方向延伸的多个槽，并且两个或更多个磁体可以在所述轭板的每个槽中。
25.所述掩模组件可以包括在所述第二方向上布置的多个掩模棒，并且每个掩模棒可以沿所述第一方向延伸。
26.所述沉积装置可以进一步包括在所述掩模组件与所述磁体组件之间的冷板。
27.根据一个或多个实施例，可以在保持由磁体组件的磁体施加到掩模组件的平均附着力的同时降低峰值附着力。相应地，可以减少或有效防止显示面板中的缺陷。
附图说明
28.通过参考附图更详细地描述本公开的实施例，本公开的上述和其它优点和特征将变得更加明显。
29.图1示意性地例示沉积装置的实施例。
30.图2例示掩模组件的实施例的透视图。
31.图3例示磁体组件的实施例的透视图。
32.图4例示磁体组件的实施例的截面图。
33.图5例示磁体的实施例的透视图。
34.图6例示根据比较示例和实施例的沉积装置中的掩模棒的附着力的曲线图。
35.图7例示磁体组件的磁体的实施例的截面图(a)至截面图(e)。
36.图8例示显示面板的堆叠结构的实施例的示意性截面图。
具体实施方式
37.在下文中将参考其中示出实施例的附图更充分地描述本实用新型的实施例。相同的附图标记始终指代相同的元件。
38.为了便于描述，附图中例示的每个元件的尺寸和厚度被任意示出。
39.将理解，当诸如层、膜、区域、区或基板的元件被称为与另一元件相关诸如“在”另一元件“上”的时，它可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为与另一元件相关诸如“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
40.将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在文中用于描述各种元件、部件、区、层和/或区段，但是这些元件、部件、区、层和/或区段不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区、层或区段与另一元件、部件、区、层或区段区分开。因此，下面讨
论的第一元件、部件、区、层或区段可以被称为第二元件、部件、区、层或区段，而不脱离本文的教导。
41.本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制。如本文所使用的，“一”、“所述”和“至少一个”不表示对数量的限制，并且，除非上下文另外明确地指出，否则旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指出，否则“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制“一”。“或”是指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意和所有组合。在说明书中，除非被明确地相反描述，否则词语“包括”将被理解为意指包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。
42.此外，诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可在本文中用于描述图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在包括除了图中描绘的定向之外的设备的不同定向。例如，如果将图之一中的设备翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧的元件于是将被定向在其它元件的“上”侧。因此，术语“下”可以包含“下”和“上”两种定向，这取决于图的特定定向。类似地，如果将图之一中的设备翻转，则被描述为在其他元件的“下方”或“之下”的元件于是将被定向在其他元件“上方”。因此，术语“下方”或“之下”可以包括上方和下方两种定向。
43.在说明书中，“连接”并非仅表示当两个或更多个元件直接连接时，而且表示当两个或更多个元件通过其他元件间接连接时以及当它们物理连接或电连接时，并且此外，它可以包括取决于位置或功能而被称为不同名称但基本上一体的各个部分彼此相连的情况。
44.在附图中，作为用于指示方向的符号x、y和z，
‘
x’是第一方向，
‘
y’是与第一方向相交的第二方向，并且
‘
