技术总结
本发明公开了一种三氯氢硅合成炉及系统、使用该合成炉或系统的排渣方法，该合成炉包括合成炉本体和与该合成炉本体的下部连通的气体进气分布段，气体进气分布段用于向合成炉本体内通入气体，合成炉本体由下至上依次为主反应区、副反应区、缓冲区，副反应区上设置有排渣口，排渣口用于在线排出合成炉内的硅渣。通过将合成炉的排出硅渣的排渣口设置在合成炉的硅渣富集的副反应区，该合成炉能最高效率的在线排出合成炉内的硅渣，避免了合成炉长期运行后硅渣在合成炉本体内的富集，进一步提高了合成三氯氢硅的产率。该合成炉不需要对合成炉频繁的停止运行后进行清除硅渣，从而提高了合成炉的运行周期，大大提高了生产效率。
技术研发人员：相文强;崔建文;其他发明人请求不公开姓名;
受保护的技术使用者：新特能源股份有限公司;
文档号码：201410782964
技术研发日：2014.12.16
技术公布日：2016.07.20