掩模的制作方法

1.本实用新型的实施方式涉及掩模。


背景技术：

2.有机el显示装置等有机器件受到关注。作为形成有机器件的元件的方法，已知通过蒸镀使构成元件的材料附着于基板上的方法。例如，首先，准备以与元件对应的图案形成有第1电极的基板。接着，经由掩模的贯通孔使有机材料附着在第1电极上，在第1电极上形成有机层。接着，在有机层上形成第2电极。
3.作为掩模的制造方法，已知蚀刻金属板等基材而形成贯通孔的方法。制造方法具备：使用曝光掩模将基材上的抗蚀剂层曝光的步骤；和经由被曝光和显影的抗蚀剂层对基材进行蚀刻的步骤。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本专利第3539597号公报


技术实现要素：

7.实用新型所要解决的课题
8.作为降低有机器件的制造成本的手段之一，可考虑基板的大型化。若基板大型化，则掩模也大型化，用于制造掩模的制造设备也大型化。例如，为了制造与第8代基板对应的掩模，需要与第8代基板对应的曝光掩模。但是，为了使曝光掩模大型化，需要大量的投资。
9.本实用新型的实施方式提供一种能够有效解决这种课题的掩模。
10.用于解决课题的手段
11.本实用新型的一个实施方式的掩模可以具备：基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和贯通孔组，贯通上述基材。在俯视时，上述掩模可以具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部。上述第1侧缘可以包含位于上述第1端部与上述中间部的边界并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第1台阶部。上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸可以为1mm以下。上述第1端部可以包含位于上述第1面或上述第2面的第1标记。
12.实用新型的效果
13.根据本实用新型的一个实施方式，能够削减用于掩模大型化的投资。
附图说明
14.图1是示出有机器件的一例的截面图。
15.图2是示出有机器件组的一例的俯视图。
16.图3是示出蒸镀装置的一例的截面图。
17.图4是示出掩模装置的一例的俯视图。
18.图5是示出掩模的一例的俯视图。
19.图6是将图5的掩模的第1端部放大示出的俯视图。
20.图7是从a-a方向观察图6的掩模的截面图。
21.图8是示出为了制造掩模而使用的基材的截面图。
22.图9a是示出使用第1曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
23.图9b是从b-b方向观察图9a的基材的截面图。
24.图10a是示出通过第1曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
25.图10b是从c-c方向观察图10a的基材的截面图。
26.图11a是示出使用第2曝光掩模和第3曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
27.图11b是从d-d方向观察图11a的基材的截面图。
28.图12a是示出通过第2曝光掩模和第3曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
29.图12b是从e-e方向观察图12a的基材的截面图。
30.图13是示出蚀刻后的基材的一例的截面图。
31.图14a是示出形成于基材的掩模的一例的俯视图。
32.图14b是从f-f方向观察图14a的基材的截面图。
33.图15是示出将掩模固定于掩模支承体的工序的一例的俯视图。
34.图16a是示出在第2实施方式中形成于基材的掩模的一例的俯视图。
35.图16b是从g-g方向观察图16a的基材的截面图。
36.图17a是示出在第2实施方式中形成第1端部和第2端部的步骤的一例的俯视图。
37.图17b是从h-h方向观察图17a的基材的截面图。
38.图18是在第3实施方式中示出掩模的一例的俯视图。
39.图19是将图18的掩模的第1端部放大示出的俯视图。
40.图20是在第4实施方式中示出掩模的一例的俯视图。
41.图21a是将图20的掩模的第1端部放大示出的俯视图。
42.图21b是示出掩模的第1端部的一例的俯视图。
43.图22是示出掩模的第1端部的一例的俯视图。
44.图23是在第5实施方式中示出掩模的一例的俯视图。
45.图24是示出在第6实施方式中使用第1曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
46.图25是示出在第6实施方式中通过第1曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
47.图26是示出在第6实施方式中使用第2曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
48.图27是在第6实施方式中示出掩模的一例的俯视图。
49.图28a是在第7实施方式中示出掩模的一例的俯视图。
50.图28b是将图28a的掩模的中间部放大示出的俯视图。
51.图28c是示出使用第1曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
52.图28d是示出通过第1曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
53.图28e是示出使用第2曝光掩模将抗蚀剂层曝光的工艺的一例的俯视图。
54.图28f是示出基准标记的一例的俯视图。
55.图29是示出实施例的掩模的俯视图。
56.图30a是示出包含第1端部的第1台阶部的图像和包含标记的图像的图。
57.图30b是示出包含第1端部的第2台阶部的图像和包含标记的图像的图。
58.图30c是示出包含第2端部的第1台阶部的图像和包含标记的图像的图。
59.图30d是示出包含第2端部的第2台阶部的图像和包含标记的图像的图。
60.图31是示出例1～例49的评价结果的图。
61.图32是示出例50～例56的评价结果的图。
62.图33是示出例57～例66的评价结果的图。
具体实施方式
63.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。
64.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。
65.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。
66.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一标号或类似的标号，有时省略其重复的说明。另外，为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。
67.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，本说明书的一个实施方式可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式组合。另外，其他实施方式彼此也可以在不产生矛盾的范围内组合。
68.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开2个以上的步骤或工艺的情况下，可以在所公开的步骤或工艺之间实施未公开的其他步骤或工艺。另外，所公开的步骤或工艺的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。
69.在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表示的数值范围包括置于标号“～”的前后的数值。例如，“34～38质量％”这样的表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述所划定的数值范围相同。
70.本说明书的一个实施方式中，对如下例子进行说明：掩模用于在制造有机el显示装置时在基板上形成有机材料或电极。但是，掩模的用途没有特别限定，对于用于各种用途的掩模，能够应用本实施方式。例如，为了形成如下装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模，其中，所述装置是用于显示或投影用于表现虚拟现实(所谓的vr)或增强现实(所谓的
ar)的图像或影像的装置。另外，为了形成液晶显示装置的电极等、有机el显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模。另外，为了形成压力传感器的电极等、显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模。
71.本实用新型的第1方式涉及一种制造方法，其为掩模的制造方法，其中，
72.上述掩模具备：在第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含贯通孔组的中间部，
73.上述制造方法具备：
74.中间部形成步骤，在原始基材形成上述中间部的外缘和上述贯通孔组；
75.第1端部形成步骤，在上述原始基材形成上述第1端部的外缘；和
76.第2端部形成步骤，在上述原始基材形成上述第2端部的外缘，
77.上述中间部形成步骤包含：使用第1曝光掩模将上述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的上述抗蚀剂层对上述原始基材进行蚀刻的工艺，
78.上述第1端部形成步骤包含：
79.使用第2曝光掩模将上述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的上述抗蚀剂层对上述原始基材进行蚀刻的工艺；或者
80.包含：使用激光对上述原始基材进行加工的工艺。
81.本实用新型的第2方式中，在上述第1方式的制造方法中，上述第2端部形成步骤可以包含：使用第3曝光掩模将上述原始基材上的抗蚀剂层曝光的工艺；和经由被曝光和显影的上述抗蚀剂层对上述原始基材进行蚀刻的工艺。或者，上述第2端部形成步骤可以包含使用激光对上述原始基材进行加工的工艺。
82.本实用新型的第3方式中，在上述第1方式或上述第2方式的各制造方法中，上述第1曝光掩模可以具有包含第1边和第2边的矩形。上述第1边可以为1250mm以上。上述第2边可以为1100mm以上。
83.本实用新型的第4方式中，在上述第1方式至上述第3方式的各制造方法中，上述原始基材的厚度可以为40μm以下。
84.本实用新型的第5方式涉及一种掩模，该掩模具备：
85.基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
86.贯通孔组，贯通上述基材，
87.在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
88.上述第1侧缘包含位于上述第1端部与上述中间部的边界并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第1台阶部，
89.上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸为1mm以下，
90.上述第1端部包含位于上述第1面或上述第2面的第1标记。
91.本实用新型的第6方式中，在上述第5方式的掩模中，上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸可以为2.5μm以上。
92.本实用新型的第7方式中，在上述第5方式或上述第6方式的各掩模中，上述第1台阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部。
93.本实用新型的第8方式中，在上述第5方式或上述第6方式的各掩模中，上述第1台
阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向内侧位移的内侧台阶部。
94.本实用新型的第9方式中，在上述第5方式或上述第6方式的各掩模中，上述第2侧缘可以包含位于上述第1端部与上述中间部的边界并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第2台阶部。上述第2方向上的上述第2台阶部的尺寸可以为1mm以下。
95.本实用新型的第10方式中，在上述第9方式的掩模中，上述第1台阶部和上述第2台阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部。
96.本实用新型的第11方式中，在上述第9方式的掩模中，上述第1台阶部和上述第2台阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向内侧位移的内侧台阶部。
97.本实用新型的第12方式中，在上述第9方式的掩模中，上述第1台阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部，上述第2台阶部可以是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向内侧位移的内侧台阶部。
98.本实用新型的第13方式中，在上述第5方式至上述第12方式的各掩模中，上述中间部可以包含位于沿着上述第1侧缘扩展的第1侧缘区域的第1中间标记，上述第1方向上的上述第1台阶部与上述第1中间标记之间的距离可以为5mm以下。
99.本实用新型的第14方式中，在上述第13方式的掩模中，上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸相对于上述第1方向上的上述第1台阶部与上述第1中间标记之间的距离的比例可以为1.0以下。
100.本实用新型的第15方式涉及一种掩模，该掩模具备：
101.基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
102.贯通孔组，贯通上述基材，
103.在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
104.上述第1端部的上述第1侧缘延伸的方向相对于上述中间部的上述第1侧缘延伸的方向偏移0.0007
°
以上，
105.上述第1端部包含位于上述第1面或上述第2面的第1标记。
106.本实用新型的第16方式中，在上述第15方式的掩模中，上述第1端部的上述第2侧缘延伸的方向相对于上述中间部的上述第2侧缘延伸的方向可以偏移0.0007
°
以上。
107.本实用新型的第17方式涉及一种掩模，该掩模具备：
108.基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
109.贯通孔组，贯通上述基材，
110.在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
111.在俯视时，上述中间部在上述第1方向上包含与上述掩模的中心一致的中心，并且在上述第1方向上具有1250mm的尺寸，
112.上述第1端部包含位于上述第1面或上述第2面的第1标记。
113.本实用新型的第18方式涉及一种掩模，该掩模具备：
114.基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
115.贯通孔组，贯通上述基材，
116.在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上
述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
117.上述第1侧缘包含位于上述第1端部与上述中间部的边界并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第1台阶部，
118.上述第1台阶部是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部，
119.上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸为10μm以上，
120.上述第2侧缘包含位于上述第1端部与上述中间部的边界并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第2台阶部，
121.上述第2台阶部是在朝向上述第1方向外侧时在上述第2方向上向外侧位移的外侧台阶部，
122.上述第2方向上的上述第2台阶部的尺寸为10μm以上，
123.上述第1端部包含位于上述第1面或上述第2面的第1标记。
124.本实用新型的第19方式中，在上述第5方式至上述第18方式的各掩模中，上述中间部可以包含在与上述第1方向正交的第2方向上位于上述第1侧缘与上述贯通孔组之间的第1中间标记。上述第2方向上的上述第1标记与上述第1中间标记之间的距离可以为4mm以下。
125.本实用新型的第20方式中，在上述第5方式至上述第19方式的各掩模中，上述基材的厚度可以为40μm以下。
126.参照附图，对本实用新型的一个实施方式详细地进行说明。需要说明的是，以下所示的实施方式是本实用新型的实施方式的一例，本实用新型并不仅限于这些实施方式来解释。
127.对具备通过使用掩模而形成的元件的有机器件100进行说明。图1是示出有机器件100的一例的截面图。
128.有机器件100包括：包含第1面111和第2面112的基板110；和位于基板110的第1面111的多个元件115。元件115例如为像素。元件115可以沿着第1面111的面内方向排列。基板110可以包含2种以上的元件115。例如，基板110可以包含第1元件115a和第2元件115b。虽未图示，但基板110可以包含第3元件。第1元件115a、第2元件115b和第3元件例如为红色像素、蓝色像素和绿色像素。
129.元件115可以包含第1电极120、位于第1电极120上的有机层130、和位于有机层130上的第2电极140。通过使用掩模而形成的元件可以为有机层130，也可以为第2电极140。也将通过使用掩模而形成的元件称为蒸镀层。