z’是与第一方向和第二方向中的每个相交的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可以分别与显示设备的水平方向、竖直方向和厚度方向相对应。相交的方向可以彼此垂直，而不限于此。
45.考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，本文所用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的该特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、20％、10％或5％内。
46.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用字典中定义的术语的术语应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想或过度正式的意义被解释，除非在此明确如此定义。
47.本文参考为理想实施例的示意图的截面图来描述实施例。由此，将预期到由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，本文描述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，例示或描述为平坦的区通常可能具有粗糙和/或非线性的特征。此外，例示的尖角可能被倒圆。因此，图中例示的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在例示区的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
48.图1示意性地例示沉积装置的实施例。
49.参见图1，沉积装置可以包括室10(例如，沉积室)、沉积源20(例如，沉积材料源)、
支架30(例如，沉积靶支架)、掩模组件40(例如，沉积掩模组件)、冷板50(例如，冷却板)和磁体组件60。室10可以是真空室，并且沉积源20、支架30、掩模组件40、冷板50和磁体组件60均可以设置在室10内。可以在沉积装置的室10中在诸如母基板ms(或靶基板)的沉积靶上沉积沉积材料以提供或制造显示面板的沉积图案等。室10中的母基板ms可以设置在掩模组件40与冷板50之间。
50.沉积源20可以储存沉积材料(例如，用于提供或形成作为发光显示设备的沉积图案的发射层el(参见图8)的材料)，并且可以在朝向作为沉积靶的母基板ms的方向上蒸发沉积材料。
51.掩模组件40可以在沉积源20上方的位置可拆卸地固定到支架30。母基板ms可以设置在掩模组件40上以与掩模组件40对准。由于掩模组件40在室10内设置在沉积源20和母基板ms之间，所以沉积材料可以被选择性地沉积在母基板ms上。
52.为了使掩模组件40和母基板ms彼此紧密接触，磁体组件60可以在室10内设置在母基板ms上方。磁体组件60可以包括磁体610和支撑磁体610的轭板620(例如，支撑板)，磁体610被提供为多个、包括多个磁体610。轭板620可以包括最靠近掩模组件40的下表面以及与下表面相反且距掩模组件40最远的上表面。磁体610可以位于轭板620的相对的表面中的面向掩模组件40的表面上。在室10内，磁体610可以位于面向掩模组件40的下表面上。磁体610可以在朝向掩模组件40的方向上从轭板620向下突出。
53.掩模组件40被磁体组件60的磁体610的磁力拉向磁体组件60。掩模组件40(更具体地，作为稍后将描述的掩模组件40的沉积掩模的掩模棒430(参见图2))可以附接到并且紧密接触掩模组件40和磁体组件60之间的母基板ms。相应地，掩模组件40与母基板ms之间的抬升现象的改善和沉积工艺期间的阴影效应的改善可以是可能的。磁体组件60可以被提供为在室10内沿第三方向z能移动，并且沉积装置可以包括用于移动室10内的磁体组件60的致动器(未示出)。
54.冷板50可以位于母基板ms与磁体组件60之间以在冷板50的重量下对母基板ms加压，并且改善母基板ms与掩模组件40之间的紧密接触的程度。冷板50可以是非磁性的，以不受磁体组件60的磁体610的磁性的影响。
55.图2例示掩模组件40的实施例的透视图。
56.参见图2，掩模组件40可以包括框架410(例如，掩模框架)、支撑棒421和422以及提供为多个、包括多个沉积掩模的沉积掩模(例如，提供为多个、包括多个掩模棒430的掩模棒430)。
