一种基板加热板的制作方法
【技术领域】 [0001] ：
[0002] 本实用新型涉及真空高温反应腔内的加热装置领域，尤其涉及一种基板加热板。
【背景技术】 [0003] ：
[0004] 在太阳能电池或平板显示等领域，会涉及高温反应腔（400-600°C)对基板进行工 艺处理，例如，对于新兴的AMOLED (有源矩阵有机发光二极体面板）的工艺设备PECVD (等 离子体加强型化学气相沉积）而言，为了使薄膜具有最优的减反射和最佳表面钝化的效果， PECVD的工艺温度需达到450°C左右，这相对于传统工业中使用的200-280°C的PECVD设备 的工艺温度，提高了约200°C，此时，传统技术中采用的对PECVD腔体整体加热的方法将不 再适用，其主要原因是铝材腔体在400-600°C温度时强度明显变差，甚至出现软化现象。因 此，对于AMOLED所适用的真空高温反应腔通常会采用仅对基板加热的局部加热方式，但这 种方式又会使得腔体与加热基板存在大约300-500°C的巨大温差，使加热板很容易通过与 腔体相连的加热板支撑件流失热量，严重影响了加热板加热温度的均匀性。而在工业上，通 常PECVD设备中AMOLED制作工艺对温差的要求为小于±5°C，否则将会影响成膜质量。
[0005] 另一方面，为了提高产能，工业上采用的基板面积也在不断增大，基板边缘部分相 对于中心部分会有更多的热能损失，也会造成加热板的加热均勻性明显降低，不利于高质 量薄膜的生长。
[0006] 因此，提供一种能适用在真空高温反应腔内（如400-600°C)，且仍可以对大面积基 板进行均匀供热的加热装置成为亟待解决的问题。
[0007] 【实用新型内容】：
[0008] 为了解决上述问题，本实用新型提供了一种基板加热板，通过内加热部和外加热 部两个部分来给基板供热，其中内加热部的电阻丝以中心疏两端密的方式迂回环绕在加热 板中间位置，外加热部围绕在内加热部的外缘部分，内加热部和外加热部具有不同加热功 率并且可以分别进行独立控制，通过采用本技术方案所述的加热板，可以改善真空高温反 应腔内加热板对大面积基板加热的温度均匀性，从而改善沉积薄膜的均匀性，保证较高的 薄膜质量。
[0009] 本实用新型提供了一种基板加热板，包括迂回环绕结构的内加热部和围绕在所述 内加热部外围的外加热部，所述内加热部的电阻丝的排列为不均匀排列，其中心的电阻丝 密度小于两端的电阻丝密度，所述内加热部和外加热部具有不同的加热功率且可以分别进 行独立控制。
[0010] 可选地，所述加热板提供的温度范围为400-600°C。
[0011] 可选地，所述外加热部与内加热部的功率比P^P内=(〇. 3?0. 7) :1。
[0012] 可选地，所述内加热部两端电阻丝排列的最高密度与中心电阻丝排列的最低密度 比范围为：（1. 5?3) :1。
[0013] 可选地，所述基板的面积大于0· 8 m2。
[0014] 可选地，所述加热板设置于制备AMOLED的PECVD反应腔中。
[0015] 可选地，所述PECVD反应腔的腔体温度范围为60-1KTC。
[0016] 相对于现有技术，本实用新型实现的技术效果为：
[0017] 1)本发明通过对内加热部和外加热部的功率比进行合理设置及独立控制，可以对 热量损失大的部位进行补偿，从而使加热板能够具有更好的温度均匀性，同时，通过调解内 加热部和外加热部的功率比，能够实现内加热部和外加热部的解耦，无需同时监控二者参 数，从而减少控制难度。
[0018] 2)通过内加热板电阻丝的不均匀排布，例如通过对回绕匝数、回绕间距的分布设 定来克服加热板中心温度高于边缘温度的不均匀性困难，有利于提高加热板的温度均匀 性。
【附图说明】 [0019] ：
[0020] 图1是本实用新型中一种基板加热版的结构示意图。
[0021] 图2是本实用新型第一实施例中基板加热板上表面的温度分布图。
[0022] 图3是本实用新型第二实施例中基板加热板上探测点的位置关系图。
[0023] 图4是本实用新型第二实施例中CHl?CH12各探测点在降温过程中温度随时间 变化的曲线。
【具体实施方式】 [0024] ：
[0025] 以下将结合附图所示的具体实施例对本实用新型进行详细描述。值得说明的是， 下文所记载的实施例并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出 的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
[0026] 本发明披露了一种加热板，通过对加热板上电阻丝的设计和布局，能够改善加热 板的温度分布，提高温度均匀性，从而改善薄膜沉积的质量，提高膜厚均一性。
[0027] 需要声明的是：在本发明中，所述高温反应腔是指反应腔腔内的覆膜环境为高温， 即加热板对基板提供的加热温度为高温，具体地，加热板的加热温度范围为400-600°C，而 反应腔腔体本身并非这个温度，由于所述反应腔内采用的是仅加热基板的局部加热方式， 故腔体本身的温度范围仅有60-1KTC。
[0028] 第一实施例：
[0029] 图1为加热板的示意图，加热板100的材质可以采用铝材、不锈钢等材质。所述加 热板上表面与基板直接接触，用于对高温真空反应腔中的基板供热。所述高温反应腔为温 度400-600°C的真空腔体，例如，本实施例中是用于制作AMOLED的450°C的PECVD反应腔。 所述基板的面积大于〇. 8m2,例如,本实施例中为第4. 5代面板,其大小为1. 3*1. lm2。为了 使加热板能尽量对基板进行均匀加热，所述加热板的面积应与基板大小基本一致。所述加 热板下方由多个固定于反应腔腔体底壁的支撑件进行支撑（图未示)，所述反应腔腔体的温 度为60-1KTC，所述支撑件采用绝热性能好的材料，如可采用陶瓷绝热垫圈，由此，在所述 支撑件支撑加热板的同时，能够有