130.有机器件100可以具备在俯视时位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如包含聚酰亚胺。绝缘层160在俯视时可以与第1电极120的端部重叠。
131.有机器件100可以是有源矩阵型。例如，虽未图示，但有机器件100可以具备与多个元件115分别电连接的开关。开关例如是晶体管。开关能够控制针对对应的元件115的电压或电流的接通/断开。
132.基板110可以是具有绝缘性的板状的部件。基板110优选具有使光透过的透明性。作为基板110的材料，例如可以使用石英玻璃、pyrex(注册商标)玻璃、合成石英板等不具有挠性的刚性材料、或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以是在树脂膜的单面或双面具有阻隔层的层积体。
133.元件115构成为：通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压、或者在第1电极120与第2电极140之间流过电流，可以实现某些功能。例如，在元件115是有机el显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。
134.第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、或者其他具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物(ito)、氧化铟锌(izo)等具有透明性和导电性的金属氧化物。
135.有机层130包含有机材料。当对有机层130通电时，有机层130能够发挥某些功能。通电是指对有机层130施加电压、或者在有机层130中流过电流。作为有机层130，可以使用通过通电而放出光的发光层等。有机层130可以包含有机半导体材料。有机层130的透射率、折射率等特性可以适当调整。
136.如图1所示，有机层130可以包含第1有机层130a和第2有机层130b。第1有机层130a包含在第1元件115a中。第2有机层130b包含在第2元件115b中。虽未图示，但有机层130可以包含第3元件所包含的第3有机层。第1有机层130a、第2有机层130b和第3有机层例如为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。
137.当在第1电极120与第2电极140之间施加电压时，位于两者之间的有机层130被驱动。在有机层130为发光层的情况下，从有机层130放出光，并从第2电极140侧或第1电极120侧向外部取出光。
138.有机层130可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。
139.第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140通过使用掩模的蒸镀法而形成在有机层130上。作为构成第2电极140的材料，可以使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铟锡氧化物(ito)、氧化铟锌(izo)、碳等。这些材料可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。在使用2种以上的情况下，可以将各材料构成的层层积。另外，也可以使用包含2种以上的材料的合金。例如，可以使用mgag等镁合金、alli、alca、almg等铝合金。也将mgag称为镁银。镁银优选用作第2电极140的材料。可以使用碱金属类和碱土金属类的合金等。例如，可以使用氟化锂、氟化钠、氟化钾等。
140.第2电极140可以为共同电极。例如，1个元件115的第2电极140可以与其他元件115的第2电极140电连接。
141.第2电极140可以由1个层构成。例如，第2电极140可以是通过使用1个掩模的蒸镀工序而形成的层。
142.或者，如图1所示，第2电极140可以包含第1层140a和第2层140b。第1层140a可以是通过使用第1掩模的蒸镀工序而形成的层。第2层140b可以是通过使用第2掩模的蒸镀工序而形成的层。这样，可以使用2个以上的掩模形成第2电极140。由此，俯视时的第2电极140的图案的自由度提高。例如，有机器件100能够包含俯视时不存在第2电极140的区域。与存在第2电极140的区域相比，不存在第2电极140的区域能够具有高透射率。
143.如图1所示，第1层140a的端部与第2层140b的端部可以局部重叠。由此，能够将第1层140a与第2层140b电连接。
144.虽未图示，但第2电极140可以包含第3层等其他层。第3层等其他层可以与第1层140a和第2层140b电连接。
145.在以下的说明中，在对第2电极140的结构中第1层140a、第2层140b、第3层等所共用的结构进行说明的情况下，使用“第2电极140”这样的用语和标号。
146.在有机器件100的制造方法中，可以制作图2所示的有机器件组102。有机器件组102包含2个以上的有机器件100。例如，有机器件组102可以包含在第1方向d1和第2方向d2上排列的有机器件100。第2方向d2是与第1方向d1正交的方向。2个以上的有机器件100可以具备共用的1片基板110。例如，有机器件组102可以包含位于1片基板110上并构成2个以上的有机器件100的第1电极120、有机层130、第2电极140等层。通过分割有机器件组102，得到有机器件100。
147.如后所述，第1方向d1可以是为了制造有机器件100而使用的掩模50延伸的方向。
148.第1方向d1上的有机器件100的尺寸a1例如可以为10mm以上、可以为30mm以上、也可以为100mm以上。尺寸a1例如可以为200mm以下、可以为500mm以下、也可以为1000mm以下。尺寸a1的范围可以通过由10mm、30mm和100mm构成的第1组和/或由200mm、500mm和1000mm构成的第2组来限定。尺寸a1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸a1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸a1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸a1可以为10mm以上1000mm以下、可以为10mm以上500mm以下、可以为10mm以上200mm以下、可以为10mm以上100mm以下、可以为10mm以上30mm以下、可以为30mm以上1000mm以下、可以为30mm以上500mm以下、可以为30mm以上200mm以下、可以为30mm以上100mm以下、可以为100mm以上1000mm以下、可以为100mm以上500mm以下、可以为100mm以上200mm以下、可以为200mm以上1000mm以下、可以为200mm以上500mm以下、也可以为500mm以上1000mm以下。
149.第2方向d2上的有机器件100的尺寸a2例如可以为10mm以上、可以为20mm以上、也可以为50mm以上。尺寸a2例如可以为100mm以下、可以为200mm以下、也可以为500mm以下。尺寸a2的范围可以通过由10mm、20mm和50mm构成的第1组和/或由100mm、200mm和500mm构成的第2组来限定。尺寸a2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸a2的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸a2的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸a2可以为10mm以上500mm以下、可以为10mm以上200mm以下、可以为10mm以上100mm以下、可以为10mm以上50mm以下、可以为10mm以上20mm以下、可以为20mm以上500mm以下、可以为20mm以上200mm以下、可以为20mm以上100mm以下、可以为20mm以上50mm以下、可以为50mm以上500mm以下、可以为50mm以上200mm以下、可以为50mm以上100mm以下、可以为100mm以上500mm以下、可以为100mm以上200mm以下、也可以为200mm以上500mm以下。
150.有机器件组102包含多个有机器件100所存在的器件区域103。器件区域103在第1方向d1上具有尺寸g12，在第2方向d2上具有尺寸g22。
151.通过将基板110大型化，能够增大器件区域103的尺寸g12和g22。由此，在1片基板110上形成的有机器件100的数量增加。由此，能够降低有机器件100的制造成本。
152.第1方向d1上的基板110的尺寸g11例如可以为1000mm以上、可以为1200mm以上、可以为1300mm以上、也可以为2100mm以上。尺寸g11例如可以为1200mm以下、可以为1300mm以
下、可以为1900mm以下、可以为2100mm以下、也可以为2300mm以下。尺寸g11的范围可以通过由1000mm、1200mm、1300mm和2100mm构成的第1组和/或由1200mm、1300mm、1900mm、2100mm和2300mm构成的第2组来限定。尺寸g11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸g11的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸g11的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸g11可以为1000mm以上2300mm以下、可以为1000mm以上2100mm以下、可以为1000mm以上1900mm以下、可以为1000mm以上1300mm以下、可以为1000mm以上1200mm以下、可以为1200mm以上2300mm以下、可以为1200mm以上2100mm以下、可以为1200mm以上1900mm以下、可以为1200mm以上1300mm以下、可以为1300mm以上2300mm以下、可以为1300mm以上2100mm以下、可以为1300mm以上1900mm以下、可以为1900mm以上2300mm以下、可以为1900mm以上2100mm以下、也可以为2100mm以上2300mm以下。
153.第2方向d2上的基板110的尺寸g21例如可以为1200mm以上、可以为1300mm以上、可以为1500mm以上、可以为2000mm以上、也可以为2400mm以上。尺寸g21例如可以为1300mm以下、可以为2300mm以下、可以为2400mm以下、也可以为2600mm以下。尺寸g21的范围可以通过由1200mm、1300mm、1500mm、2000mm和2400mm构成的第1组和/或由1300mm、2300mm、2400mm和2600mm构成的第2组来限定。尺寸g21的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸g21的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸g21的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸g21可以为1200mm以上2600mm以下、可以为1200mm以上2400mm以下、可以为1200mm以上2300mm以下、可以为1200mm以上1500mm以下、可以为1200mm以上1300mm以下、可以为1300mm以上2600mm以下、可以为1300mm以上2400mm以下、可以为1300mm以上2300mm以下、可以为1300mm以上1500mm以下、可以为1500mm以上2600mm以下、可以为1500mm以上2400mm以下、可以为1500mm以上2300mm以下、可以为2000mm以上2300mm以下、可以为2300mm以上2600mm以下、可以为2300mm以上2400mm以下、也可以为2400mm以上2600mm以下。
154.尺寸g11的特定的数值范围和尺寸g21的特定的数值范围可以组合。例如，可以是，尺寸g11为1000mm以上1200mm以下，尺寸g21为1200mm以上1300mm以下。例如，可以是，尺寸g11为1200mm以上1300mm以下，尺寸g21为2000mm以上2300mm以下。例如，可以是，尺寸g11为2100mm以上2300mm以下，尺寸g21为2400mm以上2600mm以下。
155.接着，对通过蒸镀法而形成有机层130、第2电极140等元件的方法进行说明。图3是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀至基板110的蒸镀处理。
156.如图3所示，蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8、以及掩模装置15。另外，蒸镀装置10还可以具备用于使蒸镀装置10的内部成为真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如为坩埚，容纳有机材料、金属材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置15以与坩埚6相向的方式配置。
157.如图3所示，掩模装置15具备至少1个掩模50。掩模装置15可以具备支承掩模50的掩模支承体40。掩模支承体40可以具备包含开口43的框架41。掩模50可以按照俯视时横穿开口43的方式固定于框架41。框架41可以将掩模50以在沿着其面的方向上对其拉伸的状态进行支承，由此抑制掩模50挠曲。
158.如图3所示，掩模装置15按照掩模50与基板110的第1面111面对面的方式配置于蒸镀装置10内。掩模50包含使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过的多个贯通孔56。在以下的说明中，将面对基板110的掩模50的面称为第1面551。将位于第1面551的相反侧的掩模50的面称为第2面552。
159.如图3所示，蒸镀装置10可以具备保持基板110的基板保持器2。基板保持器2可以是能够在基板110的厚度方向上移动。基板保持器2可以是能够在基板110的面方向上移动。基板保持器2可以构成为控制基板110的倾斜。例如，基板保持器2可以包含安装于基板110的外缘的多个卡盘。各卡盘可以是能够在基板110的厚度方向、面方向上独立地移动。
160.通过使基板保持器2或掩模保持器3中的至少任意一者移动，能够调整掩模50相对于基板110的位置。
161.如图3所示，蒸镀装置10可以具备配置于基板110的第2面112侧的冷却板4。冷却板4可以具有用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制基板110的温度在蒸镀工序时上升。
162.如图3所示，蒸镀装置10可以具备配置于基板110的第2面112侧的磁铁5。磁铁5也可以配置于远离基板110的冷却板4的面。磁铁5能够通过磁力将掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减少掩模50与基板110之间的间隙或者消除间隙。由此，能够抑制在蒸镀工序中产生阴影。阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙而使蒸镀层的形状变得不均匀的现象。蒸镀层的形状为蒸镀层的厚度、俯视时的蒸镀层的尺寸等。可以使用利用静电力的静电卡盘将掩模50向基板110侧吸引。
163.图4是示出从第1面551侧观察掩模装置15的情况的俯视图。掩模装置15可以具备：包含框架41的掩模支承体40；和固定于框架41的掩模50。掩模装置15可以具备在第2方向d2上排列的2个以上的掩模50。为了抑制掩模50挠曲，框架41在对掩模50施加了张力的状态下支承掩模50。
164.框架41可以包含沿第1方向d1延伸的一对第1边411、沿第2方向d2延伸的一对第2边412、和开口43。第2边412可以比第1边411长。开口43位于一对第1边411之间以及一对第2边412之间。
165.掩模50可以包含沿第1方向d1延伸的第1侧缘501和第2侧缘502、以及第1端503和第2端504。第1端503和第2端504是第1方向d1上的掩模50的端部。
166.在俯视时，掩模50包含第1端部51a、第2端部51b和中间部52。第1端部51a和第2端部51b在第1方向d1上相向。中间部52位于第1端部51a与第2端部51b之间。中间部52包含贯通孔组53。
167.第1端部51a具有宽度w01。宽度w01是第2方向d2上的第1端部51a的尺寸。宽度w01在第1端部51a与中间部52之间的边界处进行测定。第2端部51b具有宽度w02。宽度w02是第2方向d2上的第2端部51b的尺寸。宽度w02在第2端部51b与中间部52之间的边界处进行测定。中间部52具有宽度w03。宽度w03是第2方向d2上的中间部52的尺寸。宽度w03在掩模50的中心c1处进行测定。
168.第1端部51a的宽度w01可以与中间部52的宽度w03相同，可以大于宽度w03，也可以小于宽度w03。第2端部51b的宽度w02可以与中间部52的宽度w03相同，可以大于宽度w03，也可以小于宽度w03。
[0169]“俯视”是指沿着掩模50的厚度方向观察对象物。
[0170]
掩模50固定于第2边412。具体而言，第1端部51a固定于一个第2边412，第2端部51b固定于另一个第2边412。第1端部51a和第2端部51b可以通过焊接固定于第2边412。中间部52在俯视时与框架41的开口43重叠。
[0171]
图5是示出掩模50的一例的俯视图。中间部52的贯通孔组53包含俯视时规则排列的多个贯通孔56。贯通孔56也可以在2个方向周期性地排列。例如，贯通孔56可以在第1方向d1和第2方向d2上周期性地排列。
[0172]
1个贯通孔组53与1个有机器件100对应。例如，1个有机器件100所包含的多个第1有机层130a由通过1个贯通孔组53的多个贯通孔56的蒸镀材料构成。掩模50包含至少1个贯通孔组53。掩模50可以包含沿第1方向d1排列的2个以上的贯通孔组53。
[0173]
掩模50在第1方向d1上具有尺寸m11。中间部52在第1方向d1上具有尺寸m12。第1端部51a在第1方向d1上具有尺寸m13。第2端部51b在第1方向d1上具有尺寸m14。
[0174]