57.框架410可以包括共同限定具有大致四边形形状的开口(例如，框架开口)的四条侧边或四个部分，并且可以基本上以四边形的形状提供。框架410可以包括强刚度和低变形的材料或由其制成，以固定掩模棒430在掩模组件40内的位置。在一实施例中，例如，框架410可以包括诸如镍铁合金(因瓦合金)或不锈钢的合金或由其制成。
58.支撑棒421和422可以包括沿第一方向x横跨框架410定位的、提供为多个、包括多个第一支撑棒421的第一支撑棒421和沿与第一方向x相交的第二方向y横跨框架410定位的、提供为多个、包括多个第二支撑棒422的第二支撑棒422。框架410可以包括各种支撑棒可以提供于其中的槽(例如，支撑棒槽)。支撑棒421和422可以插入到在框架410中提供或形成的槽中，并且可以诸如通过焊接等固定到框架410。支撑棒421和422可以包括金属或合金
(例如，不锈钢)或者由其制成。
59.第一支撑棒421可以具有平行于第一方向x的长度方向(延伸方向)。沉积装置及其各种部件或元件的厚度方向可以沿第三方向z限定。第一支撑棒421可以被固定以位于第二支撑棒422下面，也就是说，比第二支撑棒422更靠近框架410。第一支撑棒421可以位于框架410与第二支撑棒422之间。第一支撑棒421可以支撑第二支撑棒422，并且可以间接支撑掩模棒430。第一支撑棒421可以抑制框架410的变形。
60.掩模棒430可以沿第二方向y彼此相邻。相邻的掩模棒430可以在其间限定间隙。第一支撑棒421可以与相邻的掩模棒430之间的间隙相对应。第一支撑棒421可以阻挡相邻的掩模棒430之间的间隙，并且可以被称为间隙棒。第一支撑棒421可以减少或有效地防止沉积材料通过掩模组件40的掩模棒430之间的间隙沉积到诸如显示面板的基板sb(参见图8)的沉积靶上。
61.第二支撑棒422可以具有平行于第二方向y的长度方向(延伸方向)。第二支撑棒422的上表面和框架410的上表面可以最靠近掩模棒430。第二支撑棒422的上表面和框架410的上表面可以在基本相同的平面上(例如，可以彼此共面)。比第一支撑棒421更靠近掩模棒430的第二支撑棒422可以支撑掩模棒430。第二支撑棒422可以抑制框架410的变形。第二支撑棒422可以将掩模棒430的图案pt(例如，沉积图案)划分为单位单元的图案。每个单位单元可以对应于一个显示面板。
62.掩模棒430可以沿第一方向x横跨框架410定位，并且可以固定到框架410。掩模棒430可以诸如通过焊接固定到框架410。在一实施例中，沿其长度方向张紧的掩模棒430可以诸如通过焊接固定到框架410。可以使用张紧焊接机来张紧掩模棒430并将掩模棒430焊接到框架410。每个掩模棒430可以包括相对的端部，掩模棒430在相对的端部分别附接到框架410。掩模棒430的两个相对的端部可以具有适于夹紧以进行张紧的结构。掩模棒430可以沿第二方向y布置，并且每个掩模棒430可以沿第一方向x(例如，长度方向)延伸。
63.掩模棒430可以组合在一起以形成与母基板ms中的一个相对应的沉积掩模。因此，单独的一个掩模棒430可以被称为分割掩模。每个掩模棒430可以包括图案pt，图案pt沿掩模棒430的长度方向提供为多个，以包括分别与多个单元相对应的多个图案pt。在一实施例中，例如，每个图案pt可以包括与待提供或形成在母基板ms的每个单元中的特定颜色的发射层(例如，红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层)的图案相对应的开口(例如，沉积开口)。
64.掩模棒430可以包括金属或合金(例如，诸如镍铁合金(因瓦合金)或不锈钢的合金)或由其制成。掩模棒430可被称为精细金属掩模(“fmm”)或精细沉积掩模。
65.掩模棒430可以位于第二支撑棒422上。掩模棒430的下表面可以沿厚度方向最靠近第一支撑棒421和第二支撑棒422。掩模棒430的下表面可以接触第二支撑棒422的上表面。掩模棒430可以由第二支撑棒422支撑以抑制附接到框架410的掩模棒430的下垂或变形。
66.在提供掩模组件40时，在首先将第一支撑棒421固定到框架410之后，可以固定第二支撑棒422。在其次将第二支撑棒422固定到框架410之后，可以将掩模棒430固定到框架410。第一支撑棒421和第二支撑棒422还可以在各个支撑棒沿其长度方向的张紧状态下焊接到框架410。
67.图3例示磁体组件60的实施例的透视图，图4例示磁体组件60的实施例的截面图，并且图5例示磁体610的实施例的透视图。
