1.一种铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，包括：a组份和每当铜离子升高100ppm，补加0.05～0.3％a组分重量的b组分；所述a组份和b组分均至少包括：至少具有两个羧基的有机酸、胺类化合物、过氧化氢稳定剂、含氮杂环化合物、去离子水。
2.根据权利要求1所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述至少具有两个羧基的有机酸选自乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、酒石酸、次氮基三乙酸中的一种或多种组合。
3.根据权利要求2所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述丙二酸、苹果酸和柠檬酸在a组分中的质量比为(0.5～1.5)：(1～3):(1～3)。
4.根据权利要求2或3所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述胺类化合物选自甲胺、乙二胺、二甲基乙醇胺、二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、二甲基乙二胺、三羟甲基氨基甲烷、四甲基氢氧化铵中的一种或多种组合。
5.根据权利要求2或3所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述含氮杂环化合物选自5-氨基四氮唑、1,2,3-三氮唑、3-氨基三氮唑中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述a组分还包括过氧化氢、可电离出氟离子的化合物。
7.根据权利要求6所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述可电离出氟离子的化合物选自氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、氟硼酸铵、三氟乙酸中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述a组分，以a组份总重百分比计，包括：过氧化氢5～18％、至少具有两个羧基的有机酸3～10％、胺类化合物3～10％、过氧化氢稳定剂0.05～3％、含氮杂环化合物0.02～0.5％、可电离出氟离子的化合物0.001～0.1％、去离子水余量。
9.根据权利要求7所述的铜金属蚀刻液组合物，其特征在于，所述b组分，以b组份总重百分比计，包括：至少具有两个羧基的有机酸5～30％、胺类化合物5～30％、过氧化氢稳定剂0.05～2％、含氮杂环化合物0.02～0.8％、去离子水余量。
10.一种根据权利要求1～9任一项所述的铜金属蚀刻液组合物的使用方法，在使用a组分对以铜为主要成分的铜合金多层薄膜进行蚀刻时，随着铜离子浓度每升高100ppm，向a组分中补加0.05～0.3％a组分重量的b组分。