氧化物、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、五氧化二钽、碳化硅或聚酰亚胺等等，它们可以通过各种沉积或涂覆工艺来施加，包括但不限于，火焰喷涂、等离子体喷涂、高能涂层、化学气相沉积(CVD)、喷涂、粘合剂膜、溅射以及封装。
[0029]在一个实施方式中，支撑主体142封装至少一个嵌入加热元件146，所述至少一个嵌入加热元件146被配置成在处理过程中加热基板114。在一个实施方式中，支撑主体142还包括用于进行温度控制的热电偶。在一个实施方式中，支撑主体142可包括一或多个加强构件，所述加强构件是由金属、陶瓷或嵌入其中的其他加强材料构成。
[0030]加热元件146 (如电极或电阻元件)被耦接至功率源148，并且可控制地将基板支撑组件110和定位在所述基板支撑组件110上的基板114加热至预定温度。通常，加热元件146在处理过程中使得基板114维持在约150摄氏度到至少约460摄氏度的均匀温度。加热元件146相对于支撑主体142电浮置。
[0031]轴144从支撑主体142延伸穿过腔室底部102，并且将基板支撑组件110耦接至升降系统150。升降系统150使基板支撑组件110在升高处理位置与促进基板移送的降低位置之间移动。
[0032]在一个实施方式中，基板支撑组件110包括环绕遮蔽结构152。环绕遮蔽结构152被配置成防止处理过程中在基板114和支撑主体142的边缘上的沉积或其他处理。当基板支撑组件110处于升高处理位置时，环绕遮蔽结构152置于基板114和支撑主体142上。当基板支撑组件110在降低位置以进行基板移送时，环绕遮蔽结构152置于基板支撑组件110上方、在壁104上形成的台阶154上。
[0033]在一个实施方式中，支撑主体142具有多个升降杆保持器156，所述多个升降杆保持器156穿过所述支撑主体142设置并且被配置成引导多个升降杆158。每一升降杆保持器156具有形成在其中的穿孔160。穿孔160通向支撑主体142的上表面。每一升降杆保持器156被配置成从穿孔160的下部开口接收一个升降杆158。每一升降杆158从形成于腔室底部102中的凹槽162向上延伸。在支撑主体142与多个升降杆保持器156 —起下降时，多个升降杆158穿过穿孔160并且拾起基板114。随后，将基板114与支撑主体142分开，从而允许基板搬运器将基板114移送出等离子体处理腔室100。
[0034]RF功率源164用于在处理容积108中产生等离子体。在一个实施方式中，阻抗匹配电路166被耦接至RF功率源164。阻抗匹配电路166的第一输出端168与气体分布板124连接，并且阻抗匹配电路166的第二输出端170与基板支撑组件110连接，由此，在设置于气体分布板124与基板支撑组件110之间的处理气体之间施加RF功率，以产生和维持用于处理基板支撑组件110上的基板114的等离子体。
[0035]在一个实施方式中，阻抗匹配电路166的第一输出端168通过气体导管126和背板122与气体分布板124连接。在一个实施方式中，第二输出端170被耦接至腔室主体，例如，侧壁104或盖板120。
[0036]在一个实施方式中，多个RF回程带172通过紧固机构174连接在基板支撑组件110的支撑主体142之间，并通过紧固机构176连接至腔室底部102，所述腔室底部102连接至阻抗匹配电路166的第二输出端170。多个RF回程带172在支撑主体142与腔室底部102之间提供RF电流回程路径。腔室100由耦接至腔室100的真空栗178来抽真空。
[0037]区隔板组件180设置在背板122与气体分布板124之间。区隔板组件180用于将处理气体均匀地分布在气体分布板124后方。为了腔室清洁，使用远程等离子体清洁源182从远离腔室100的位置激发等离子体。来自远程产生等离子体的自由基通过设置在气体分布板124与背板122之间的入口递送至腔室100。如以下将论述，在一个实施方式中，入口设置在气体分布板124与区隔板组件180之间。