68.参见图3、图4和图5，磁体组件60可以包括磁体610和轭板620。磁体610可以固定在沿轭板620的多个位置处。磁体610可以沿第一方向x相隔一定距离设置。磁体610可以沿第一方向x彼此间隔开。磁体610可以被提供或设置成沿第二方向y彼此接触。与所示出的不同，磁体610可以被设置为沿第二方向y彼此间隔开。
69.为了将磁体610稳定地固定在磁体组件60内，槽623(例如，板槽或第一槽)可以被提供多个、包括在轭板620中提供或形成的多个槽623。磁体610的一部分可以位于槽623内。槽623可以被提供或形成为符合磁体610的位于槽623内的部分的形状。在一实施例中，例如，槽623可以被提供或形成为使得磁体610可以装配到槽623中。也就是说，槽623的形状可以对应于磁体610的在槽623内部的部分。磁体610可以延伸出槽623以限定磁体610的在轭板620外部的部分。
70.轭板620可以包括面向磁体610(例如，沿厚度方向最靠近磁体610)的第一表面621以及与第一表面621相反的第二表面622。轭板620的槽623可以被提供或形成为在远离磁体610的方向上从第一表面621凹入。槽623可以沿第一方向x相隔一定距离提供或形成，并且每个槽623的主要尺寸(例如，槽长度)可以沿第二方向y提供或形成。在沉积装置中，磁体组件60可以设置为使得轭板620的槽623的延伸方向和掩模棒430的延伸方向可以彼此相交，诸如彼此正交，而不限于此。
71.轭板620可以包括诸如不锈钢的磁性材料或由其制成。相应地，磁体610可以在没有单独的固定构件的情况下附接并固定到轭板620。磁体610可以能附接到轭板620并且能从轭板620拆卸(例如，可移除地固定)。可选地或附加地，磁体610可以通过诸如螺栓、粘合剂等的固定构件被固定。
72.磁体610可以包括面向轭板620的第一表面611以及与第一表面611相反并且面向沉积掩模(例如，掩模棒430)的第二表面612。在沉积装置的室10中，磁体610的第二表面612可以面向掩模组件40(例如，可以最靠近掩模组件40)。磁体610的第二表面612可以限定磁体610的远端。通过来自磁体610的第二表面612的使掩模棒430朝向磁体组件60偏置的磁力，掩模组件40的掩模棒430可以利用附着力附接到母基板ms。
73.掩模棒430与母基板ms之间的附着力可以取决于沿掩模棒430的位置而变化。由于磁体610沿第一方向x相隔一定距离彼此间隔开，因此取决于磁体610的磁力的掩模棒430的附着力可以沿第一方向x改变。附着力可以表示为峰值附着力和平均附着力。峰值附着力可以是沿掩模棒430的整个区域附着力最大的点或区域处的附着力，并且平均附着力可以是沿掩模棒430的整个区域的附着力的平均值。掩模棒430可以在与磁体610沿第一方向x的节距相对应的周期内具有峰值附着力。可以考虑掩模棒430的峰值附着力和平均附着力来设定磁体610的布置。
74.在磁体610内，与第一表面611相对应的一侧和与第二表面612相对应的一侧可以具有彼此不同的极性。在一实施例中，例如，与第一表面611相对应的一侧可以为磁体610的n极(图4中的n)，并且与第二表面612相对应的一侧(例如，远端)可以为s极(图4中的s)。相反，在第一表面611处的一侧可以为s极，并且在第二表面612处的一侧可以为n极。为了使磁体组件60提供更均匀的磁力，磁体610可以被设置使得其第二表面612处的极性(例如，远端
极性)沿第一方向x交替。磁体610可以被设置使得其第二表面612处的极性沿第二方向y相同。在一实施例中，例如，每个磁体610的第二表面612包括由磁体槽(例如，槽613)彼此间隔开的两个部分，并且第二表面612的两个部分都具有第一极性或不同于第一极性的第二极性。多个磁体610在其第二表面612处的极性可以沿第一方向x交替并且可以沿第二方向y相同。
75.磁体610中的两个或更多个可以沿第二方向y设置在轭板620的槽623中的一个中。在多个槽623中的同一个槽623中的磁体610的第一表面611处的极性可以彼此相同。设置在同一个槽623中的磁体610可以被设置使得其边缘或端部彼此接触。与图3中所示的不同，一个磁体610可以设置在一个槽623中。
