基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板处理装置，该基板处理装置用于在形成为真空气氛的立式的反应容器内对被基板保持件保持成搁板状的基板供给处理气体来进行处理。
【背景技术】
[0002]众所周知，在立式热处理装置的反应容器内，使用被等离子体活性化之后的处理气体对被晶圆舟皿保持成搁板状的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行处理。例如，公知有以下这样的方法:对晶圆交替地供给原料气体和与原料气体发生反应而形成反应生成物的反应气体，在使用所谓的ALD (Atomic Layer Deposit1n，原子层沉积)法形成S1j莫时，会使上述反应气体活性化而促进与原料气体发生反应。
[0003]另一方面，经常会在上述晶圆舟皿的上部侧和下部侧载置仿真晶圆，并在载置有该仿真晶圆的状态下实施多次批处理。在仿真晶圆上会累积而形成薄膜，当该累积起来的薄膜的膜厚成为规定厚度以上时，对反应容器进行清洁。然而，发现在到达预定好的清洁时间之前颗粒在反应容器内飞散并附着在晶圆上的现象，因此，本发明人一直怀疑仿真晶圆与等离子体之间相关联而导致产生颗粒。
[0004]上述方法提出了一种这样的技术:在将被处理体从处理容器中搬出来的状态下实施氧化净化(日文《一P )处理，从而会减少已堆积在处理容器的内壁的膜中的Si源气体的放出量。但是该技术用于抑制由Si源气体与氧化物质发生反应而生成的颗粒。而且，在其他以往的方法中公知有一种这样的技术:在采用了等离子体的基板处理装置中，通过切换用于生成等离子体的电极的正极侧和接地侧来施加高频电力。但是该技术用于抑制附着物堆积在电极的正极侧，而降低清洁频率。因而，即使使用这些上述以往的方法的技术，也无法解决本发明的问题。
【发明内容】
_5] 发明要解决的问题
[0006]本发明提供一种这样的技术:在立式的反应容器内使用处理气体对被基板保持件保持成搁板状的基板进行处理时减少附着在基板上的颗粒。
_7] 用于解决问题的方案
[0008]因此，本发明提供一种基板处理装置，其是在形成为真空气氛的立式的反应容器内对基板供给处理气体来进行处理的装置，其中，该基板是被基板保持件保持成搁板状的、直径为300mm以上的多个半导体晶圆，其中，
[0009]该基板处理装置包括:
[0010]电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；
[0011]构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；以及
[0012]排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，
[0013]上述构造物配置于在俯视上述反应容器时、从上述反应容器的中心部看来向左方或右方与上述电极中的距该构造物最近的部位分别分开40度以上的区域。
[0014]而且，本发明提供一种基板处理装置，其是在形成为真空气氛的立式的反应容器内对被基板保持件保持成搁板状的多个基板供给处理气体来进行处理的装置，其中，
[0015]该基板处理装置包括:
[0016]电极，其以在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置，以便对上述处理气体供给电力而使上述处理气体活性化；
[0017]构造物，其以在排列有上述基板的高度区域内在上述基板保持件的长度方向上延伸的方式设置在上述反应容器内；
[0018]排气口，其用于对上述反应容器内进行真空排气，
[0019]上述构造物配置在基于供给至上述电极的上述电力所产生的电场强度小于8.12X102V/m 的区域。
[0020]添加的附图作为本说明书中的一部分内容被编入并用于表示本发明的实施方式，其与上述通常的说明及后述的实施方式的详细内容一同来说明本发明的概念。
【附图说明】
[0021]图1是表示本发明的基板处理装置的一例的横剖视图。
[0022]图2是表示基板处理装置的一例的纵剖视图。
[0023]图3是表示基板处理装置的一例的纵剖视图。
[0024]图4是表示基板处理装置的一例的横剖视图。
[0025]图5是表示基板处理装置的一例的横剖视图。
[0026]图6是电场矢量的模拟图。
[0027]图7是电场强度分布的模拟图。
[0028]图8是表示帕邢曲线的特性图。