[0038]图2是腔室的示意局部横截面图，该图示出RPS 182在背板122与喷淋头124之间的位置处引入自由基。在图2所示实施方式中，区隔板组件180包括两个区隔板202、204，所述区隔板202、204各自具有气体通路206、208穿过其中。另外，喷淋头124的气体通路140被示出为具有顶部钻孔210、夹点212以及中空阴极空腔214。远程等离子体清洁源182产生等离子体以用于对腔室进行清洁。将从等离子体产生的自由基递送至腔室中喷淋头124与背板122之间的位置处。如图2所示，用于递送自由基的出口 216可设置在以下三个位置中的一个位置:在喷淋头124与区隔板组件180之间；在区隔板组件180与背板122之间；以及在区隔板组件180的区隔板202、204之间。应当理解，虽然已经示出两个区隔板202、204，但也预见单区隔板202以及更大数量的(即，多于2个)区隔板。两个区隔板202、204被示出为一个预见实施方式。
[0039]据信，通过在喷淋头124与背板122之间的位置处而非穿过穿孔132将自由基引至腔室，可减小或甚至消除颗粒产生。当自由基穿过穿孔132递送至腔室时，自由基不仅会穿过背板122，而且会另外地穿过小区隔板组件138、区隔板组件180和喷淋头124。因此，自由基在背板122与喷淋头124之间的区域内的停留时间相当的长。随着停留时间增加，自由基会重新化合，并且因此无法有效用于清洁腔室。此外，停留时间越长，自由基与喷淋头124、背板122、小区隔板组件138和区隔板组件180反应的可能性越大。喷淋头124、背板122、小区隔板组件138和区隔板组件180可以包含铝或阳极化铝。清洁自由基(具体地，氟自由基)可以与铝反应，从而产生污染腔室的氟化铝颗粒。通过减少停留时间，氟可不与铝反应，并且因此产生更少(如果存在的话)颗粒。
[0040]在沉积工艺中，与清洁工艺相反，沉积发生在处理容积108中的腔室暴露区域。在等离子体在中空阴极空腔214以及处理容积108中而非在喷淋头124与背板122之间的区域中激发时，沉积通常不是发生在喷淋头124与背板122之间的区域内，除非等离子体或来自沉积等离子体的自由基穿过夹点212回渗。来自沉积等离子体的一些自由基有可能将会穿过夹点212回渗。因此，来自清洁气体等离子体的自由基在喷淋头124与背板122之间的区域中可为有益的。
[0041]清洁气体自由基被引入上述三个区域，即:在喷淋头124与区隔板组件180之间；在区隔板组件180与背板122之间；以及在区隔板组件180的区隔板202、204之间。另外气体可从气源134穿过穿孔132递送。另外气体可以包含与在远程等离子体清洁源182中激发成等离子体的相同的化学组分。或者，气体可以包括惰性气体，如氩。另外未激发的气体会减少或消除自由基的回流，并且因此促进自由基移动穿过喷淋头124中的孔140。来自清洁等离子体的自由基回流越少，在背板122与喷淋头124之间的区域中形成颗粒的可能性越低。
[0042]存在用于出口 216的若干可能位置。图3A至图3B以及图4A至图4C示出用于出口 216的两个可能位置。图3A和图3B是根据一个实施方式的来自RPS 182的出口 216的等距视图。在图3A和图3B中，出口 216设置在外盖118的拐角。在图3A中，以喷淋头124为例，但应理解，出口 216并不限于处于喷淋头124上方的外盖118的拐角处。相反，出口216可设置在处于以下位置的外盖118的拐角:在喷淋头124与区隔板组件180之间；在区隔板组件180与背板122之间；以及在区隔板组件180的区隔板202、204之间。
[0043]图4A至图4C是根据另一实施方式的来自远程等离子体清洁源182的出口 216的等距视图。在图4A和图4B中，出口 2