76.参见图5，磁体610可以具有长度为l、宽度为w和厚度为t的大致长方体形状，并且可以包括被提供或形成为从其第二表面612凹入的槽613(例如，磁体槽或第二槽)。槽613的主要尺寸(例如，槽长度)可以沿磁体610的长度l形成。相应地，磁峰值区可以从磁体610的第二表面612处的单个位置移动到第二表面612的在磁体的沿第一方向x的相反侧的两个部分处的多个位置。磁峰值区可以对应于或被限定在沿第一方向x由磁体槽彼此间隔开的第二表面612的两个部分。也就是说，每一个磁体610可以限定或提供两个磁峰值区。
77.槽613可以在第二表面612的中央部分中以沿第三方向z的深度沿第二方向y并沿磁体610的长度l延伸。中央部分可以沿第一方向x限定。槽613可以沿第二方向y穿透磁体610。也就是说，槽613可以在磁体610的沿第二方向y的两个相对端部处开口。槽613可以在第三方向z上不穿透磁体610。也就是说，每个磁体610可以具有在从第一表面611到第二表面612的方向上的厚度以及与第一表面611间隔开并且在面向沉积掩模的第二表面612处开口的磁体槽。槽613(例如，磁体槽)的底部可以沿厚度方向与磁体610的第一表面611间隔开。
78.槽613沿第三方向z的深度可以为作为磁体610的最大厚度的厚度t的大约1/3至大约2/3，例如为其大约1/2。在沿第二方向y的视图中，磁体610的槽613的截面形状可以大致是四边形的，并且磁体610的截面形状可以是大致u形的。磁体610可以关于槽613对称。磁体610的长度l可以大于宽度w，并且可以大于厚度t。在一实施例中，例如，长度l可以为大约10毫米(mm)或更大，并且宽度w和厚度t可以分别小于大约10mm。磁体610的长度l可以大于宽度w和厚度t之和。
79.图6例示根据比较示例(
‘
参考’)和本实用新型的实施例(例如，
‘
示例’)的沉积装置中掩模棒430的附着力的曲线图。附着力可以由磁体组件60的磁体610施加到掩模棒430的磁力限定或与其相对应。附着力可以与沿磁体610的位置相对应。
80.比较示例包括其中没有提供或形成从磁体610的第二表面612延伸的槽613的磁体组件60，并且示例包括其中在磁体610的第二表面612中提供或形成槽613的磁体组件60。比较示例的磁体610具有四边形截面形状，并且示例的磁体610具有u形截面形状。两个曲线图都例示在与一个具有5mm的宽度w和4mm的厚度t的磁体610相对应的区域中的掩模棒430的附着力。
81.比较示例的曲线图显示高斯分布，其中附着力在磁体610的中央部分处最大并且附着力在远离中央部分的方向上逐渐减小。由于磁体610相对于磁体组件60沿第一方向x布置，因此附着力可以像正弦曲线一样沿第一方向x周期性地增大或减小。为了使磁体组件60
具有参考平均附着力，与磁体610的中央部分相对应的峰值附着力需要具有参考值。然而，取决于沉积材料和母基板ms的特性，掩模棒430与母基板ms之间的附着力可能过大，并且从而可能出现缺陷。在一实施例中，例如，在由包括比较示例(
‘
参考’)的磁体610的沉积装置提供或制造的显示面板中，在显示面板的与掩模棒430的具有峰值附着力的区域相对应的屏幕区域中可能出现诸如条纹的图像质量缺陷。
82.图6中的示例的曲线图显示附着力在磁体610的两个相对侧处而不是在磁体610的中央部分处最大，并且附着力在远离相应相对侧的相反方向上逐渐减小。峰值附着力可以对应于第二表面612的两个部分中的每个。由于在磁体610的第二表面612的中央部分处提供或形成槽613(例如，在槽613处省略第二表面612)，因此中央部分处的附着力可以减小并且附着力可以分布到中央部分的两个相对侧。另外，当将峰值附着力设定为与比较示例的峰值附着力相同时，获得其中平均附着力增大的附着力分布。当附着力如示例中那样分布时，通过磁体610与掩模棒430之间的距离调节，可以在降低峰值附着力的同时保持平均附着力。由于将如比较示例中那样施加到窄区的峰值附着力分布在宽区中，因此可以减少或有效防止过大的附着力被施加到特定区。另外，由于可以保持平均附着力，所以掩模棒430可以以期望程度的附着力紧密接触母基板ms。
83.图7例示磁体组件60的磁体610的实施例的截面图(a)至截面图(e)。
84.除了上述四边形截面形状之外，磁体610的槽613可以具有各种截面形状。在一实施例中，例如，槽613的截面形状可以是如图7的截面图(a)和截面图(d)中所示的半圆形或半椭圆形形状，或者如图7的截面图(b)和截面图(e)中所示的三角形形状。磁体610的第一表面611可以是如图7的截面图(a)和截面图(b)中所示的平坦表面，或者可以是如图7的截面图(c)、截面图(d)和截面图(e)中所示的弯曲表面。即使磁体610的第一表面611是弯曲表面，磁体610也可以通过将轭板620的槽623提供或形成为与第一表面611的弯曲表面相对应的弯曲表面而被稳定地固定。在任一情况下，在磁体组件60内，磁体610的第一表面611面向轭板620，并且磁体610的槽613可以凹进以从与第一表面611相对的第二表面612凹入。
