本技术涉及蚀刻液领域，尤其涉及一种蚀刻铜箔的酸性蚀刻液及其制备方法。
背景技术：
1、酸性蚀刻液是一种常用的蚀刻介质，广泛应用于印刷电路板(pcb)的制造过程中。在pcb制造中，需要精确地蚀刻掉铜箔上的不需要的部分，以形成所需的电路图案。
2、目前对基板上覆盖的铜箔进行蚀刻的蚀刻液包括有酸性氯化铜、碱性氯化铜、硫酸/双氧水、氯化铁、硫酸/铬酸等蚀刻体系。尽管上述蚀刻液具有较快的蚀刻速率和较好的蚀刻均匀性，但仍存在一些问题。例如，随着蚀刻过程的进行，蚀刻液中的铜离子浓度逐渐增加，达到一定程度后，蚀刻速率会显著下降，影响蚀刻效率；增大侧蚀的程度，影响蚀刻的精度；基板面和溶液里会有沉淀生成，从而影响蚀刻效果等等问题，都限制了上述蚀刻液在实际应用中的效果。
3、而本技术为了提供一种优异的铜箔的酸性蚀刻液，用以解决上述问题，其能够有效提高蚀刻液的铜离子的负载浓度，且不会明显影响蚀刻效率，且同时避免了增大侧蚀程度，降低蚀刻精度的问题，大幅减少基板面和溶液中的沉淀含量，另一方面，本技术蚀刻液还具有优异的蚀刻速率、且能够适应一定程度的蚀刻温度，具有十分优异的市场和应用前景。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本技术第一方面提供了一种蚀刻铜箔的酸性蚀刻液，以质量百分比计，原料为：无机酸20～40％，氧化剂4～6％，氟源0.1～0.3％，杂环化合物0.2～0.4％，氨基化合物1.2～2.4％，缓蚀剂1.5～4％，稳定剂0.1～0.2％，去离子水补充余量。
2、作为一种优选的方案，所述氟源，杂环化合物和氨基化合物的质量比为(0.1～0.25)：(0.25～0.35)：(1.5～2.2)。
3、作为一种优选的方案，所述氟源，杂环化合物和氨基化合物的质量比为(0.15～0.2)：(0.28～0.3)：(1.8～2)。
4、作为一种优选的方案，所述无机酸为硝酸和盐酸的组合物。
5、作为一种优选的方案，所述硝酸和盐酸的质量比为(5～8)：(0.5～1)。
6、作为一种优选的方案，所述硝酸和盐酸的质量比为(6～7)：(0.6～0.8)。
7、作为一种优选的方案，所述无机酸的浓度为30～95wt％。
8、作为一种优选的方案，所述氧化剂为过氧化氢、过苯甲酸、次氯酸钠、氯化铁中的至少一种。
9、作为一种优选的方案，所述氧化剂为过氧化氢，次氯酸钠和氯化铁的组合物。
10、作为一种优选的方案，所述过氧化氢，次氯酸钠和氯化铁的质量比为(3～4)：(1～1.5)：(0.2～0.3)。
11、作为一种优选的方案，所述过氧化氢，次氯酸钠和氯化铁的质量比为(3.2～3.5)：(1.2～1.3)：(0.2～0.25)。
12、作为一种优选的方案，所述氟源为氢氟酸。
13、作为一种优选的方案，所述杂环化合物为3-氨基-1，2，4-三唑、2-氨基噻唑、6-硝基苯并咪唑、甲基苯骈三氮唑、2-巯基苯并噻唑中的至少一种。
14、作为一种优选的方案，所述杂环化合物为2-巯基苯并噻唑和6-硝基苯并咪唑的组合物。
15、作为一种优选的方案，所述2-巯基苯并噻唑和6-硝基苯并咪唑的质量比为(4～4.5)：(1～2)。
16、作为一种优选的方案，所述2-巯基苯并噻唑和6-硝基苯并咪唑的质量比为(4.2～4.4)：(1.4～1.6)。
17、作为一种优选的方案，所述氨基化合物为三羟甲基氨基甲烷、二乙醇胺、氧化四甲铵、三乙醇胺、二乙氨基丙胺、二甲基乙醇胺、丙二胺中的至少一种。
18、作为一种优选的方案，所述氨基化合物为三羟甲基氨基甲烷，二乙氨基丙胺和丙二胺的组合物。
19、作为一种优选的方案，所述三羟甲基氨基甲烷，二乙氨基丙胺和丙二胺的质量比为(3～4)：(0.5～1)：(1.2～1.8)。