[0029]图9是表示评价试验的结果的特性图。
[0030]图10是表示评价试验的结果的特性图。
【具体实施方式】
[0031]针对本发明的第I实施方式的基板处理装置而言，在下述的详细说明中为了能够充分地理解本发明，赋予了较多的具体的详细内容。但是，不言自明，本领域的技术人员即使没有这样的详细说明也能够实现本发明。在其他例子中，为了避免难以理解各种实施方式，不对公知的方法、步骤、系统、结构元件进行详细描述。参照图1?图5进行说明。
[0032]图1是基板处理装置的横剖视图，图2是沿着图1中的A — A线剖切后得到的基板处理装置的纵剖视图，图3是沿着图1中的B — B线剖切而得到的基板处理装置的纵剖视图。图1?图5中的附图标记I为例如由石英形成为立式圆筒状的反应容器，该反应容器I内的上部侧被石英制的顶板11密封起来。而且，在反应容器I的下端侧连结有例如由不锈钢形成为圆筒状的歧管2。歧管2的下端构成为，作为基板搬入搬出口 21开口，并被设于舟皿升降机22的石英制的盖体23气密地关闭。在盖体23的中央部贯穿地设有旋转轴24，在旋转轴24的上端部搭载有作为基板保持件的晶圆舟皿3。
[0033]上述晶圆舟皿3例如包括5根支柱31，其支承晶圆W的外缘部，能够将多张例如111张晶圆W保持成搁板状。该晶圆W的直径为300mm以上，例如在晶圆舟皿3的晶圆排列区域的上部侧(例如是从最上层的晶圆开始与3张晶圆相应的量的区域)和下部侧(例如是从最下层的晶圆开始与3张晶圆相应的量的区域)搭载有仿真晶圆DW。在图2中，将晶圆舟皿3上的晶圆中的、靠上部侧的两张晶圆和靠下部侧的两张晶圆作为仿真晶圆DW。上述舟皿升降机22构成为利用未图示的升降机构升降自如，上述旋转轴24构成为利用构成驱动部的电机M绕铅垂轴线旋转自如。附图中的附图标记25为绝热单元。这样，晶圆舟皿3构成为该晶圆舟皿3被装载(搬入)到反应容器I内，并在被盖体23堵塞反应容器I的基板搬入搬出口 21的处理位置和反应容器I的下方侧的搬出位置之间升降自如。
[0034]如图1和图2所示，在反应容器I的侧壁的一部分设有等离子体发生部4。该等离子体发生部4包括截面大致呈四边形的等离子体生成室41，该等离子体生成室41以将形成在反应容器I的侧壁上的上下方向上细长的开口部12覆盖起来的方式形成。该等离子体生成室41是由鼓出的壁部包围起来的空间，该鼓出的壁部是通过使上述反应容器I的侧壁的一部分沿着晶圆舟皿3的长度方向向外侧鼓起而成的，例如通过将例如石英制的划分壁42气密性地接合在反应容器I的侧壁上来构成。而且，如图1所示，划分壁42的一部分进入到反应容器I的内部，在该反应容器I内的、划分壁42的前表面形成有用于使气体通过的细长的气体供给口 43。这样，等离子体生成室41的一端侧向反应容器I内开口而与反应容器I内相连通。上述开口部12和气体供给口 43例如以能够涵盖被晶圆舟皿3支承的所有晶圆W的方式在上下方向上形成得较长。
[0035]而且，在划分壁42的两个侧壁的外侧表面沿着其长度方向设有彼此相对的一对等离子体发生用的电极441、442，该电极441、442沿着晶圆舟皿3的长度方向(上下方向)延伸。这些电极441、442用于生成电容耦合等离子体，将从等离子体生成室41的角度观察反应容器I时、位于右侧的电极称作第I电极441，将位于左侧的电极称作第2电极442。第I电极441和第2电极442借助供电线46连接有等离子体发生用的高频电源45，通过对这些电极441、442以30W以上且200W以下例如150W的功率供给例如13.56MHz的高频电压，从而生成等尚子体。而且，在划分壁42的外侧以覆盖划分壁42的方式安装有例如由石英制成的绝缘保护罩47。
[0036]而且，筒状的绝热体34以将反应容器I的外周包围起来的方式固定地设于基体35，在该绝热体34的内侧设有例如由电阻发热体构成的筒状的加热器36。加热器36例如以在上下方向上分割成多段的方式安装在绝热体34的内侧壁。而且，例如在反应容器I与加热器36之间如图3所示那样设有环状的送气口 37，构成为将冷却气体从冷却气体供给部38送入该送气口 37。此外，图2中省略了送气口 37的图示。
[0037]在上述歧管2的侧壁插入有原料气体供给路径51，该原料气体供给路径51用于供给作为原料气体的硅烷系气体例如二氯甲硅烷(DCS:SiH2Cl2)，在该原料气体供给路径51的顶端部设有原料气体喷嘴52。原料气体喷嘴52例如由截面呈圆形的石英管构成，