85.图8例示显示面板的堆叠结构的实施例的示意性截面图。在如图1中所示的沉积装置中，通过沉积工艺提供或形成在母基板ms中的单元可以被分割以用作显示设备的显示面板。也就是说，母基板ms中的单元可以对应于显示面板，而不限于此。图8中所示的截面可以基本上对应于显示面板的一个像素区域，其包括由沉积装置在沉积方法中提供为沉积图案的各种图案。
86.显示面板可以包括基板sb、在基板sb上提供或形成的晶体管tr和连接到晶体管tr的诸如发光二极管led的发光元件。发光二极管led可以对应于显示面板的像素。
87.基板sb可以包括诸如玻璃的材料或由其制成。基板sb可以是包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚合物树脂的柔性基板。
88.缓冲层bfl可以设置在基板sb上。当提供或形成半导体层al时，缓冲层bfl可以阻挡来自基板sb的杂质，从而改善半导体层al的特性并使基板sb的表面平坦化以减小半导体层al的应力。缓冲层bfl可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)或氮氧化硅(sio
x
ny)的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。缓冲层bfl可以包括非晶硅(a-si)。
89.晶体管tr的半导体层al可以设置在缓冲层bfl上。半导体层al可以包括第一区、第二区以及在第一区与第二区之间的沟道区。半导体层al可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物
半导体中的一种。在一实施例中，例如，半导体层al可以包括低温多晶硅(“ltps”)或者包括锌(zn)、铟(in)、镓(ga)和锡(sn)中的至少一种的氧化物半导体材料。在一实施例中，例如，半导体层al可以包括氧化铟镓锌(“igzo”)。
90.第一栅绝缘层gi1可以设置在半导体层al上。第一栅绝缘层gi1可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
91.可以包括晶体管tr的栅电极ge、栅线gl和电容器cs的第一电极c1的第一栅导电层可以设置在第一栅绝缘层gi1上。第一栅导电层可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以是单层或多层。
92.第二栅绝缘层gi2可以设置在第一栅导电层上。第二栅绝缘层gi2可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
93.可以包括电容器cs的第二电极c2的第二栅导电层可以设置在第二栅绝缘层gi2上。第二栅导电层可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等，并且可以是单层或多层。
94.层间绝缘层ild可以设置在第二栅绝缘层gi2和第二栅导电层上。层间绝缘层ild可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
95.第一数据导电层可以包括晶体管tr的第一电极se和第二电极de，并且数据线dl可以设置在层间绝缘层ild上。第一电极se和第二电极de可以通过提供或形成在绝缘层gi1、gi2和ild中的接触孔分别连接到半导体层al的第一区和第二区。第一电极se和第二电极de中的一个可以是源电极，并且其中另一个可以是漏电极。第一数据导电层可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)或铜(cu)，并且可以是单层或多层。
96.第一平坦化层via1可以设置在第一数据导电层上。第一平坦化层via1可以是有机绝缘层。在一实施例中，例如，第一平坦化层via1可以包括有机绝缘材料，例如诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物。