为了使图2所示的有机器件组102的基板110大型化，需要增大掩模50的尺寸m11。若掩模50大型化，则用于制造掩模的制造设备也大型化。例如，为了制造与第8代基板对应的掩模，需要与第8代基板对应的曝光掩模。但是，为了使曝光掩模大型化，需要大量的投资。
[0175]
还考虑通过实施2次以上的曝光工序来制造1片掩模50的方法。通过该方法，能够制造具有大于曝光掩模的尺寸的掩模50。因此，能够使用现有的曝光掩模制造大型的掩模50。另一方面，在实施2次以上的曝光工序的情况下，掩模50的贯通孔的位置精度降低。例如，由第1次曝光工序决定的贯通孔的位置与由第2次曝光工序决定的贯通孔的位置之间的相对精度降低。这是因为，相对于第1次曝光工序中的曝光掩模的位置，第2次曝光工序中的曝光掩模的相对位置可能偏离理想位置。
[0176]
在实施2次以上曝光工序的情况下，可以考虑曝光掩模的相对位置偏离理想位置来设定曝光工序。本实施方式中，提出使用1片曝光掩模来形成中间部52，使用其他曝光掩模或其他方法来形成第1端部51a和第2端部51b。由此，与使用1片曝光掩模形成整个掩模50时相比，能够增大中间部52的尺寸m12。另外，能够通过1次曝光工序决定中间部52的贯通孔56的位置。因此，与对中间部52实施2次以上的曝光工序的情况相比，能够提高贯通孔56的位置精度。
[0177]
例如，在使用g6半代曝光掩模形成整个掩模50的情况下，掩模50的尺寸m11为约1200mm，中间部52的尺寸m12为约900mm。通过使用g6半代曝光掩模形成中间部52，能够使中间部52的尺寸m12为约1200mm。
[0178]
第1方向d1上的中间部52的尺寸m12为图2所示的器件区域103的尺寸g12以上。由此，能够通过使用1片掩模50的蒸镀法来形成图2所示的沿第1方向d1排列的2个以上的有机器件100的例如第1有机层130a。换言之，通过增大第1方向d1上的中间部52的尺寸m12，能够增大器件区域103的尺寸g12。由此，能够降低有机器件100的制造成本。
[0179]
中间部52的尺寸m12例如可以为900mm以上、可以为1100mm以上、可以为1200mm以上、也可以为2000mm以上。尺寸m12例如可以为1100mm以下、可以为1200mm以下、可以为1800mm以下、可以为2000mm以下、也可以为2200mm以下。尺寸m12的范围可以通过由900mm、1100mm、1200mm和2000mm构成的第1组和/或由1100mm、1200mm、1800mm、2000mm和2200mm构
成的第2组来限定。尺寸m12的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸m12的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸m12的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸m12可以为900mm以上2200mm以下、可以为900mm以上2000mm以下、可以为900mm以上1800mm以下、可以为900mm以上1200mm以下、可以为900mm以上1100mm以下、可以为1100mm以上2200mm以下、可以为1100mm以上2000mm以下、可以为1100mm以上1800mm以下、可以为1100mm以上1200mm以下、可以为1200mm以上2200mm以下、可以为1200mm以上2000mm以下、可以为1200mm以上1800mm以下、可以为1800mm以上2200mm以下、可以为1800mm以上2000mm以下、也可以为2000mm以上2200mm以下。
[0180]
第1端部51a的尺寸m13小于中间部52的尺寸m12。尺寸m13相对于尺寸m12的比例例如可以为0.01以上、可以为0.02以上、也可以为0.05以上。尺寸m13相对于尺寸m12的比例例如可以为0.10以下、可以为0.20以下、也可以为0.30以下。尺寸m13相对于尺寸m12的比例的范围可以通过由0.01、0.02和0.05构成的第1组和/或由0.10、0.20和0.30构成的第2组来限定。尺寸m13相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸m13相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸m13相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸m13相对于尺寸m12的比例可以为0.01以上0.30以下、可以为0.01以上0.20以下、可以为0.01以上0.10以下、可以为0.01以上0.05以下、可以为0.01以上0.02以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.20以下、可以为0.02以上0.10以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.20以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.30以下、可以为0.10以上0.20以下、也可以为0.20以上0.30以下。
[0181]
表中示出尺寸m12和尺寸m13的组合的例子。
[0182]
【表1】
[0183] m 12m 13m 13/m 12例111001500.14例211002000.18例39001500.17例49002000.22例512001500.13例612002000.17例711001500.14例811002000.18例922001500.07例1022002000.09例1120001500.08例1220002000.10
[0184]
第2端部51b的尺寸m14小于中间部52的尺寸m12。作为尺寸m14相对于尺寸m12的比例的数值的范围，可以采用上述的尺寸m13相对于尺寸m12的比例的数值的范围。
[0185]
中间部52在第2方向d2上具有尺寸m20。尺寸m20小于尺寸m12。尺寸m20相对于尺寸m12的比例例如可以为0.01以上、可以为0.02以上、也可以为0.05以上。尺寸m20相对于尺寸m12的比例例如可以为0.10以下、可以为0.30以下、也可以为0.80以下。尺寸m20相对于尺寸m12的比例的范围可以通过由0.01、0.02和0.05构成的第1组和/或由0.10、0.30和0.80构成的第2组来限定。尺寸m20相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸m20相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸m20相对于尺寸m12的比例的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸m20相对于尺寸m12的比例可以为0.01以上0.80以下、可以为0.01以上0.30以下、可以为0.01以上0.10以下、可以为0.01以上0.05以下、可以为0.01以上0.02以下、可以为0.02以上0.80以下、可以为0.02以上0.30以下、可以为0.02以上0.10以下、可以为0.02以上0.05以下、可以为0.05以上0.80以下、可以为0.05以上0.30以下、可以为0.05以上0.10以下、可以为0.10以上0.80以下、可以为0.10以上0.30以下、也可以为0.30以上0.80以下。
[0186]
参照图5和图6，对通过本实施方式的方法制作的掩模50所表现出的结构特征进行详细说明。图6是将图5的掩模50的第1端部51a放大示出的俯视图。图5和图6中示出了固定于框架41前的状态的掩模50。图5和图6等俯视图示出了从第1面551侧观察时的掩模50。
[0187]
掩模50的外缘包含上述的第1侧缘501、第2侧缘502、第1端503和第2端504。如图5和图6所示，掩模50的第1侧缘501包含位于中间部52与第1端部51a的边界的第1台阶部501a。换言之，第1端部51a和中间部52以第1台阶部501a为边界进行区分。
[0188]
第1台阶部501a在第2方向d2上位移。在图5和图6所示的例子中，第1台阶部501a在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向外侧位移。换言之，第1端部51a的第1侧缘501位于中间部52的第1侧缘501的外侧。“外侧”是指俯视时远离掩模50的中心c1的一侧。“第1方向d1外侧”是指在第1方向d1上远离掩模50的中心c1的一侧。“第2方向d2外侧”是指在第2方向d2上远离掩模50的中心c1的一侧。在以下的说明中，将“在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向外侧位移的台阶部”也称为外侧台阶部。
[0189]
掩模50的中心c1可以确定为沿第1方向d1延伸的第1中心线c10与沿第2方向d2延伸的第2中心线c20的交点。
[0190]
第1中心线c10是位于第1直线l1与第2直线l2的中间的直线。
[0191]
第1直线l1是通过中间部52的后述的第1侧缘区域54a并沿第1侧缘501延伸的直线。第1直线l1定义为通过第1基准点p1和第2基准点p2的直线。第1基准点p1位于中间部52的后述的第1侧缘区域54a并接近第1端部51a。第1基准点p1是位于中间部52的第1侧缘区域54a并最接近第1端部51a的后述的第1中间标记58a。第2基准点p2位于中间部52的第1侧缘区域54a并接近第2端部51b。第2基准点p2是位于中间部52的第1侧缘区域54a并最接近第2端部51b的第1中间标记58a。
[0192]
第2直线l2是通过中间部52的后述的第2侧缘区域54b并沿第2侧缘502延伸的直线。第2直线l2定义为通过第3基准点p3和第4基准点p4的直线。第3基准点p3位于中间部52的后述的第2侧缘区域54b并接近第1端部51a。第3基准点p3是位于中间部52的第2侧缘区域54b并最接近第1端部51a的后述的第2中间标记58b。第4基准点p4位于中间部52的第2侧缘区域54b并接近第2端部51b。第4基准点p4是位于中间部52的第2侧缘区域54b并最接近第2
端部51b的第2中间标记58b。
[0193]
第2中心线c20是位于第3直线l3与第4直线l4的中间的直线。
[0194]
第3直线l3定义为通过第1基准点p1和第3基准点p3的直线。
[0195]
第4直线l4定义为通过第2基准点p2和第4基准点p4的直线。
[0196]
直线l1～l4、中心线c10、c20、中心c1通过拍摄俯视图中的掩模50的图像并基于图像分析中间部52的点的多个坐标来算出。作为测定器，可以使用sinto s-precision公司制造amic-2500。
[0197]
第1台阶部501a因中间部52的形成步骤和第1端部51a的形成步骤不同而产生。例如，第1台阶部501a因用于形成中间部52的曝光掩模与用于形成第1端部51a的曝光掩模不同而产生。也将用于形成中间部52的曝光掩模称为第1曝光掩模。也将用于形成第1端部51a的曝光掩模称为第2曝光掩模。若第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置在第2方向d2上偏离理想位置，则对应于偏移量而产生第1台阶部501a。
[0198]
第1台阶部501a在第2方向d2上具有尺寸s1。尺寸s1例如可以为0.5μm以上、可以为2.5μm以上、可以为5.0μm以上、也可以为10μm以上。尺寸s1例如可以为50μm以下、可以为100μm以下、可以为200μm以下、也可以为1mm以下。尺寸s1的范围可以通过由0.5μm、2.5μm、5.0μm和10μm构成的第1组和/或由50μm、100μm、200μm和1mm构成的第2组来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸s1可以为0.5μm以上1mm以下、可以为0.5μm以上200μm以下、可以为0.5μm以上100μm以下、可以为0.5μm以上50μm以下、可以为0.5μm以上10μm以下、可以为0.5μm以上5.0μm以下、可以为0.5μm以上2.5μm以下、可以为2.5μm以上1mm以下、可以为2.5μm以上200μm以下、可以为2.5μm以上100μm以下、可以为2.5μm以上50μm以下、可以为2.5μm以上10μm以下、可以为2.5μm以上5.0μm以下、可以为5.0μm以上1mm以下、可以为5.0μm以上200μm以下、可以为5.0μm以上100μm以下、可以为5.0μm以上50μm以下、可以为5.0μm以上10μm以下、可以为10μm以上1mm以下、可以为10μm以上200μm以下、可以为10μm以上100μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为50μm以上1mm以下、可以为50μm以上200μm以下、可以为50μm以上100μm以下、可以为100μm以上1mm以下、可以为100μm以上200μm以下、也可以为200μm以上1mm以下。
[0199]
尺寸s1通过拍摄俯视图中的掩模50的图像并基于图像分析第1侧缘501上的点的坐标来算出。作为用于计算尺寸s1的测定器，可以使用sinto s-precision公司制造amic-2500。
[0200]
如图5和图6所示，第1端部51a可以包含第1标记58c。第1标记58c在后述的第1端部形成步骤中与第1端部51a的外缘同时形成。因此，第1标记58c能够作为第1端部形成步骤中的加工精度的指标发挥功能。
[0201]
第1标记58c位于第1面551或第2面552。第1标记58c例如为形成于第1面551的凹部、或形成于第2面552的凹部。凹部的深度例如可以为2μm以上、可以为3μm以上、也可以为5μm以上。凹部的深度例如可以为10μm以下、可以为20μm以下、也可以为30μm以下。凹部的深度的范围可以通过由2μm、3μm和5μm构成的第1组和/或由10μm、20μm和30μm构成的第2组来限定。凹部的深度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所
包含的值中的任意1个值的组合来限定。凹部的深度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。凹部的深度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，凹部的深度可以为2μm以上30μm以下、可以为2μm以上20μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为2μm以上5μm以下、可以为2μm以上3μm以下、可以为3μm以上30μm以下、可以为3μm以上20μm以下、可以为3μm以上10μm以下、可以为3μm以上5μm以下、可以为5μm以上30μm以下、可以为5μm以上20μm以下、可以为5μm以上10μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为10μm以上20μm以下、也可以为20μm以上30μm以下。
[0202]
第1标记58c也可以为从第1面551向第2面552贯通的贯通孔。
[0203]
俯视时的第1标记58c的尺寸可以大于贯通孔56的贯通部564的尺寸r。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例例如可以为1.03以上、可以为2.0以上、也可以为5.0以上。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例例如可以为5.0以下、可以为10以下、也可以为50以下。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例的范围可以通过由1.03、2.0和5.0构成的第1组和/或由5.0、10和50构成的第2组来限定。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，俯视时的第1标记58c的尺寸相对于贯通部564的尺寸r的比例可以为1.03以上50以下、可以为1.03以上10以下、可以为1.03以上5.0以下、可以为1.03以上5.0以下、可以为1.03以上2.0以下、可以为2.0以上50以下、可以为2.0以上10以下、可以为2.0以上5.0以下、可以为2.0以上5.0以下、可以为5.0以上50以下、可以为5.0以上10以下、可以为5.0以上50以下、可以为5.0以上10以下、也可以为10以上50以下。
[0204]
第1标记58c可以位于第1侧缘区域54a。第1侧缘区域54a是在第2方向d2上较贯通孔组53更靠近第1侧缘501侧的区域。第1侧缘区域54a跨越第1端部51a、中间部52和第2端部51b沿第1侧缘501扩展。
[0205]
如图5和图6所示，中间部52可以包含位于第1侧缘区域54a的第1中间标记58a。中间部52可以包含沿第1方向d1排列的2个以上的第1中间标记58a。第1中间标记58a在后述的中间部形成步骤中与中间部52的外缘同时形成。
[0206]
第1中间标记58a与第1标记58c同样地位于第1面551或第2面552。与第1标记58c同样地，第1中间标记58a可以为形成于第1面551的凹部，或者可以为形成于第2面552的凹部，也可以为贯通孔。
[0207]
作为第1中间标记58a的尺寸的数值范围，可以采用上述的第1标记58c的尺寸的数值范围。
[0208]
如图6所示，中间部52可以设计成2个以上的第1中间标记58a位于第1直线l1上。第1直线l1可以被绘制成2个以上的第1中间标记58a的近似直线。这种情况下，第1中间标记58a的位置相对于第1直线l1的偏移量成为中间部形成步骤中的加工精度的指标。例如，中间部形成步骤中的加工精度高时，多个第1中间标记58a与第1直线l1准确地重叠。中间部形成步骤中的加工精度低时，第1中间标记58a的位置相对于第1直线l1的偏离变大。
[0209]
