一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置的制作方法

文档序号:33990935发布日期:2023-04-29 15:22阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:包括机体(1),所述机体(1)上开设有若干个加工腔(11),所述机体(1)的中心设置有机械臂,每个所述加工腔(11)内设置有加工装置,所述加工装置包括:研磨腔(12),所述研磨腔(12)内设置有研磨装置(2),所述研磨装置(2)连通有降温装置(3),所述研磨装置(2)包括:升降环(21),所述升降环(21)与研磨腔(12)内壁滑动连接,所述升降环(21)的侧壁上设置有齿条,所述研磨腔(12)内壁上设置有转动齿轮,所述转动齿轮通过微型电机驱动,所述齿条与转动齿轮啮合;

2.根据权利要求1所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述升降环(21)及滑动环(22)均由两个半圆环组成,组成所述升降环(21)的两个所述半圆环分别与研磨腔(12)侧壁滑动连接,组成所述滑动环(22)的两个所述半圆环分别与组成升降环(21)的两个半圆环连接,所述滑动环(22)中的所述半圆环与升降环(21)中的半圆环开口方向一致。

3.根据权利要求1所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述研磨装置(2)还包括:弧形块(24),所述弧形块(24)设置有若干个,若干个所述弧形块(24)沿着研磨腔(12)轴线环绕布置,所述弧形块(24)远离研磨腔(12)内壁的一侧设置有转动块(25),所述转动块(25)表面设置有吸盘,所述转动块(25)的内部设置有气泵,所述吸盘通过管道连接气泵,所述转动块(25)的侧壁上环绕开设有若干个弧形槽(251),所述弧形槽(251)与弧形块(24)外壁接触。

4.根据权利要求3所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述转动块(25)的底部设置有转轴(26),所述转轴(26)远离转动块(25)的一侧设置有转动臂(27),所述转动臂(27)远离转轴(26)的一侧设置有电机座(28),所述电机座(28)内设置有电机,所述电机中的驱动轴连接转动臂(27),所述电机座(28)远离转动臂(27)的一侧设置有移动座(29),所述移动座(29)通过滑轨与研磨腔(12)底部滑动连接。

5.根据权利要求4所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述电机座(28)内的电机驱动轴穿过转动臂(27)的一端设置有主齿轮,所述转轴(26)穿过转动臂(27)的一端设置有从动齿轮,所述转轴(26)通过从动齿轮与转动臂(27)转动连接,所述主齿轮与从动齿轮之间啮合有惰轮。

6.根据权利要求1所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述降温装置(3)包括:移动槽(31),所述移动槽(31)开设在弧形块(24)内,所述移动槽(31)内滑动连接有推动块(32),所述推动块(32)靠近移动槽(31)的一侧设置有推动板(33),所述推动板(33)与推动块(32)之间设置有弹簧;所述推动板(33)靠近机体(1)的一侧设置有输液管(34),所述输液管(34)内设置有橡胶软管(35),所述橡胶软管(35)顶部设置有出液口,所述橡胶软管(35)底部设置有进液口,所述出液口和进液口均设置有单向阀。

7.根据权利要求6所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述输液管(34)的顶部设置有喷口,所述升降环(21)的内部环绕开设有喷槽(212),所述喷槽(212)连通喷口,所述喷槽(212)由斜槽和平槽组成,所述喷槽(212)平面的上表面与研磨环(23)的下表面处于同一平面。

8.根据权利要求1所述的一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,其特征在于:所述研磨腔(12)的底部设置有过滤腔(36),过滤腔(36)内填充有研磨液;所述过滤腔(36)内设置有多层过滤网,所述过滤腔(36)底部设置有泵机,所述过滤腔(36)连通输液管(34)。


技术总结
本发明公开了一种自动调整打磨工件的硅片精磨加工装置,涉及表面处理技术领域,包括机体、加工腔,每个所述加工腔内设置有加工装置,所述加工装置包括:研磨腔,所述研磨腔内设置有研磨装置,所述研磨装置连通有降温装置,所述研磨装置包括:升降环,所述升降环与研磨腔内壁滑动连接,所述升降环的表面设置有滑动环,所述滑动环的内壁为放置口;研磨装置在精磨的过程中,控制器控制降温装置启动,降温装置随即向精磨的硅片喷出研磨液,研磨液随后进入研磨环与硅片之间,研磨液随即对硅片和研磨环进行降温,降温的同时将研磨产生的碎屑向远离硅片的一侧移动,避免了研磨碎屑残留在硅片表面,导致硅片表面受到损伤,提高了硅片研磨的质量。

技术研发人员:陈伟,吴超慧,张鹏,李林东,陈志军,许堃,李安君,邢立勋,毛亮亮,杨朝红
受保护的技术使用者:苏州晨晖智能设备有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/11
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