20、作为一种优选的方案，所述三羟甲基氨基甲烷，二乙氨基丙胺和丙二胺的质量比为(3.2～3.5)：(0.6～0.8)：(1.4～1.6)。
21、本技术中通过选用上述杂环化合物和氨基化合物与氢氟酸共同作用，大幅提高了酸性蚀刻液的蚀刻精度和效率，并且减少了侧蚀程度和沉淀含量。通过上述杂环化合物和氨基化合物的共同作用，加速了氧化剂和氟源对于金属的接触，同时，通过杂环化合物中的杂原子与金属表面形成良好的络合物，进而限制了蚀刻液对于侧面的影响，且随着蚀刻的进程的进行，杂环化合物和氨基化合物形成的蚀刻液体系内部的稳定络合物，稳定蚀刻液中的化学平衡，从而在保证蚀刻精度和效率的同时，减少整体的沉淀含量。
22、作为一种优选的方案，所述缓蚀剂为咪唑啉类和氮唑类的组合物。
23、作为一种优选的方案，所述咪唑啉类和氮唑类的质量比为(1.5～2)：(3～3.5)。
24、作为一种优选的方案，所述咪唑啉类为油酸基羟乙基咪唑啉或油酸基胺乙基咪唑啉。
25、作为一种优选的方案，所述咪唑啉类为油酸基胺乙基咪唑啉。
26、作为一种优选的方案，所述氮唑类为甲基苯骈三氮唑、3-氨基三氮唑、巯基苯并三氮唑中的至少一种。
27、作为一种优选的方案，所述氮唑类为甲基苯骈三氮唑和巯基苯并三氮唑的组合物。
28、作为一种优选的方案，所述甲基苯骈三氮唑和巯基苯并三氮唑的质量比为(6～8)：(2～3)。
29、作为一种优选的方案，所述甲基苯骈三氮唑和巯基苯并三氮唑的质量比为(7～7.5)：(2～2.5)。
30、作为一种优选的方案，所述稳定剂为羟基磺酸钠、氯化铵、柠檬酸、乙二胺四乙酸中的至少一种。
31、作为一种优选的方案，所述稳定剂为羟基磺酸钠和乙二胺四乙酸的组合物。
32、作为一种优选的方案，所述羟基磺酸钠和乙二胺四乙酸的质量比为(1～1.5)：(0.5～1)。
33、本技术中通过上述稳定剂和缓蚀剂的复配使用，能够与表面的金属原子结合形成适宜厚度的保护膜，对蚀刻液与面板的接触程度进行限定，从而保护了局部结构，避免了因为蚀刻液的过度渗入而导致的过度腐蚀以及侧蚀现象，且通过对于蚀刻液体系的络合作用，形成的稳定络合物能够大幅提高其对于金属粒子的吸收程度，从而在蚀刻作业时大幅提高其蚀刻效率，进而获得良好的蚀刻精度，并且减少不必要的沉淀含量。
34、本技术第二方面提供了一种上述蚀刻铜箔的酸性蚀刻液的制备方法，具体包括以下步骤：将无机酸缓慢加入至去离子水搅拌均匀后，依次加入剩余原料，升温至45～55℃，40～60rpm转速搅拌至溶液均匀后，将溶液自然降温至25℃，即得。
35、本技术具有的有益效果：
36、1、本技术中提供的一种蚀刻铜箔的酸性蚀刻液，其能够有效提高蚀刻液的铜离子的负载浓度，且不会明显影响蚀刻效率，且同时避免了增大侧蚀程度，降低蚀刻精度的问题，大幅减少基板面和溶液中的沉淀含量，另一方面，本技术蚀刻液还具有优异的蚀刻速率、且能够适应一定程度的蚀刻温度，具有十分优异的市场和应用前景。
37、2、本技术中提供的一种蚀刻铜箔的酸性蚀刻液，通过杂环化合物和氨基化合物的共同作用，加速了氧化剂和氟源对于金属的接触，同时，通过杂环化合物中的杂原子与金属表面形成良好的络合物，进而限制了蚀刻液对于侧面的影响，且随着蚀刻的进程的进行，杂环化合物和氨基化合物形成的蚀刻液体系内部的稳定络合物，稳定蚀刻液中的化学平衡，从而在保证蚀刻精度和效率的同时，减少整体的沉淀含量。
38、3、本技术中提供的一种蚀刻铜箔的酸性蚀刻液，其特定的稳定剂和缓蚀剂的复配使用，能够与表面的金属原子结合形成适宜厚度的保护膜，对蚀刻液与面板的接触程度进行限定，从而保护了局部结构，避免了因为蚀刻液的过度渗入而导致的过度腐蚀以及侧蚀现象，且通过对于蚀刻液体系的络合作用，形成的稳定络合物能够大幅提高其对于金属粒子的吸收程度，从而在蚀刻作业时大幅提高其蚀刻效率，进而获得良好的蚀刻精度，并且减少不必要的沉淀含量。