如图6所示，可以计算出第2方向d2上的第1标记58c与第1直线l1之间的距离g1。距离g1能够作为第1端部形成步骤中的加工精度的指标发挥功能。例如，若第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置在第2方向d2上偏离理想位置，则距离g1偏离理想值。第1端部51a被设计成第1标记58c位于第1直线l1上的情况下，距离g1的理想值为零。这种情况下，距离g1能够作为第1端部51a相对于中间部52的相对位置的偏离指标发挥功能。距离g1例如为1mm以下、可以为200μm以下、可以为100μm以下、可以为50μm以下、可以为20μm以下、可以为10μm以下、可以为5.0μm以下、也可以为3.0μm以下。
[0210]
可以基于以中心c1为基准时的第1标记58c的坐标，评价第1端部形成步骤中的加工精度。例如，若第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置在第2方向d2上偏离理想位置，则第1标记58c的坐标在第2方向上偏离理想坐标。
[0211]
图6中，标号s3表示第1方向d1上的第1台阶部501a至贯通孔组53的距离。距离s3例如可以为100μm以上、可以为300μm以上、可以为1mm以上、也可以为3mm以上。距离s3例如可以为10mm以下、可以为30mm以下、可以为100mm以下、也可以为200mm以下。距离s3的范围可以通过由100μm、300μm、1mm和3mm构成的第1组和/或由10mm、30mm、100mm和200mm构成的第2组来限定。距离s3的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。距离s3的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。距离s3的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，距离s3可以为100μm以上200mm以下、可以为100μm以上100mm以下、可以为100μm以上30mm以下、可以为100μm以上10mm以下、可以为100μm以上3mm以下、可以为100μm以上1mm以下、可以为100μm以上300μm以下、可以为300μm以上200mm以下、可以为300μm以上100mm以下、可以为300μm以上30mm以下、可以为300μm以上10mm以下、可以为300μm以上3mm以下、可以为300μm以上1mm以下、可以为1mm以上200mm以下、可以为1mm以上100mm以下、可以为1mm以上30mm以下、可以为1mm以上10mm以下、可以为1mm以上3mm以下、可以为3mm以上200mm以下、可以为3mm以上100mm以下、可以为3mm以上30mm以下、可以为3mm以上10mm以下、可以为10mm以上200mm以下、可以为10mm以上100mm以下、可以为10mm以上30mm以下、可以为30mm以上200mm以下、可以为30mm以上100mm以下、也可以为100mm以上200mm以下。
[0212]
图6中，标号s5表示第1方向d1上的第1台阶部501a至第1中间标记58a的距离的最小值。最小值s5例如可以为100μm以上、可以为300μm以上、也可以为1mm以上。最小值s5例如可以为2mm以下、可以为3mm以下、也可以为5mm以下。最小值s5的范围可以通过由100μm、300μm和1mm构成的第1组和/或由2mm、3mm和5mm构成的第2组来限定。最小值s5的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。最小值s5的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。最小值s5的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，最小值s5可以为100μm以上5mm以下、可以为100μm以上3mm以下、可以为100μm以上2mm以下、可以为100μm以上1mm以下、可以为100μm以上300μm以下、可以为300μm以上5mm以下、可以为300μm以上3mm以下、可以为300μm以上2mm以下、可以为300μm以上1mm以下、可以为1mm以上5mm以下、可以为1mm以上3mm以下、可以为1mm以上2mm以下、可以为2mm以上5mm以下、可以为2mm以上3mm以下、也可以为3mm以上5mm以下。
[0213]
如图5和图6所示，掩模50的第2侧缘502可以包含位于中间部52与第1端部51a的边
界的第2台阶部502a。第2台阶部502a与第1台阶部501a同样地在第2方向d2上位移。在图5和图6所示的例子中，第2台阶部502a在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向内侧位移。换言之，第1端部51a的第2侧缘502位于中间部52的第2侧缘502的内侧。“内侧”是指靠近掩模50的中心的一侧。“第1方向d1内侧”是指在第1方向d1上靠近掩模50的中心的一侧。“第2方向d2内侧”是指在第2方向d2上靠近掩模50的中心的一侧。在以下的说明中，也将“在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向内侧位移的台阶部”称为内侧台阶部。内侧台阶部优选位于第2方向d2上贯通孔组53的外侧。
[0214]
第2台阶部502a也与第1台阶部501a同样地因中间部52的形成步骤与第1端部51a的形成步骤不同而产生。第2台阶部502a在第2方向d2上具有尺寸s2。作为尺寸s2的数值的范围，可以采用上述的尺寸s1的数值的范围。
[0215]
如图5和图6所示，第1端部51a可以包含位于第2侧缘区域54b的第2标记58d。第2侧缘区域54b是在第2方向d2上位于贯通孔组53的第2侧缘502侧的区域。第2侧缘区域54b跨越第1端部51a、中间部52和第2端部51b沿第2侧缘502扩展。
[0216]
第2标记58d与第1标记58c同样地在后述的第1端部形成步骤中与第1端部51a的外缘同时形成。第2标记58d与第1标记58c同样地位于第1面551或第2面552。与第1标记58c同样地，第2标记58d可以为形成于第1面551的凹部，或者形成于第2面552的凹部，也可以为贯通孔。作为第2标记58d的尺寸的数值范围，可以采用上述的第1标记58c的尺寸的数值范围。
[0217]
如图5和图6所示，中间部52可以包含位于第2侧缘区域54b的第2中间标记58b。中间部52可以包含沿第1方向d1排列的2个以上的第2中间标记58b。第2中间标记58b与第1中间标记58a同样地在后述的中间部形成步骤中与中间部52的外缘同时形成。
[0218]
第2中间标记58b与第1标记58c同样地位于第1面551或第2面552。与第1标记58c同样地，第2中间标记58b可以为形成于第1面551的凹部，或者可以为形成于第2面552的凹部，也可以为贯通孔。作为第2中间标记58b的尺寸的数值范围，可以采用上述的第1标记58c的尺寸的数值范围。
[0219]
如图6所示，中间部52可以设计成2个以上的第2中间标记58b位于第2直线l2上。第2直线l2可以被绘制成2个以上的第2中间标记58b的近似直线。
[0220]
如图6所示，可以计算出第2方向d2上的第2标记58d与第2直线l2之间的距离g2。第1端部51a被设计成第2标记58d位于第2直线l2上的情况下，距离g2的理想值为零。距离g2例如为1mm以下、可以为200μm以下、可以为100μm以下、可以为50μm以下、可以为20μm以下、可以为10μm以下、也可以为5μm以下。
[0221]
图6中，标号s4表示第1方向d1上的第2台阶部502a至贯通孔组53的距离。作为距离s4的数值的范围，可以采用上述的距离s3的数值的范围。
[0222]
图6中，标号s6表示第1方向d1上的第2台阶部502a至第2中间标记58b的距离的最小值。作为最小值s6的数值的范围，可以采用上述的最小值s5的数值的范围。
[0223]
如图5所示，第1侧缘501可以包含位于中间部52与第2端部51b的边界的第1台阶部501a。第2侧缘502可以包含位于中间部52与第2端部51b的边界的第2台阶部502a。在图5所示的例子中，位于中间部52与第2端部51b的边界的第1台阶部501a为外侧台阶部，位于中间部52与第2端部51b的边界的第2台阶部502a为内侧台阶部。
[0224]
位于中间部52与第2端部51b的边界的第1台阶部501a和第2台阶部502a的结构与
位于中间部52与第1端部51a的边界的第1台阶部501a和第2台阶部502a的结构相同，因此省略详细的说明。
[0225]
如图5所示，第2端部51b可以包含位于第1侧缘区域54a的第1标记58c。第2端部51b可以包含位于第2侧缘区域54b的第2标记58d。
[0226]
第2端部51b的第1标记58c和第2标记58d的结构与第1端部51a的第1标记58c和第2标记58d的结构相同，因此省略详细的说明。
[0227]
接着，说明掩模50的截面结构。图7是从a-a方向观察图6的掩模50的截面图。
[0228]
掩模50具备基材55和贯通基材55的贯通孔56。基材55包含第1面551和第2面552。贯通孔56从第1面551向第2面552贯通基材55。
[0229]
贯通孔56可以包含第1凹部561、第2凹部562、和连接第1凹部561与第2凹部562的连接部563。第1凹部561是位于第1面551并向第2面552凹陷的凹部。第2凹部562是位于第2面552并向第1面551凹陷的凹部。通过连接第1凹部561和第2凹部562，构成贯通基材55的贯通孔56。第1凹部561通过利用蚀刻或激光等从第1面551侧加工基材55而形成。第2凹部562通过利用蚀刻或激光等从第2面552侧加工基材55而形成。
[0230]
第1凹部561在俯视时具有尺寸r1。第2凹部562在俯视时具有尺寸r2。尺寸r2可以比尺寸r1大。例如，俯视时第2凹部562的轮廓可以包围第1凹部561的轮廓。
[0231]
连接部563可以具有在一周连续的轮廓。连接部563可以位于第1面551与第2面552之间。连接部563可以画出在俯视掩模50时贯通孔56的开口面积最小的贯通部564。
[0232]
贯通部564的尺寸r例如可以为10μm以上、可以为15μm以上、可以为20μm以上、也可以为25μm以上。另外，贯通部564的尺寸r例如可以为40μm以下、可以为45μm以下、可以为50μm以下、也可以为55μm以下。贯通部564的尺寸r的范围可以通过由10μm、15μm、20μm和25μm构成的第1组和/或由40μm、45μm、50μm和55μm构成的第2组来限定。贯通部564的尺寸r的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。贯通部564的尺寸r的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。贯通部564的尺寸r的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，贯通部564的尺寸r可以为10μm以上55μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上45μm以下、可以为10μm以上40μm以下、可以为10μm以上25μm以下、可以为10μm以上20μm以下、可以为10μm以上15μm以下、可以为15μm以上55μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上45μm以下、可以为15μm以上40μm以下、可以为15μm以上25μm以下、可以为15μm以上20μm以下、可以为20μm以上55μm以下、可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上45μm以下、可以为20μm以上40μm以下、可以为20μm以上25μm以下、可以为25μm以上55μm以下、可以为25μm以上50μm以下、可以为25μm以上45μm以下、可以为25μm以上40μm以下、可以为40μm以上55μm以下、可以为40μm以上50μm以下、可以为40μm以上45μm以下、可以为45μm以上55μm以下、可以为45μm以上50μm以下、也可以为50μm以上55μm以下。
[0233]
贯通部564的尺寸r能够由透过贯通孔56的光划定。具体而言，沿着掩模50的法线方向使平行光入射到掩模50的第1面551或第2面552的一方，透过贯通孔56从第1面551或第2面552的另一方射出。可以采用射出的光在掩模50的面方向所占的区域的尺寸作为贯通部564的尺寸r。
[0234]
图7中示出了在相邻的两个第2凹部562之间残存有基材55的第2面552的例子，但
不限定于此。虽未图示，但也可以按照相邻的2个第2凹部562连接的方式实施蚀刻。即，在相邻的2个第2凹部562之间，可以存在基材55的第2面552未残存的部位。
[0235]
如图7所示，与贯通孔56同样地，第1端503可以包含形成于基材55的面的凹部。在图7所示的例子中，第1端503包含位于第1面551的第3凹部571和位于第2面552的第4凹部572。第3凹部571和第4凹部572与第1凹部561和第2凹部562同样地通过利用蚀刻或激光等加工基材55而形成。
[0236]
虽未图示，但第1端503可以包含位于第2面552的第4凹部572，但不包含位于第1面551的第3凹部571。这种情况下，第1端503通过利用蚀刻等从第2面552侧加工基材55以使第4凹部572到达第1面551而形成。
[0237]
虽未图示，但第1侧缘501、第2侧缘502、第2端504等外缘也可以与第1端503同样地包含形成于基材55的面的凹部。
[0238]
对掩模50和框架41的材料进行说明。作为掩模50和框架41的主要材料，能够使用包含镍的铁合金。铁合金除了镍外还可以含有钴。例如，作为掩模50的基材55的材料，可以使用镍和钴的含量合计为28质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。由此，能够减小掩模50和框架41的热膨胀系数与包含玻璃的基板110的热膨胀系数之差。因此，能够抑制形成于基板110上的蒸镀层的尺寸精度或位置精度因掩模50、框架41、基板110等的热膨胀而降低。
[0239]
基材55中的镍和钴的含量也可以合计为28质量％以上且38质量％以下。这种情况下，作为包含镍或镍和钴的铁合金的具体例，可以举出因瓦合金材、超因瓦合金(super-invar)材、超级因瓦合金(ultra-invar)材等。因瓦合金材是包含34质量％以上且38质量％以下的镍、剩余部分的铁和不可避免的杂质的铁合金。超因瓦合金材是包含30质量％以上且34质量％以下的镍、钴、剩余部分的铁和不可避免的杂质的铁合金。超级因瓦合金材是包含28质量％以上且34质量％以下的镍、2质量％以上且7质量％以下的钴、0.1质量％以上且1.0质量％以下的锰、0.10质量％以下的硅、0.01质量％以下的碳、以及剩余部分的铁和不可避免的杂质的铁合金。
[0240]
掩模50中的镍和钴的含量也可以合计为38质量％以上且54质量％以下。例如，掩模50可以由包含38质量％以上且54质量％以下的镍、剩余部分的铁和不可避免的杂质的铁合金构成。这样的掩模50可以通过镀覆法制造。
[0241]
需要说明的是，在蒸镀处理时，掩模50、框架41和基板110的温度未达到高温的情况下，无需特别使掩模50和框架41的热膨胀系数为与基板110的热膨胀系数同等的值。这种情况下，作为构成掩模50的材料，可以使用上述的铁合金以外的材料。例如，可以使用包含铬的铁合金等上述包含镍的铁合金以外的铁合金。作为包含铬的铁合金，例如，能够使用被称为所谓不锈钢的铁合金。另外，可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
[0242]
掩模50的厚度t例如可以为8μm以上、可以为10μm以上、可以为13μm以上、也可以为15μm以上。另外，厚度t例如可以为20μm以下、可以为30μm以下、可以为40μm以下、也可以为50μm以下。厚度t的范围可以通过由8μm、10μm、13μm和15μm构成的第1组和/或由20μm、30μm、40μm和50μm构成的第2组来限定。厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。厚度t的范围可以由上述的第2组所包含的值
中的任意2个值的组合来限定。例如，厚度t可以为8μm以上50μm以下、可以为8μm以上40μm以下、可以为8μm以上30μm以下、可以为8μm以上20μm以下、可以为8μm以上15μm以下、可以为8μm以上13μm以下、可以为8μm以上10μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上40μm以下、可以为10μm以上30μm以下、可以为10μm以上20μm以下、可以为10μm以上15μm以下、可以为10μm以上13μm以下、可以为13μm以上50μm以下、可以为13μm以上40μm以下、可以为13μm以上30μm以下、可以为13μm以上20μm以下、可以为13μm以上15μm以下、可以为15μm以上50μm以下、可以为15μm以上40μm以下、可以为15μm以上30μm以下、可以为15μm以上20μm以下、可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上40μm以下、可以为20μm以上30μm以下、可以为30μm以上50μm以下、可以为30μm以上40μm以下、也可以为40μm以上50μm以下。
[0243]
通过使厚度t为50μm以下，能够减小蒸镀材料7中在通过贯通孔56前挂在贯通孔56的壁面的蒸镀材料7的比例。由此，能够提高蒸镀材料7的利用效率。另外，通过使厚度t为8μm以上，能够确保掩模50的强度，抑制掩模50产生损伤或变形。
[0244]
作为测定厚度t的方法，可以采用接触式的测定方法。作为接触式的测定方法，使用具备球形衬套引导式的柱塞的、海德汉公司制的长度计heidenhaim-metro的“mt1271”。
[0245]
接着，对制造掩模50的方法进行说明。首先，准备基材。基材可以以将沿第1方向d1延伸的基材卷取到辊上的形态来准备。这种情况下，从辊放卷的基材向曝光装置、显影装置、蚀刻装置等传送。每当完成曝光装置、显影装置、蚀刻装置等中的处理，则间歇地传送基材。
[0246]
接着，通过加工基材来制造掩模50。由1个基材制造多个掩模50。例如，由基材的卷制造多个掩模50。在以下的说明中，将用于制造掩模50的基材称为原始基材，用标号55a表示。
