一种高聚磁能力软磁材料横磁热处理料架的制作方法

1.本实用新型涉及热处理技术领域，尤其涉及一种高聚磁能力软磁材料横磁热处理料架。


背景技术：

2.目前，随着无线充电技术的发展，所采用的的屏蔽片基本为磁性能比较好的非晶纳米晶软磁带材制备，而非晶纳米晶带材本身是经液态合金急速冷却下来的,这样材料就会因为结构不平衡产生内应力，严重影响材料的磁性能；为了达到材料最佳的软磁性能，需要对非晶纳米晶材料进行磁场热处理消除掉材料内部的应力，已达到修复和提升材料磁性能的目的。
3.磁场热处理就是在非晶纳米晶材料热处理时外加一个横磁磁场，这个过程材料的结构不会发生变化，但其由于材料的剩磁和矫顽力降低从而使其磁滞回线的形状发生改变。横向磁场处理的外加磁场方向平行于材料宽度方向，磁场作用可以使材料的磁滞回线变得平缓，降低矫顽力和损耗同时可以大大提升高频磁导率。
4.由于无线充电屏蔽片所用非晶纳米晶材料卷绕成的热处理磁环体积比较大且重量较重，若需要保证材料的磁性能均匀一致，就必须让材料磁环分散均匀的放置在料盘内，不能叠加和堆放(不利于材料热处理时吸热散热，影响材料的磁性能和均匀度)，使得采用现有的热处理料架的热处理效率及良品率均较低。