97.可以包括电压线vl、连接线cl等的第二数据导电层可以设置在第一平坦化层via1上。电压线vl可以将诸如驱动电压、公共电压、初始化电压或参考电压的电压传输到像素区域。连接线cl可以通过提供或形成在第一平坦化层via1中的接触孔连接到晶体管tr的第二电极de。第二数据导电层可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、镍(ni)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)或铜(cu)，并且可以是单层或多层。
98.第二平坦化层via2可以设置在第二数据导电层上。第二平坦化层via2可以是有机绝缘层。在一实施例中，例如，第二平坦化层via2可以包括有机绝缘材料，例如诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、聚酰亚胺或硅氧烷类聚合物。
99.发光二极管led的第一电极e1可以设置在第二平坦化层via2上。第一电极e1可以被称为像素电极。第一电极e1可以通过提供或形成在第二平坦化层via2中的接触孔连接到连接线cl。因此，第一电极e1可以电连接到晶体管tr的第二电极de以接收控制发光二极管的亮度的电驱动电流。第一电极e1连接到的晶体管tr可以是驱动晶体管或者电连接到驱动晶体管的晶体管。第一电极e1可以包括反射导电材料或半透明导电材料或由其制成，或者
它可以由透明导电材料制成。第一电极e1可以包括诸如氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)的透明导电材料。第一电极e1可以包括诸如锂(li)、钙(ca)、铝(al)、银(ag)、镁(mg)或金(au)的金属或其金属合金。
100.可以是有机绝缘层的像素限定层pdl可以设置在第二平坦化层via2上。像素限定层pdl可以被称为分隔壁，并且可以限定或具有与第一电极e1重叠的开口(例如，像素开口)。
101.发光二极管led的发射层el可以设置在第一电极e1上。除了发射层el之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个可以设置在第一电极e1上。在一实施例中，上述掩模组件40、冷板50和磁体组件60可以用于将发射层el作为沉积图案沉积。
102.发光二极管led的第二电极e2可以设置在发射层el上。第二电极e2可以被称为公共电极。第二电极e2可以通过提供或形成诸如钙(ca)、钡(ba)、镁(mg)、铝(al)、银(ag)等的具有低的功函数的金属或金属合金的薄层而具有透光性。第二电极e2可以包括诸如氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)的透明导电氧化物。
103.每个像素的第一电极e1、发射层el和第二电极e2形成诸如有机发光二极管或无机发光二极管的发光二极管led。第一电极e1可以是发光二极管的阳极，并且第二电极e2可以是发光二极管的阴极。
104.封盖层cpl可以设置在第二电极e2上。封盖层cpl可以通过折射率调节来提高光效率。封盖层cpl可以设置为完全覆盖第二电极e2。封盖层cpl可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
105.封装层en可以设置在封盖层cpl上。封装层en可以封装发光二极管led以减少或有效防止湿气或氧气从封装层en外部渗透。封装层en可以是包括一个或多个无机层eil1和eil2以及一个或多个有机层eol的薄膜封装层。
106.包括触摸电极的触摸传感器层tsl可以设置在封装层en上。触摸电极可以具有网格形状，其具有与发光二极管led重叠的开口。诸如抗反射层ar的用于减少外部光的反射的功能层可以设置在触摸传感器层tsl上。
107.用于保护显示面板的整个表面的覆盖窗(未示出)可以设置在抗反射层ar上。
108.用于保护显示面板的保护膜(未示出)可以设置在基板sb下面。包括垫层、散热片、遮光片、防水胶带和电磁阻挡膜中的至少一个的功能片(未示出)可以设置在保护膜下面。
109.虽然已经参照目前被认为的实用实施例描述了本实用新型，但是应该理解，本实用新型不限于所公开的实施例，而是相反，旨在覆盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。