[0247]
掩模50的制造方法具备中间部形成步骤、第1端部形成步骤和第2端部形成步骤。中间部形成步骤在原始基材55a形成贯通孔56和中间部52的外缘。中间部形成步骤也可以在原始基材55a形成中间标记58a、58b。第1端部形成步骤在原始基材55a形成标记58c、58d和第1端部51a的外缘。第2端部形成步骤在原始基材55a形成标记58c、58d和第2端部51b的外缘。
[0248]
中间部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第1曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0249]
第1端部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第2曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0250]
第2端部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第3曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0251]
抗蚀剂层形成工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺也可以为在中间部形成步骤、第1端部形成步骤和第2端部形成步骤中共用的工艺。例如，抗蚀剂层形成工艺可以在与中间部52、第1端部51a和第2端部51b对应的原始基材55a的区域同时设置抗蚀剂层。显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺分别可以对位于与中间部52、第1端部51a和第2端部51b对应的原始基材55a的区域的抗蚀剂层同时进行处理。
[0252]
第2曝光工艺和第3曝光工艺在与第1曝光工艺不同的时刻实施。第2曝光工艺和第3曝光工艺可以在同一时刻实施，也可以在不同的时刻实施。
[0253]
准备原始基材55a后，实施抗蚀剂层形成工艺。如图8所示，抗蚀剂层形成工艺在原始基材55的表面设置抗蚀剂层。抗蚀剂层可以包含位于第1面551的第1抗蚀剂层61和位于第2面552的第2抗蚀剂层62。
[0254]
需要说明的是，在图8的用于说明掩模50的制造工序的截面图中，在形成第1端部51a的原始基材55的区域与形成中间部52的原始基材55a的区域之间的边界描绘点划线。
[0255]
抗蚀剂层可以是通过将包含抗蚀剂的材料的溶液涂布到原始基材55a的表面并使其固化而形成的层。或者，抗蚀剂层也可以是通过将干膜等膜粘贴到原始基材55a的表面而形成的层。
[0256]
涂布型的抗蚀剂层通过将包含感光材料的溶液涂布到原始基材55a的表面并使其固化而形成。此时，可以实施烧制抗蚀剂层的抗蚀剂层烧制工艺。感光材料可以为光溶解型、即所谓正型，或者也可以为光固化型、即所谓负型。
[0257]
作为正性感光材料的例子，可以举出sc500等酚醛清漆系正型抗蚀剂等。作为负型感光材料的例子，可以举出酪蛋白抗蚀剂等。
[0258]
抗蚀剂层的厚度例如可以为1μm以上、可以为2μm以上、也可以为3μm以上。抗蚀剂层的厚度例如可以为5μm以下、可以为7μm以下、也可以为10μm以下。抗蚀剂层的厚度的范围可以通过由1μm、2μm和3μm构成的第1组和/或由5μm、7μm和10μm构成的第2组来限定。抗蚀剂层的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。抗蚀剂层的厚度的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。抗蚀剂层的厚度的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，抗蚀剂层的厚度可以为1μm以上10μm以下、可以为1μm以上7μm以下、可以为1μm以上5μm以下、可以为1μm以上3μm以下、可以为1μm以上2μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为2μm以上7μm以下、可以为2μm以上5μm以下、可以为2μm以上3μm以下、可以为3μm以上10μm以下、可以为3μm以上7μm以下、可以为3μm以上5μm以下、可以为5μm以上10μm以下、可以为5μm以上7μm以下、也可以为7μm以上10μm以下。
[0259]
接着，实施第1曝光工艺。如图9a和图9b所示，第1曝光工艺使用第1曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。第1曝光掩模将位于与中间部52对应的区域的抗蚀剂层曝光。第1曝光掩模可以包含将第1抗蚀剂层61曝光的第1面第1曝光掩模711、和将第2抗蚀剂层62曝光的第2面第1曝光掩模712。
[0260]
如图9a所示，第1曝光掩模可以具有包含第1边和第2边的矩形。第1边可以在原始基材55a传送的方向上延伸。第2边可以在与原始基材55a传送的方向正交的方向上延伸。将第1边的尺寸也称为长度，用标号y1表示。将第2边的尺寸也称为宽度，用标号w1表示。原始基材55a的传送方向可以与掩模50的第1方向d1平行。
[0261]
第1曝光掩模的宽度w1可以大于原始基材55a的宽度w0。宽度w0是原始基材55a在与原始基材55a传送的方向正交的方向上的尺寸。
[0262]
原始基材55a的宽度w0例如可考虑第1曝光掩模的获得性来决定。宽度w0例如可以为100mm以上、可以为200mm以上、也可以为400mm以上。宽度w0例如可以为600mm以下、可以为800mm以下、也可以为1000mm以下。宽度w0的范围可以通过由100mm、200mm和400mm构成的第1组和/或由600mm、800mm和1000mm构成的第2组来限定。宽度w0的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽
度w0的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度w0的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度w0可以为100mm以上1000mm以下、可以为100mm以上800mm以下、可以为100mm以上600mm以下、可以为100mm以上400mm以下、可以为100mm以上200mm以下、可以为200mm以上1000mm以下、可以为200mm以上800mm以下、可以为200mm以上600mm以下、可以为200mm以上400mm以下、可以为400mm以上1000mm以下、可以为400mm以上800mm以下、可以为400mm以上600mm以下、可以为600mm以上1000mm以下、可以为600mm以上800mm以下、也可以为800mm以上1000mm以下。
[0263]
第1曝光掩模的宽度w1例如可以为400mm以上、可以为600mm以上、可以为800mm以上、也可以为1100mm以上。宽度w1例如可以为600mm以下、可以为1000mm以下、可以为1100mm以下、也可以为1400mm以下。宽度w1的范围可以通过由400mm、600mm、800mm和1100mm构成的第1组和/或由600mm、1000mm、1100mm和1400mm构成的第2组来限定。宽度w1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。宽度w1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。宽度w1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，宽度w1可以为400mm以上1400mm以下、可以为400mm以上1100mm以下、可以为400mm以上1000mm以下、可以为400mm以上800mm以下、可以为400mm以上600mm以下、可以为600mm以上1400mm以下、可以为600mm以上1100mm以下、可以为600mm以上1000mm以下、可以为600mm以上800mm以下、可以为800mm以上1400mm以下、可以为800mm以上1100mm以下、可以为800mm以上1000mm以下、可以为1000mm以上1400mm以下、可以为1000mm以上1100mm以下、也可以为1100mm以上1400mm以下。
[0264]
第1曝光掩模具有长度y1。长度y1是第1曝光掩模在原始基材55a传送的方向上的尺寸。长度y1可以比宽度w1大，也可以比宽度w1小。长度y1对应于掩模50的中间部52的尺寸m12。作为长度y1的数值的范围，可以采用上述的尺寸m12的数值的范围。
[0265]
图10a和图10b是示出通过第1曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图和截面图。被曝光的第1抗蚀剂层61包含第1显影层61a。第1显影层61a是通过显影而被除去的第1抗蚀剂层61的部分。第1抗蚀剂层61包含正型感光材料的情况下，照射到曝光光的部分成为第1显影层61a。第1抗蚀剂层61包含负型感光材料的情况下，未照射到曝光光的部分成为第1显影层61a，在显影工艺中被除去。
[0266]
与第1抗蚀剂层61同样地，第2抗蚀剂层62包含第2显影层62a。第2显影层62a是通过显影而被除去的第2抗蚀剂层62的部分。第2抗蚀剂层62包含正型感光材料的情况下，照射到曝光光的部分成为第2显影层62a。第2抗蚀剂层62包含负型感光材料的情况下，未照射到曝光光的部分成为第2显影层62a，在显影工艺中被除去。
[0267]
如图10a所示，由第1曝光工艺产生的第2显影层62a位于与中间部52的外缘、贯通孔56和中间标记58a、58b对应的第2抗蚀剂层62的区域。虽未图示，但由第1曝光工艺产生的第1显影层61a也位于与中间部52的外缘、贯通孔56和中间标记58a、58b对应的第1抗蚀剂层61的区域。
[0268]
接着，实施第2曝光工艺。如图11a和图11b所示，第2曝光工艺使用第2曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。第2曝光掩模将位于与第1端部51a对应的区域的抗蚀剂层曝光。第2曝光掩模可以包含将第1抗蚀剂层61曝光的第1面第2曝光掩模721、和将第2抗蚀
剂层62曝光的第2面第2曝光掩模722。
[0269]
在第2曝光工艺中，通过使用驱动装置使第2曝光掩模移动，可以进行第2曝光掩模相对于原始基材55a的对位。驱动装置被构成为能够精密地调整曝光掩模的位置。例如，驱动装置可以包含微致动器。微致动器可以包含静电致动器、电磁致动器、压电致动器、热膨胀致动器等。
[0270]
在第2曝光工艺中，可以将由第1曝光工艺产生的与对准标记对应的第1显影层61a作为基准，调整第2曝光掩模的位置。例如，可以按照与对准标记对应的第1显影层61a和第2曝光掩模的对准标记一致的方式来进行第2曝光掩模的对位。与对准标记对应的第1显影层61a的位置和第2曝光掩模的对准标记的位置可以通过对由照相机拍摄的图像进行处理而算出。图像处理的分辨率例如为0.5μm以下、可以为0.3μm以下、也可以为0.1μm以下。
[0271]
在第2曝光工艺中，可以将由第1曝光工艺产生的与对准标记对应的第2显影层62a作为基准，调整第2曝光掩模的位置。例如，可以按照与对准标记对应的第2显影层62a和第2曝光掩模的对准标记一致的方式来进行第2曝光掩模的对位。与对准标记对应的第2显影层62a的位置和第2曝光掩模的对准标记的位置可以通过对由照相机拍摄的图像进行处理而算出。图像处理的分辨率例如为0.5μm以下、可以为0.3μm以下、也可以为0.1μm以下。
[0272]
1个或2个以上的第1中间标记58a可以作为对准标记发挥功能。1个或2个以上的第2中间标记58b可以作为对准标记发挥功能。1个或2个以上的第1标记58c可以作为对准标记发挥功能。1个或2个以上的第2标记58d可以作为对准标记发挥功能。这4种标记中的2种以上的组合可以作为对准标记发挥功能。
[0273]
第1抗蚀剂层61包含正型感光材料的情况下，未照射到曝光光的部分成为第1残留层。第1抗蚀剂层61包含负型感光材料的情况下，照射到曝光光的部分成为第1残留层。在第2曝光工艺中，可以将第1残留层的轮廓等作为基准，调整第2曝光掩模的位置。
[0274]
与第1显影层61a同样地，第2显影层62a的形状可以基于第2显影层62a与第2残留层之差来识别。第2残留层是在显影工艺后残留的第2抗蚀剂层62的部分。在第2曝光工艺中，可以将第2残留层的轮廓等作为基准，调整第2曝光掩模的位置。
[0275]
另外，实施第3曝光工艺。第3曝光工艺使用第3曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。第3曝光掩模将位于与第2端部51b对应的区域的抗蚀剂层曝光。第3曝光掩模可以包含将第1抗蚀剂层61曝光的第1面第3曝光掩模(未图示)、和将第2抗蚀剂层62曝光的第2面第3曝光掩模732。
[0276]
在第3曝光工艺中，也可以利用上述的驱动装置使第3曝光掩模移动，从而进行第3曝光掩模相对于原始基材55a的对位。
[0277]
图12a和图12b是示出通过第2曝光掩模和第3曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图和截面图。
[0278]
如图12a所示，由第2曝光工艺产生的第2显影层62a位于与第1端部51a的外缘和标记58c、58d对应的第2抗蚀剂层62的区域。虽未图示，但由第2曝光工艺产生的第1显影层61a位于与第1端部51a的外缘和标记58c、58d对应的第1抗蚀剂层61的区域。
[0279]
如图12a所示，由第3曝光工艺产生的第2显影层62a位于与第2端部51b的外缘和标记58c、58d对应的第2抗蚀剂层62的区域。虽未图示，但由第3曝光工艺产生的第1显影层61a位于与第2端部51b的外缘和标记58c、58d对应的第1抗蚀剂层61的区域。
[0280]
接着，实施显影工艺。由此，除去第1显影层61a和第2显影层62a。
[0281]
接着，实施蚀刻工艺。蚀刻工艺使用被曝光和显影的第1抗蚀剂层61和第2抗蚀剂层62对原始基材55进行蚀刻。蚀刻工艺可以包含对第1面551进行蚀刻的第1面蚀刻工艺、和对第2面552进行蚀刻的第2面蚀刻工艺。作为蚀刻液，能够使用例如包含氯化铁溶液和盐酸的溶液。
[0282]
图13是示出蚀刻后的原始基材55的一例的截面图。通过第1面蚀刻工艺，在第1面551形成第1凹部561和第3凹部571。通过第2面蚀刻工艺，在第2面552形成第2凹部562和第4凹部572。通过第1凹部561和第2凹部562连接，构成贯通孔56。通过第3凹部571和第4凹部572连接，构成贯通孔。将由第3凹部571和第4凹部572构成的画出掩模50的外缘的贯通孔也称为外缘孔。将画出第1端部51a的外缘的外缘孔也称为第2外缘孔，用标号592表示。将画出中间部52的外缘的外缘孔也称为第1外缘孔。将画出第2端部51b的外缘的外缘孔也称为第3外缘孔。虽未图示，但第1中间标记58a、第2中间标记58b、第1标记58c和第2标记58d也通过蚀刻工艺形成。
[0283]
如图13所示，可以在第1面蚀刻工艺后、第2面蚀刻工艺前，在第1凹部561和第3凹部571中填充树脂65。
[0284]
接着，实施抗蚀剂层除去工艺。由此，除去第1抗蚀剂层61和第2抗蚀剂层62。另外，实施除去树脂65的工艺。树脂65可以与第1抗蚀剂层61和第2抗蚀剂层62同时被除去。
[0285]
图14a和图14b是示出除去第1抗蚀剂层61和第2抗蚀剂层62后的原始基材55a的俯视图和截面图。原始基材55a含有：包含贯通孔56的贯通孔组53；画出掩模50的外缘的外缘孔；和标记58a、58b、58c、58d。如图14a所示，外缘孔包含：画出中间部52的外缘的第1外缘孔591；画出第1端部51a的外缘的第2外缘孔592；和画出第2端部51b的外缘的第3外缘孔593。
[0286]
如图14a所示，在掩模50的外缘连接有桥部595。在图14a所示的例子中，桥部595连接到第1端503和第2端504。
[0287]
桥部595是横切外缘孔的原始基材55a的部分。桥部595将掩模50的外缘连接到周围的原始基材55a。通过设置桥部595，能够抑制掩模50从原始基材55a脱落。通过使桥部595断裂，能够将掩模50从原始基材55a取出。
[0288]
本实施方式中，如上所述，使用第1曝光掩模将中间部52的抗蚀剂层曝光。另外，使用不同于第1曝光掩模的第2曝光掩模将第1端部51a的抗蚀剂层曝光。因此，与使用1片曝光掩模形成整个掩模50的情况相比，能够增大中间部52的尺寸m12。因此，能够在使用易于获得的曝光掩模的同时，增大掩模50的尺寸m11。即，能够在抑制对掩模50的制造设备的投资的同时，增大掩模50的尺寸m11。
[0289]
但是，由于使用不同于第1曝光掩模的第2曝光掩模将第1端部51a的抗蚀剂层曝光，第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置有时会偏离理想位置。由此，画出第1端部51a的第1侧缘501的第2外缘孔592的位置有时会相对于画出中间部52的第1侧缘501的第1外缘孔591的位置在第2方向d2上偏离。其结果，在第1侧缘501产生上述的第1台阶部501a。
[0290]
本实施方式中，第1端部51a具有第1标记58c。通过检测第1标记58c的位置，能够验证第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置的偏离程度。例如，能够基于第1标记58c与上述的第1直线l1之间的距离g1来验证偏离程度。
[0291]
掩模50的制造方法可以具备基于距离g1来筛选掩模50的筛选步骤。筛选步骤中，
例如，筛选具有阈值以下的距离g1的掩模50作为合格品。阈值例如为4mm、可以为2mm、可以为1mm、可以为200μm、可以为100μm、可以为50μm、可以为20μm、可以为10μm、也可以为5μm。
[0292]
接着，对制造掩模装置15的方法进行说明。首先，准备框架41。接着，通过焊接等将掩模50固定于框架41。例如，首先，在将掩模50与框架41重叠的状态下，利用照相机等拍摄掩模50。此时，可以对掩模50赋予张力。接着，基于由拍摄得到的图像，检测掩模50相对于框架41的位置。接着，调整掩模50的位置，以使掩模50相对于框架41的位置在规定范围内。