技术实现要素：

5.针对现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种高聚磁能力软磁材料横磁热处理料架，包括：
6.料架框，所述料架框具有至少一料架层，每个所述料架层上分别架设有一料盘，所述料盘上开设有多个气氛对流孔；
7.多个聚磁盒，平铺于所述料盘上，各所述聚磁盒内部中空，以分别对应装载待进行横磁热处理的非晶纳米晶磁环。
8.优选的，所述料架框的两侧内壁对应于每个所述料架层分别设有一支撑板，以支撑所述料盘。
9.优选的，所述料架框的垂直于每个所述料架层的两所述支撑板的一侧对应设有供所述料盘进出的进出料口；
10.所述料架框的所述进出料口的对侧沿竖直方向分别设有两限位板，两所述限位板分别对应抵接所述料架层两侧内壁的各所述支撑板。
11.优选的，所述料架框的两侧内壁的每个所述支撑板的下方对应开设有一长条形开口。
12.优选的，所述进出料口一侧的每个所述料架层对应的两所述支撑板之间设有一第一横杆。
13.优选的，两所述限位板之间设有至少一第二横杆。
14.优选的，所述聚磁盒包括：
15.底座，所述底座内部设有一圆柱体内芯模，所述圆柱体内芯模的外壁与所述底座的内壁之间形成一环形中空区域，所述非晶纳米晶磁环套设于所述圆柱体内芯模上以装载至所述环形中空区域；
16.上盖，扣合于所述底座上方。
17.优选的，所述底座的外壁的朝向所述上盖的一侧设有一第一台阶，所述上盖的内壁的朝向所述底座的一侧设有一第二台阶，所述上盖扣合于所述底座上方时，所述底座抵接所述第二台阶，所述上盖抵接所述第一台阶。
18.优选的，所述底座的底部和/或所述上盖的顶部设有对称的双把手。
19.优选的，所述料架框的底部设有多个滑动轮，所述料架框的底部侧面设有一料架推手。
20.上述技术方案具有如下优点或有益效果：
21.1)通过设计具有多个料架层的料架框，使得一次热处理能够承载多个料盘，有效提升热处理生产效率；
22.2)通过在料盘上设置多个气氛对流孔，使得非晶纳米晶磁环在进行磁场热处理时受热均匀，各温区温度真实一致；
23.3)通过配置聚磁盒，使得磁力线能够均匀聚集并作用在内部的非晶纳米晶磁环上，保证磁场热处理后各非晶纳米晶磁环磁性能均匀一致，极大提升了产品生产效率和良品率。
附图说明
24.图1为本实用新型的较佳的实施例中，一种高聚磁能力软磁材料横磁热处理料架的整体结构示意图；
25.图2为本实用新型的较佳的实施例中，料架框的结构示意图；
26.图3为本实用新型的较佳的实施例中，放置有一个聚磁盒的料盘的结构示意图；
27.图4为本实用新型的较佳的实施例中，装载有待进行横磁热处理的非晶纳米晶磁环的聚磁盒的结构示意图；
28.图5为本实用新型的较佳的实施例中，扣合时的聚磁盒的结构示意图；
29.图6为本实用新型的较佳的实施例中，聚磁盒的上盖的内部结构示意图；
30.图7为本实用新型的较佳的实施例中，聚磁盒的底座的内部结构示意图。
具体实施方式
31.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。本实用新型并不限定于该实施方式，只要符合本实用新型的主旨，则其他实施方式也可以属于本实用新型的范畴。
32.本实用新型的较佳的实施例中，基于现有技术中存在的上述问题，现提供一种高聚磁能力软磁材料横磁热处理料架，如图1至图7所示，包括：
33.料架框1，料架框1具有至少一料架层，每个料架层上分别架设有一料盘2，料盘2上开设有多个气氛对流孔21；
34.多个聚磁盒3，平铺于料盘2上，各聚磁盒3内部中空，以分别对应装载待进行横磁热处理的非晶纳米晶磁环4。
35.具体地，本实施例中，上述料架层可以根据需求设置多层，通过设置多层料架层，能够同时装置多个料盘2，每个料盘2上对应平铺多个聚磁盒3，实现一次能够对多个非晶纳米晶磁环4进行热处理，且各非晶纳米晶磁环4能够分散均匀放置在料盘2上，避免由于多晶纳米晶磁环4叠加堆放导致的材料热处理吸热散热不好造成的影响材料磁性能和均匀度的问题，实现提升生产效率的同时提升良品率。
36.其中，料盘2上开设有多个气氛对流孔21，各气氛对流孔21优选均匀分布在料盘2上，保证更好地对流，从而促使炉内温度更加均匀，实现无论聚磁盒3放置在料盘2上的哪个区域均能够实现均匀受热。上述各气氛对流孔21的孔径不宜过大或过小，若孔径过大料盘容易变形，若孔径太小容易使得保护气对流不均匀从而炉温不均匀，影响材料软磁性能，本实施例中，各气氛对流孔21的孔径优选为8mm，但并不以此限定，可以根据需求进行设定。
37.进一步优选的，料盘2的顶部四周设有围栏22，防止聚磁盒3滑落。
38.上述聚磁盒3的材质优先为硼铁但并不以此进行限定，通过设置聚磁盒3能够使得磁力线均匀聚集并作用在内部的非晶纳米晶磁环上，保证磁场热处理后各非晶纳米晶磁环磁性能均匀一致，极大提升了产品生产效率和良品率。
39.本实用新型的较佳的实施例中，料架框1的两侧内壁对应于每个料架层分别设有一支撑板11，以支撑料盘2。
40.具体地，本实施例中，上述各支撑板11的顶部以及对应的料盘2的底部均为平整光滑的平面，料盘2通过机械推力进出料架框1。每层料架层对应的两个支撑板11相对设置且在同一水平面上，保证料盘2能够水平放置。更为优选的，料架框1的两侧内壁之间的间距大于料盘2的宽度，使得料盘进入料架框1并支撑在两支撑板11上后，料盘2的两侧边缘与料架框1的内壁之间具有一定的间隙，避免热处理时的高低温热胀冷缩发生料盘2与料架框1之间发生卡顿，影响料盘2进出料架框1。该间隙可以根据料盘2以及料架框1的材质的热胀冷缩形变特性进行设定。
41.本实用新型的较佳的实施例中，料架框1的垂直于每个料架层的两支撑板11的一侧对应设有供料盘2进出的进出料口12；
42.料架框1的进出料口12的对侧沿竖直方向分别设有两限位板13，两限位板13分别对应抵接料架层两侧内壁的各支撑板11。
43.具体地，本实施例中，通过设置限位板13进行限位，避免料盘2进入料架框1后由于机械推力冲力作用下发送材料掉落现象。
44.本实用新型的较佳的实施例中，料架框1的两侧内壁的每个支撑板11的下方对应开设有一长条形开口14。
45.具体地，本实施例中，上述长条形开口14优选沿支撑板11的长度方向延伸，且每个料架层对应的两个长条形开口14相对设置，保证更好地对流，从而促使炉内温度更加均匀。更为优选的，料架框的底部设有若干开口19，进一步保证更好对流。
46.本实用新型的较佳的实施例中，进出料口12一侧的每个料架层对应的两支撑板11之间设有一第一横杆15。
47.具体地，本实施例中，通过设置第一横杆15能够防止料架框1在高温状态下发生变
形，起到横向稳固料架框1的作用。
48.本实用新型的较佳的实施例中，两限位板13之间设有至少一第二横杆16。
49.具体地，本实施例中，通过设置第二横杆16能够防止料架框1在高温状态下发生变形，起到横向稳固料架框1的作用。
50.本实用新型的较佳的实施例中，聚磁盒3包括：
51.底座31，底座31内部设有一圆柱体内芯模311，圆柱体内芯模311的外壁与底座31的内壁之间形成一环形中空区域312，非晶纳米晶磁环4套设于圆柱体内芯模311上以装载至环形中空区域312；
52.上盖32，扣合于底座31上方。
53.具体地，本实施例中，通过设置圆柱体内芯模311可有效防止非晶纳米晶磁环4在装炉、搬运、进出炉时发生形变。
54.进一步地，考虑到圆柱体内芯模311的直径如果等于非晶纳米晶磁环的内径尺寸，非晶纳米晶磁环4热处理收缩没有间隙就会使得非晶纳米晶磁环4内应力释放不完全，从而影响非晶纳米晶磁环4的磁性能。基于此，本实施例中，上述圆柱体内芯模311的直径优选小于非晶纳米晶磁环4内径尺寸。进一步考虑到若两者的尺寸差值过大，非晶纳米晶磁环4在热处理时会发生形变同样会影响磁性能，基于此，两者的尺寸差值优选不大于5mm，但并不以此限定，具体可以根据材料热处理收缩率进行设定。
55.本实用新型的较佳的实施例中，底座31的外壁的朝向上盖32的一侧设有一第一台阶313，上盖32的内壁的朝向底座的一侧设有一第二台阶321，上盖32扣合于底座31上方时，底座31抵接第二台阶321，上盖32抵接第一台阶313。
56.本实用新型的较佳的实施例中，底座31的底部和/或上盖32的顶部设有对称的双把手33。
57.具体地，本实施例中，通过设置双把手33一方面保证聚磁盒3能够快速开启和扣合，另一方面，双把手33平行设置且具有一定的高度，使得聚磁盒3放置在料盘2上时，有效减小与料盘2之间的接触面积，对流气氛能够穿过料盘2上的气氛对流孔21作用于聚磁盒3的底部，从而使得聚磁盒3内部装载的非晶纳米晶磁环4受热更为均匀，进而进一步提升非晶纳米晶磁环4的磁性能。
58.如图3所示，上述上盖32上可以设置双把手33，如图1所示，上盖32上也可以不设置双把手33。
59.本实用新型的较佳的实施例中，料架框1的底部设有多个滑动轮17，料架框1的底部侧面设有一料架推手18。
60.具体地，本实施例中，通过设置滑动轮17和料架推手18方便料架框进出热处理炉，操作更为省力。
61.以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。