[0293]
如图15所示，可以使用夹具对掩模50施加张力。夹具例如包括：安装在第1端部51a的第1夹具81和第2夹具82；以及安装在第2端部51b的第3夹具83和第4夹具84。
[0294]
如上所述，掩模50的第1侧缘501的第1台阶部501a在第2方向d2上的尺寸s1为1mm以下。因此，施加到第1端部51a的张力能够适当地传递到中间部52。因此，通过调整夹具81、82、83、84的位置，能够适当地调整中间部52的位置。
[0295]
尺寸s1可以在对掩模50施加了张力的状态下测定。例如，可以按照第1台阶部501a和第2台阶部502a在第2方向d2上排列的方式调整夹具81、82、83、84的位置，在该状态下测定尺寸s1。尺寸s2、距离g1、距离g2等也同样地可以在对掩模50施加了张力的状态下进行测定。
[0296]
能够对上述的一个实施方式进行各种变更。以下，根据需要参照附图对其他实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的一个实施方式同样地构成的部分，使用与对上述的一个实施方式中的对应部分使用的标号相同的标号。省略重复的说明。另外，在上述的一个实施方式中得到的作用效果在其他实施方式中也能够得到是明确的情况下，有时也省略其说明。
[0297]
对第2实施方式进行说明。在上述的实施方式中，以第1端部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第2曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺为例进行了说明。在第2实施方式中，以第1端部形成步骤具备激光工艺为例进行说明。
[0298]
与第1实施方式同样地，掩模50的制造方法具备中间部形成步骤、第1端部形成步骤和第2端部形成步骤。与第1实施方式同样地，中间部形成步骤实施抗蚀剂层形成工艺、第1曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。由此，如图16a和图16b所示，在原始基材55a形成贯通孔56、画出中间部52的外缘的第1外缘孔591和中间标记58a。
[0299]
接着，实施第1端部形成步骤。如图17a和图17b所示，第1端部形成步骤包含使用激光66加工原始基材55a的激光工艺。由此，形成画出第1端部51a的外缘的第2外缘孔592和标记58c。
[0300]
另外，实施第2端部形成步骤。如图17a和图17b所示，第2端部形成步骤包含使用激光66对原始基材55a进行加工的激光工艺。由此，形成画出第2端部51b的外缘的第3外缘孔593和标记58c。
[0301]
本实施方式中，与使用1片曝光掩模形成整个掩模50的情况相比，也能够增大中间部52的尺寸m12。因此，能够在使用易于获得的曝光掩模的同时，增大掩模50的尺寸m11。即，能够在抑制对掩模50的制造设备的投资的同时，增大掩模50的尺寸m11。
[0302]
激光工艺可以使用激光掩模对原始基材55a照射激光。这种情况下，激光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置有时会偏离理想位置。由此，画出第1端部51a的第1侧缘501的第2外缘孔592的位置相对于画出中间部52的第1侧缘501的第1外缘孔591的位置有时会在第2
方向d2上偏离。其结果，在第1侧缘501产生上述的第1台阶部501a。
[0303]
本实施方式中，第1端部51a也具有第1标记58c。通过检测第1标记58c的位置，能够验证激光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置的偏离程度。例如，能够基于第1标记58c与上述的第1直线l1之间的距离g1来验证偏离程度。
[0304]
激光工艺可以使用气体激光，可以使用固体激光，也可以使用半导体激光。固体激光的优点在于，能够以飞秒级等短周期振荡，并且能够增大峰值输出。固体激光使用晶体作为激光介质。晶体的例子为yb：yag、yb：kgw、yb：kyw等。激光工艺可以通过激光掩模以外的手段来调整激光的照射位置。
[0305]
对第3实施方式进行说明。本实施方式中，以在中间部52与第1端部51a的边界有意地在第1侧缘501形成外侧台阶部为例进行说明。
[0306]
图18是示出掩模50的一例的俯视图。图19是将图18的掩模50的第1端部51a放大示出的俯视图。
[0307]
第1台阶部501a在第2方向d2上具有尺寸s1。尺寸s1为10μm以上。尺寸s1例如可以为10μm以上、可以为20μm以上、可以为50μm以上、可以为100μm以上、可以为500μm以上、也可以为1mm以上。尺寸s1例如可以为20μm以下、可以为100μm以下、可以为200μm以下、可以为500μm以下、可以为1mm以下、也可以为2mm以下。尺寸s1的范围可以通过由10μm、20μm、50μm、100μm、500μm和1mm构成的第1组和/或由20μm、100μm、200μm、500μm、1mm和2mm构成的第2组来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸s1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸s1可以为10μm以上2mm以下、可以为10μm以上1mm以下、可以为10μm以上500μm以下、可以为10μm以上200μm以下、可以为10μm以上100μm以下、可以为10μm以上50μm以下、可以为10μm以上20μm以下、可以为20μm以上2mm以下、可以为20μm以上1mm以下、可以为20μm以上500μm以下、可以为20μm以上200μm以下、可以为20μm以上100μm以下、可以为20μm以上50μm以下、可以为50μm以上2mm以下、可以为50μm以上1mm以下、可以为50μm以上500μm以下、可以为50μm以上200μm以下、可以为50μm以上100μm以下、可以为100μm以上2mm以下、可以为100μm以上1mm以下、可以为100μm以上500μm以下、可以为100μm以上200μm以下、可以为200μm以上2mm以下、可以为200μm以上1mm以下、可以为200μm以上500μm以下、可以为500μm以上2mm以下、可以为500μm以上1mm以下、也可以为1mm以上2mm以下。
[0308]
本实施方式中，按照第1端部51a的第1侧缘501在第2方向d2上位于中间部52的第1侧缘501的10μm以上外侧的方式来设计第1端部51a。例如，这样来设计与第2外缘孔对应的第2曝光掩模的区域。因此，即便第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置在第2方向d2上偏离理想位置，也能将第1端部51a的第1侧缘501配置在第2方向d2上中间部52的第1侧缘501的外侧。因此，位于中间部52与第1端部51a的边界的第1台阶部501a成为外侧台阶部。因此，与第1台阶部501a为内侧台阶部的情况相比，由夹具81、82施加到第1端部51a的张力能够适当地传递到中间部52。例如，能够抑制传递到中间部52的张力的方向偏离第1方向d1。由此，能够提高固定于框架41的状态的掩模50的贯通孔56的位置精度。
[0309]
如图18和图19所示，在中间部52与第1端部51a的边界可以有意地在第2侧缘502形成外侧台阶部。由此，与尺寸s1同样地，能够使尺寸s2为10μm以上。作为尺寸s2的数值的范
围，可以采用上述的尺寸s1的数值的范围。
[0310]
如图18和图19所示，在中间部52与第2端部51b的边界可以有意地在第1侧缘501形成作为外侧台阶部的第1台阶部501a。在中间部52与第2端部51b的边界也可以有意地在第2侧缘502形成作为外侧台阶部的第2台阶部502a。
[0311]
对第4实施方式进行说明。本实施方式中，以第1端部51a的第1侧缘501延伸的方向相对于中间部52的第1侧缘501延伸的方向偏离为例进行说明。
[0312]
图20是示出掩模50的一例的俯视图。图21a是将图20的掩模50的第1端部51a放大示出的俯视图。
[0313]
如图21a所示，第1端部51a的第1侧缘501延伸的方向相对于中间部52的第1侧缘501延伸的方向形成第1角度θ1。换言之，第1端部51a和中间部52以第1侧缘501延伸的方向变化的位置为边界进行区分。在以下的说明中，将相对于中间部52的第1侧缘501延伸的方向形成第1角度θ1的第1端部51a的第1侧缘501也称为第1倾斜侧缘，用标号501b表示。
[0314]
在图20和图21a所示的例子中，第1倾斜侧缘501b在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向外侧位移。在以下的说明中，将“在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向外侧位移的倾斜侧缘”也称为外侧倾斜侧缘。
[0315]
第1倾斜侧缘501b与第1台阶部501a同样地因中间部52的形成步骤与第1端部51a的形成步骤不同而产生。例如，若第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对方向偏离理想方向，则根据偏移量产生第1倾斜侧缘501b。虽未图示，但第1端部51a可以包含第1台阶部501a和第1倾斜侧缘501b两者。
[0316]
第1角度θ1例如可以为0.0007
°
以上、可以为0.002
°
以上、可以为0.05
°
以上、也可以为0.1
°
以上。第1角度θ1例如可以为0.2
°
以下、可以为0.5
°
以下、可以为1.0
°
以下、也可以为1.6
°
以下。第1角度θ1的范围可以通过由0.0007
°
、0.002
°
、0.05
°
和0.1
°
构成的第1组和/或由0.2
°
、0.5
°
、1.0
°
和1.6
°
构成的第2组来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第1角度θ1可以为0.0007
°
以上1.6
°
以下、可以为0.0007
°
以上1.0
°
以下、可以为0.0007
°
以上0.5
°
以下、可以为0.0007
°
以上0.2
°
以下、可以为0.0007
°
以上0.1
°
以下、可以为0.0007
°
以上0.05
°
以下、可以为0.0007
°
以上0.002
°
以下、可以为0.002
°
以上1.6
°
以下、可以为0.002
°
以上1.0
°
以下、可以为0.002
°
以上0.5
°
以下、可以为0.002
°
以上0.2
°
以下、可以为0.002
°
以上0.1
°
以下、可以为0.002
°
以上0.05
°
以下、可以为0.05
°
以上1.6
°
以下、可以为0.05
°
以上1.0
°
以下、可以为0.05
°
以上0.5
°
以下、可以为0.05
°
以上0.2
°
以下、可以为0.05
°
以上0.1
°
以下、可以为0.1
°
以上1.6
°
以下、可以为0.1
°
以上1.0
°
以下、可以为0.1
°
以上0.5
°
以下、可以为0.1
°
以上0.2
°
以下、可以为0.2
°
以上1.6
°
以下、可以为0.2
°
以上1.0
°
以下、可以为0.2
°
以上0.5
°
以下、可以为0.5
°
以上1.6
°
以下、可以为0.5
°
以上1.0
°
以下、也可以为1.0
°
以上1.6
°
以下。
[0317]
第1侧缘501延伸的方向通过拍摄俯视时的掩模50的图像并基于图像分析第1侧缘501上的点的多个坐标来算出。作为用于算出第1侧缘501延伸的方向的测定器，可以使用sinto s-precision公司制造amic-2500。
[0318]
如图21a所示，第1端部51a的第2侧缘502延伸的方向可以相对于中间部52的第2侧
缘502延伸的方向形成第2角度θ2。在以下的说明中，将相对于中间部52的第2侧缘502延伸的方向形成第2角度θ2的第1端部51a的第2侧缘502也称为第2倾斜侧缘，用标号502b表示。
[0319]
在图20和图21a所示的例子中，第2倾斜侧缘502b在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向内侧位移。在以下的说明中，将“在朝向第1方向d1外侧时在第2方向d2上向内侧位移的倾斜侧缘”也称为内侧倾斜侧缘。
[0320]
第2倾斜侧缘502b也与第1倾斜侧缘501b同样地因中间部52的形成步骤与第1端部51a的形成步骤不同而产生。例如，若第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对方向偏离理想方向，则根据偏移量产生第2倾斜侧缘502b。虽未图示，但第1端部51a可以包含第2台阶部502a和第2倾斜侧缘502b两者。
[0321]
作为第2角度θ2的数值的范围，可以采用上述的第1角度θ1的数值的范围。
[0322]
如图20所示，第2端部51b的第1侧缘501也可以包含第1倾斜侧缘501b。在图20所示的例子中，第2端部51b的第1倾斜侧缘501b为外侧倾斜侧缘。虽未图示，但第2端部51b可以包含第1台阶部501a和第1倾斜侧缘501b两者。
[0323]
如图20所示，第2端部51b的第2侧缘502也可以包含第2倾斜侧缘502b。在图20所示的例子中，第2端部51b的第2倾斜侧缘502b为内侧倾斜侧缘。虽未图示，但第2端部51b可以包含第2台阶部502a和第2倾斜侧缘502b两者。
[0324]
图21b是示出第4实施方式的一个变形例的第1端部51a的俯视图。如图21b所示，第1端部51a可以包含2个以上的第1标记58c。图21b的第5直线l5是2个以上的第1标记58c的近似直线。第1标记58c可以配置成第5直线l5延伸的方向与第1倾斜侧缘501b延伸的方向平行。这种情况下，第5直线l5与第1直线l1之间的第5角度θ5相当于上述的第1角度θ1。作为第5角度θ5的数值的范围，可以采用上述的第1角度θ1的数值的范围。
[0325]
如图21b所示，第1端部51a可以包含2个以上的第2标记58d。图21b的第6直线l6是2个以上的第2标记58d的近似直线。第2标记58d可以配置成第6直线l6延伸的方向与第2倾斜侧缘502b延伸的方向平行。这种情况下，第6直线l6与第2直线l2之间的第6角度θ6相当于上述的第2角度θ2。作为第6角度θ6的数值的范围，可以采用上述的第1角度θ1的数值的范围。
[0326]
图22是示出第4实施方式的一个变形例的第1端部51a的俯视图。如图22所示，第1端部51a的第1倾斜侧缘501b和第2倾斜侧缘502b均可以为外侧倾斜侧缘。
[0327]
对第5实施方式进行说明。在上述实施方式中，示出了台阶部、倾斜侧缘等的形状区分中间部52和第1端部51a的例子。在第5实施方式中，以基于中间部52的尺寸区分中间部52和第1端部51a为例进行说明。
[0328]
本实施方式中，中间部52在第1方向d1上具有与掩模50的中心c1一致的中心c2。第1方向d1上的中间部52的尺寸m12为1250mm。换言之，本实施方式中，将具有与中心c1一致的中心c2并在第1方向d1上具有1250mm长度的掩模50的部分定义为中间部52。另外，将较中间部52位于第1方向d1外侧的掩模50的部分定义为第1端部51a和第2端部51b。
[0329]
基于第1曝光掩模确定的第1侧缘501的长度可以比1250mm短。这种情况下，如图23所示，中间部52的第1侧缘501可以包含第1台阶部501a。基于第1曝光掩模确定的第1侧缘501的长度可以比1250mm长。这种情况下，虽未图示，但第1端部51a的第1侧缘501可以包含第1台阶部501a。
[0330]
如图23所示，第1端部51a可以包含第1标记58c。与上述实施方式同样地，第1标记
58c能够作为第1端部形成步骤中的加工精度的指标发挥功能。
[0331]
如图23所示，中间部52的第2侧缘502可以包含第2台阶部502a。虽未图示，但第1端部51a的第2侧缘502可以包含第2台阶部502a。第1端部51a可以包含第2标记58d。
[0332]
对第6实施方式进行说明。在上述的第1实施方式中，示出了使用与中间部52的第1曝光工艺不同的曝光掩模实施第2端部形成步骤的第3曝光工艺的例子。在第6实施方式中，以使用与中间部52的第1曝光工艺共用的曝光掩模实施第2端部形成步骤的曝光工艺为例进行说明。
[0333]
与第1实施方式的情况同样地，实施抗蚀剂层形成工艺。接着，实施第1曝光工艺。第1曝光工艺使用第1曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。如图24所示，第1曝光掩模将位于与中间部52对应的区域的抗蚀剂层、以及位于与第2端部51b对应的区域的抗蚀剂层曝光。图25是示出通过第1曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
[0334]
接着，实施第2曝光工艺。第2曝光工艺使用第2曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。如图25所示，第2曝光掩模将位于与第1端部51a对应的区域的抗蚀剂层曝光。图26是示出通过第2曝光掩模所曝光的抗蚀剂层的一例的俯视图。
[0335]
接着，与第1实施方式的情况同样地实施显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂层除去工艺。图27是示出所制造的掩模50的一例的俯视图。掩模50的第1侧缘501可以包含位于中间部52与第1端部51a之间的边界的第1台阶部501a。掩模50的第2侧缘502可以包含位于中间部52与第1端部51a的边界的第2台阶部502a。另一方面，在中间部52与第2端部51b之间的边界可以不形成第1台阶部、第2台阶部。这种情况下，中间部52与第2端部51b之间的边界可以限定在相对于第1方向d1上的掩模50的中心c1与第1台阶部501a对称的位置。即，可以将第1方向d1上与第2端504距离m13的位置确定为中间部52与第2端部51b之间的边界。m13为第1方向d1上的第1端部51a的尺寸。
[0336]
本实施方式中，也使用不同于第1曝光掩模的第2曝光掩模将第1端部51a的抗蚀剂层曝光。因此，与使用1片曝光掩模形成整个掩模50的情况相比，能够增大中间部52的尺寸m12。因此，能够在使用易于获得的曝光掩模的同时，增大掩模50的尺寸m11。即，能够在抑制对掩模50的制造设备的投资的同时，增大掩模50的尺寸m11。
[0337]
对第7实施方式进行说明。上述实施方式中，示出了第1台阶部501a位于中间部52与第2端部51b的边界的例子。第7实施方式中，以第1台阶部501a位于中间部52的第1侧缘501为例进行说明。
[0338]
图28a是示出掩模50的一例的俯视图。掩模50的第1侧缘501可以包含位于中间部52的第1台阶部501a。掩模50的第2侧缘502可以包含位于中间部52的第2台阶部502a。第1方向d1上的第1台阶部501a和第2台阶部502a的位置优选为在第1方向d1上相邻的2个贯通孔组53之间。换言之，在沿着第2方向d2观察掩模50的情况下，优选第1台阶部501a和第2台阶部502a不与贯通孔组53重叠。
[0339]
如图28a所示，在中间部52与第1端部51a之间的边界可以不形成第1台阶部和第2台阶部。如图28a所示，在中间部52与第2端部51b之间的边界可以不形成第1台阶部和第2台阶部。
[0340]
将在第1方向d1上位于第1端部51a与第1台阶部501a之间的中间部52的区域也称为第1中间部52a。将在第1方向d1上位于第2端部51b与第1台阶部501a之间的中间部52的区
域也称为第2中间部52b。第1中间部52a和第2中间部52b均包含至少1个贯通孔组53。第1中间部52a和第2中间部52b均可以包含至少2个贯通孔组53。
[0341]
将在第1方向d1上位于第1端503与第1台阶部501a之间的掩模50的区域也称为第1部分50a。将在第1方向d1上位于第2端504与第1台阶部501a之间的掩模50的区域也称为第2部分50b。
[0342]
第7实施方式的掩模50可以如下表现。
[0343]
一种掩模，该掩模具备：
[0344]
基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
[0345]
贯通孔组，贯通上述基材，
[0346]
在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
[0347]
上述第1侧缘包含位于上述中间部并在与上述第1方向正交的第2方向上位移的第1台阶部，
[0348]
上述第2方向上的上述第1台阶部的尺寸为3.0μm以下。
[0349]
本实施方式中，中间部52与第1端部51a之间的边界基于最接近第1端503的贯通孔组53来确定。如图28a所示，表示边界的边界线bl1按照与最接近第1端503的多个贯通孔56相接的方式沿第2方向d2延伸。同样，中间部52与第2端部51b之间的边界基于最接近第2端504的贯通孔组53来确定。如图28a所示，表示边界的边界线bl2按照与最接近第2端504的多个贯通孔56相接的方式沿第2方向d2延伸。
[0350]
图28b是将图28a的掩模50的中间部52放大示出的俯视图。第2方向d2上的第1台阶部501a的尺寸可以相当于第5基准点p5与第7直线l7之间的距离g3。第7直线l7定义为通过第7基准点p7和第9基准点p9的直线。第5基准点p5是最接近第1台阶部501a的第1中间部52a的第1中间标记58a。第7基准点p7是最接近第1台阶部501a的第2中间部52b的第1中间标记58a。第9基准点p9是第2端部51b的第1标记58c。
[0351]
第2方向d2上的第1台阶部501a的尺寸例如可以为0.1μm以上、可以为0.2μm以上、可以为0.5μm以上、也可以为1.0μm以上。第1台阶部501a的尺寸例如可以为1.5μm以下、可以为2.0μm以下、可以为2.5μm以下、也可以为3.0μm以下。第1台阶部501a的尺寸的范围可以通过由0.1μm、0.2μm、0.5μm和1.0μm构成的第1组和/或由1.5μm、2.0μm、2.5μm和3.0μm构成的第2组来限定。第1台阶部501a的尺寸的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1台阶部501a的尺寸的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1台阶部501a的尺寸的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1台阶部501a的尺寸例如可以为0.1μm以上3.0μm以下、可以为0.1μm以上2.5μm以下、可以为0.1μm以上2.0μm以下、可以为0.1μm以上1.5μm以下、可以为0.1μm以上1.0μm以下、可以为0.1μm以上0.5μm以下、可以为0.1μm以上0.2μm以下、可以为0.2μm以上3.0μm以下、可以为0.2μm以上2.5μm以下、可以为0.2μm以上2.0μm以下、可以为0.2μm以上1.5μm以下、可以为0.2μm以上1.0μm以下、可以为0.2μm以上0.5μm以下、可以为0.5μm以上3.0μm以下、可以为0.5μm以上2.5μm以下、可以为0.5μm以上2.0μm以下、可以为0.5μm以上1.5μm以下、可以为0.5μm以上1.0μm以下、可以为1.0μm以上3.0μm以下、可以为1.0μm以上2.5μm以下、可以为1.0μm以上2.0μm以下、可以为
1.0μm以上1.5μm以下、可以为1.5μm以上3.0μm以下、可以为1.5μm以上2.5μm以下、可以为1.5μm以上2.0μm以下、可以为2.0μm以上3.0μm以下、可以为2.0μm以上2.5μm以下、也可以为2.5μm以上3.0μm以下。
[0352]
第1台阶部501a的尺寸的数值的范围也可以用作距离g3的数值的范围。
[0353]
第2方向d2上的第2台阶部502a的尺寸可以相当于第6基准点p6与第8直线l8之间的距离g4。第8直线l8定义为通过第8基准点p8和第10基准点p10的直线。第6基准点p6是最接近第2台阶部502a的第1中间部52a的第2中间标记58b。第8基准点p8是最接近第2台阶部502a的第2中间部52b的第2中间标记58b。第10基准点p10是第2端部51b的第2标记58d。
[0354]
作为第2方向d2上的第2台阶部502a的尺寸的数值的范围，可以采用上述的第1台阶部501a的尺寸的数值的范围。作为距离g4的数值的范围，也可以采用上述的第1台阶部501a的尺寸的数值的范围。
[0355]
掩模50的中心c1可以确定为沿第1方向d1延伸的第3中心线与第9直线l9的交点。第3中心线是位于第7直线l7与第8直线l8的中间的直线。第9直线l9是通过第7基准点p7和第8基准点p8的直线。
[0356]
第1部分50a在第1方向d1上具有尺寸m15。第2部分50b在第1方向d1上具有尺寸m16。
[0357]
第1部分50a的尺寸m15可以为900mm以上、可以为1100mm以上、可以为1200mm以上、也可以为2000mm以上。尺寸m15例如可以为1100mm以下、可以为1200mm以下、可以为1800mm以下、可以为2000mm以下、也可以为2200mm以下。尺寸m15的范围可以通过由900mm、1100mm、1200mm和2000mm构成的第1组和/或由1100mm、1200mm、1800mm、2000mm和2200mm构成的第2组来限定。尺寸m15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。尺寸m15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。尺寸m15的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，尺寸m15可以为900mm以上2200mm以下、可以为900mm以上2000mm以下、可以为900mm以上1800mm以下、可以为900mm以上1200mm以下、可以为900mm以上1100mm以下、可以为1100mm以上2200mm以下、可以为1100mm以上2000mm以下、可以为1100mm以上1800mm以下、可以为1100mm以上1200mm以下、可以为1200mm以上2200mm以下、可以为1200mm以上2000mm以下、可以为1200mm以上1800mm以下、可以为1800mm以上2200mm以下、可以为1800mm以上2000mm以下、也可以为2000mm以上2200mm以下。
[0358]
第2部分50b的尺寸m16相对于第1部分50a的尺寸m15之比m16/m15例如可以为0.5以上、可以为0.7以上、也可以为0.9以上。m16/m15例如可以为1.1以下、可以为1.3以下、也可以为1.5以下。m16/m15的范围可以通过由0.5、0.7和0.9构成的第1组和/或由1.1、1.3和1.5构成的第2组来限定。m16/m15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。m16/m15的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。m16/m15的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，m16/m15可以为0.5以上1.5以下、可以为0.5以上1.3以下、可以为0.5以上1.1以下、可以为0.5以上0.9以下、可以为0.5以上0.7以下、可以为0.7以上1.5以下、可以为0.7以上1.3以下、可以为0.7以上1.1以下、可以为0.7以上0.9以下、可以为0.9以上1.5以下、可以为0.9以上1.3以下、可以为0.9以上1.1以下、可以为1.1以上1.5以
下、可以为1.1以上1.3以下、也可以为1.3以上1.5以下。
[0359]
第1端部51a可以包含第1标记58c和第2标记58d。第2端部51b可以包含第1标记58c和第2标记58d。第1中间部52a可以包含第1中间标记58a和第2中间标记58b。第2中间部52b可以包含第1中间标记58a和第2中间标记58b。
[0360]
第7实施方式的掩模50的厚度t可以为25μm以上。由此，能够提高掩模50的刚性。因此，在第1方向d1上对掩模50施加了张力时，能够抑制掩模50在第1台阶部501a或第2台阶部502a的周围局部大幅变形。由此，能够抑制接近第1台阶部501a或第2台阶部502a的贯通孔组53的贯通孔56的位置偏离理想位置。
[0361]
第7实施方式的掩模50的厚度t例如可以为25μm以上、可以为30μm以上、也可以为35μm以上。厚度t例如可以为50μm以下、可以为80μm以下、也可以为100μm以下。厚度t的范围可以通过由25μm、30μm和35μm构成的第1组和/或由50μm、80μm和100μm构成的第2组来限定。厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。厚度t的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。厚度t的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。厚度t例如可以为25μm以上100μm以下、可以为25μm以上80μm以下、可以为25μm以上50μm以下、可以为25μm以上35μm以下、可以为25μm以上30μm以下、可以为30μm以上100μm以下、可以为30μm以上80μm以下、可以为30μm以上50μm以下、可以为30μm以上35μm以下、可以为35μm以上100μm以下、可以为35μm以上80μm以下、可以为35μm以上50μm以下、可以为50μm以上100μm以下、可以为50μm以上80μm以下、也可以为80μm以上100μm以下。
[0362]
对图28a所示的掩模50的制造方法进行说明。
[0363]
与第1实施方式的情况同样地，实施抗蚀剂层形成工艺。接着，实施第1曝光工艺。如图28c所示，第1曝光工艺使用第1曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。第1曝光掩模可以包含将第1抗蚀剂层曝光的第1面第1曝光掩模和将第2抗蚀剂层62曝光的第2面第1曝光掩模712。第1曝光掩模将位于与第1部分50a对应的区域的抗蚀剂层曝光。具体而言，第1曝光掩模将位于与第1中间部52a对应的区域的抗蚀剂层、以及位于与第1端部51a对应的区域的抗蚀剂层曝光。
[0364]
图28d是示出通过第2面第1曝光掩模712所曝光的第2抗蚀剂层62的一例的俯视图。曝光后的第2抗蚀剂层62包含第2显影层62a和第2残留层62b。虽未图示，但曝光后的第1抗蚀剂层包含第1显影层和第2残留层。
[0365]
接着，实施第2曝光工艺。第2曝光工艺使用第2曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。如图28e所示，第2曝光工艺使用第2曝光掩模将原始基材55a上的抗蚀剂层曝光。第2曝光掩模可以包含将第1抗蚀剂层曝光的第1面第2曝光掩模、和将第2抗蚀剂层62曝光的第2面第2曝光掩模722。第2曝光掩模将位于与第2部分50b对应的区域的抗蚀剂层曝光。具体而言，第2曝光掩模将位于与第2中间部52b对应的区域的抗蚀剂层、以及位于与第2端部51b对应的区域的抗蚀剂层曝光。
[0366]
在第2曝光工艺中，可以将由第1曝光工艺产生的第2显影层62a或第2残留层62b的位置、轮廓等作为基准，调整第2曝光掩模的位置调整。
[0367]
接着，与第1实施方式的情况同样地，实施显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂层除去工艺。如此，能够制作图28a所示的掩模50。
[0368]
掩模50的制造方法可以具备筛选步骤：基于第2方向d2上的第1台阶部501a的尺寸来筛选掩模50。筛选步骤例如筛选出第1台阶部501a的尺寸为阈值以下的掩模50作为合格品。阈值例如为3.0μm、可以为2.5μm、可以为2.0μm、可以为1.5μm、也可以为1.0μm。筛选步骤也可以筛选出距离g3为上述阈值以下的掩模50作为合格品。筛选步骤也可以筛选出后述的中心点qc1与中心点qc2之间的第1方向d1上的距离为上述阈值以下的掩模50作为合格品。筛选步骤也可以筛选出后述的中心点qc1与中心点qc2之间的第2方向d2上的距离为上述阈值以下的掩模50作为合格品。
[0369]
筛选步骤也可以筛选出后述的第1角度θ1为阈值以下的掩模50作为合格品。阈值可以为0.0240
°
、可以为0.0100
°
、可以为0.0050
°
、也可以为0.0020
°
。
[0370]
本实施方式中，与使用1片曝光掩模形成整个掩模50的情况相比，也能够增大中间部52的尺寸。因此，能够在使用易于获得的曝光掩模的同时，增大掩模50的尺寸m11。即，能够在抑制对掩模50的制造设备的投资的同时，增大掩模50的尺寸m11。
[0371]
可以通过检测第1端部51a的第1标记58c的位置和第2端部51b的第1标记58c的位置，验证第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置的偏离程度。也可以通过检测第1中间部52a的第1中间标记58a的位置和第2中间部52b的第1中间标记58a的位置，验证第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的相对位置的偏离程度。
[0372]
在第7实施方式的掩模50中，第1部分50a的第1侧缘501延伸的方向可以相对于第2部分50b的第1侧缘501延伸的方向形成第1角度θ1。
[0373]
该情况下，第7实施方式的掩模50可以如下表现。
[0374]
一种掩模，该掩模具备：
[0375]
基材，包含沿第1方向延伸的第1侧缘和第2侧缘并包含第1面和第2面；和
[0376]
贯通孔组，贯通上述基材，
[0377]
在俯视时，上述掩模具备：在上述第1方向上相向的第1端部和第2端部；和位于上述第1端部与第2端部之间并包含上述贯通孔组的中间部，
[0378]
上述中间部包含与上述第1端部相邻的第1中间部、和与上述第2端部相邻的第2中间部，
[0379]
上述第1中间部的上述第1侧缘延伸的方向相对于上述第2中间部的上述第1侧缘延伸的方向偏离。
[0380]
在第7实施方式的掩模50中，第1角度θ1例如可以为0.00005
°
以上、可以为0.0001
°
以上、可以为0.0003
°
以上、也可以为0.0010
°
以上。第1角度θ1例如可以为0.0020
°
以下、可以为0.0050
°
以下、可以为0.0100
°
以下、也可以为0.0240
°
以下。第1角度θ1的范围可以通过由0.00005
°
、0.0001
°
、0.0003
°
和0.0010
°
构成的第1组和/或由0.0020
°
、0.0050
°
、0.0100
°
和0.0240
°
构成的第2组来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。第1角度θ1的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。例如，第1角度θ1可以为0.00005
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0100
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0050
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0020
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0010
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0003
°
以下、可以为0.00005
°
以上0.0001
°
以下、可以为0.0001
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.0001
°
以上
0.0100
°
以下、可以为0.0001
°
以上0.0050
°
以下、可以为0.0001
°
以上0.0020
°
以下、可以为0.0001
°
以上0.0010
°
以下、可以为0.0001
°
以上0.0003
°
以下、可以为0.0003
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.0003
°
以上0.0100
°
以下、可以为0.0003
°
以上0.0050
°
以下、可以为0.0003
°
以上0.0020
°
以下、可以为0.0003
°
以上0.0010
°
以下、可以为0.0010
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.0010
°
以上0.0100
°
以下、可以为0.0010
°
以上0.0050
°
以下、可以为0.0010
°
以上0.0020
°
以下、可以为0.0020
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.0020
°
以上0.0100
°
以下、可以为0.0020
°
以上0.0050
°
以下、可以为0.0050
°
以上0.0240
°
以下、可以为0.0050
°
以上0.0100
°
以下、也可以为0.0100
°
以上0.0240
°
以下。
[0381]
图28f是将位于第1中间部52a与第2中间部52b的边界的双重基准标记58w放大示出的俯视图。双重基准标记58w包含第1轮廓58w1和第2轮廓58w2。第1轮廓58w1包含具有由第1曝光工艺确定的形状的标记的轮廓的一部分。例如，第1轮廓58w1包含由第1曝光工艺确定的第1中间标记的轮廓的一部分。图28f中，由第1曝光工艺确定的第1中间标记用标号58a1表示。第2轮廓58w2包含具有由第2曝光工艺确定的形状的标记的轮廓。例如，第2轮廓58w2包含由第2曝光工艺确定的第2中间标记的轮廓的一部分。图28f中，由第2曝光工艺确定的第1中间标记用标号58a2表示。图28f中，示出了第1中间标记为标号58a1和第1中间标记为标号58a2均具有圆形的例子。
[0382]
实施第2曝光工艺，以使具有由第2曝光工艺确定的形状的标记与具有由第1曝光工艺确定的形状的标记一致，由此形成双重基准标记58w。第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的位置偏离理想位置的情况下，双重基准标记58w的轮廓包含上述的第1轮廓58w1和第2轮廓58w2。第1轮廓58w1可以是第1中间标记相对于标号58a1的中心点qc1具有中心角的圆弧。第2轮廓58w2可以是第1中间标记相对于标号58a2的中心点qc2具有中心角的圆弧。中心角和中心角均大于180
°
。第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的位置与理想位置偏离越小，则中心角和中心角越接近180
°
。
[0383]
中心角例如可以为181
°
以上、可以为185
°
以上、也可以为190
°
以上。中心角例如可以为200
°
以下、可以为220
°
以下、也可以为250
°
以下。中心角的范围可以通过由181
°
、185
°
和190
°
构成的第1组和/或由200
°
、220
°
和250
°
构成的第2组来限定。中心角的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意1个值和上述的第2组所包含的值中的任意1个值的组合来限定。中心角的范围可以由上述的第1组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。中心角的范围可以由上述的第2组所包含的值中的任意2个值的组合来限定。中心角例如可以为181
°
以上250
°
以下、可以为181
°
以上220
°
以下、可以为181
°
以上200
°
以下、可以为181
°
以上190
°
以下、可以为181
°
以上185
°
以下、可以为185
°
以上250
°
以下、可以为185
°
以上220
°
以下、可以为185
°
以上200
°
以下、可以为185
°
以上190
°
以下、可以为190
°
以上250
°
以下、可以为190
°
以上220
°
以下、可以为190
°
以上200
°
以下、可以为200
°
以上250
°
以下、可以为200
°
以上220
°
以下、也可以为220
°
以上250
°
以下。
[0384]
作为中心角的范围，可以采用上述的中心角的数值的范围。
[0385]
第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的位置与理想位置偏离越小，则第2方向d2上的中心点qc1与中心点qc2之间的距离越小。作为第2方向d2上的中心点qc1与中心点qc2之间的距离的数值的范围，可以采用上述的第1台阶部501a的尺寸的数值的范围。
[0386]
第2曝光掩模相对于第1曝光掩模的位置与理想位置偏离越小，则第1方向d1上的中心点qc1与中心点qc2之间的距离越小。作为第1方向d1上的中心点qc1与中心点qc2之间的距离的数值的范围，可以采用上述的第1台阶部501a的尺寸的数值的范围。
[0387]
双重基准标记58w的位置没有特别限制。例如，双重基准标记58w可以位于最接近第1台阶部501a的第1中间部52a的贯通孔组53与最接近第1台阶部501a的第2中间部52b的贯通孔组53之间。例如，双重基准标记58w可以形成于第1～第6实施方式的掩模50。
[0388]
对针对上述一个实施方式的若干其他实施方式进行了说明，当然也可以将多个实施方式适当组合使用。
[0389]
实施例
[0390]
接着，通过实施例更具体地说明本实用新型的实施方式，但只要不超出其要点，则本实用新型的实施方式不限定于以下实施例的记载。
[0391]
(基本例)
[0392]
通过实施具备中间部形成步骤、第1端部形成步骤和第2端部形成步骤的制造方法，制造出图29所示的掩模50。
[0393]
中间部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第1曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0394]
第1端部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第2曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0395]
第2端部形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第3曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0396]
在抗蚀剂层形成工艺中，在与中间部52、第1端部51a和第2端部51b对应的原始基材的区域同时设置了抗蚀剂层。
[0397]
第2曝光工艺和第3曝光工艺在与第1曝光工艺不同的时刻实施。在各曝光工艺中，通过使用具备微致动器的驱动装置使曝光掩模移动，进行了曝光掩模的对位。具体而言，在第2曝光工艺和第3曝光工艺中，按照曝光掩模的对准标记与通过第1曝光工艺所曝光的抗蚀剂层的对准标记一致的方式进行了曝光掩模的对位。抗蚀剂层的对准标记的位置和曝光掩模的对准标记的位置通过分辨率0.1μm的图像处理读取。
[0398]
在显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺中，同时处理位于与中间部52、第1端部51a和第2端部51b对应的原始基材的区域的抗蚀剂层。
[0399]
图29所示的掩模的尺寸的设计值如下所述。
[0400]
·
第1方向d1上的掩模50的尺寸m11：1650mm
[0401]
·
第1方向d1上的中间部52的尺寸m12：1250mm
[0402]
·
第1方向d1上的第1端部51a的尺寸m13：200mm
[0403]
·
第1方向d1上的第2端部51b的尺寸m14：200mm
[0404]
·
第2方向d2上的中间部52的尺寸m20：76mm
[0405]
·
第2方向d2上的第1端部51a的尺寸：76mm
[0406]
·
第2方向d2上的第2端部51b的尺寸：76mm
[0407]
如图29所示，中间部52包含中间标记。第1端部51a和第2端部51b包含标记。中间标记和标记是贯通基材的贯通孔。标号m1表示位于第1端部51a并最接近第1台阶部501a的标
记。标号m2表示位于第1端部51a并最接近第2台阶部502a的标记。标号m3表示位于第2端部51b并最接近第1台阶部501a的标记。标号m4表示位于第2端部51b并最接近第2台阶部502a的标记。
[0408]
使用sinto s-precision公司制造amic-2500拍摄掩模50的第1面。
[0409]
图30a是示出包含第1端部51a的第1台阶部501a的图像和包含标记m1的图像的图。第2方向d2上的标记m1与第1直线l1之间的距离g1为11.7μm。
[0410]
图30b是示出包含第1端部51a的第2台阶部502a的图像和包含标记m2的图像的图。第2方向d2上的标记m2与第2直线l2之间的距离g2为12.9μm。
[0411]
图30c是示出包含第2端部51b的第1台阶部501a的图像和包含标记m3的图像的图。标号s1’表示第2方向d2上的第2端部51b的第1台阶部501a的尺寸。标号g1’表示第2方向d2上的标记m3与第1直线l1之间的距离。距离g1’为7.3μm。
[0412]
图30d是示出包含第2端部51b的第2台阶部502a的图像和包含标记m4的图像的图。标号s2’表示第2方向d2上的第2端部51b的第2台阶部502a的尺寸。标号g2’表示第2方向d2上的标记m4与第2直线l2之间的距离。距离g2’为6.6μm。
[0413]
(例1～例49)
[0414]
例1～例49中，分别与上述基本例的情况同样地，通过实施具备中间部形成步骤、第1端部形成步骤和第2端部形成步骤的制造方法制造了图29所示的掩模50。接着，使用sinto s-precision公司制造amic-2500，测定了相对于中心c1的标记m1～m4的坐标。接着，在第1方向d1和第2方向d2上，计算出所测定的标记m1～m4的坐标与理想的标记m1～m4的坐标之间的偏移。计算结果示于图31的“m1”的栏、“m2”的栏、“m3”的栏和“m4”的栏中。数值的单位为mm。在图31的“d1坐标”的栏中，正值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图29的上方偏移。在图31的“d1坐标”的栏中，负值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图29的下方偏移。在图31的“d2坐标”的栏中，正值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图29的右方偏移。在图31的“d2坐标”的栏中，负值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图29的左方偏移。
[0415]
另外，测定贯通孔56相对于中心c1的坐标。所测定的贯通孔56的个数为15个。接着，计算出所测定的贯通孔56的坐标与理想的贯通孔56的坐标之间的距离的最大值。计算结果示于图31的“ppa”的栏中。“ppa”是指像素位置精度(pixel position accuracy)。数值的单位为μm。
[0416]
在测定贯通孔56的坐标的工序中，对掩模50施加了张力。张力按照标记m1和标记m3在第1方向d1上排列、且标记m2和标记m4在第1方向d1上排列的方式进行调整。测定贯通孔56的坐标的工序在掩模50固定于框架41上的状态下实施。掩模50在按照标记m1和标记m3在第1方向d1上排列且标记m2和标记m4在第1方向d1上排列的方式施加了张力的状态下固定于框架41上。用于测定贯通孔56的坐标的测定设备包含拍摄掩模50的第1面551的照相机。通过分析由照相机拍摄的图像，得到关于贯通孔56的坐标的信息。测定设备可以设置在用于将掩模50固定于框架41的装置中。
[0417]
测定标记m1～m4的坐标的工序在不对掩模50施加张力的情况下实施。
[0418]
(参考例1)
[0419]
制作作为针对例1～49的掩模50的参考的掩模50。在参考例1中，通过1次曝光工序将位于与中间部52、第1端部51a和第2端部51b对应的原始基材的区域的抗蚀剂层曝光。
[0420]
与例1～49的情况同样地，测定参考例1的掩模50的标记m1～m4的坐标。接着，在第1方向d1和第2方向d2上，计算出所测定的标记m1～m4的坐标与理想的标记m1～m4的坐标之间的偏移。计算结果示于图31的“m1”的栏、“m2”的栏、“m3”的栏和“m4”的栏中。如图31所示，在参考例1中，偏移量为零。
[0421]
与例1～49的情况同样地，测定参考例1的掩模50的贯通孔56的坐标。接着，计算出所测定的贯通孔56的坐标与理想的贯通孔56的坐标之间的距离的最大值。计算结果示于图31的“ppa”的栏中。ppa为2.4μm。
[0422]
(参考例2)
[0423]
制作作为针对例1～49的掩模50的参考的掩模50。在参考例2中，通过1次曝光工序将位于与中间部52对应的原始基材的区域的抗蚀剂层曝光。未设置与第1端部51a和第2端部51b对应的区域。
[0424]
接着，在沿第1方向d1对掩模50施加了张力的状态下，测定参考例2的掩模50的贯通孔56的坐标。接着，计算出所测定的贯通孔56的坐标与理想的贯通孔56的坐标之间的距离的最大值。计算结果示于图31的“ppa”的栏中。ppa为2.0μm。
[0425]
如图31所示，差标记的个数为2个以下且不良标记的个数为2个以下时，ppa为3.0μm以下。差标记的个数是指，在标记m1～m4中第2方向d2上的坐标的偏移量的绝对值为1.5mm以上的标记的个数。不良标记的个数是指，在标记m1～m4中第2方向d2上的坐标的偏移量的绝对值为1.0mm以上的标记的个数。另一方面，差标记的个数为2个以上且不良标记的个数为3个以上时，ppa超过3.0μm。
[0426]
如图31所示，第2方向d2上的标记m1～m4的坐标的偏移量的绝对值均为1.0mm以下的情况下，ppa为2.5μm以下。另一方面，第2方向d2上的标记m1～m4的坐标的偏移量的绝对值中的至少1个超过1.0mm的情况下，ppa超过2.5μm。
[0427]
(例50～例56)
[0428]
在例50～例56中，分别与上述第7实施方式的情况同样地，制造具备第1部分50a和第2部分50b的图28a的掩模50。
[0429]
形成第1部分50a的第1部分形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第1曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0430]
形成第2部分50b的第2部分形成步骤具备抗蚀剂层形成工艺、第2曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和抗蚀剂除去工艺。
[0431]
图28a所示的掩模的尺寸的设计值如下所述。
[0432]
·
第1方向d1上的掩模50的尺寸m11：1650mm
[0433]
·
第1方向d1上的第1部分50a的尺寸m15：825mm
[0434]
·
第1方向d1上的第2部分50b的尺寸m16：825mm
[0435]
·
第1方向d1上的第1端部51a的尺寸：200mm
[0436]
·
第1方向d1上的第2端部51b的尺寸：200mm
[0437]
·
第2方向d2上的第1部分50a的尺寸：76mm
[0438]
·
第2方向d2上的第2部分50b的尺寸：76mm
[0439]
使用sinto s-precision公司制造amic-2500，测定基准点p5～p8相对于中心c1的坐标。接着，在第1方向d1和第2方向d2上，计算出所测定的基准点p5～p8的坐标与理想的基
准点p5～p8的坐标之间的偏移。计算结果示于图32的“p5”的栏、“p6”的栏、“p7”的栏和“p8”的栏中。数值的单位为μm。在图32的“d1坐标”的栏中，正值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图28a的上方偏移。在图32的“d1坐标”的栏中，负值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图28a的下方偏移。在图32的“d2坐标”的栏中，正值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图28a的右方偏移。在图32的“d2坐标”的栏中，负值是指所测定的坐标相对于理想坐标向图28a的左方偏移。
[0440]
另外，测定贯通孔56相对于中心c1的坐标。所测定的贯通孔56的个数为15个。接着，计算出所测定的贯通孔56的坐标与理想的贯通孔56的坐标之间的距离的最大值。计算结果示于图32的“ppa”的栏中。
[0441]
在测定贯通孔56的坐标的工序中，对掩模50施加了张力。具体而言，测定固定于框架41的状态的掩模50的贯通孔56的坐标。贯通孔56的坐标是通过用于将掩模50固定于框架41的装置所具备的测定设备测定的。
[0442]
测定基准点p5～p8的坐标的工序在不对掩模50施加张力的情况下实施。
[0443]
(例57～例66)
[0444]
在例57～例66中，也与例50～例56的情况同样地，制造出具备第1部分50a和第2部分50b的图28a的掩模50。掩模的尺寸的设计值与例50～例56的情况相同。
[0445]
与例50～例56的情况同样地，测定基准点p5～p8相对于中心c1的坐标。接着，在第1方向d1和第2方向d2上，计算出所测定的基准点p5～p8的坐标与理想的基准点p5～p8的坐标之间的偏移。计算结果示于图33的“p5”的栏、“p6”的栏、“p7”的栏和“p8”的栏中。数值的单位为μm。
[0446]
另外，与例50～例56的情况同样地，测定贯通孔56相对于中心c1的坐标。所测定的贯通孔56的个数为15个。接着，计算出所测定的贯通孔56的坐标与理想的贯通孔56的坐标之间的距离的最大值。计算结果示于图33的“ppa”的栏中。
[0447]
如图32和图33所示，第1方向d1和第2方向d2上的基准点p5～p8的坐标的偏移量的绝对值均为3.0μm以下时，ppa为3.0μm以下。另一方面，第1方向d1和第2方向d2上的标记m1～m4的坐标的偏移量的绝对值中的至少1个超过3.0μm时，ppa超过3.0μm。